JP2011040528A

JP2011040528A - プラズマ処理装置

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Publication number: JP2011040528A
Application number: JP2009185672A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Shirayone; 茂白米; Toru Aramaki; 徹荒巻
Original assignee: Hitachi High Technologies Corp; Hitachi High Tech Corp
Current assignee: Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2009-08-10
Filing date: 2009-08-10
Publication date: 2011-02-24

Abstract

【課題】所望のウエハ温度分布を実現できるウエハ載置用電極を低コストで提供する。
【解決手段】真空容器、該容器内に処理ガスを導入する処理ガスの導入路、導入した処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、前記真空処理容器内に配置した試料台上に試料を載置し、載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は、金属製の本体１と、該本体内に形成した少なくとも２つの流路４Ａ，４Ｂを備え、前記２つの流路の断面形状は相互に相違する。
【選択図】図２

Description

本発明は、プラズマ処理装置に係り、特に、試料面に所望の温度分布を実現することのできるプラズマ処理装置に関する。

半導体製造プロセスでは、一般にプラズマを用いたドライエッチングが用いられている。

ドライエッチングに用いられるプラズマ処理装置は、真空容器と、これに接続されたガス供給系、処理室内圧力を所定の値に保持する排気系、ウエハを静電吸着して固定するウエハ載置用電極、真空容器内にプラズマを生成するアンテナなどから構成されている。

プラズマ処理装置は、真空容器内に例えばハロゲンガスを主成分とした混合ガスを供給し、供給したガスを放電によってプラズマ化し、これによって発生した各種活性種を用いてウエハ載置用電極上に固定したウエハ（試料）にドライエッチングを施す。

所望のエッチング性能を確保するために、種々のパラメータを制御する必要があるが、そのひとつとしてウエハ温度の制御がある。ウエハ温度を制御するためには、ウエハをウエハ載置用電極上に配置した誘電体膜に静電吸着させ、さらにウエハと前記誘電体膜間に所定圧力のヘリウムガス（熱伝達促進用ガス）を導入し、ウエハ温度を制御する方法が一般的に使用されている。

このような従来の技術においては、前記ウエハ載置用電極は、プラズマエッチング装置を構成する真空容器内部の処理室内に配置される。なお、前記電極本体の上面のウエハが載置される部分の表面はアルミナなどの誘電体膜で被覆され、前記ウエハは、前記誘電体膜の上に載置された状態で保持される。

ウエハ載置用電極本体の内部には、本体を冷却するための冷媒を流すための流路が配置される。また、ウエハと誘電体膜の間には、ヘリウムガス等の伝熱ガスを導入するためのガス導入管が配置されている。

また、プラズマエッチング装置は、ウエハ載置用電極本体に直流電圧を印加するための直流電源、ウエハと誘電体膜間に供給する伝熱ガスの圧力を測定する圧力計、ウエハと誘電体膜間に供給する伝熱ガスの流量を制御するマスフローコントローラ、伝熱ガス源であるヘリウムガスボンベ、電極本体内部に供給されて循環する冷媒を所定の温度範囲に維持するための恒温液循環装置を備えている。

このようなプラズマエッチング装置においては、エッチング処理用のプラズマが着火した後、前記直流電源から、前記電極本体に高電圧を印加することによりウエハを前記誘電体膜に静電吸着する。ウエハを誘電体膜に静電吸着した状態で、ヘリウムガスボンベから所定圧力のヘリウムガスを圧力計、マスフローコントローラ、ガス導入管を介してウエハと誘電体膜の間に供給する。

このとき、ウエハ載置用電極本体の内部の流路には、恒温液循環装置により所定温度に制御された冷媒を循環して供給している。

ウエハはプラズマによって加熱されるが、この熱は、ウエハと誘電体膜の間に導入した所定圧力のヘリウムガスを介して、冷媒の流路を流れる所定温度に制御された冷媒に伝熱され、ウエハは所定温度に制御される。しかしながら、プラズマからの入熱が均一でない等の理由から、ウエハの表面温度分布は所望の温度分布からずれることがある。

このような問題を解決する技術として、特許文献１には、ウエハに所望の温度分布を与えるため、ウエハと誘電体膜の間を複数の領域に分割し、各領域に供給するガスの圧力を個々に制御することで、ウエハの温度分布を任意に制御する方法が示されている。また、導入するガスをヘリウムだけでなく、混合ガスとすることで制御性を高めることが示されている。

また、特許文献２には、電極本体の内周側と外周側に独立した冷媒の流路を設け、個々の流路に独立に温調した冷媒を流し、さらにそれらの冷媒の流路間を熱的に分離することで、ウエハの温度分布を制御する技術が示されている。

特開平７−３３５６３０号公報特開２００３−２４３３８０号公報

特許文献１記載の技術は、ウエハと誘電体膜間を複数の領域に分割し、個々の領域にヘリウムガスあるいはヘリウムガスとの混合ガスを、所定の圧力に調整して供給することが必要である。このため、ガス供給のためのハードウエアが複雑になる。また、分割した領域数に応じた数の圧力計、マスフローコントローラなどの計測・制御機器を準備する必要があり、構成が複雑となるとともにコスト高になる。

また、特許文献２記載の技術は、独立した冷媒の流路に独立した温度の冷媒を流す必要があるため、ハードウエアが複雑になる。また、冷媒の温度制御システムが複数必要になる。

本発明は、これらの問題点に鑑みてなされたもので、簡易な装置構成かつ低コストで所望のウエハ温度分布を実現できるウエハ載置用電極を備えたプラズマ処理装置を提供するものである

本発明は上記課題を解決するため、次のような手段を採用した。

真空容器、該容器内に処理ガスを導入する処理ガスの導入路、導入した処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、前記真空処理容器内に配置した試料台上に試料を載置し、載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は、金属製の本体と、該本体内に形成した少なくとも２つの流路を備え、前記２つの流路の断面形状は相互に相違する。

本発明は、以上の構成を備えるため、所望のウエハ温度分布を実現できるウエハ載置用電極を備えたプラズマ処理装置を簡易な装置構成でかつ低コストで提供することができる。

プラズマエッチング装置を説明する図である。第１の実施形態にかかるウエハ載置用電極を説明する図である。冷媒の流路を示す縦断面図である。冷媒の流路を示す縦断面図である。第２の実施形態にかかるウエハ載置用電極を説明する図である。流路の変形例（１）を説明する図である。流路の変形例（２）を説明する図である。流路の変形例（３）を説明する図である。流路の変形例（４）を説明する図である。流路の変形例（５）を説明する図である。

以下、本発明の実施形態を添付図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態にかかるプラズマエッチング装置を説明する図である。

図１において、真空容器１０１の上部開口部には、導電体である平面状のアンテナ電極１０２、電磁波を透過可能な誘電体窓１０３を気密に設け、真空容器１０１の内部に処理室を形成している。真空容器１０１の外周部には、磁場発生用コイル１０４が設けてある。アンテナ電極１０２はエッチングガスを流すため多孔構造であり、ガス供給装置１０６が接続されている。真空容器１０１の下部には真空排気口１０５を介して真空排気装置（図示省略）が接続されている。

アンテナ電極１０２の上部には、同軸線路１０７を設け、該線路はフィルタ１０８、整合器１０９を介してプラズマ生成用の高周波電源１１０（例えば周波数４５０ＭＨｚ）に接続している。また、アンテナ電極１０２は同軸線路１０７、フィルタ１１１、整合器１１２を介してアンテナバイアス電源１１３（例えば周波数８００ｋＨｚ）に接続している。ここでフィルタ１０８は高周波電源１１０からの高周波電力を通過させ、アンテナバイアス電源１１３からのバイアス電力を効果的にカットする。フィルタ１１１はアンテナバイアス電源１１３からのバイアス電力を通過させ、高周波電源１１０からの高周波電力を効果的にカットする。

真空容器１０１の下部には、被処理材であるウエハ１１５を搭載可能なウエハ載置用電極１１４を設けてある。ウエハ載置用電極１１４はフィルタ１１６、整合器１１７を介してウエハバイアス電源１１８（例えば８００ｋＨｚ）に接続している。また、ウエハ載置用電極１１４はフィルタ１１９を介してウエハ１１５を静電吸着するための直流電源１２０に接続してある。

ここでフィルタ１１６はウエハバイアス電源１１８からのバイアス電力を通過させ、高周波電源１１０からの高周波電力を効果的にカットする。また、フィルタ１１９は直流電源１２０からの直流電力を通過させ、高周波電源１１０、ウエハバイアス電源１１８からの電力を効果的にカットする。

ウエハ載置用電極１１４は、恒温液を循環させて、載置用電極１１４の温度を制御するために恒温液循環装置１２１と接続している。また、載置用電極上に載置されたウエハ１１５を所定の温度に制御するため、ウエハ載置用電極１１４は、圧力計１２２、流量計１２３を介してＨｅガスボンベに接続して、ウエハ１１５とウエハ載置用電極との間に供給するＨｅガスの圧力を制御している。

図２は、第１の実施形態にかかるウエハ載置用電極を説明する図である。図２において、１は載置用電極本体、２はアルミナなどの誘電体膜、３は被処理基板であるウエハ、４Ａ、４Ｂはウエハ載置用電極本体を冷却するための冷媒の流路、５はウエハ３と誘電体膜２の間にヘリウムガスを導入するためのガス導入管、６は電極本体１に直流電圧を印加するための直流電源、７はウエハと誘電体膜間に供給するガスの圧力を測定する圧力計、８はウエハと誘電体膜間に供給するガス流量を制御するマスフローコントローラ、９はヘリウムガスボンベ、１０は冷媒導入口、１１は冷媒排出口、１２は恒温液循環装置である。

恒温液循環装置１２で２０℃に温調された冷媒（流量：１０Ｌ／ｍｉｎ）は、まず、冷媒導入口１０から載置用電極本体１に導入され、冷媒の流路４Ａ（全長１ｍ）を通る。次に、冷媒の流路４Ｂ（全長１ｍ）を流れる。次に、冷媒排出口１１から載置用電極本体１の外部に出て、プラズマエッチング装置の外部にある恒温液循環装置１２に戻る。なお、冷媒の流路４Ａと冷媒の流路４Ｂの境界部は、断面形状がなだらかに変化するように両者をつないで圧力損失を小さくしている。

図３、図４は、図２に示す冷媒の流路の詳細を示す縦断面図であり、図３は流路４Ａ、図４は流路４Ｂの詳細を説明する図である。流路４Ａは載置用電極本体１の外周側に設けてあり、流路４Ｂは載置用電極本体１の内周側に設けてある。各部の寸法（ｍｍ）は、図３、図４に示す通りである。

冷媒の流路４Ａには、図３に示すように、電極本体１と冷媒との接触面積を増加させるためのフィン２０が４枚設けてある。流路４Ａの冷媒が流れる部分の断面積はＡ_ａ＝２．１×１０^−４ｍ^２であり、流速はＳ_ａ＝８．１７×１０^−１ｍ／ｓ、ぬれぶち長さはＬ_ａ＝０．２２ｍである。フィン効率を考慮すると、流路４Ａでの熱伝達率はｈ_ａ＝５３２Ｗ／ｍ^２Ｋである。

また冷媒の流路４Ｂの断面は、図４に示すような矩形である。冷媒が流れる部分の断面積はＡ_ｂ＝８×１０^−５ｍ^２であり、流速はＳ_ｂ＝２．１ｍ／ｓ、ぬれぶち長さＬ_ｂ＝０．０４８ｍである。このとき、流路４Ｂでの熱伝達率はｈ_ｂ＝１９１０Ｗ／ｍ^２Ｋである。

なお、ここで使用している冷媒の物性値は、熱伝導率λ＝０．０６３６Ｗ／ｍＫ、密度ρ＝１８２９ｋｇ／ｍ^３、比熱Ｃｐ＝１０４５Ｊ／ｋｇＫ、動粘度η＝８．２×１０^−７ｍ^２／ｓである。

流路４Ａ、４Ｂを流れる冷媒は、それぞれ１ｍ進むうちに１０００Ｗの熱量を受けると仮定し、流路４Ａにおける載置用電極本体１と冷媒との温度差をΔＴ_Ａ、流路４Ｂにおけるウエハ載置用電極本体１と冷媒との温度差をΔＴ_Ｂとすると、ΔＴ_Ａ、ΔＴ_Ｂはそれぞれ次のようになる。

ΔＴ_Ａ＝１０００÷（ｈ_ａ×１×Ｌ_ａ）＝１０００÷（５３２×１×０．２２）＝８．５℃
ΔＴ_Ｂ＝１０００÷（ｈ_ｂ×１×Ｌ_ｂ）＝１０００÷（１９１０×１×０．０４８）＝１０．９℃
この結果、冷媒温度が同じならば、流路４Ａを採用した方がウエハ載置用電極本体１の温度が低くなり、ウエハ３と誘電体膜２間に供給するヘリウムガスの圧力が同じならば、ウエハの、冷媒の流路４Ａの上部に置かれた部分の方が、ウエハの、冷媒の流路４Ｂの上部に置かれた部分より低くなることが分かる。

すなわち、温度調整用の冷媒を通流させるための流路形状を異ならせることにより、ウエハ載置用電極、あるいはウエハ載置用電極上に載置したウエハの温度分布を所望の温度分布にすることが可能になる。

図５は、第２の実施形態にかかるウエハ載置用電極を説明する図である。図５において、恒温液循環装置１２Ａで２０℃に温調された冷媒は、まず、流量（１０Ｌ／ｍｉｎ）で冷媒導入口１０Ａからウエハ載置用電極１内に導入され、ウエハ載置用電極１の外周部に設けられている流路４Ａ（全長１ｍ）を通り、冷媒排出口１１Ａから排出されて、恒温液循環装置１２Ａに戻る。
同様に、恒温液循環装置１２Ｂで２０℃に温調された冷媒は、まず、流量（１０Ｌ／ｍｉｎ）で冷媒導入口１０Ｂからウエハ載置用電極１内に導入され、ウエハ載置用電極１の内周部に設けられている流路４Ｂ（全長１ｍ）を通り、冷媒排出口１１Ｂから排出されて、恒温液循環装置１２Ｂに戻る。

冷媒の流路４Ａ、４Ｂの断面寸法（ｍｍ）は、図３、図４に示す通りである。なお、図２に示す例では、ひとつの恒温液循環装置から吐出される冷媒を流路４Ａ、４Ｂに共通（直列）に供給しているが、図５に示す例では、二つの恒温液循環装置を用い、それぞれの恒温液循環装置から吐出される冷媒をそれぞれ流路４Ａ、４Ｂに供給している。

本実施形態では、ウエハの外周部をより冷却したいため、ウエハ載置用電極１の外周部直下にある冷媒の流路形状を、図３に示す冷媒の流路４Ａとし、内周部の冷媒流路形状を図４に示す冷媒の流路４Ｂとしている。

冷媒の流路４Ａの熱伝達率は、ｈ_ａ＝５３２Ｗ／ｍ^２Ｋ、流路と冷媒の接触面積は、流路の全長が１ｍであるから、Ａ_１＝Ｌ_ａ×１＝０．２２ｍとなり、「流路の熱伝達率」と「流路と温度調整用媒体の接触面積」の積Ｃ_ａはＣ_ａ＝ｈ_ａ ×Ａ_１＝１１７Ｗ／Ｋとなる。

同様に冷媒の流路４Ｂの熱伝達率は、ｈ_ｂ＝１９１０Ｗ／ｍ^２Ｋ、流路と冷媒の接触面積は、流路の全長が１ｍであるから、Ａ_２＝Ｌ_ｂ×１＝０．０４８ｍとなり、「流路の熱伝達率」と「流路と温度調整用媒体の接触面積」の積Ｃ_ｂはＣ_ｂ＝ｈ_ｂ ×Ａ_２＝９１．７Ｗ／Ｋとなる。

冷媒の流路４Ａ、４Ｂを流れる冷媒は、それぞれ１ｍ進むうちに１０００Ｗの熱量を受けると仮定すると、流路４Ａにおける載置用電極本体１と冷媒の温度差ΔＴ_Ａ、流路４Ｂにおけるウエハ載置用電極本体１と冷媒の温度差ΔＴ_Ｂはそれぞれ次のようになる。

ΔＴ_Ａ＝１０００÷（ｈ_ａ×１×Ｌ_ａ）＝１０００÷（５３２×１×０．２２）＝８．５℃
ΔＴ_Ｂ＝１０００÷（ｈ_ｂ×１×Ｌ_ｂ）＝１０００÷（１９１０×１×０．０４８）＝１０．９℃
すなわち、「流路の熱伝達率」と「流路と温度調整用媒体の接触面積」の積が大きい流路である流路４Ａの上部の方がより冷えやすくなくなり、ウエハと誘電体膜間の熱伝達促進用ガス種類と圧力が同じならば、冷媒の流路４Ａの上部にあるウエハの方が冷えやすくなる。

図６は、流路の変形例（１）を説明する図である。図６の例では、図３の例と同様に流路の熱伝達率及び流路と温度調整用媒体の接触面積の積を変化させるために、流路内に熱伝達用のフィンを設ける。しかし、これらの図の例では、流路の熱伝達率及び流路と温度調整用媒体の接触面積の積を相違させるために、図３の例では流路内に熱伝達用のフィンを４枚設けるのに対し、図６の例では１枚設けてある。なお、その他の条件は同一に設定している。

図６の例では、冷媒流量１０Ｌ／ｍｉｎで、フィンを４枚から１枚に減らしていることにより、熱伝達率は５３２Ｗ／ｍ^２Ｋから５４９Ｗ／ｍ^２Ｋに小さくなり、ぬれぶち長さは２．２×１０^−１ｍから１．０６×１０^−１ｍに短くなり、それぞれ１ｍ進むうちに１０００Ｗの熱量を受けると仮定すると、ウエハ載置用電極本体と冷媒の温度差ΔＴは、８．５℃から１７．９℃に増加する。すなわち、ウエハと誘電体膜間の熱伝達促進用ガス種類と圧力が同じならば、流路内のフィンの枚数を変えるだけでウエハ温度を変えることができる。

図７は、流路の変形例（２）を説明する図である。図７の例では、図３に示す冷媒の流路に対して流路の熱伝達率及び流路と温度調整用媒体の接触面積の積を変化させるために、流路内に設けた熱伝達用フィンの長さを１９ｍｍ（図３）から５ｍｍ（図７）に変えている。その他の条件は同一に設定している。１０Ｌ／ｍｉｎの冷媒流量で、フィンの長さを１９ｍｍから５ｍｍに短くすることにより、熱伝達率は５３２Ｗ／ｍ^２Ｋから５４９Ｗ／ｍ^２Ｋになり、ぬれぶち長さは２．２×１０^−１ｍから１．０８×１０^−２ｍになり、それぞれ１ｍ進むうちに１０００Ｗの熱量を受けると仮定すると、ウエハ載置用電極本体と冷媒の温度差ΔＴは、８．５℃から１６．９℃に増加する。すなわち、ウエハと誘電体膜間の熱伝達促進用ガス種類と圧力が同じならば、流路内のフィンの長さを変えるだけでウエハ温度を変えることができる。

図８は、流路の変形例（３）を説明する図である。図８の例では、流路の熱伝達率及び流路と温度調整用媒体の接触面積の積を変化させるため、熱伝達用フィンの幅（厚み）を、１ｍｍ（図３）から０．５ｍｍ（図８）に変えている。その他条件は同じに設定している。１０Ｌ／ｍｉｎの冷媒流量で、フィンの幅を１ｍｍから０．５ｍｍまで狭くすることにより、熱伝達率は５３２Ｗ／ｍ^２Ｋから４００Ｗ／ｍ^２Ｋになり、ぬれぶち長さは２．２×１０^−１ｍで変化しないが、それぞれ１ｍ進むうちに１０００Ｗの熱量を受けると仮定すると、ウエハ載置用電極本体と冷媒の温度差ΔＴは、８．５℃から１１．４℃に増加する。すなわちウエハと誘電体膜間の熱伝達促進用ガス種類と圧力が同じならば、フィン幅を変えるだけでウエハ温度を変えることができる。

図９は、流路の変形例（４）を説明する図である。図９の例では、流路の熱伝達率及び流路と温度調整用媒体の接触面積の積を変化させるため、流路の高さを２０ｍｍ（図３）から１０ｍｍ（図９）に変えている。その他条件は同じに設定している。

１０Ｌ／ｍｉｎの冷媒流量で流路高さを２０ｍｍから１０ｍｍまで低くすることにより、熱伝達率は１５４１Ｗ／ｍ^２Ｋから２７８２Ｗ／ｍ^２Ｋまで大きくなり、ぬれぶち長さは５×１０^−２ｍから３×１０^−２ｍに短くなる。それぞれ１ｍ進むうちに１０００Ｗの熱量を受けると仮定すると、ウエハ載置用電極本体と冷媒の温度差ΔＴは、１３．０℃から１２．０℃まで小さくなる。すなわち、ウエハと誘電体膜間の熱伝達促進用ガス種類と圧力が同じならば、流路高さを変えるだけでウエハ温度を変えることができる。

図１０は、流路の変形例（５）を説明する図である。図１０の例では、流路の熱伝達率及び流路と温度調整用媒体の接触面積の積を変化させるため、流路の幅を４ｍｍ（図３）から１０ｍｍ（図１０）に変えている。その他の条件は同じに設定している。

１０Ｌ／ｍｉｎの冷媒流量で流路の幅を４ｍｍから１０ｍｍまで変えることにより、熱伝達率は１５４１Ｗ／ｍ^２Ｋから７９９Ｗ／ｍ^２Ｋまで小さくなり、ぬれぶち長さは５×１０^−２ｍから６×１０^−２ｍまで増加する。それぞれ１ｍ進むうちに１０００Ｗの熱量を受けると仮定すると、ウエハ載置用電極本体と冷媒の温度差ΔＴは、１３．０℃から２０．９℃まで大きくなる。すなわち、ウエハと誘電体膜間の熱伝達促進用ガス種類と圧力が同じならば、流路幅を変えるだけでウエハ温度を変えることができる。

なお、ウエハ載置用電極本体１を構成する材料としては、チタンあるいはチタン合金が用いられるが、他の材料、例えばアルミあるいはアルミ合金を用いることができる。

また、以上の例では、ＥＣＲドライエッチング装置を例に説明したが、他の放電方式（容量結合放電、誘導結合放電、マグネトロン放電、表面波励起放電、ＴＣＰ放電等）を利用したドライエッチング装置においても同様の作用効果を奏する。また他のプラズマ処理装置、例えばプラズマＣＶＤ装置、アッシング装置においても同様の作用効果を得ることができる。

１載置用電極本体
２誘電体膜
３ウエハ
４Ａ，４Ｂ冷媒の流路
５ガス導入管
６直流電源
７圧力計
８マスフローコントローラ
９ヘリウムガスボンベ
１０冷媒導入口
１１冷媒排出口
１２恒温液循環装置

Claims

真空容器、該容器内に処理ガスを導入する処理ガスの導入路、導入した処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、前記真空処理容器内に配置した試料台上に試料を載置し、載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記試料台は、金属製の本体と、該本体内に形成した少なくとも２つの流路を備え、前記２つの流路の断面形状は相互に相違することを特徴とするプラズマ処理装置。
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
流路の該流路を流れる冷媒に対する熱伝達率と、流路と冷媒とが接触する面積との績は、前記２つの流路で相違することを特徴とするプラズマ処理装置。
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記流路の内、一方の流路内に、壁面から延びる熱伝達用のフィンを設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記２つの流路内には壁面から延びる熱伝達用のフィンをそれぞれ設け、前記フィンの壁面からの長さは、２つの流路で相互に相違することを特徴とするプラズマ処理装置。
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記２つの流路内には壁面から延びる熱伝達用のフィンをそれぞれ設け、前記フィンの厚みは、２つの流路で相互に相違することを特徴とするプラズマ処理装置。
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記２つの流路内には壁面から延びる熱伝達用のフィンをそれぞれ設け、前記フィンの枚数は、２つの流路で相互に相違することを特徴とするプラズマ処理装置。
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記試料台を構成する本体は円板状であり、前記本体に形成した２つの流路の断面はそれぞれ矩形であり、前記円板状の本体の外周に形成した一方の流路の半径方向長さは、前記本体の内周に形成した他方の流路の半径方向長さよりも大であることを特徴とするプラズマ処理装置。
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記試料台を構成する本体の材質は、アルミニウムまたはアルミニウム合金であることを特徴とするプラズマ処理装置。