JPH0845911A - プラズマ処理装置用電極 - Google Patents
プラズマ処理装置用電極Info
- Publication number
- JPH0845911A JPH0845911A JP19752694A JP19752694A JPH0845911A JP H0845911 A JPH0845911 A JP H0845911A JP 19752694 A JP19752694 A JP 19752694A JP 19752694 A JP19752694 A JP 19752694A JP H0845911 A JPH0845911 A JP H0845911A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- wafer
- oxide film
- substrate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ等の半導体基板を支持する電極の絶縁
性及び密着性を高め、プラズマ処理により加熱される半
導体基板を効率よく冷却する。 【構成】 プラズマを用いるドライエッチング装置等に
おいて、ウエハを支持する下部電極２が、アルミニウム
材で形成された電極基体２１と、電極基体２１上に形成
された硬質陽極酸化膜２３と、陽極酸化膜２３上に形成
された酸化硅素膜２４等の絶縁膜とからなる。陽極酸化
膜２３を形成すると表面には孔やクラックが形成される
が、これらは酸化硅素膜２４により埋められる。電極基
体２１が熱伝導率の優れたアルミニウム材である上に電
極２の電気絶縁性及びウエハの密着性が向上するので、
プラズマ処理中に電極２に直流電圧を印加してウエハ裏
面を電極２上に静電気を用いて密着させた後、電極２を
冷却器により例えば室温よりも低い温度に冷却すれば、
ウエハ全体の冷却効率が一層向上する。
性及び密着性を高め、プラズマ処理により加熱される半
導体基板を効率よく冷却する。 【構成】 プラズマを用いるドライエッチング装置等に
おいて、ウエハを支持する下部電極２が、アルミニウム
材で形成された電極基体２１と、電極基体２１上に形成
された硬質陽極酸化膜２３と、陽極酸化膜２３上に形成
された酸化硅素膜２４等の絶縁膜とからなる。陽極酸化
膜２３を形成すると表面には孔やクラックが形成される
が、これらは酸化硅素膜２４により埋められる。電極基
体２１が熱伝導率の優れたアルミニウム材である上に電
極２の電気絶縁性及びウエハの密着性が向上するので、
プラズマ処理中に電極２に直流電圧を印加してウエハ裏
面を電極２上に静電気を用いて密着させた後、電極２を
冷却器により例えば室温よりも低い温度に冷却すれば、
ウエハ全体の冷却効率が一層向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
においてプラズマを使用するドライエッチング装置や成
膜装置等のプラズマ処理装置に用いられる電極に関す
る。
においてプラズマを使用するドライエッチング装置や成
膜装置等のプラズマ処理装置に用いられる電極に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ処理中に処理室内の電極である
ウエハ支持台に直流電圧を印加して、ウエハに帯電する
静電気を用いてウエハ支持台にウエハを密着させる従来
のドライエッチング装置等においては、表面に陽極酸化
処理を施したアルミニウム製支持台や、内部に導電性の
電極を設けたセラミックス製支持台が用いられている。
また、基板のサセプタにおいては、例えば、実開昭５８
−４１６号公報に記載の半導体製造治具のように、カー
ボンの表面を炭化シリコン層で被覆し、前記炭化シリコ
ン層の上に窒化シリコン膜を形成している。
ウエハ支持台に直流電圧を印加して、ウエハに帯電する
静電気を用いてウエハ支持台にウエハを密着させる従来
のドライエッチング装置等においては、表面に陽極酸化
処理を施したアルミニウム製支持台や、内部に導電性の
電極を設けたセラミックス製支持台が用いられている。
また、基板のサセプタにおいては、例えば、実開昭５８
−４１６号公報に記載の半導体製造治具のように、カー
ボンの表面を炭化シリコン層で被覆し、前記炭化シリコ
ン層の上に窒化シリコン膜を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来技術において、支持台表面に陽極酸化処理を施し
たアルミニウム製支持台では、陽極酸化膜中に発生する
孔や微細な膜割れ等により、支持台に直流電圧を印加し
たとき支持台表面に絶縁破壊が起こり、ウエハがアルミ
ニウム製支持台に密着しなくなる。また、内部に導電性
の電極を設けたセラミックス製支持台では、熱伝導率が
低いためにセラミックス製支持台に密着したウエハを十
分に冷却し難いという問題があった。さらに、支持台表
面に形成した窒化シリコン膜のみでは、膜厚が薄いため
に絶縁性が不十分であり、また、支持台表面に窒化膜を
堆積しすぎると、膜剥がれが生じるという問題があっ
た。
た従来技術において、支持台表面に陽極酸化処理を施し
たアルミニウム製支持台では、陽極酸化膜中に発生する
孔や微細な膜割れ等により、支持台に直流電圧を印加し
たとき支持台表面に絶縁破壊が起こり、ウエハがアルミ
ニウム製支持台に密着しなくなる。また、内部に導電性
の電極を設けたセラミックス製支持台では、熱伝導率が
低いためにセラミックス製支持台に密着したウエハを十
分に冷却し難いという問題があった。さらに、支持台表
面に形成した窒化シリコン膜のみでは、膜厚が薄いため
に絶縁性が不十分であり、また、支持台表面に窒化膜を
堆積しすぎると、膜剥がれが生じるという問題があっ
た。
【０００４】そこで本発明は、上記した従来技術の問題
点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、ウエ
ハ等の半導体基板を支持する電極の絶縁性及び密着性を
高め、プラズマ処理により加熱される半導体基板を効率
よく冷却することができるプラズマ処理装置用電極を提
供することにある。
点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、ウエ
ハ等の半導体基板を支持する電極の絶縁性及び密着性を
高め、プラズマ処理により加熱される半導体基板を効率
よく冷却することができるプラズマ処理装置用電極を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によるプラズマ処理装置用電極は、アルミニ
ウム材で形成された電極基体と、前記電極基体上に形成
され且つ表面が凹部形状を有する陽極酸化膜と、前記陽
極酸化膜上に形成され且つ前記凹部を埋める絶縁膜と、
からなるものである。
に、本発明によるプラズマ処理装置用電極は、アルミニ
ウム材で形成された電極基体と、前記電極基体上に形成
され且つ表面が凹部形状を有する陽極酸化膜と、前記陽
極酸化膜上に形成され且つ前記凹部を埋める絶縁膜と、
からなるものである。
【０００６】
【作用】上記のように構成された本発明によれば、プラ
ズマ処理室内の半導体基板例えばウエハを支持する支持
台を兼ねる電極が、アルミニウム製電極基体の表面に陽
極酸化膜を形成した後に、この陽極酸化膜上に例えば酸
化硅素膜あるいは窒化硅素膜などの絶縁膜を形成したも
のである。陽極酸化膜を形成すると、その表面には孔や
クラック等の凹部が形成されるが、この凹部は絶縁膜に
よって埋められる。これにより、電極基体が熱伝導率の
優れたアルミニウム材で形成されている上に、電極の電
気絶縁性及びウエハの密着性が向上する。従って、プラ
ズマ処理中に電極に直流電圧を印加して、ウエハ裏面を
電極上に静電気を用いて密着させた後、電極を冷却器に
より例えば室温よりも低い温度に冷却すれば、ウエハ全
体の冷却効率が一層向上する。
ズマ処理室内の半導体基板例えばウエハを支持する支持
台を兼ねる電極が、アルミニウム製電極基体の表面に陽
極酸化膜を形成した後に、この陽極酸化膜上に例えば酸
化硅素膜あるいは窒化硅素膜などの絶縁膜を形成したも
のである。陽極酸化膜を形成すると、その表面には孔や
クラック等の凹部が形成されるが、この凹部は絶縁膜に
よって埋められる。これにより、電極基体が熱伝導率の
優れたアルミニウム材で形成されている上に、電極の電
気絶縁性及びウエハの密着性が向上する。従って、プラ
ズマ処理中に電極に直流電圧を印加して、ウエハ裏面を
電極上に静電気を用いて密着させた後、電極を冷却器に
より例えば室温よりも低い温度に冷却すれば、ウエハ全
体の冷却効率が一層向上する。
【０００７】
【実施例】以下に、本発明による電極をプラズマドライ
エッチング装置用電極に適用した一実施例について図１
〜図３に基づいて説明する。図３はウエハ冷却機能を有
するドライエッチング装置の概略構成を示す断面図であ
る。
エッチング装置用電極に適用した一実施例について図１
〜図３に基づいて説明する。図３はウエハ冷却機能を有
するドライエッチング装置の概略構成を示す断面図であ
る。
【０００８】まず、図３に示すように、ドライエッチン
グ装置の反応室１内には、電極管４の上部に取付けた支
持台を兼ねる凸型の下部電極２と上部電極３とが対向し
て配置されている。下部電極２及び電極管４は、反応室
１に対して第１の絶縁体１３により電気的に絶縁されて
おり、電極管４には、整合器７を介して高周波電源装置
８、直流電源装置９、及び下部電極２を冷却するための
冷却装置１０が接続されている。また、反応室１には、
その反応室１内に各種ガスを導入するガス供給装置５
と、反応室１内のガス圧力を制御しながら排気する真空
排気装置６とが接続されている。
グ装置の反応室１内には、電極管４の上部に取付けた支
持台を兼ねる凸型の下部電極２と上部電極３とが対向し
て配置されている。下部電極２及び電極管４は、反応室
１に対して第１の絶縁体１３により電気的に絶縁されて
おり、電極管４には、整合器７を介して高周波電源装置
８、直流電源装置９、及び下部電極２を冷却するための
冷却装置１０が接続されている。また、反応室１には、
その反応室１内に各種ガスを導入するガス供給装置５
と、反応室１内のガス圧力を制御しながら排気する真空
排気装置６とが接続されている。
【０００９】次に、本実施例における支持台（即ち、下
部電極）の製造工程を図１及び図２に基づき説明する。
部電極）の製造工程を図１及び図２に基づき説明する。
【００１０】まず、図１（ａ）に示すように、アルミニ
ウム材を円形凸型をなす電極基体２１の形状に機械加工
する。
ウム材を円形凸型をなす電極基体２１の形状に機械加工
する。
【００１１】次に、図１（ｂ）に示すように、電極基体
２１の裏面２１ｃをマスク２９でマスキングし、硬質陽
極皮膜が成膜しないようにする。このマスク２９はレジ
スト膜などを使用するとよい。レジスト膜としてノボラ
ック樹脂などがよい。
２１の裏面２１ｃをマスク２９でマスキングし、硬質陽
極皮膜が成膜しないようにする。このマスク２９はレジ
スト膜などを使用するとよい。レジスト膜としてノボラ
ック樹脂などがよい。
【００１２】この後、１５％の硫酸溶液中で電極基体２
１を陽極として電気溶解し、電極基体２１の表面２１ａ
及び側面２１ｂの全面に硬質陽極酸化膜２３、即ち酸化
アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の皮膜を２０〜５０μｍで
成膜させる。
１を陽極として電気溶解し、電極基体２１の表面２１ａ
及び側面２１ｂの全面に硬質陽極酸化膜２３、即ち酸化
アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の皮膜を２０〜５０μｍで
成膜させる。
【００１３】図２（ａ）に示すように、硬質陽極酸化膜
２３を形成すると、この酸化膜２３の表面には孔２６や
クラック２７が形成される。
２３を形成すると、この酸化膜２３の表面には孔２６や
クラック２７が形成される。
【００１４】その後に、電極基体２１を５気圧の加熱水
蒸気中で封孔処理を行う。電極基体２１上に硬質陽極酸
化膜２３を成膜後、マスク２９を除去する。
蒸気中で封孔処理を行う。電極基体２１上に硬質陽極酸
化膜２３を成膜後、マスク２９を除去する。
【００１５】次に、図１（ｃ）に示すように、電極基体
２１の裏面２１ｃをマスク３０でマスキングする。この
マスク３０はアルミニウム材、ガラス材やステンレス材
などを使用するとよい。
２１の裏面２１ｃをマスク３０でマスキングする。この
マスク３０はアルミニウム材、ガラス材やステンレス材
などを使用するとよい。
【００１６】この後、６００〜８００℃の減圧下（０．
１〜１Ｔｏｒｒ）でＳｉＨ4 ＋Ｏ2ガスを電極基体２１
に供給し、減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ）により、
電極基体２１の硬質陽極酸化膜２３上に絶縁膜として酸
化硅素膜２４を１〜１０μｍ形成する。
１〜１Ｔｏｒｒ）でＳｉＨ4 ＋Ｏ2ガスを電極基体２１
に供給し、減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ）により、
電極基体２１の硬質陽極酸化膜２３上に絶縁膜として酸
化硅素膜２４を１〜１０μｍ形成する。
【００１７】図２（ｂ）に示すように、この酸化硅素膜
２４によって、硬質陽極酸化膜２３中の孔２６やクラッ
ク２７を埋める。なお、酸化硅素膜２４の代わりに、窒
化硅素膜を１〜４μｍ堆積させてもよい。また、酸化硅
素膜２４や窒化硅素膜の代わりに、絶縁性を有する膜で
且つ孔２６やクラック２７を埋めることができる絶縁膜
であってもよい。
２４によって、硬質陽極酸化膜２３中の孔２６やクラッ
ク２７を埋める。なお、酸化硅素膜２４の代わりに、窒
化硅素膜を１〜４μｍ堆積させてもよい。また、酸化硅
素膜２４や窒化硅素膜の代わりに、絶縁性を有する膜で
且つ孔２６やクラック２７を埋めることができる絶縁膜
であってもよい。
【００１８】その後、図１（ｄ）に示すように、電極基
体２１の裏面２１ｃのマスク３０を除去し、支持台（下
部電極）２が完成する。
体２１の裏面２１ｃのマスク３０を除去し、支持台（下
部電極）２が完成する。
【００１９】上記のような下部電極２を備えたドライエ
ッチング装置によれば、図３において、下部電極２上に
ウエハ１２を載置し、反応室１内をガス供給装置５と真
空排気装置６とによって一定のガス圧力にし、高周波電
源装置８より整合器７及び電極管４を介して下部電極２
へ高周波電力を印加すると、下部電極２と上部電極３と
の間にプラズマ１１が発生する。同時に、直流電源装置
９より電極管４を介して下部電極２へ−５００〜１００
０Ｖの直流電圧を印加する。
ッチング装置によれば、図３において、下部電極２上に
ウエハ１２を載置し、反応室１内をガス供給装置５と真
空排気装置６とによって一定のガス圧力にし、高周波電
源装置８より整合器７及び電極管４を介して下部電極２
へ高周波電力を印加すると、下部電極２と上部電極３と
の間にプラズマ１１が発生する。同時に、直流電源装置
９より電極管４を介して下部電極２へ−５００〜１００
０Ｖの直流電圧を印加する。
【００２０】前述したように下部電極２は、電極基体２
１を熱伝導率の優れたアルミニウム材により形成し、そ
の電極基体２１上に硬質陽極酸化膜２３を形成した後、
この硬質陽極酸化膜２３の表面の孔２６やクラック２７
を埋めることができる例えば酸化硅素膜２４などの絶縁
膜を形成したものであるから、熱伝導率が優れている上
に電気絶縁性及びウエハ１２の密着性を向上させること
ができる。従って、冷却器１０により電極管４を介して
予め例えば−２０〜０℃に冷却された下部電極２の上に
置かれたウエハ１２は、前記直流電圧の印加による静電
気により下部電極２の表面に確実に密着するため、プラ
ズマ１１の処理により加熱されるウエハ１２の裏面全面
から熱を効率的に奪うことになる。
１を熱伝導率の優れたアルミニウム材により形成し、そ
の電極基体２１上に硬質陽極酸化膜２３を形成した後、
この硬質陽極酸化膜２３の表面の孔２６やクラック２７
を埋めることができる例えば酸化硅素膜２４などの絶縁
膜を形成したものであるから、熱伝導率が優れている上
に電気絶縁性及びウエハ１２の密着性を向上させること
ができる。従って、冷却器１０により電極管４を介して
予め例えば−２０〜０℃に冷却された下部電極２の上に
置かれたウエハ１２は、前記直流電圧の印加による静電
気により下部電極２の表面に確実に密着するため、プラ
ズマ１１の処理により加熱されるウエハ１２の裏面全面
から熱を効率的に奪うことになる。
【００２１】なお、凸型の下部電極２の周辺１５に設置
された第２の絶縁体１４は、電極管４及び下部電極２の
裏面２１ｃにプラズマ１１が入り込んで放電しないよう
にするためである。
された第２の絶縁体１４は、電極管４及び下部電極２の
裏面２１ｃにプラズマ１１が入り込んで放電しないよう
にするためである。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体基板例えばウエハを処理するプラズマに面するプ
ラズマ処理装置用電極の電気絶縁性を高め、例えば外部
冷却手段により冷却された熱伝導率の良好な面に、静電
気を用いてウエハを確実に密着させることが可能となる
ので、再現性良くウエハ裏面全体を均一かつ効率的に冷
却することができる。
半導体基板例えばウエハを処理するプラズマに面するプ
ラズマ処理装置用電極の電気絶縁性を高め、例えば外部
冷却手段により冷却された熱伝導率の良好な面に、静電
気を用いてウエハを確実に密着させることが可能となる
ので、再現性良くウエハ裏面全体を均一かつ効率的に冷
却することができる。
【図１】本発明による電極をプラズマドライエッチング
装置用電極に適用した一実施例における下部電極の製造
工程図である。
装置用電極に適用した一実施例における下部電極の製造
工程図である。
【図２】上記実施例における下部電極の部分拡大断面図
である。
である。
【図３】上記実施例における下部電極を備えたドライエ
ッチング装置の概略構成を示す断面図である。
ッチング装置の概略構成を示す断面図である。
１ 反応室 ２ 下部電極（支持台） ３ 上部電極 ４ 電極管 ５ ガス供給装置 ６ 真空排気装置 ７ 整合器 ８ 高周波電源装置 ９ 直流電源装置 １０ 冷却装置 １１ プラズマ １２ ウエハ １３ 第１の絶縁体 １４ 第２の絶縁体 １５ 下部電極の周辺 ２１ 電極基体 ２１ａ 電極基体の表面 ２１ｂ 電極基体の側面 ２１ｃ 電極基体の裏面 ２３ 硬質陽極酸化膜 ２４ 酸化硅素膜（絶縁膜） ２６ 孔 ２７ クラック ２９ マスク ３０ マスク
Claims (1)
- 【請求項１】 アルミニウム材で形成された電極基体
と、 前記電極基体上に形成され且つ表面が凹部形状を有する
陽極酸化膜と、 前記陽極酸化膜上に形成され且つ前記凹部を埋める絶縁
膜と、からなることを特徴とするプラズマ処理装置用電
極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19752694A JPH0845911A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | プラズマ処理装置用電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19752694A JPH0845911A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | プラズマ処理装置用電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845911A true JPH0845911A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16375941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19752694A Withdrawn JPH0845911A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | プラズマ処理装置用電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845911A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180291A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置用部材 |
| CN100341120C (zh) * | 2002-07-16 | 2007-10-03 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
| JP2008303442A (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置用部材およびその製造方法 |
| KR100949953B1 (ko) * | 2002-07-18 | 2010-03-30 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
| JP2010098158A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Seiko Epson Corp | プラズマｃｖｄ装置用サセプタ及びその製造方法、並びに、プラズマｃｖｄ装置、並びにその保守方法、並びに半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-07-29 JP JP19752694A patent/JPH0845911A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100341120C (zh) * | 2002-07-16 | 2007-10-03 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
| KR100949953B1 (ko) * | 2002-07-18 | 2010-03-30 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
| JP2007180291A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置用部材 |
| JP2008303442A (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置用部材およびその製造方法 |
| JP2010098158A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Seiko Epson Corp | プラズマｃｖｄ装置用サセプタ及びその製造方法、並びに、プラズマｃｖｄ装置、並びにその保守方法、並びに半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0628989B1 (en) | Sealing device and method useful in semiconductor processing apparatus for bridging materials having a thermal expansion differential | |
| JP4186536B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4695606B2 (ja) | 被処理基板の載置装置におけるフォーカスリングの熱伝導改善方法 | |
| TWI228786B (en) | Electrostatic chucking stage and substrate processing apparatus | |
| EP0486966A1 (en) | Electrostatic chuck | |
| JPH10214880A (ja) | 基板支持部材 | |
| JP2694668B2 (ja) | 基板保持装置 | |
| JPH10223621A (ja) | 真空処理装置 | |
| JP2005142496A (ja) | ヒータ機構付き静電チャック | |
| JPH0845911A (ja) | プラズマ処理装置用電極 | |
| JP4456218B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH01200625A (ja) | 半導体ウェーハ処理装置 | |
| JPS62193141A (ja) | ウエハ−保持機構 | |
| JPH1050666A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3736103B2 (ja) | プラズマ処理装置およびその処理方法 | |
| JP3231202B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2001284328A (ja) | セラミック部品 | |
| JPH11256370A (ja) | 放熱性を有するプラズマエッチング用シリコン電極板 | |
| JP2001210705A (ja) | 静電チャック、処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP3964803B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0624187B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2002289587A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JP2000243823A (ja) | 静電チャック | |
| JP2002231799A (ja) | 静電チャック、静電チャックの吸着表面に形成された凹部への放電防止方法、およびその静電チャックを用いた基板固定加熱冷却装置 | |
| JP2003185022A (ja) | 封止構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |