JPH0211761A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH0211761A JPH0211761A JP16031688A JP16031688A JPH0211761A JP H0211761 A JPH0211761 A JP H0211761A JP 16031688 A JP16031688 A JP 16031688A JP 16031688 A JP16031688 A JP 16031688A JP H0211761 A JPH0211761 A JP H0211761A
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- Japan
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- magnet
- treated
- sputtering
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- Pending
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、集積回路や液晶素子の薄膜作製などに使用さ
れるスパッタリング装置に関する。
れるスパッタリング装置に関する。
（従来の技術）
スパッタリング装置は集積回路や液晶素子の薄膜作製な
ど、多方面に広く利用されている。特に最近は、高集積
化を実現するため、薄膜を高い精度で均一に形成するこ
とが要求されると共に、高価なターゲットの利用効率の
向上が強く求められるようになってきた。
ど、多方面に広く利用されている。特に最近は、高集積
化を実現するため、薄膜を高い精度で均一に形成するこ
とが要求されると共に、高価なターゲットの利用効率の
向上が強く求められるようになってきた。
スパッタリング装置としては、ガス導入管とガス排気管
とを備えたスパッタリング室にターゲットと、被処理物
を載置するホルダーとを配置し、前記ターゲットの表面
に磁場を発生させると同時に電圧を印加するようにした
マグネトロン放電式のスパッタリング装置が多用されて
いる。
とを備えたスパッタリング室にターゲットと、被処理物
を載置するホルダーとを配置し、前記ターゲットの表面
に磁場を発生させると同時に電圧を印加するようにした
マグネトロン放電式のスパッタリング装置が多用されて
いる。
このスパッタリング装置においては、薄膜の均一性を上
げるため、磁石の形状を変えたり、回転させることか行
われ、またターゲットの利用効率を上げるため、磁石を
ターゲット中心に対して偏心回転させたり、ターゲット
の形状を変えることが行われている。
げるため、磁石の形状を変えたり、回転させることか行
われ、またターゲットの利用効率を上げるため、磁石を
ターゲット中心に対して偏心回転させたり、ターゲット
の形状を変えることが行われている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、磁石の形状を変えて膜の均一性を向上さ
せるとターゲットの利用効率が下がり、一方、磁石をタ
ーゲット中心に対して偏心回転させてターゲットの利用
効率を上げようとすると膜の均一性か下がってしまうと
いうように、ターゲットの利用効率と膜の均一性の間に
は相反する関係があり、ターゲットの利用効率と膜の均
一性を同時に向上させることはできなかった。
せるとターゲットの利用効率が下がり、一方、磁石をタ
ーゲット中心に対して偏心回転させてターゲットの利用
効率を上げようとすると膜の均一性か下がってしまうと
いうように、ターゲットの利用効率と膜の均一性の間に
は相反する関係があり、ターゲットの利用効率と膜の均
一性を同時に向上させることはできなかった。
また、最近では、ホルダーとターゲットの距離を離した
り、磁石の形状を変えることにより、ターゲットの利用
効率と膜の均一性を共に向上させようとする試みもなさ
れているが、未だ満足な性能のものは得られていない。
り、磁石の形状を変えることにより、ターゲットの利用
効率と膜の均一性を共に向上させようとする試みもなさ
れているが、未だ満足な性能のものは得られていない。
本発明は従来技術における上述のごとき欠点を解決すべ
くなされたもので、ターゲットの利用効率と膜の均一性
とを同時に向上させ得るスパッタリング装置を提供する
ことを目的とするものである。
くなされたもので、ターゲットの利用効率と膜の均一性
とを同時に向上させ得るスパッタリング装置を提供する
ことを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明のスパッタリング装置は、ガス導入管とガス排気
管とを備えたスパッタリング室内に被処理物を載置する
ホルダーを設置し、このホルダの上方にターゲットを配
置し、このターゲットと前記被処理物との間に電圧を印
加し、前記ターゲットには、その近傍に配置したマグネ
ットから磁界を作用させるようにしたスパッタリング装
置において、前記ホルダーとマグネットとが固定時の位
置関係を保持しながら左右に同方向に移動し、かつ同一
の回転速度で偏心回転するよう構成したことを特徴とす
るものである。
管とを備えたスパッタリング室内に被処理物を載置する
ホルダーを設置し、このホルダの上方にターゲットを配
置し、このターゲットと前記被処理物との間に電圧を印
加し、前記ターゲットには、その近傍に配置したマグネ
ットから磁界を作用させるようにしたスパッタリング装
置において、前記ホルダーとマグネットとが固定時の位
置関係を保持しながら左右に同方向に移動し、かつ同一
の回転速度で偏心回転するよう構成したことを特徴とす
るものである。
（作 用）
上述のように構成した本発明のスパッタリング装置によ
れば、膜厚分布の均一性とターゲットの利用効率を同時
に高めることができる。
れば、膜厚分布の均一性とターゲットの利用効率を同時
に高めることができる。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明装置の実施例を示すもので、真空容器１
の側壁にはガス導入管２とガス排気管３が連結されてい
る。この真空容器１の上端は絶縁物４を介して固着した
蓋板５で覆われ、内部にチャンバー室６が構成されてい
る。
の側壁にはガス導入管２とガス排気管３が連結されてい
る。この真空容器１の上端は絶縁物４を介して固着した
蓋板５で覆われ、内部にチャンバー室６が構成されてい
る。
蓋板５は非磁性で導電性の材料からなり、直流電源７に
接続されている。また、この蓋板の下面にはターゲット
８が取付けられ、直流電源７により、負電位に保たれて
いる。
接続されている。また、この蓋板の下面にはターゲット
８が取付けられ、直流電源７により、負電位に保たれて
いる。
蓋板の上面には、同心円状のマグネット９が、左右移動
機構および偏心回転機構１０を介して可動的に配置され
ている。
機構および偏心回転機構１０を介して可動的に配置され
ている。
真空容器１内には、マグネット９の下方位置に被処理物
１１を載置するホルダー１２が設置されている。このホ
ルダー１２は、マグネット９の場合と同様に、左右移動
機構および偏心回転機構１３を介して可動的に配置され
ており、マグネット９とホルダー１２は固定時の位置関
係を保持しながら左右に同方向に移動し、かつ同一の回
転速度で偏心回転するよう構成されている。
１１を載置するホルダー１２が設置されている。このホ
ルダー１２は、マグネット９の場合と同様に、左右移動
機構および偏心回転機構１３を介して可動的に配置され
ており、マグネット９とホルダー１２は固定時の位置関
係を保持しながら左右に同方向に移動し、かつ同一の回
転速度で偏心回転するよう構成されている。
上述のように構成した本発明のスパッタリング装置にお
いては、被処理物１１をホルダー１２上に載置し、ガス
排気管３を介してチャンバー室６内を真空に排気し、ガ
ス導入管２を通してチャンバー室６内に所定の成分、濃
度の雰囲気ガスを充填し、マグネット９とホルダー１２
を固定時の位置関係を保持しながら左右に同方向に移動
させると共に、同一の回転速度で偏心回転させ、直流電
源７より蓋板５を介してターゲット８に負電圧を印加し
てスパッタリングを行う。
いては、被処理物１１をホルダー１２上に載置し、ガス
排気管３を介してチャンバー室６内を真空に排気し、ガ
ス導入管２を通してチャンバー室６内に所定の成分、濃
度の雰囲気ガスを充填し、マグネット９とホルダー１２
を固定時の位置関係を保持しながら左右に同方向に移動
させると共に、同一の回転速度で偏心回転させ、直流電
源７より蓋板５を介してターゲット８に負電圧を印加し
てスパッタリングを行う。
このようにしてスパッタリングを行った場合、被処理物
１１に形成される薄膜の膜厚分布は第２図に示すように
、被処理物の周辺部を除くほぼ全域においてほぼ均一と
なる。また所定時間のスパッタリング処理後のターゲッ
ト８のエロージョンエリア１３の分布は第３図に示すよ
うに、ターゲット８の周辺部を除くほぼ全域において均
一になる。
１１に形成される薄膜の膜厚分布は第２図に示すように
、被処理物の周辺部を除くほぼ全域においてほぼ均一と
なる。また所定時間のスパッタリング処理後のターゲッ
ト８のエロージョンエリア１３の分布は第３図に示すよ
うに、ターゲット８の周辺部を除くほぼ全域において均
一になる。
これに対して、マグネットつとホルダー１２を固定して
スパッタリングを行った場合、被処理物１１表面に形成
される薄膜の膜厚分布は第２図の場合と同様に、被処理
物上の位置に拘らずほぼ均一となるが、所定時間のスパ
ッタリング処理後のターゲット８のエロージョンエリア
１３′の分布は第４図に示すように部分的に集中する。
スパッタリングを行った場合、被処理物１１表面に形成
される薄膜の膜厚分布は第２図の場合と同様に、被処理
物上の位置に拘らずほぼ均一となるが、所定時間のスパ
ッタリング処理後のターゲット８のエロージョンエリア
１３′の分布は第４図に示すように部分的に集中する。
従ってターゲットの利用効率は低くなる。
上述のように、本発明のスパッタリング装置においては
、マグネット９とホルダー１２を同一の位置関係を保持
しながら移動または回転させることによって、膜厚分布
の均一性とターゲットの利用効率とを同時に高めること
ができる。
、マグネット９とホルダー１２を同一の位置関係を保持
しながら移動または回転させることによって、膜厚分布
の均一性とターゲットの利用効率とを同時に高めること
ができる。
上述のように、本発明においては、膜厚分布の均一性と
ターゲットの利用効率を同時に高めることかでき、高品
位の製品を低コストで製作することができる。
ターゲットの利用効率を同時に高めることかでき、高品
位の製品を低コストで製作することができる。
第１図は本発明装置の実施例を示す縦断面図、第２図は
本発明装置によりスパッタリングした被処理物上の膜の
均一性を示すグラフ、第３図は本発明装置によりスパッ
タリングしたターゲットのエロージョンエリアの分布を
示す縦断面図、第４図は従来装置によりスパッタリング
したターゲットのエロージョンエリアの分布を示す縦断
面図である。 １・・・真空容器、２・・・ガス導入管、３・・・ガス
排気管、４・・・絶縁物、５・・・蓋板、６・・チャン
バー室、７・・・直流電源、８・・・ターゲット、９・
・・マグネット、１０．１２・・・左右移動機構および
偏心回転機構、１１・・・被処理物、１．３．１３’・
・・エロージョンエリア。 出願人代理人 佐 藤 −雄 碩処ツ物上ゆ位置 第４図
本発明装置によりスパッタリングした被処理物上の膜の
均一性を示すグラフ、第３図は本発明装置によりスパッ
タリングしたターゲットのエロージョンエリアの分布を
示す縦断面図、第４図は従来装置によりスパッタリング
したターゲットのエロージョンエリアの分布を示す縦断
面図である。 １・・・真空容器、２・・・ガス導入管、３・・・ガス
排気管、４・・・絶縁物、５・・・蓋板、６・・チャン
バー室、７・・・直流電源、８・・・ターゲット、９・
・・マグネット、１０．１２・・・左右移動機構および
偏心回転機構、１１・・・被処理物、１．３．１３’・
・・エロージョンエリア。 出願人代理人 佐 藤 −雄 碩処ツ物上ゆ位置 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ガス導入管とガス排気管を備えたスパッタリング室
内に被処理物を載置するホルダーを設置し、このホルダ
ーの上方にホルダーと対向してターゲットを配置し、こ
のターゲットと前記被処理物との間に電圧を印加すると
ともに、前記ターゲットには、その近傍に配置したマグ
ネットから磁界を作用させるようにしたスパッタリング
装置において、前記ホルダーとマグネットとが同一の位
置関係を保持しながら移動または回転するよう構成した
ことを特徴とするスパッタリング装置。 ２、前記マグネットとホルダーとが同一の位置関係を有
し、前記ターゲットの中心に対しマグネットとホルダー
が偏心回転するようにしたことを特徴とする請求項１に
記載のスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16031688A JPH0211761A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16031688A JPH0211761A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0211761A true JPH0211761A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15712318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16031688A Pending JPH0211761A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0211761A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5345207A (en) * | 1991-01-25 | 1994-09-06 | Leybold Aktiengesellschaft | Magnet configuration with permanent magnets |
| US6132565A (en) * | 1999-10-01 | 2000-10-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Magnetron assembly equipped with traversing magnets and method of using |
| KR20020091949A (ko) * | 2001-06-01 | 2002-12-11 | 삼성전자 주식회사 | 타겟 이동형 스퍼터링 장치 |
| KR20040043046A (ko) * | 2002-11-15 | 2004-05-22 | 삼성전자주식회사 | 마그네트론 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법 |
| JP2008179254A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Honda Motor Co Ltd | 自動二輪車の車速センサ |
| US20170294294A1 (en) * | 2016-04-11 | 2017-10-12 | Spts Technologies Limited | DC Magnetron Sputtering |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63109163A (ja) * | 1986-10-25 | 1988-05-13 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | スパツタリング装置 |
| JPH01309965A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロンスパッタ装置 |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP16031688A patent/JPH0211761A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63109163A (ja) * | 1986-10-25 | 1988-05-13 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | スパツタリング装置 |
| JPH01309965A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロンスパッタ装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5345207A (en) * | 1991-01-25 | 1994-09-06 | Leybold Aktiengesellschaft | Magnet configuration with permanent magnets |
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| JP2008179254A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Honda Motor Co Ltd | 自動二輪車の車速センサ |
| US20170294294A1 (en) * | 2016-04-11 | 2017-10-12 | Spts Technologies Limited | DC Magnetron Sputtering |
| KR20170116587A (ko) * | 2016-04-11 | 2017-10-19 | 에스피티에스 테크놀러지스 리미티드 | Dc 마그네트론 스퍼터링 |
| US11008651B2 (en) * | 2016-04-11 | 2021-05-18 | Spts Technologies Limited | DC magnetron sputtering |
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