KR100439940B1 - 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈 - Google Patents

웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR100439940B1
KR100439940B1 KR10-2002-0001615A KR20020001615A KR100439940B1 KR 100439940 B1 KR100439940 B1 KR 100439940B1 KR 20020001615 A KR20020001615 A KR 20020001615A KR 100439940 B1 KR100439940 B1 KR 100439940B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
insulating plate
etching
process module
electrode
Prior art date
Application number
KR10-2002-0001615A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030060690A (ko
Inventor
이성희
Original Assignee
주식회사 래디언테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 래디언테크 filed Critical 주식회사 래디언테크
Priority to KR10-2002-0001615A priority Critical patent/KR100439940B1/ko
Publication of KR20030060690A publication Critical patent/KR20030060690A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100439940B1 publication Critical patent/KR100439940B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 박막이 증착된 웨이퍼(wafer)의 가장자리를 선택적으로 식각함으로써, 상기 웨이퍼의 특성을 개선하는 웨이퍼 에지(edge) 식각용 프로세스 모듈(process module)에 관한 것으로, 상하로 복층 배열되어 전기적으로 연결된 원판 형태의 제 1 보조전극 및 환(環)형의 제 1 주전극과, 상기 제 1 주전극의 하단에서 외부로 노출되는 배면을 가지는 제 1 절연판을 포함하는 상부커버와; 상기 제 1 절연판과 평행하게 대향하면서 상면이 외부로 노출된 제 2 절연판과, 상기 제 2 절연판의 하단에 서로 전기적으로 연결되어 복층 배열되는 환(環)형의 제 2 주전극 및 원판 형태의 제 2 보조전극을 포함하고, 상기 제 1 절연판과 제 2 절연판 사이의 밀폐된 반응영역을 정의하는 측벽을 포함하는 하부베이스와; 상기 반응영역 내의 제 1 및 제 2 절연판의 사이에 평행하게 개재되는 제 3 절연판과; 상기 측벽의 대향하는 두 지점을 각각 관통하는 유입관 및 배출관과; 상기 유입관의 말단에 부설되어 상기 반응영역 내로 기체물질을 주입하는 가스저장장치와; 상기 배출관의 말단에 부설되어 상기 반응영역내의 기체물질을 배출하도록 감압하는 펌프와; 상기 제 1 및 제 2 보조전극에 각각 전압을 인가하는 전원공급장치를 포함하는 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈을 제공한다.

Description

웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈{Etching process module for edge of wafer}
본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 좀 더 자세하게는 박막이 증착된 웨이퍼(wafer)의 가장자리 부분을 선택적으로 식각하여, 상기 웨이퍼의 특성을 향상시키기 위한 웨이퍼 에지(edge) 식각용 프로세스 모듈(process module)에 관한 것이다.
근래에 들어 과학이 발달함에 따라 새로운 물질의 개발 및 처리를 가능하게 하는 신소재 분야가 급속도로 발전하였고, 이러한 신소재 분야의 개발 성과물은 반도체 산업의 비약적인 발전 원동력이 되고 있다.
반도체 소자란, 기판인 웨이퍼(wafer)의 상면에 수 차례에 걸친 박막의 증착 및 이의 패터닝(patterning) 등의 공정을 통해 구현되는 고밀도 집적회로(LSI: Large Scale Integration)로서, 현재 우리 산업의 각 분야에서 기억소자로 널리 활용되고 있다.
한편 이러한 반도체 소자의 제조공정 중 박막 증착공정에 있어서, 웨이퍼의 앞면과 뒷면의 가장자리 부분에 증착된 박막을 선택적으로 식각함으로써 웨이퍼가 가지는 특성을 매우 향상시킬 수 있는데, 즉, 웨이퍼 상에 기(旣) 증착된 박막 중 특히 웨이퍼의 앞면 또는 뒷면 가장자리 부분의 박막을 선택적으로 식각함으로써 웨이퍼의 가공 공정 중에 오염원으로 발생될 수 있는 불필요한 물질을 제거하고, 웨이퍼에 가해지는 스트레스를 감소하여 보다 개선된 공정을 가능케 한다.
특히, 웨이퍼 상에 SiO2재질의 박막을 성장시키는 에피텍셜 프로세스(epitaxial process)를 채택하는 공정에서는, 이러한 에피텍셜 프로세스후 웨이퍼에 가해지는 스트레스를 완화하기 위하여 웨이퍼 가장자리 부분의 박막을 선택적으로 식각하게 되는데, 이러한 일반적인 웨이퍼 가장자리 식각 방법으로는 건식 또는 습식식각방법 등이 사용되고 있다.
그러나 이러한 일반적인 건식 또는 습식식각 공정을 위해서는, 웨이퍼의 상면에 포토레지스트 등의 감광제를 도포한 후 이를 노광 현상하여 박막의 선택된 부분만을 노출시키는 공정과, 식각 후의 잔류 감광제를 제거하는 공정이 추가적으로 요구되며, 특히 웨이퍼의 뒷면에 발생되기 쉬운 비드(bid) 등의 불필요한 물질을 제거하는 이비알(EBR : Edge Bead Removal) 공정이 추가되어야 하는 번거로움을 가지고 있다.
이에 반도체 소자의 제조공정이 복잡해지고, 공정의 추가에 따른 불필요한웨이퍼의 노출 및 이송에 의하여 웨이퍼가 손상되기 쉬우며, 결국 반도체 소자의 제조비용을 증가시키는 여러 가지 문제점이 나타나고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 박막이 증착된 웨이퍼의 가장자리를 선택적으로 식각함으로써 웨이퍼의 특성을 개선하는 에지 식각용 프로세스 모듈을 제공함에 있어서, 특히 간편한 방법으로 신뢰성 있는 공정을 가능하게 하는, 보다 개선된 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈을 제공하는 데 그 목적이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈의 구조를 도시한 개략단면도
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈의 분해사시도
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈에 포함되는 제 2 주전극을 도시한 사시도
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈에 포함되는 전원공급장치의 구조를 도시한 블럭구조도
도 5는 본 발명에 따른 가스저장장치의 구성을 도시한 블록구조도
도 6은 본 발명에 따른 가스저장장치에 포함되는 유입관을 도 2의 A 방향에서 바라본 형상을 도시한 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 웨이퍼 10 : 상부커버
20 : 하부베이스
12, 22 : 제 1 및 제 2 보조전극
14, 24 : 제 1 및 제 2 주전극
16, 26 : 제 1 및 제 2 절연판
30 : 제 3 절연판 32 : 유입관
34 : 배출관 40 : 가스저장장치
50 : 전원공급장치
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 박막이 증착된 웨이퍼의 가장자리를 식각함으로써 상기 웨이퍼의 특성을 개선하는 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈로서, 상하로 복층 배열되어 전기적으로 연결된 원판 형태의 제 1 보조전극 및 환(環)형의 제 1 주전극과, 상기 제 1 주전극의 하단에 위치하여 외부로 노출되는 배면을 가지는 제 1 절연판을 포함하는 상부커버와; 상기 제 1 절연판과 평행하게 대향하면서 상면이 외부로 노출된 제 2 절연판과, 상기 제 2 절연판의 하단에 서로 전기적으로 연결되어 복층 배열되는 환(環)형의 제 2 주전극 및 원판 형태의 제 2 보조전극을 포함하고, 상기 제 1 절연판과 제 2 절연판 사이의 밀폐된 반응영역을 정의하는 측벽을 포함하는 하부베이스와; 상기 반응영역 내의 제 1 및 제 2절연판의 사이에 평행하게 개재되는 제 3 절연판과; 상기 측벽의 대향하는 두 지점을 각각 관통하는 유입관 및 배출관과; 상기 유입관의 말단에 부설되어 상기 반응영역 내로 기체물질을 주입하는 가스저장장치와; 상기 배출관의 말단에 부설되어 상기 반응영역내의 기체물질을 배출하도록 감압하는 펌프와; 상기 제 1 및 제 2 보조전극에 각각 전압을 인가하는 전원공급장치를 포함하여, 상기 제 3 절연판이 상면에 놓임으로써 가장자리가 상기 반응영역으로 노출되도록 상기 제 2 절연판 상면에 안착되는 웨이퍼를 식각하는 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈을 제공한다
특히 상기 제 1 보조전극과, 제 2 보조전극과, 상기 제 1 주전극과, 상기 제 2 주전극은 각각 표면을 산화알루미늄(Al2O3)이 포함된 물질이 감싸고, 상기 제 1 및 제 2 주전극은 각각 웨이퍼를 향하는 표면에 다수의 요철형상이 부여된 것을 특징으로 하며, 또한 상기 웨이퍼의 상면에는 기(旣) 증착된 산화규소(SiO2)박막이 존재하며, 상기 가스저장장치에는 플루오르(F)를 포함하는 기체물질과, 비활성 기체 중 선택된 하나가 각각 저장되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 전원공급장치는 제 1 및 제 2 보조전극에 각각 1 내지 10 킬로헤르쯔(KHz)의 주파수를 가지는 10 내지 20 킬로볼트(KV)의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하며, 상기 하부베이스는 상기 제 2 절연판을 관통하여 상기 웨이퍼를 승강시킬 수 있는 다수의 리프트 핀을 포함하는 리프트 핀 구동시스템을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하 본 발명에 대한 올바른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
본 발명은 웨이퍼의 가장자리에 증착된 박막을 식각하여 상기 웨이퍼의 특성을 개선하는 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈로서, 특히 1 회의 공정에 있어서 1 매의 웨이퍼를 처리하는 매엽식 처리방법을 채용하고, 에천트로 기체물질을 사용하는 건식 식각장치인 것을 특징으로 하는 바, 이를 도 1 및 도 2에 도시하였다.
이때 도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈의 구조를 도시한 개략단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈의 분해사시도이다.
도시한 바와 같이 본 발명에 따른 에지 식각용 프로세스 모듈은, 크게 처리 대상물인 웨이퍼(1)가 안착되어 이의 직접적인 처리공정이 진행되는 밀폐된 반응용기인 챔버(5)와, 상기 챔버(5)의 내부로 유입되는 기체물질을 저장하는 가스저장장치(40)로 구분될 수 있다.
이 중 특히 챔버(5)는 웨이퍼(1)를 사이에 두고 서로 대향하는 상부커버(10) 및 하부베이스(20)를 포함하는 바, 이들 상부커버(10)와 하부베이스(20)에는 각각 원판형태의 보조전극과, 환(環)형의 주전극과, 절연판을 공통적인 요소로 가지고 있다. 즉, 상부커버(10)는 금속 등의 재질로 이루어지는 제 1 프레임(11)의 내부에 외부의 전원공급장치(50)와 전기적으로 연결된 원판 형상의 제 1 보조전극(12)과, 상기 제 1 보조전극(12)과 전기적으로 연결되어 그 하단에 배치되는 환(環)형의 제 1 주전극(14)이 차례로 위치하여 복층 배열되며, 이러한 제 1 주전극(14)의 하단으로는 배면이 외부로 노출된 제 1 절연판(16)이 설치되어 있다.
또한 이러한 상부커버(10)와 웨이퍼(1)를 사이에 두고 대향되는 하부베이스(20)는 그 구성요소가 전술한 상부커버(10)와 대칭되도록 배열되는 바, 상면이 외부로 노출된 제 2 절연판(26)의 하단에 서로 전기적으로 연결된 환형의 제 2 주전극(24) 및 외부의 전원공급장치(50)와 연결되는 원판형상의 제 2 보조전극(22)이 차례로 복층 배열되도록 실장된 제 2 프레임(21)으로 이루어진다.
이러한 구성을 가지는 상부커버(10)와 하부베이스(20)는 각각의 제 1 절연판(16)과 제 2 절연판(26)이 서로 마주보도록 대향 배치된 상태에서 상부커버(10)가 승강함으로써 결합 또는 분리되는데, 이때 제 1 절연판(16)과 제 2 절연판(26) 사이에 웨이퍼(1)가 안착되어 처리되는 반응영역(36)을 정의하기 위하여 상부커버(10)의 가장자리를 따라 하부베이스(20) 방향으로 수직하게 돌출되는 측벽을 포함하고 있다.
한편, 이러한 측벽은 도시한 바와 같이 하부베이스(20)의 가장자리를 따라 돌출되도록 하여 상부커버(10)의 저면과 밀착되도록 하는 것도 가능한데, 특히 상기 측벽(28)에는 각각 대향하는 양 측면을 관통하도록 연결되는 유입관(32)과 배출관(34)을 포함하고 있으며, 이들 제 1 및 제 2 절연판(16, 26)의 사이에는 웨이퍼(1)와, 상기 웨이퍼(1)의 가장자리만 노출하도록 웨이퍼(1)의 상면에 안착되는 제 3 절연판(30)이 개재된다.
따라서 본 발명에 따른 반도체 제조장치는 상부커버(10)와, 상기 상부커버(10)의 저면에 노출된 제 2 절연판(16)과 밀착되는 제 3 절연판(30)과, 상기 제 3 절연판(30)의 하부에 위치하는 웨이퍼(1)와, 상기 웨이퍼(1)의 배면과 상면이 밀착하는 제 2 절연판(26)을 포함하는 하부베이스(20)가 차례로 위치한 상태에서 구동되는 것으로, 이때 제 3 절연판(30)은 웨이퍼(1) 보다 작은 직경을 가지고 있어, 웨이퍼(1)의 가장자리만이 반응 영역(36) 내로 노출되도록 하는 것이다.
또한 상기 유입관(32)의 말단은 전술한 가스저장장치(40)와, 배출관(34)의 말단은 펌프(P) 등의 감압수단에 각각 연결되는 바, 먼저 하부베이스(20)의 제 2 절연판(26) 상에 웨이퍼(1)가 안착된 후 이의 상면에 제 3 절연판(30)이 놓임으로써 웨이퍼(1)의 상면 가장자리만이 반응영역(36)으로 노출되면, 이후 상부커버(10)가 하강하여 제 1 절연판(16)의 배면과 제 3 절연판(36)의 상면이 밀착하게 된다.
따라서 챔버(5)의 내부에는 웨이퍼(1)의 가장자리 만이 노출되는 환형의 반응영역(36)이 정의되는 바, 이 후 가스공급장치(40)로부터 유입관(32)을 경유하여 챔버(5) 내부로 인입된 기체물질은 이러한 반응영역(36)을 순환한 후 배출관(34)의 말단에 설치된 펌프(P) 등의 감압수단에 의하여 외부로 빠져나가게 되는 것이다.
이때 전술한 기체물질이 반응영역(36) 내에서 순환하는 단계에 있어서, 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈에 포함되는 전원공급장치(50)를 통해 각각 상부커버(10)와 하단베이스(20) 내부에 실장된 제 1 및 제 2 보조전극(12, 22)과, 제 1 및 제 2 주전극(14, 24)이 구동되는데, 이에 의하여 반응영역(36) 내부를 순환하는 기체물질을 플라즈마로 여기된다.
즉, 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈을 구성하는 상부커버(10)와 하단베이스(20)에 각각 실장되는 제 1 및 제 2 보조전극(12, 22)은 외부의 전원공급장치(50)와 전기적으로 연결되어 있으므로, 상기 전원공급장치(50)로부터 인가된 전압은 각각 제 1 및 제 2 보조전극(12, 22)을 경유하여 제 1 및 제 2 주전극(14, 24)에 도달됨으로써 반응영역(36) 내에 강력한 코로나 방전을 발생시키게 된다.
이러한 코로나 방전에 의하여 기체물질은 플라즈마로 여기되고, 이러한 플라즈마를 사용하여 점선 화살표로 도시한 바와 같이, 웨이퍼(1)의 가장자리 부분을 식각하는 바, 이를 위하여 본 발명에 따른 전원공급장치(50)는 제 1 및 제 2 보조전극(12, 22)에 각각 1 내지 10 킬로헤르쯔(KHz)의 주파수를 가지는 10 내지 20 킬로볼트(KV)의 전압을 인가하게 된다.
이러한 본 발명에 따른 전원공급장치를 도 3에 블록구조도로 도시하였는데, 이는 일례로 도시한 바와 같이 교류전압 발생원(52)과, 이러한 교류전압발생원(52)으로부터 발생된 교류전압을 고전압으로 변압하는 변압기(54)와, 상기 변압기(54)로부터 변압된 교류전압의 임피던스를 정합하여 각각 제 1 및 제 2 보조전극(도 1 또는 도 2 의 12, 22)으로 인가되도록 하는 리액턴스 소자(56)를 포함하여 구성될 수 있을 것이다.
특히 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈은 웨이퍼(1) 상면에 기 증착된 SiO2박막을 식각할 경우에 가장 효과적인데, 이때 반응영역 내에 개재되는 웨이퍼의 상면에는 SiO2박막이 증착되어 있고, 상기 저장장치에는 CF4또는 CF6등 플루오르(F)를 포함하는 기체물질과, 이의 운반가스인 Ar 등의 비활성 기체물질 중 선택된 하나가 각각 저장될 수 있을 것이다.
따라서 이러한 CF4또는 SF6중 선택된 하나의 기체물질은 운반가스인 비활성 가스와 함께 반응영역 내로 인입된 상태에서, 제 1 및 제 2 주전극(14, 24) 사이에서 발생되는 코로나 방전에 의하여 플라즈마로 여기되어 웨이퍼(1) 상면에 증착된 SiO2박막을 식각하게 되는 것이다.
이때 특히 제 1 및 제 2 주전극(14, 24)은 그 표면에 다수의 요철형상을 부여하는 것이 전기적 효율에 있어서 유리한데, 이는 일례로 도 4에 도시한 바와 같은 형상을 가질 수 있다.
특히 도 4는 도 1 또는 제 2 의 제 2 주전극(24) 만을 도시한 사시도로서, 제 1 주전극(14)은 이와 동일한 형태를 가지고 있으므로 이를 통하여 설명한다. 도시한 바와 (제 1 주전극 또는) 제 2 주전극(24)은 서로 대향하는 방향으로 돌출된 슬릿형태의 다수의 요철(24b)형상을 가지고 있어 표면의 면적을 최대화하게 되므로, 이러한 요철(24b)형상을 통해 온도상승을 용이하게 제어하는 것이 가능하여 별도의 냉각장치 등이 부설될 필요가 없는 잇점을 가지고 있는데, 특히 이러한 요철(24b)형상의 표면은 양극산화 처리를 함으로써 절연성을 향상시키는 것이 유리하다.
또한 바람직하게는, 전술한 본 발명에 따른 챔버(5)에 안착되는 웨이퍼(1)의 오염을 방지하기 위하여 웨이퍼(1)의 로딩(loading) 또는 언로딩(unloading) 시 로봇이 사용되는 것이 유리한데, 이를 위하여 본 발명에 따른 챔버(5)의 내부에는 웨이퍼(1)를 승강할 수 있는 리프트핀 구동시스템(70)이 실장될 수 있다.
즉, 도 2에 도시한 바와 같이 본 발명에 따른 챔버(5)를 구성하는 하부베이스(20)에는 환형의 제 2 주전극(24)의 내부를 통하여 제 3 절연판(26)을 관통하여 승강하는 다수의 리프트 핀(72)을 포함하는 리프트핀 구동시스템(70)이 실장될 수 있고, 제 2 절연판(26) 상에는 다수의 리프트 핀(70)이 각각 관통될 수 있는 리프트 핀 홀(26b)이 형성되어 있음을 확인할 수 있을 것이다.
또한 도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈에 포함되는 기체저장장치(40)의 구성의 일례를 도시한 블록도로서, 이는 바람직하게는 전술한 웨이퍼 에지 식각에 필요한 기체물질을 각각 저장하는 다수의 제 1 및 제 2 또는 제 3 저장탱크(42a, 42b, 42c)와, 이러한 각각의 저장탱크(42a, 42b, 42c)에 저장된 기체물질 중 필요한 기체물질을 선택하여 이의 농도로 조절하는 희석장치(44)와, 상기 희석장치(44)를 통하여 농도가 조절된 기체물질을 예비적으로 활성화하여 이를 반응영역(36) 내로 유입함으로써, 공정속도를 향상시킬 수 있는 기체물질 전처리 장치(46)를 포함하는 것이 바람직하다.
이에 또한 이들 기체물질이 반응영역(36)으로 유입될 수 있도록 통로역할을 하는 유입관(32)은, 도 2의 A 지점에서 바라본 형태를 도시한 도 6과 같이 다수의 홀(36a)을 가지고 있도록 하여 이를 통해 유입되도록 하는 것이 바람직한 바, 이는 도시하지는 않았지만 유출관(34)에도 동일하게 적용될 수 있을 것이다.
본 발명은 웨이퍼의 특성을 개선하기 위한 웨이퍼 에지형 프로세스 모듈을제공하는 것을 특징으로 하는데, 특히 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 에치용 프로세스 모듈은 1회의 공정에서 1매의 웨이퍼를 처리하는 매엽식 방법을 채용함으로써 공정 신뢰도를 향상시키는 잇점을 가지고 있다.
특히 본 발명은 일반적인 식각 공정에서 요구되는 감광제 도포, 이의 노광 및 현상공정과, 식각 후 잔류 감광제의 제거 등의 공정을 필요로 하지 않는 바, 공정단순화에 따른 원가 절감 및 공정시간 단축 등의 개선된 효과를 얻을 수 있다.
또한 본 발명은 특히 반응영역 내에 상압, 상온분위기가 조성된 상태에서 공정을 진행하므로 보다 간편하게 웨이퍼를 처리 할 수 있으며, 설비를 위한 면적 및 비용을 크게 절감할 수 있는 잇점을 아울러 가지고 있다.

Claims (5)

  1. 박막이 증착된 웨이퍼의 가장자리를 식각함으로써. 상기 웨이퍼의 특성을 개선하는 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈로서,
    상하로 복층 배열되어 전기적으로 연결된 원판 형태의 제 1 보조전극 및 환(環)형의 제 1 주전극과, 상기 제 1 주전극의 하단에 위치하여 외부로 노출되는 배면을 가지는 제 1 절연판을 포함하는 상부커버와;
    상기 제 1 절연판과 평행하게 대향하면서 상면이 외부로 노출된 제 2 절연판과, 상기 제 2 절연판의 하단에 서로 전기적으로 연결되어 복층 배열되는 환(環)형의 제 2 주전극 및 원판 형태의 제 2 보조전극을 포함하고, 상기 제 1 절연판과 제 2 절연판 사이의 밀폐된 반응영역을 정의하는 측벽을 포함하는 하부베이스와;
    상기 반응영역 내의 제 1 및 제 2 절연판의 사이에 평행하게 개재되는 제 3 절연판과;
    상기 측벽의 대향하는 두 지점을 각각 관통하는 유입관 및 배출관과;
    상기 유입관의 말단에 부설되어 상기 반응영역 내로 기체물질을 주입하는 가스저장장치와;
    상기 배출관의 말단에 부설되어 상기 반응영역내의 기체물질을 배출하도록 감압하는 펌프와;
    상기 제 1 및 제 2 보조전극에 각각 전압을 인가하는 전원공급장치
    를 포함하여, 상기 제 3 절연판이 상면에 놓임으로써 가장자리가 상기 반응영역으로 노출되도록 상기 제 2 절연판 상면에 안착되는 웨이퍼를 식각하는 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 보조전극과, 제 2 보조전극과, 상기 제 1 주전극과, 상기 제 2 주전극은 각각 산화알루미늄(Al2O3)이 포함된 물질이 표면을 감싸고, 상기 제 1 및 제 2 주전극은 각각 웨이퍼를 향하는 표면에 다수의 요철형상
    이 부여된 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 웨이퍼의 상면에는 기(旣) 증착된 산화규소(SiO2) 박막이 존재하며, 상기 가스저장장치에는 플루오르(F)를 포함하는 기체물질과, 비활성 기체 중 선택된 하나가 각각 저장되는 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 전원공급장치는 제 1 및 제 2 보조전극에 각각 1 내지 10킬로헤르쯔(KHz)의 주파수를 가지는 10 내지 20 킬로볼트(KV)의 전압을 인가하는 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 하부베이스는
    상기 제 2 절연판을 관통하여 상기 웨이퍼를 승강시킬 수 있는 다수의 리프트 핀을 포함하는 리프트 핀 구동시스템
    을 더욱 포함하는 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈
KR10-2002-0001615A 2002-01-11 2002-01-11 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈 KR100439940B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0001615A KR100439940B1 (ko) 2002-01-11 2002-01-11 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0001615A KR100439940B1 (ko) 2002-01-11 2002-01-11 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030060690A KR20030060690A (ko) 2003-07-16
KR100439940B1 true KR100439940B1 (ko) 2004-07-12

Family

ID=32217689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0001615A KR100439940B1 (ko) 2002-01-11 2002-01-11 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100439940B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100801711B1 (ko) 2007-02-27 2008-02-11 삼성전자주식회사 반도체 식각 및 증착 공정들을 수행하는 반도체 제조장비들 및 그를 이용한 반도체 소자의 형성방법들

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100442194B1 (ko) * 2002-03-04 2004-07-30 주식회사 씨싸이언스 웨이퍼 건식 식각용 전극
KR100447891B1 (ko) * 2002-03-04 2004-09-08 강효상 반도체 웨이퍼의 건식 식각 방법
KR100539708B1 (ko) * 2003-07-18 2005-12-28 위순임 웨이퍼 에지 처리용 플라즈마 발생장치
KR100532354B1 (ko) 2004-05-31 2005-11-30 삼성전자주식회사 식각 영역 조절 장치 및 웨이퍼 에지 식각 장치 그리고웨이퍼 에지 식각 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142449A (ja) * 1993-11-22 1995-06-02 Kawasaki Steel Corp プラズマエッチング装置
KR960032629A (ko) * 1995-02-07 1996-09-17 야스까와 히데아끼 기판주변의 불필요물 제거방법 및 장치와 이를 이용한 도포방법
KR19980034188A (ko) * 1996-11-05 1998-08-05 김광호 반도체 식각설비의 하측전극판
KR20000052534A (ko) * 1998-12-22 2000-08-25 오하라 히로시 실리콘 웨이퍼 가공방법 및 그 장치
KR20020080955A (ko) * 2001-04-18 2002-10-26 (주)소슬 플라즈마 식각 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142449A (ja) * 1993-11-22 1995-06-02 Kawasaki Steel Corp プラズマエッチング装置
KR960032629A (ko) * 1995-02-07 1996-09-17 야스까와 히데아끼 기판주변의 불필요물 제거방법 및 장치와 이를 이용한 도포방법
KR19980034188A (ko) * 1996-11-05 1998-08-05 김광호 반도체 식각설비의 하측전극판
KR20000052534A (ko) * 1998-12-22 2000-08-25 오하라 히로시 실리콘 웨이퍼 가공방법 및 그 장치
KR20020080955A (ko) * 2001-04-18 2002-10-26 (주)소슬 플라즈마 식각 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100801711B1 (ko) 2007-02-27 2008-02-11 삼성전자주식회사 반도체 식각 및 증착 공정들을 수행하는 반도체 제조장비들 및 그를 이용한 반도체 소자의 형성방법들
US8197637B2 (en) 2007-02-27 2012-06-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor fabrication apparatuses to perform semiconductor etching and deposition processes and methods of forming semiconductor device using the same
US8652342B2 (en) 2007-02-27 2014-02-18 Samsung Electronics Co., Ltd Semiconductor fabrication apparatuses to perform semiconductor etching and deposition processes and methods of forming semiconductor device using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030060690A (ko) 2003-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0167473B1 (ko) 처리방법 및 장치
US10115614B2 (en) Transfer chamber and method for preventing adhesion of particle
US6676761B2 (en) Method and apparatus for dechucking a substrate
KR102653085B1 (ko) 클리닝 방법 및 기판 처리 장치
US7375946B2 (en) Method and apparatus for dechucking a substrate
CN107204274B (zh) 等离子体处理方法以及等离子体处理装置
JPS61288424A (ja) ピンリフト　プラズマ処理装置
JP2001077088A (ja) プラズマ処理装置
JPH09129612A (ja) エッチングガス及びエッチング方法
JP2004265902A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体ウェハの切断装置
US6239036B1 (en) Apparatus and method for plasma etching
JP2879887B2 (ja) プラズマ処理方法
US20080242086A1 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
JP2018182093A (ja) ウエハ処理装置
KR100188455B1 (ko) 드라이 에칭방법
US20180122620A1 (en) Plasma processing apparatus
KR100439940B1 (ko) 웨이퍼 에지 식각용 프로세스 모듈
JPH0487321A (ja) 真空処理装置の被処理物保持装置
US20200312623A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPH05175162A (ja) ドライエッチング装置
JPH07331445A (ja) 処理装置及び該処理装置に用いられるカバー体の洗浄方法
JP3162272B2 (ja) プラズマ処理方法
JP3413090B2 (ja) 陽極化成装置及び陽極化成処理方法
JPH03169041A (ja) 真空処理装置
JP3118497B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130531

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140605

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150604

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160608

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170621

Year of fee payment: 14