KR100832335B1 - 기판 지지 장치 및 플라즈마 식각 장치 - Google Patents

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Abstract

개시된 플라즈마 식각 장치는 플라즈마를 이용한 공정이 진행되는 공정 챔버, 공정 챔버의 일측에서 전계를 제공하여 공정 챔버 내부에 플라즈마를 생성시키기 위한 플라즈마 생성부 및 공정 챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하는 정전척, 정전척의 측면과 기판의 측면을 커버하도록 형성되며, 기판의 가장 자리를 고정하는 에지링, 및 에지링의 상부 가장자리에 배치되고, 기판의 상면보다 높게 형성되며, 상기 정전척으로 유도되는 플라즈마를 정전척의 영역에 가두기 위한 사이드링을 갖는 기판 지지부를 포함한다. 따라서, 플라즈마 식각 장치는 사이드링에 의해 식각 가스로 사용되는 플라즈마를 정전척의 영역에 가두어 기판 전면에 균일하게 분포시킴으로써, 플라즈마 처리 공정의 균일도를 향상시킬 수 있다.

Description

기판 지지 장치 및 플라즈마 식각 장치{APPARATUS OF SUPPORTING SUBSTRATE AND APPARATUS OF ETCHING SUBSTRATE USING PLASMA}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치를 간략하게 나타낸 구성도이다.
도 2 내지 도 5는 도 1의 사이드링에 관한 실시예들을 나타내는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 패턴을 나타내는 사시도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 플라즈마 처리 장치 200 : 기판 지지 장치
210 : 정전척 220 : 에지링
230 : 사이드링 240 : 배기부
250 : 사이드 패턴 260 : 고주파 인가부
300 : 공정 챔버 400 : 플라즈마 생성부
410 : 코일 420 : 고주파 전원 인가부
500 : 가스 공급부
본 발명은 기판 지지 장치 및 플라즈마 식각 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 공정을 진행하는 기판 지지 장치 및 플라즈마 식각 장치에 관한 것이다.
최근의 반도체 소자로 제조하기 위한 반도체 웨이퍼의 대구경화, 평면 디스플레이 소자로 제조하기 위한 유리 기판의 대면적화 등에 따라 식각 처리나 성막 처리를 하는 처리 장치의 수요가 증가하고 있다. 예를 들어, 상기 식각 처리나 성막 처리를 플라즈마를 이용하여 진행하는 플라즈마 식각 장치, 플라즈마 증착 장치, 플라즈마 애싱(ashing) 장치 등의 플라즈마 처리 장치에 대한 수요도 증가하고 있는 추세이다.
이러한 플라즈마 식각 장치는 식각 공정이 이루어지는 공정 챔버을 포함한다. 공정 챔버는 내부에 기판이 지지되는 기판 지지대 및 플라즈마를 기판에 균일하게 분포시키기 위하여 기판의 가장 자리를 지지하는 에지링을 포함한다.
에지링은 공정 챔버 내부에서 발생된 플라즈마가 기판의 표면으로 균일하게 분포하게 함으로써, 기판 전체가 균일하게 식각되도록 한다. 이러한 에지링은 기판의 가장 자리를 지지하여 지지 부분의 온도 차이로 인하여 발생하는 결함을 방지한다. 또한, 기판의 온도를 더욱 균일하게 유지하기 위하여 기판을 회전시키는 경우, 에지링은 기판의 위치를 고정함으로써 공정이 안정적으로 수행되도록 한다.
한편, 공정 챔버의 내부에는 형성된 플라즈마를 배출하기 위한 펌핑(pumping) 포트가 형성된다. 펌핑 포트는 일반적으로 기판을 지지하는 기판 지지대의 가장 자리에 형성된다. 따라서, 공정 챔버 내부에서 플라즈마가 형성되는 경 우, 플라즈마는 펌핑 포트가 형성된 방향으로 유동한다. 따라서, 펌핑 포트와 인접한 영역에 분포된 플라즈마는 밀도가 높고, 펌핑 포트가 이격된 영역에 분포된 플라즈마는 밀도가 낮다. 이에 따라, 플라즈마를 이용한 식각 공정에서, 기판이 균일하게 식각되지 못하는 문제점이 발생한다. 따라서, 플라즈마를 이용한 식각 공정 등에서 플라즈마가 균일하게 분포되지 못하므로, 공정의 균일도가 저하되며, 제품의 전체적인 신뢰도 및 수율이 저하되는 문제점이 발생한다.
본 발명의 일 목적은 플라즈마를 기판에 균일하게 분포시키기 위한 사이드링 및 사이드 패턴을 포함하는 기판 지지 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 기판 지지 장치를 구비한 플라즈마 식각 장치를 제공하는 것이다.
상기 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 장치는 플라즈마를 이용한 공정이 이루어지는 기판을 지지하는 정전척, 상기 정전척의 측면과 상기 기판의 측면을 커버하도록 형성되며, 상기 기판의 가장 자리를 고정하는 에지링 및 상기 에지링의 상부 가장 자리에 배치되고, 상기 기판의 상면보다 높게 형성되며, 상기 정전척으로 유도되는 플라즈마를 정전척의 영역에 가두기 위한 사이드링을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 에지링은 세라믹 재질로 이루어진다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 사이드링은 상기 기판의 둘레 방향을 따라 형성된 링의 형상을 갖는다. 또한, 상기 사이드링은 서로 일정 간격으로 이격되어 형성된 배기부를 갖는다. 예를 들어, 상기 배기부는 상기 사이드링과 상기 에지링이 접하는 부위에 형성된다. 이와 달리, 상기 배기부는 상기 사이드링과 상기 에지링이 접하는 부위로부터 일정 높이만큼 이격되어 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 사이드링은 상기 기판의 둘레 방향을 따라 형성된 복수개의 패턴 형상을 갖는다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치는 플라즈마를 이용한 공정이 진행되는 공정 챔버, 상기 공정 챔버의 일측에서 전계를 제공하여 상기 공정 챔부 내부에 상기 플라즈마를 생성시키기 위한 플라즈마 생성부, 및 상기 공정 챔버의 내부에 배치되며 기판을 지지하는 정전척, 상기 정전척의 측면과 상기 기판의 측면을 커버하도록 형성되며, 상기 기판의 가장 자리를 고정하는 에지링, 및 상기 에지링의 상부 가장자리에 배치되고, 상기 기판의 상면보다 높게 형성되며, 상기 정전척으로 유도되는 플라즈마를 정전척의 영역에 가두기 위한 사이드링을 갖는 기판 지지부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 사이드링은 상기 기판의 둘레 방향을 따라 형성된 링의 형상을 갖는다. 또한, 상기 사이드링은 일정 간격으로 이격되어 형성된 배기부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 사이드링은 상기 기판의 둘레 방향을 따라 형성된 복수개의 패턴 형상을 갖는다.
이러한 기판 지지 장치 및 플라즈마 식각 장치에 따르면, 플라즈마 식각 장 치는 사이드링에 의해 식각 가스로 사용되는 플라즈마를 정전척의 영역에 가두어 기판 전면에 균일하게 분포시킴으로써, 플라즈마 식각 공정의 균일도를 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 공정 챔버, 에지링, 사이드링 및 사이드 패턴 등은 그 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 이하에서 설명하는 기판 지지 장치는 플라즈마를 사용하는 처리 장치, 플라즈마 식각 장치 플라즈마 애싱(ashing) 장치 등 모두에 적용할 수 있음은 자명하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치를 간략하게 나타낸 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치(100)는 기판 지지 장치(200), 공정 챔버(300), 플라즈마 생성부(400) 및 가스 공급부(500)를 포함한다.
기판 지지 장치(200)는 정전척(210), 에지링(220), 사이드링(230) 및 고주파 인가부(260)를 포함한다.
정전척(210)은 플라즈마를 이용한 공정이 이루어지는 기판(W)을 지지한다. 정전척은 예를 들어, 정전력에 의해 기판(W)을 흡착 지지한다. 이와 달리, 정전척(210)은 기계적 클램핑 방식에 의하여 기판(W)을 고정하는 기판 지지 부재로 변경될 수 있다. 또한, 진공 압에 의해 기판(W)을 흡착 지지하는 진공척(vacuum chuck)이 기판을 지지할 수 있다. 기판(W)은 예를 들어, 포토레티클(회로원판)용 기판, 액정 디스플레이 패널용 기판 또는 플라즈마 디스플레이 패널욜 기판 등의 표시 패널 기판, 하드 디스크용 기판, 반도체 장치 등의 전자 디바이스용 기판 등을 포함한다.
에지링(220)은 정전척(210)의 측면과 기판(W)의 측면을 커버하도록 형성된다. 즉, 에지링(220)은 정전척(210)을 감싸면서 형성되므로, 예를 들어, 링의 형상을 가진다. 예를 들어, 에지링(220)은 정천적(210)의 상부면과 측면을 동시에 감싸면서 형성되는 경우, 에지링(220)의 단면은 'ㄱ자' 형상을 가질 수 있다.
에지링(220)은 예를 들어, 세라믹 재질로 이루어지며, 기판(W)의 가장 자리를 고정한다. 즉, 에지링(220)은 기판(W)의 가장 자리를 둘러싸면서 형성되므로, 기판(W)을 가장 자리를 지지함과 동시에 고정한다. 한편, 기판(W)에 식각 공정 등의 일련의 공정을 수행하는 경우, 기판의 모든 면에서 열적 특성이 동일하도록 유지되는 것이 바람직하다. 특히, 기판(W)과 기판(W)의 고정 장치가 접하는 면은 열적 특성이 달라져서 균일한 온도 분포를 유지하기 힘들다. 따라서, 에지링(220)은 기판(W)의 가장 자리와 접촉하면서 고정함으로써, 기판(W)의 상면에는 온도 특성, 플라즈마의 분포 등이 균일하다.
사이드링(230)은 정전척(210)으로 유도되는 플라즈마를 정전척(210)의 영역에 가두기 위해 에지링(220)의 상부 가장자리에 배치된다. 사이드링(230)은 기판(W)의 상면보다 높은 높이로 형성된다. 예를 들어, 사이드링(230)은 5 mm 이하의 높이를 가진다. 일반적으로 기판(W)이 750 ㎛ 이하로 형성되므로, 사이드링(230)은 기판(W)의 측면을 충분히 커버한다. 이와 달리, 기판(W)에 분포되는 플라즈마를 정전척(210)에 가두어 둘 수 있다면, 사이드링(230)의 높이는 이에 한정되지 않을 것이다.
한편, 에지링(220)의 가장 자리에는 기판(W)에 처리되는 플라즈마를 배출하기 위한 펌핑 포트가 형성된다. 따라서, 기판(W)에 플라즈마 처리 되는 경우, 플라즈마는 펌핑 포트가 형성된 방향으로 유동한다. 따라서, 펌핑 포트에 인접한 영역의 기판에 분포된 플라즈마의 밀도는 높으나, 펌핑 포트와 일정 거리 이격된 영역의 기판에 분포된 플라즈마의 밀도는 상대적으로 낮다. 따라서, 기판이 플라즈마에 의하여 균일하게 처리되지 못하는 문제점이 발생한다. 그러나, 사이드링(230)이 에지링(220)의 상부에 형성됨으로써, 플라즈마가 펌핑 포트로 유동하는 것을 방지한다. 즉, 사이드링(230)은 플라즈마가 기판(W)에 전체적으로 균일하게 분포되도록 한다.
예를 들어, 사이드링(230)은 일정 간격으로 이격되어 형성된 배기부(240)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 배기부(240)는 사이드링(230)과 에지링(220)이 접하는 부위의 사이드링(230)에 형성된다. 이와 달리, 배기부(240)는 사이드링(230)과 에지링(220)이 접하는 부위로부터 일정 높이만큼 이격되어 형성될 수 있다. 사이드 링(230)의 형상 및 위치에 관하여는 도 2 내지 도 6을 통하여 상세하게 설명하기로 한다.
배기부(240)가 사이드링(230)에 형성됨으로써, 플라즈마를 펌핑 포트로 배출시킨다. 따라서, 배기부(240)는 플라즈마가 기판(W)에 분포된 상태에서 배출되지 못하는 경우에 발생하는 레지던스(residence) 시간이 증가하는 것을 방지한다. 즉, 배기부(240)는 플라즈마를 펌핑 포트로 배출시키기 위해, 홀 또는 슬릿의 형상을 가질 수 있다. 이와 달리, 배기부(240)는 플라즈마를 펌핑 포트로 배출시키기 위한 다양한 형상을 가질 수 있다. 따라서, 배기부(240)는 플라즈마 또는 공정 가스가 사이드링(230)에 의해 기판 상에 분포되어 레지던스 시간을 감소시켜, 플라즈마의 컨덕턴스를 개선할 수 있다.
고주파 인가부(260)는 정전척(210)에 고주파 전원을 인가한다. 이에 고주파 인가부(260)로부터 인가받은 고주파 전원에 의해 정전척(210)이 가열되며, 가열된 정전척(210)의 열이 기판에 전달되어 기판(W)이 가열된다. 이에 기판(W)이 고주파 인가부(260)의 고주파 전원에 의해 효과적으로 바이어스 되므로, 공정 챔버(300) 내의 전하 입자들이 기판(W) 방향으로 이동하게 된다.
공정 챔버(300)는 그 내부에 플라즈마 처리 공정이 진행되는 공정 공간을 마련한다. 따라서, 공정 챔버(300)는 외부로부터 밀폐되는 구조를 갖고, 그 일측에 진공 펌프(도시되지 않음) 등과 같은 부재가 연결된다.
공정 챔버(300)는 배기구(310), 배기 라인(320) 및 배기 부재(330)를 포함한다. 예를 들어, 배기구(310)는 공정 챔버(300)의 바닥면에 배치된다. 배기 라 인(320)은 배기구(310)와 연결되며, 배기 부재(330)는 배기 라인(320)과 연결된다. 배기 부재(330)는 예를 들어, 공정 챔버(300)의 내부를 진공 상태로 유지하기 위한 진공 펌프 등과 같은 배기 장치를 포함한다.
플라즈마 생성부(400)는 공정 챔버(300)의 일측에서 전계를 제공하여 공정 챔버(300)의 내부에 플라즈마를 생성시킨다. 플라즈마 생성부(400)는 공정 챔버(300)의 측벽을 감싸도록 배치되는 코일(410) 및 코일(410)에 고주파 전원을 인가하는 고주파 전원 인가부(420)를 포함한다.
코일(410)은 고주파 전원 인가부(420)로부터 고주파 전원이 인가받으며, 코일(410)을 따라 흐르는 전류가 공정 챔버(300)의 공정 공간에 자기장을 형성한다. 이 자기장에 의해 유도 전기장이 형성되며, 공정 챔버(300)에 공급된 반응 가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 충분한 에너지를 얻어 플라즈마를 생성한다.
고주파 전원 인가부(420)는 코일(410)에 고주파 전원을 인가한다. 구체적으로, 고주파 전원 인가부(420)는 코일(410)의 사이에 배치된 정합 회로부(430)를 통하여 코일(410)에 고주파 전원을 인가한다.
가스 공급부(500)는 공정 챔버(300)의 외부에 배치된다. 가스 공급부(500)는 가스 라인(510) 내의 가스 밸브(520)를 거쳐, 공정 챔버(300)의 내부에 반응 가스를 선택적으로 공급한다. 가스 공급부(500)로부터 제공되는 반응 가스는 예를 들어, 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar) 등과 같이 화학적 활성이 없는 불활성 기체, 사불화탄소(CF4)를 비롯한 여러 가지 불화탄소 계열의 가소들을 포함할 수 있다.
도 2 내지 도 5는 도 1의 사이드링에 관한 실시예들을 나타내는 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 예를 들어, 사이드링(230)은 기판(W)의 둘레 방향을 따라 형성된 링의 형상을 갖는다. 제1 배기부(242)는 사이드링(230)에 서로 일정 간격으로 이격되어 형성된다. 제1 배기부(242)는 예를 들어, 홀의 형상을 가진다. 또한, 제1 배기부(242)는 사이드링(230)과 에지링(220)이 접하는 부위로부터 상부 방향으로 일정 높이 만큼 이격되어 형성된다. 따라서, 제1 배기부(242)는 기판(W) 상에 플라즈마가 배출되지 못하고 머무르는 시간이 증가하는 것을 방지한다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 제2 배기부(244)는 사이드링(230)에 서로 일정 간격으로 이격되어 형성된다. 제2 배기부(242)는 예를 들어, 홀의 형상을 가진다. 또한, 제2 배기부(244)는 사이드링(230)과 에지링(220)이 접하는 부위에 형성된다. 이에 제2 배기부(244)는 반원의 형상을 가지는 것이 바람직하다. 따라서, 제2 배기부(244)는 기판(W) 상에 분포된 플라즈마의 레지던스 시간이 증가하는 것을 방지한다. 한편, 제2 배기부(244)는 제1 배기부(242)와 비교하여 상대적으로 작은 크기를 가진다. 이는 제2 배기부(244)가 사이드링(230)과 에지링(220)이 접하는 부위에 형성되기 때문이다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 제3 배기부(246)는 사이드링(230)에 서로 일정 간격으로 이격되어 형성된다. 제3 배기부(246)는 사이드링(230)과 에지링(220)이 접하는 부위로부터 상부 방향으로 일정 높이 만큼 이격되어 형성된다. 제3 배기부(246)는 예를 들어, 슬릿의 형상을 가진다. 본 실시예에 따르면, 제3 배기부(246)는 사이드링(230)의 둘레 방향을 따라 절결된다. 이와 달리, 제3 배기부(246)는 상하 방향으로 절결된 슬릿의 형상을 가질 수 있다. 따라서, 제3 배기 부(246)는 플라즈마를 절결된 정도만큼 배출시킴으로써, 기판에 플라즈마를 균일하게 분포시킬 수 있을 수 있다. 또한, 제3 배기부(246)는 플라즈마를 일정 정도 배출시킴으로써, 플라즈마의 레지던스 시간이 증가되는 것을 방지한다.
도 1 및 도 5를 참조하면, 제4 배기부(248)는 사이드링(230)에 서로 일정 간격으로 이격되어 형성된다. 제4 배기부(248)는 사이드링(230)과 에지링(220)이 접하는 부위로부터 상부 방향으로 일정 높이 만큼 이격되어 형성된다. 제4 배기부(248)는 예를 들어, 슬릿의 형상을 가진다. 제4 배기부(248)은 제3 배기부(도 4의 246)와 마찬가지로 다양하게 절결될 수 있을 것이다.
전술한 바와 같이, 사이드링(230)은 다양한 형상을 가지고 다양한 위치에 형성된 배기부(240)를 가진다. 예를 들어, 배기부(240)는 복수개로 형성되지 않고, 일정 방향을 따라 절결된 하나의 홈 또는 슬릿을 포함할 수 있다. 따라서, 사이드링(230)은 플라즈마를 펌핑 포트로 유동하는 것을 방지하여 기판에 플라즈마를 균일하게 분포시키며, 동시에 사이드링(230)은 배기부(240)를 통해 플라즈마를 일정하게 펌핑 포트로 유동시킴으로써, 플라즈마의 레지던스 시간이 증가하는 것을 방지하고 플라즈마의 컨덕턴스를 개선할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 사이드 패턴을 나타내는 사시도이다.
도 1 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 지지 장치는 에지링(220)의 상부 가장 자리에 배치된 복수개의 사이드 패턴(250)들을 포함한다. 즉, 사이드링(240)이 기판(W)의 둘레 방향을 따라 형성된 복수개의 패턴 형상을 갖는 사이드 패턴(250)을 포함한다.
사이드 패턴(250)들은 에지링(220)의 상부 가장 자리에 배치되며, 기판(W)의 상면보다 높게 형성된다. 예를 들어, 사이드 패턴(250)은 5 mm 이하의 높이를 가진다. 일반적으로 기판(W)이 750 ㎛ 이하로 형성되므로, 사이드 패턴(250)들은 기판(W)의 측면을 충분히 커버한다. 따라서, 사이드 패턴(250)들은 기판(W) 상에 플라즈마가 균일하게 분포시킨다. 이와 달리, 기판(W)에 분포되는 플라즈마를 정전척(210)에 가두어 둘 수 있다면, 사이드 패턴(250)의 높이는 이에 한정되지 않을 것이다.
또한, 사이드 패턴(250)들은 각각의 사이드 패턴(250)이 일정 거리 이격되어 형성된다. 따라서, 도 2 내지 도 5에서 설명한 바와 같이 배기부를 포함하는 사이드링과는 달리, 사이드 패턴(250)들은 각각의 사이드 패턴(250)의 사이에 형성된 소정의 이격 공간을 갖는다. 따라서, 기판(W) 상에 분포된 플라즈마는 상기 이격 공간을 통하여 펌핑 포트(도시되지 않음)로 배출된다. 따라서, 사이드 패턴(250)들은 플라즈마의 레지던스 시간이 증가하는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이, 사이드 패턴(250)들을 포함하는 플라즈마 식각 장치(100)는 플라즈마를 기판에 균일하게 분포시켜, 식각 공정 등의 공정의 균일성 및 효율성을 향상시킬 수 있다. 또한, 사이드 패턴(250)들은 플라즈마의 레지던스 시간의 증가를 방지하며, 플라즈마의 컨덕턴스를 개신시킬 수 있다.
이와 같은 기판 지지 장치 및 플라즈마 식각 장치에 따르면, 플라즈마 식각 장치는 기판의 가장 자리를 고정하는 에지링의 상부에 형성된 사이드링을 포함한 다. 사이드링은 기판에 플라즈마를 균일하게 분포시키기 위하여 기판의 둘레 방향을 따라 형성된 링의 형상을 가짐으로써, 식각 공정의 균일성 및 효율성을 향상시킬 수 있다. 또한, 사이드링은 일정 간격으로 이격되어 형성된 배기부를 포함한다. 따라서, 배기부는 플라즈마를 펌핑 포트 등으로 배출시킴으로써, 플라즈마의 레지던스 시간이 지나치게 증가하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 사이드링은 기판의 둘레 방향을 따라 형성된 복수개의 패턴 형상을 갖는다. 즉, 플라즈마 식각 장치는 에지링의 상부에 형성된 사이드 패턴들을 포함한다. 사이드 패턴은 플라즈마를 기판에 균일하게 분포시켜 식각 공정의 균일성 및 효율성을 향상시킨다. 또한, 사이드 패턴은 각각의 사이드 패턴 사이에 형성된 이격 공간을 통하여 플라즈마를 배출시킴으로써, 플라즈마의 레지던스 시간이 증가하는 것을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (11)

  1. 플라즈마를 이용한 공정이 이루어지는 기판을 지지하는 정전척;
    상기 정전척의 측면과 상기 기판의 측면을 커버하도록 형성되고, 상기 기판의 가장 자리를 고정하며, 세라믹 재질로 이루어진 에지링; 및
    상기 에지링의 상부 가장 자리에 배치되고, 상기 기판의 상면보다 높게 형성되며, 상기 정전척으로 유도되는 플라즈마를 정전척의 영역에 가두기 위한 사이드링을 포함하는 기판 지지 장치.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서, 상기 사이드링은 상기 기판의 둘레 방향을 따라 형성된 링의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  4. 제3 항에 있어서, 상기 사이드링은 서로 일정 간격으로 이격되어 형성된 배기부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  5. 제4 항에 있어서, 상기 배기부는 상기 사이드링과 상기 에지링이 접하는 부위에 형성된 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  6. 제4 항에 있어서, 상기 배기부는 상기 사이드링과 상기 에지링이 접하는 부위로부터 일정 높이만큼 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 사이드링은 상기 기판의 둘레 방향을 따라 형성된 복수개의 패턴 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  8. 플라즈마를 이용한 공정이 진행되는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버의 일측에서 전계를 제공하여 상기 공정 챔부 내부에 상기 플라즈마를 생성시키기 위한 플라즈마 생성부; 및
    상기 공정 챔버의 내부에 배치되며 기판을 지지하는 정전척, 상기 정전척의 측면과 상기 기판의 측면을 커버하도록 형성되고, 상기 기판의 가장 자리를 고정하며, 세라믹 재질로 이루어진 에지링 및 상기 에지링의 상부 가장 자리에 배치되고, 상기 기판의 상면보다 높게 형성되며, 상기 정전척으로 유도되는 플라즈마를 정전척의 영역에 가두기 위한 사이드링을 포함하는 플라즈마 식각 장치.
  9. 제8 항에 있어서, 상기 사이드링은 상기 기판의 둘레 방향을 따라 형성된 링의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 사이드링은 서로 일정 간격으로 이격되어 형성된 배 기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.
  11. 제8 항에 있어서, 상기 사이드링은 상기 기판의 둘레 방향을 따라 형성된 복수개의 패턴 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.
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