JP5238114B2 - 電極アッセンブリ - Google Patents
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Description
Claims (54)
- 基板の表面を処理するためのプラズマ処理システムであって、
上端と下端とを有すると共に、前記処理のために内部でプラズマが点火および維持される処理チャンバと、
前記処理チャンバの内部に電界を発生させるよう構成されると共に、前記処理チャンバの前記下端に配置された電極と、
前記処理中に前記基板を保持するよう構成されると共に、前記電極の上方に配置されたチャックと、
前記電極および前記チャックを前記プラズマから保護するよう構成されると共に、前記電極の上方に配置された誘電性材料から形成されるエッジリングであって、前記基板の外縁近傍に上部内側縁部を形成し、前記基板下方の前記チャックの外縁近傍に下部内側縁部を形成するよう前記電極と前記基板との間に配置されるよう構成された第1の部分を有する、エッジリングと、
前記電極と前記エッジリングとの間に配置されると共に閉じ込められたインピーダンスマッチング層であって、前記エッジリングが有する誘電率よりも大きな誘電率を有し、前記基板の中央部における前記電極と前記プラズマとの間のインピーダンスと前記基板の縁部における前記電極と前記プラズマとの間のインピーダンスとが等しくなるように制御するインピーダンスマッチング層とを備え、前記インピーダンスは、前記電界に影響を与えることにより、前記基板の表面にわたって処理の均一性を改善するよう構成されているシステム。
- 請求項1記載のプラズマ処理システムにおいて、前記インピーダンスは、前記電界のばらつきを低減するよう構成されているシステム。
- 請求項1記載のプラズマ処理システムにおいて、前記インピーダンスは、前記電界のばらつきを生成するよう構成されているシステム。
- 請求項1記載のプラズマ処理システムにおいて、前記電界は、前記処理中に、前記基板の前記表面と前記プラズマとの間にシース電圧を生成するシステム。
- 基板の表面を処理するためのプラズマ処理システムであって、
処理のために内部でプラズマが点火および維持される処理チャンバと、
前記処理チャンバの内部に配置され、内側領域と外側領域とを有する電極であって、前記プラズマとの間に電界を発生させるよう構成されている電極と、
処理中に前記基板を保持するよう構成されると共に、前記電極の前記内側領域の上方に配置されているチャックであって、前記電極の前記内側領域の上方の領域における前記電極と前記プラズマとの間の第1のインピーダンスに影響を及ぼすチャックと、
少なくとも前記電極を前記プラズマから保護するよう構成されると共に、前記電極の前記外側領域の上方で前記チャックの側面に隣接して配置され、誘電性材料から形成されるエッジリングであって、前記電極の前記外側領域の上方の領域における前記電極と前記プラズマとの間の第2のインピーダンスに影響を及ぼすエッジリングと、前記エッジリングの一部は前記基板の外縁近傍に上部内側縁部を形成し、前記基板下方の前記チャックの外縁近傍に下部内側縁部を形成するように前記基板の下方に延伸し、
前記エッジリングが有する誘電率よりも大きな誘電率を有し、前記基板の前記表面にわたって処理の均一性を改善するために前記基板の中央部におけるインピーダンスと前記基板の縁部におけるインピーダンスとが等しくなるように前記第2のインピーダンスを調整するよう構成された特徴を有していると共に、前記エッジリングと前記電極との間、かつ、前記電極の前記外側領域の上方に配置されると共に閉じ込められたインピーダンスマッチング層と、を備えるシステム。
- 請求項5記載のプラズマ処理システムにおいて、前記チャックは静電チャックであるシステム。
- 請求項5記載のプラズマ処理システムにおいて、前記インピーダンスマッチング層は、前記エッジリングまたは前記電極に接合されているシステム。
- 請求項5記載のプラズマ処理システムにおいて、前記インピーダンスマッチング層の一部は、前記電極と前記基板下に延伸している前記エッジリングの一部との間に配置されているシステム。
- 請求項5記載のプラズマ処理システムにおいて、前記インピーダンスマッチング層の厚さ、長さおよび位置の少なくとも1つは、前記第2のインピーダンスを制御するために調整されるシステム。
- 請求項5に記載のプラズマ処理システムにおいて、前記エッジリングの外側縁部は前記電極の縁部に延伸しているシステム。
- 請求項5記載のプラズマ処理システムにおいて、前記電界は、前記処理中に、前記基板の前記表面において均一なシース電圧を生成するシステム。
- 請求項5記載のプラズマ処理システムはさらに、前記電極に接続されたRF電源を備え、前記RF電源は、前記電極にRFエネルギを供給するよう構成されているシステム。
- 請求項5記載のプラズマ処理システムはさらに、処理中に前記基板および前記エッジリングの温度を制御するための熱伝達システムを備え、前記熱伝達システムは、前記電極を通って前記チャックと前記基板との間の境界に伸びる第1の伝達路と、前記電極を通って前記電極と前記エッジリングとの間の境界に伸びる第2の伝達路とを有すると共に、前記各伝達路に熱媒体を供給するよう構成されているシステム。
- 請求項13記載のプラズマ処理システムにおいて、前記熱媒体はヘリウムガスであるシステム。
- 請求項1記載のプラズマ処理システムにおいて、前記インピーダンスマッチング層は、前記電極と前記基板下の前記エッジリングの前記第1の部分との間に配置される部分を含むシステム。
- 請求項1記載のプラズマ処理システムにおいて、前記エッジリングと前記チャックとによって、処理のために前記基板を受け入れるための凹部を形成し、前記第1の部分と前記チャックとによって、前記基板の底面を受けるための領域が規定されるシステム。
- 請求項1記載のプラズマ処理システムにおいて、前記エッジリングの外側縁部は前記電極の縁部に延伸しているシステム。
- 請求項1または5に記載のプラズマ処理システムにおいて、前記インピーダンスマッチング層は、全体的に平面であり、前記電極の上面および前記エッジリングの底面と平行であるシステム。
- 請求項1記載のプラズマ処理システムにおいて、前記チャックと、前記インピーダンスマッチング層とは、誘電材料から形成され、前記エッジリングの誘電率は、前記チャックの誘電率と等しく、前記インピーダンスマッチング層の誘電率は、前記エッジリングおよび前記チャックの誘電率よりも大きいシステム。
- 請求項1記載のプラズマ処理システムにおいて、前記チャックによって生成される第1のインピーダンスは、前記インピーダンスマッチング層を有しない前記エッジリングによって生成される第2のインピーダンスと異なり、前記インピーダンスマッチング層は、前記第2のインピーダンスが前記チャックによって生成された前記第1のインピーダンスと実質的に等しくなるように、前記エッジリングによって生成された前記第2のインピーダンスを調整するよう構成されているシステム。
- 請求項9記載のプラズマ処理システムにおいて、前記インピーダンスマッチング層の前記厚さは、約1mmであるシステム。
- 請求項5記載のプラズマ処理システムにおいて、前記電極の前記内側領域は、前記基板の内側領域に対応し、前記電極の前記外側領域は、前記基板の外側領域に対応するシステム。
- プラズマ処理中に基板を支持するための基板台であって、
電界を生成するよう構成された電極と、
前記基板を保持するよう構成されると共に、前記電極の上方に配置されたチャックと、
前記電極の上方に配置され、支持される前記基板の下に伸びるほぼ平面のエッジリングであって、誘電体材料から形成され、前記基板の縁部および前記チャックの縁部に近接する内側縁部と、前記電極の縁部に伸びる外側縁部とによって、前記電極および前記チャックを保護するよう構成された、エッジリングと、
前記電極と前記エッジリングとの間、かつ、前記基板の下に配置されて閉じ込められるインピーダンスマッチング層と、
を備え、
前記インピーダンスマッチング層は、全体的に平面であって前記電極の上面と前記エッジリングの底面とに平行であり、前記電極または前記エッジリングに接合されており、前記電極とプラズマとの間のインピーダンスを制御するよう構成された特徴または特性を有し、前記インピーダンスは、前記電界に影響を及ぼすよう構成され、前記インピーダンスマッチング層を備えない場合の前記チャックによって生成された第1のインピーダンスは、前記エッジリングによって生成された第2のインピーダンスと異なり、前記インピーダンスマッチング層は、前記エッジリングの誘電率よりも大きい誘電率を有し、前記第2のインピーダンスが前記チャックによって生成された前記第1のインピーダンスと実質的に等しくなるように、前記エッジリングによって生成された前記第2のインピーダンスを変更し、前記第1および第2のインピーダンスを等しくすることで、前記基板の表面にわたってより均一にエネルギを結合することにより、前記基板の前記表面にわたって処理の均一性を改善する基板台。
- 請求項23記載の基板台において、前記インピーダンスは、前記電界のばらつきを低減するよう構成されている基板台。
- 請求項23または24記載の基板台において、前記インピーダンスマッチング層は、前記基板の縁部における前記電極と前記プラズマとの間の前記インピーダンスを制御するよう構成されている基板台。
- 請求項23ないし25のいずれか記載の基板台において、前記エッジリングは前記チャックとによって、前記基板の底面を受けるための領域を規定する第1の部分を有する基板台。
- 請求項26に記載の基板台において、前記エッジリングは、前記第1の部分の上方に伸びる第2の部分を有し、前記第1の部分は、前記チャックの前記外縁を取り囲む下部内側縁部を形成するよう構成され、前記第2の部分は、前記基板の前記外縁を取り囲む上部内側縁部を形成するように構成されていることで、前記エッジリングと前記チャックとによって、処理のために前記基板を受け入れるための凹型の部分が形成される基板台。
- 請求項23ないし27のいずれか記載の基板台において、前記チャックは、前記基板の外周よりも小さい外周を有する基板台。
- 請求項23ないし28のいずれか記載の基板台において、前記インピーダンスマッチング層は、誘電材料から形成される基板台。
- 請求項23ないし29のいずれか記載の基板台において、前記チャックと、前記エッジリングと、前記インピーダンスマッチング層とは、誘電材料から形成され、前記エッジリングの誘電率は、前記チャックの誘電率と等しく、前記インピーダンスマッチング層の誘電率は、前記エッジリングおよび前記チャックの誘電率よりも大きい基板台。
- プラズマ処理中に基板を支持するための基板台であって、
内側領域と外側領域とを有する電極であって、プラズマと前記電極との間に磁界を発生させる電極と、
処理中に前記基板を保持するよう構成されると共に、前記電極の前記内側領域の上方に配置されているチャックであって、前記電極の前記内側領域の上方の領域における前記電極と前記プラズマとの間の第1のインピーダンスに影響を及ぼすチャックと、
前記電極の前記外側領域の上方に配置され、前記チャックの側面に隣接して位置し、少なくとも前記電極を前記プラズマから保護するよう構成されている誘電性材料から形成されるエッジリングであって、前記基板下に延伸している前記エッジリングの一部は前記基板の縁部に近接する上部内側縁部と前記チャックの縁部に近接する下部内側縁部と、前記電極の縁部に伸びる前記エッジリングの外側縁部とを形成し、前記電極の前記外側領域の上方の領域において前記電極と前記プラズマとの間の第2のインピーダンスに影響を及ぼすエッジリングと、
前記エッジリングと前記電極との間、かつ、前記電極の前記外側領域の上方に配置されて閉じ込められるインピーダンスマッチング層と、
を備え、
前記インピーダンスマッチング層は、前記基板の表面にわたって処理の均一性を改善するために前記第2のインピーダンスを調整するよう前記エッジリングが有する誘電率よりも大きな誘電率を有し、前記インピーダンスマッチング層は、前記基板の前記縁部における前記電極と前記プラズマとの間のインピーダンスを、前記基板の中央部における前記電極と前記プラズマとの間のインピーダンスに合わせるよう構成されている基板台。
- 請求項31記載のプラズマ処理システムにおいて、前記チャックは静電チャックである基板台。
- 請求項31または32記載の基板台において、前記インピーダンスマッチング層は、前記エッジリングまたは前記電極に接合されている基板台。
- 請求項31ないし33のいずれか記載の基板台において、前記インピーダンスマッチング層は、前記基板下において前記電極と前記エッジリングの前記部分との間に配置されている基板台。
- 請求項31ないし34のいずれか記載の基板台において、前記インピーダンスマッチング層は、前記電極と前記基板下の前記エッジリングとの間に配置され、閉じ込められ、全体的に平面であり、前記電極の上面および前記エッジリングの底面と平行である基板台。
- 請求項31ないし35のいずれか記載の基板台において、前記インピーダンスマッチング層の厚さ、長さおよび位置の少なくとも1つは、前記第2のインピーダンスを制御するために調整される基板台。
- 請求項31ないし36のいずれか記載の基板台において、前記電界は、前記プラズマ処理中に、前記基板の前記表面において均一なシース電圧を生成する基板台。
- 請求項31ないし37のいずれか記載の基板台であって、前記電極は、RFエネルギを前記電極に供給するよう構成されたRF電源に接続されている基板台。
- 請求項31ないし38のいずれか記載の基板台はさらに、処理中に前記基板および前記エッジリングの温度を制御するための熱伝達システムを備え、前記熱伝達システムは、前記電極を通って前記チャックと前記基板との間の境界に伸びる第1の伝達路と、前記電極を通って前記電極と前記エッジリングとの間の境界に伸びる第2の伝達路とを有すると共に、前記各伝達路に熱媒体を供給するよう構成されている基板台。
- 請求項39記載の基板台において、前記熱媒体はヘリウムガスである基板台。
- 請求項31ないし40のいずれか記載の基板台において、前記電極の前記内側領域は、前記基板の内側領域に対応し、前記電極の前記外側領域は、前記基板の外側領域に対応する基板台。
- 基板を処理するために内部でプラズマが点火および維持される処理チャンバでの利用に適した均一機構であって、
前記基板の内側領域の下に配置されるチャックを備えた第1の構成要素であって、前記第1の構成要素は、それを通してエネルギを結合することにより第1のインピーダンスを生成する第1の構成要素と、
前記基板の外側領域の下に配置され、前記基板の外側領域の下に伸びる平面の誘電性材料により形成されるエッジリングを備えた第2の構成要素であって、前記第2の構成要素は、それを通してエネルギを結合することによって第2のインピーダンスを生成し、前記インピーダンスマッチング層を備えない場合の前記第1のインピーダンスは前記第2のインピーダンスと異なる第2の構成要素と、
前記エッジリングの下に配置されているインピーダンスマッチング層と、
前記インピーダンスマッチング層は、前記エッジリングが有する誘電率よりも大きな誘電率を有し、前記第2のインピーダンスが前記第1のインピーダンスと実質的に等しくなるように前記第2のインピーダンスを調整し、前記インピーダンスマッチング層の少なくとも一部は、前記基板の下に配置される均一機構。
- 請求項42記載の均一機構において、前記インピーダンスマッチング層は、前記第2の構成要素の下方に配置される均一機構。
- 請求項42または43記載の均一機構において、処理中に前記基板を支持するよう構成されている均一機構。
- 請求項42ないし44のいずれか記載の均一機構はさらに、電界を生成するための第3の構成要素を備える均一機構。
- 請求項42ないし45のいずれか記載の均一機構において、前記第1および第2の構成要素は、電極の上方に配置されている均一機構。
- 請求項23から30のいずれか一項に記載の基板台において、前記電極は導電性の材料から形成され、前記チャックと、前記インピーダンスマッチング層とは、誘電材料から形成されている基板台。
- 請求項47記載の基板台において、前記エッジリングの誘電率は、前記チャックの誘電率に等しく、前記インピーダンスマッチング層の誘電率は、前記エッジリングおよび前記チャックの前記誘電率よりも大きいことで、前記チャックの前記縁部に存在する増大したインピーダンスを補償する基板台。
- 請求項23から30のいずれか一項に記載の基板台において、前記電極は導電性の材料から形成され、前記チャックは誘電材料から形成され、前記インピーダンスマッチング層は、半導体材料または導電性の材料から形成されている基板台。
- 請求項23から30のいずれか一項に記載の基板台において、前記インピーダンスマッチング層は、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、石英、アルミニウム、陽極酸化アルミニウム、または、酸化アルミニウム、から形成されている基板台。
- 請求項23記載の基板台において、前記インピーダンスマッチング層は、前記基板の領域においてのみ前記エッジリングと前記電極との間に配置される基板台。
- 請求項23記載の基板台において、前記電極の前記上面は、エネルギの分布を均一にするために、実質的に均一であると共に実質的に前記基板に平行であるように構成されている基板台。
- 請求項31記載の基板台において、前記インピーダンスマッチング層は、シリコンエラストマによって前記エッジリングまたは前記電極に接合されており、前記エッジリングは、誘電材料から形成され、電気的に浮動しているか、DCアースに対して電気的に結合されている基板台。
- 請求項39記載の基板台において、前記インピーダンスマッチング層は、前記エッジリングの背面に接合されており、前記第1の伝達路は、前記チャックと前記基板の背面との間に位置する第1の隙間に前記熱媒体を分配するよう構成され、前記第2の伝達路は、前記電極と前記エッジリングの前記背面との間に位置して前記インピーダンスマッチング層を含む第2の隙間に前記熱媒体を分配するよう構成されている基板台。
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