TW202325875A - 半導體腔室 - Google Patents

Abstract

一種半導體腔室，包括腔室本體、磁控管、晶圓承載台和靶材，該磁控管和該靶材均位於腔室本體的頂部，該晶圓承載台位於該腔室本體內，該半導體腔室還包括第一磁性裝置和第二磁性裝置；該第一磁性裝置位於該腔室本體內，且環繞該晶圓承載台設置，該第一磁性裝置能夠形成與該晶圓承載台的承載面相平行的磁場；該第二磁性裝置設置於該腔室本體，並位於該第一磁性裝置與該磁控管之間，該第一磁性裝置的磁極排布方向與該第二磁性裝置的磁極排布方向相同，該第二磁性裝置能夠與該磁控管發生交互作用。

Description

半導體腔室

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體腔室。

物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）技術在半導體製造領域被廣泛應用，該方法包括真空蒸鍍、濺射鍍膜、分子束外延等，其中，濺射鍍膜被廣泛應用於金屬薄膜制程。濺射鍍膜的基本原理是在高真空的環境下，向反應腔室中導入製程氣體並在電極兩端加上電壓、使製程氣體產生輝光放電，此時等離子體中的正離子在強電場的作用下撞擊靶材，使靶材濺射出靶材金屬原子而沉積到晶圓的表面。

相關技術中，為了使得晶圓表面沉積的磁性薄膜具有面內各向異性，半導體腔室內設置有磁性裝置，此時，磁性裝置能夠形成平行於晶圓承載台的承載面的水準磁場，從而使得濺射沉積時，濺射材料的磁疇在水準面內的指定方向排布，因此沉積的磁性薄膜在此指定方向上形成易磁化場，而在水平面內的垂直於該指定方向的方向上形成難磁化場，從而形成面內各向異性場，進而得到面內各向異性的磁性薄膜。

然而，由於半導體腔室的磁控管轉動的過程中，磁控管的磁場方向在變化，當磁控管轉動至其磁场的水準分量與磁性裝置的磁场的水準分量的方向相同時，兩種磁場相疊加，從而使得磁場強度增強，因此當磁控管處於當前位置時，反應腔室內對應磁控管所在區域產生的等離子的密度大，等離子體對靶材的轟擊更強，因此此區域的靶材材料濺射速率增大，使得晶圓表面與此區域對應的區域沉積的磁性薄膜厚度較厚。而當磁控管轉動至其磁場的水準分量與磁性裝置的磁场的水準分量的方向相反時，兩種磁場相互抵消，從而使得磁場強度減弱，當磁控管處於當前位置時，反應腔室內對應磁控管所在區域產生的等離子體的密度小，等離子體對靶材的轟擊較弱，因此此區域的靶材材料濺射速率減小，使得晶圓表面與此區域對應的區域沉積的磁性薄膜厚度較薄。如圖1所示，為晶圓10沉積晶圓表面後的結果。由於磁控管在轉動時的磁場方向在變化，其磁場與磁性裝置的磁場在磁控管轉動至不同位置時的疊置效果不同，因此造成等離子體對靶材對應磁控管轉動至不同位置的區域的轟擊效果不同，從而使得晶圓對應磁控管轉動至不同位置的區域沉積的磁性薄膜的厚度不同，造成晶圓表面薄膜厚度均勻性較差。

本發明公開一種半導體腔室，以解決晶圓表面薄膜厚度均勻性較差的問題。

為了解決上述問題，本發明採用下述技術方案：

一種半導體腔室，該半導體腔室包括腔室本體、磁控管、晶圓承載台和靶材，該磁控管和該靶材均位於腔室本體的頂部，該晶圓承載台位於該腔室本體內，該半導體腔室還包括第一磁性裝置和第二磁性裝置；該第一磁性裝置位於該腔室本體內，且環繞該晶圓承載台設置，該第一磁性裝置能夠形成與該晶圓承載台的承載面相平行的磁場；該第二磁性裝置環繞該腔室本體設置，該第二磁性裝置位於該第一磁性裝置與該磁控管之間，該第一磁性裝置的磁極排布方向與該第二磁性裝置的磁極排布方向相同，該第二磁性產生的磁場裝置能夠與該磁控管產生的磁場發生交互作用，以減小該磁控管在平行於該靶材表面的磁性作用。

本發明採用的技術方案能夠達到以下有益效果：

本發明公開的半導體腔室中，第二磁性裝置位於第一磁性裝置與磁控管之間，第二磁性裝置產生的磁場可以與磁控管產生的磁場發生交互作用，因此能夠減小磁控管在平行於靶材表面的方向上的磁性作用，也就是說，減小了磁控管在平行與靶材表面的磁場分量，即損耗磁控管的部分磁性。在這種情況下，第一磁性裝置產生的磁場和磁控管產生的磁場沿平行於靶材表面的磁場分量相疊加時，磁控管損耗部分的磁性會使得磁控管平行於靶材表面的磁場分量的強度減弱，從而可以減小磁控管在轉動至不同位置時的磁場與磁性裝置的磁場的疊加效果的差異，使得等離子對靶材對應磁控管轉動至不同位置的區域的轟擊效果相對均勻，進而使得靶材對應磁控管轉動至不同位置的區域的濺射速率相接近，以提高晶圓表面上沉積的薄膜厚度均勻性。

以下揭露提供用於實施本揭露之不同構件之許多不同實施例或實例。下文描述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且非意欲限制。舉例而言，在以下描述中之一第一構件形成於一第二構件上方或上可包含其中該第一構件及該第二構件經形成為直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成在該第一構件與該第二構件之間，使得該第一構件及該第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各個實例中重複參考數字及/或字母。此重複出於簡化及清楚之目的且本身不指示所論述之各個實施例及/或組態之間的關係。

此外，為便於描述，諸如「下面」、「下方」、「下」、「上方」、「上」及類似者之空間相對術語可在本文中用於描述一個元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中圖解說明。空間相對術語意欲涵蓋除在圖中描繪之定向以外之使用或操作中之裝置之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或按其他定向)且因此可同樣解釋本文中使用之空間相對描述詞。

儘管陳述本揭露之寬泛範疇之數值範圍及參數係近似值，然儘可能精確地報告特定實例中陳述之數值。然而，任何數值固有地含有必然由於見於各自測試量測中之標準偏差所致之某些誤差。再者，如本文中使用，術語「大約」通常意謂在一給定值或範圍之10%、5%、1%或0.5%內。替代地，術語「大約」意謂在由此項技術之一般技術者考量時處於平均值之一可接受標準誤差內。除在操作/工作實例中以外，或除非以其他方式明確指定，否則諸如針對本文中揭露之材料之數量、時間之持續時間、溫度、操作條件、數量之比率及其類似者之全部數值範圍、數量、值及百分比應被理解為在全部例項中由術語「大約」修飾。相應地，除非相反地指示，否則本揭露及隨附發明申請專利範圍中陳述之數值參數係可根據需要變化之近似值。至少，應至少鑑於所報告有效數位之數目且藉由應用普通捨入技術解釋各數值參數。範圍可在本文中表達為從一個端點至另一端點或在兩個端點之間。本文中揭露之全部範圍包含端點，除非另有指定。

以下結合附圖，詳細說明本發明各個實施例公開的技術方案。

如圖2~圖9所示，本發明實施例公開一種半導體腔室，所公開的半導體腔室包括腔室本體100、磁控管200、晶圓承載台300、靶材700、第一磁性裝置400和第二磁性裝置500。

腔室本體100為半導體腔室的主體部件，腔室本體100用於為半導體腔室的其他組成部件提供安裝基礎。腔室本體100的頂部安裝有靶材700。磁控管200位於腔室本體100的頂部，磁控管200與靶材700相對設置，且位於靶材700上方。晶圓承載台300和第一磁性裝置400均位於腔室本體100內，晶圓承載台300用於承載晶圓800。

第一磁性裝置400位於腔室本體100內，且環繞晶圓承載台300設置，第一磁性裝置400能夠形成與晶圓承載台300的承載面相平行的磁場。第一磁性裝置400能夠形成平行於晶圓承載台300的承載面的水準磁場，從而使得濺射沉積時，濺射材料的磁疇在水準面（即，與晶圓承載台300的承載面相平行的平面）內的指定方向排布，因此沉積的薄膜在此方向上形成易磁化場，而在水平面內的垂直於該指定方向的方向上形成難磁化場，從而形成面內各向異性場，進而得到面內各向異性的磁性薄膜。

第二磁性裝置500環繞腔室本體100設置，第二磁性裝置500位於第一磁性裝置400與磁控管200之間，第一磁性裝置400的磁極排布方向與第二磁性裝置500的磁極排布方向相同，所謂磁極排布方向，是指第一磁性裝置400或者第二磁性裝置500的兩個磁極的指向，而第一磁性裝置400的磁極排布方向與第二磁性裝置500的磁極排布方向相同，是指第一磁性裝置400的N極與第二磁性裝置500的N極指向相同，第一磁性裝置400的S極與第二磁性裝置500的S極指向相同。第二磁性裝置500產生的磁場能夠與磁控管200產生的磁場發生交互作用，以減小磁控管200在平行於靶材700表面的方向上的磁性作用。這裡的磁性作用實質就是減小磁控管200在平行於靶材700表面的磁場分量，也就是減小磁控管200的水準磁場分量。

本申請公開的實施例中，第二磁性裝置500位於第一磁性裝置400與磁控管200之間，第二磁性裝置500產生的磁場可以與磁控管200產生的磁場發生交互作用，因此能夠減小磁控管200在平行於靶材700表面的方向上的磁性作用，也就是說，減小了磁控管200在平行於靶材表面的磁場分量，即損耗磁控管的部分磁性。在這種情況下，第一磁性裝置產生的磁場和磁控管產生的磁場沿平行於靶材表面的磁場分量相疊加時，磁控管損耗部分磁性會使得磁控管平行於靶材表面的磁場分量的強度減弱，從而可以減小磁控管在轉動至不同位置時的磁場與磁性裝置的磁場的疊加效果的差異，使得等離子體對靶材對應磁控管轉動至不同位置的區域的轟擊效果相對均勻，進而使得靶材對應磁控管轉動至不同位置的區域的濺射速率相接近，以提高晶圓表面上沉積的薄膜厚度均勻性。

採用本申請實施例提供的半導體腔室進行晶圓800的薄膜沉積，得到的晶圓800如圖8所示，晶圓800的兩側的薄膜厚度基本相同，從而使得晶圓800表面的薄膜具有較好的均勻性。

本方案所達到的效果也可以理解為，第二磁性裝置500產生的磁場可以與磁控管200產生的磁場發生交互作用，因此能夠減小磁控管200在平行於靶材700表面的磁場分量，磁控管200減小的這部分磁場分量可以相當於第一磁性裝置400產生的磁場在靶材700表面疊加的水準分量，此時磁控管200產生的磁場與第一磁性裝置400產生的磁場疊加形成的磁場相當於僅有磁控管200作用時的磁場，因此抵消了第一磁性裝置400對靶材表面磁場的疊加增強或疊加減弱的效果。

在另一種可選的實施例中，第一磁性裝置400可以包括第一磁性件410和第二磁性件420，第一磁性件410和第二磁性件420環繞晶圓承載台300的周向間隔設置，第一磁性件410朝向晶圓承載台300的磁極與第二磁性件420朝向晶圓承載台300的磁極可以相反。例如，第一磁性件410的N極朝向晶圓承載台300，第一磁性件410的S極背離晶圓承載台300。第二磁性件420的S極朝向晶圓承載台300，第二磁性件420的N極背離晶圓承載台300。

第二磁性裝置500可以包括第三磁性件510和第四磁性件520，第三磁性件510和第四磁性件520可以沿腔室本體100的周向間隔設置。第三磁性件510位於第一磁性件410所在的一側，第四磁性件520位於第二磁性件420所在的一側，第三磁性件510的磁極排布方向與第一磁性件410的磁極排布方向相同，第二磁性件420的磁極排布方向與第四磁性件520的磁極排布方向相同。

上述實施例中，第一磁性裝置中400的磁性件和第二磁性裝置500中的磁性件相對應，因此能夠提高磁性作用的精度，從而進一步提高晶圓800表面薄膜的均勻性。

另外，第一磁性裝置400和第二磁性裝置500零部件的結構簡單，因此製造製程簡單，成本較低。

如圖3所示，磁控管200轉動至靶材700左側區域時，磁控管200產生的磁場的水準分量與第一磁性裝置400產生的磁場的水準分量的方向相反，從而使得疊加後的磁場強度減弱。第三磁性件510產生的磁場與磁控管200產生的磁場發生交互，從而使得磁控管200產生的磁場的水準分量減小，以使磁控管200產生的磁場所能夠抵消的第一磁性裝置400的水準分量減小，進而使得疊加後的磁場增強。

如圖4所示，磁控管200轉動至靶材700右側區域時，磁控管200產生的磁場的水準分量與第一磁性裝置400產生的磁場的水準分量的方向相同，從而使得疊加後的磁場強度增強。第四磁性件520產生的磁場與磁控管200產生的磁場發生交互，從而使得磁控管200產生的磁場的水準分量減小，以使磁控管200產生的磁場疊加的第一磁性裝置400的水準分量減小，進而使得疊加後的磁場減弱。

為了進一步提高晶圓800表面薄膜的均勻性，在另一種可選的實施例中，半導體腔室還可以包括驅動機構530，驅動機構530可以設置於腔室本體100，驅動機構530可以與第三磁性件510和第四磁性件520均相連接，驅動機構530可以用於驅動第三磁性件510和第四磁性件520靠近或遠離磁控管200。

此方案中，驅動機構530驅動第三磁性件510和第四磁性件520靠近磁控管200，第三磁性件510和第四磁性件520距離磁控管200越近，第三磁性件510和第四磁性件520產生的磁場與磁控管200產生的磁場之間的交互作用越強，從而使得磁控管200的磁場分量的減小量較大。當驅動機構530驅動第三磁性件510和第四磁性件520遠離磁控管200時，第三磁性件510和第四磁性件520距離磁控管200的距離越遠，第三磁性件510和第四磁性件520產生的磁場與磁控管200產生的磁場之間的交互作用越弱，從而使得磁控管200的磁場分量的減小量較小。因此通過調節第一磁性件410和第二磁性件420與磁控管200之間的距離，從而能夠對磁控管200與第一磁性件410疊置的磁場強度進行調節，以進一步提高晶圓800的表面薄膜的均勻性。

在另一種可選的實施例中，驅動機構530可以包括驅動源531和傳動件532，第三磁性件510和第四磁性件520均可以與傳動件532相連接，驅動源531可以與傳動件532相連接，驅動源531通過傳動件532驅動第三磁性件510和第四磁性件520運動。此方案中，傳動件532用於承載第三磁性件510和第四磁性件520，同時還用於帶動第三磁性件510和第四磁性件520移動，因此驅動機構530的結構簡單、製作方便。

可選地，驅動源531可以為直流電動機、交流非同步電動機、液壓馬達等動力結構，當然，驅動源531還可以為其他結構，本文不作限制。

進一步地，傳動件532可以包括承載板5321和防護件5322，防護件5322可以設置於承載板5321的頂部，驅動源531可以與承載板5321相連接，防護件5322可以開設有防護腔，第三磁性件510和第四磁性件520可以均位於防護腔內，驅動源531通過承載板5321和防護件5322帶動第三磁性件510和第四磁性件520運動。此方案中，防護件5322能夠對第三磁性件510和第四磁性件520起到防護的作用，從而提高第二磁性裝置500的安全性能。

在另一種可選的實施例中，防護件5322可以包括第一板體5322a和第二板體5322b，第一板體5322a可以開設有容納槽，第二板體5322b可以遮蓋容納槽的槽口，容納槽可以與第二板體5322b圍成防護腔。此方案中，第一板體5322a開設有容納槽，容納槽為敞口結構，因此第一板體5322a容易脫模，然後再將第二板體5322b蓋在容納槽的槽口，以形成防護腔，從而降低了防護件5322的製作難度。

在另一種可選的實施例中，承載板5321和防護件5322的外形輪廓可以均為環形結構。此時，當承載板5321和防護件5322位於腔室本體100內時，由於承載板5321和防護件5322均為環形結構，因此不容易遮蓋晶圓，從而不容易影響晶圓800表面的薄膜沉積。當承載板5321和防護件5322位於腔室本體100之外時，承載板5321和防護件5322為環形結構，能夠套裝在腔室本體100的外側，從而方便承載板5321和防護件5322的安裝。

進一步地，承載板5321可以包括至少兩個第一弧形板，至少兩個第一弧形板圍成環形結構。防護件5322可以包括至少兩個第二弧形板，至少兩個第二弧形板圍成環形結構。此方案中，承載板5321和防護件5322均為多個弧形板拼接形成，因此方便防護件5322和承載板5321的安裝和製造。

具體地，承載板5321可以包括兩個半圓形的第一弧形板，防護件5322也可以包括兩個半圓形的第二弧形板。

可選地，防護件5322的每個第一弧形板都可以包括上述的第一板體5322a和第二板體5322b。

在另一種可選的方案中，驅動機構530可以包括第一驅動源、第二驅動源、第一傳動件541和第二傳動件542，第一驅動源與第一傳動件541相連接，第一傳動件541可以與第三磁性件510相連接。第一驅動源通過第一傳動件541驅動第三磁性件510運動。第二驅動源與第二傳動件542相連接，第二傳動件542與第四磁性件520相連接，第二驅動源可以通過第二磁性件420驅動第四磁性件520運動。

此方案中，第三磁性件510和第四磁性件520可以單獨驅動，從而對第三磁性件510和第四磁性件520與磁控管200的距離進行調整，達到更好的優化磁場的效果。

可選地，第一傳動件541和第二傳動件542的結構可以與上文中的傳動件的結構相同，第一傳動件541和第二傳動件542均可以包括上文中的承載板5321和防護件5322，承載板5321和防護件5322可以為半圓形結構。

在另一種可選的實施例中，第三磁性件510和第四磁性件520的數量可以均為多個，多個第三磁性件510和多個第四磁性件520均沿腔室本體100的周向間隔分佈。此方案中，通過調節第三磁性件510和第四磁性件520的數量，從而調節磁場的強度，以達到更好的優化磁場的效果。

上述實施例中，第二磁性裝置500可以位於腔室本體100內，即第二磁性裝置500可以安裝在腔室本體100的內壁上。在另一種可選的實施例中，第二磁性裝置500可以位於腔室本體100的外側。此方案中，第二磁性裝置500位於腔室本體100的外側，因此第二磁性裝置500不會佔用腔室本體100內的空間，從而不容易對下方的晶圓800進行遮擋，提高了晶圓800的沉積均勻性。

另外，第二磁性裝置500設置於腔室本體100的外側，第二磁性裝置500內的磁性件之間不容易形成交互的磁場，例如，當第二磁性裝置500包括上述中的第三磁性件510和第四磁性件520時，第三磁性件510和第四磁極件位於腔室本體100的內側和外側同一位置時，第三磁性件510和第四磁性件520位於腔室本體100的外側時其兩者之間的距離更遠，所以第三磁性件510和第四磁性件520不容易發生交互作用，從而不容易影響薄膜的沉積效果。

上述實施例中，半導體腔室還包括沉積環610、蓋環620和保護環630，沉積環610、蓋環620和保護環630均可以位於腔室本體100內。沉積環610可以環繞晶圓承載台300設置，蓋環620環繞沉積環610設置。保護件可以環設于蓋環620之外。保護環630與腔室本體100固定連接。

本申請公開的第一磁性裝置400可以設置于蓋環620與保護環630之間，第一磁性裝置400可以固定於保護環630上。

在另一種可選的實施例中，腔室本體內100還設置有環形保護件900，環形保護件900環繞設置于蓋環620與保護環630之間。環形保護件900開設有容納保護腔，第一磁性裝置400可以位於保護腔內，從而能夠防止第一磁性裝置400損壞。另外，還能夠對第一磁性裝置400起到隔熱的效果，從而避免沉積過程中熱量傳遞至第一磁性裝置400上，影響第一磁性裝置400的磁性。

具體地，環形保護件900的保護腔可以分為左右兩部分，左側部分用於放置第一磁性件410，右側部分可以用於放置第二磁性件420。

可選地，環形保護件900可以包括底座910、蓋板920和固定件930，底座910與蓋板920圍成保護腔，底座910通過固定件930固定在保護環630上。例如，底座910可以通過螺栓固定在保護環630上。底座910與蓋板920可拆卸連接，從而方便裝配第一磁性裝置400。

具體地，第一磁性裝置400包括多個第一磁性件410和多個第二磁性件420時，其具體的排布方式為，多個第一磁性件410和多個第二磁性件420的磁極方向均指向環形保護件900的圓心，也就是指向晶圓承載台300的圓心。

可選地，底座910朝向晶圓承載台300的一側的側壁可以為不導磁材料製作。底座910的其他側壁可以為導磁材料或不導磁材料製作。

前述內容概括數項實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更佳地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其等可容易地使用本揭露作為用於設計或修改用於實行本文仲介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點之其他製程及結構之一基礎。熟習此項技術者亦應瞭解，此等等效構造不背離本揭露之精神及範疇，且其等可在不背離本揭露之精神及範疇之情況下在本文中作出各種改變、置換及更改。

100:腔室本體 200:磁控管 300:晶圓承載台 400:第一磁性裝置 410:第一磁性件 420:第二磁性件 500:第二磁性裝置 510:第三磁性件 520:第四磁性件 530:驅動機構 531:驅動源 532:傳動件 5321:承載板 5322:防護件 5322a:第一板體 5322b:第二板體 541:第一傳動件 542:第二傳動件 610:沉積環 620:蓋環 630:保護環 700:靶材 800:晶圓 900:環形保護件 910:底座 920:蓋板 930:固定件

當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最佳理解本揭露之態樣。應注意，根據產業中之標準實踐，各種構件未按比例繪製。事實上，為了論述的清楚起見可任意增大或減小各種構件之尺寸。 圖1為相關技術中晶圓表面薄膜厚度的結構示意圖； 圖2為本發明實施例公開的半導體腔室的結構示意圖； 圖3和圖4為本發明實施例公開的半導體腔室的部分部件的結構示意圖； 圖5為本發明實施例公開的半導體腔室中第二磁性裝置的結構示意圖； 圖6和圖7為本發明實施例公開的半導體腔室中第二磁性裝置的部分部件的結構示意圖； 圖8為本發明實施例公開的半導體腔室中晶圓表面薄膜厚度的結構示意圖； 圖9為本發明實施例公開的半導體腔室中環形保護件的結構示意圖。

100:腔室本體

200:磁控管

300:晶圓承載台

410:第一磁性件

420:第二磁性件

510:第三磁性件

520:第四磁性件

530:驅動機構

531:驅動源

532:傳動件

5321:承載板

5322:防護件

610:沉積環

620:蓋環

630:保護環

700:靶材

800:晶圓

Claims (11)

1. 一種半導體腔室，該半導體腔室包括一腔室本體、一磁控管、一晶圓承載台和一靶材，該磁控管和該靶材均位於該腔室本體的頂部，該晶圓承載台位於該腔室本體內，該半導體腔室還包括一第一磁性裝置和一第二磁性裝置； 該第一磁性裝置位於該腔室本體內，且環繞該晶圓承載台設置，該第一磁性裝置能夠形成與該晶圓承載台的承載面相平行的磁場； 該第二磁性裝置設置於該腔室本體，該第二磁性裝置位於該第一磁性裝置與該磁控管之間，該第一磁性裝置的磁極排布方向與該第二磁性裝置的磁極排布方向相同，該第二磁性裝置產生的磁場能夠與該磁控管產生的磁場發生交互作用，以減小該磁控管在平行於該靶材表面的磁性作用。
2. 如請求項1所述的半導體腔室，其中，該第一磁性裝置包括一第一磁性件和一第二磁性件，該第一磁性件和該第二磁性件環繞該晶圓承載台的周向間隔設置，該第一磁性件朝向該晶圓承載台的磁極與該第二磁性件朝向該晶圓承載台的磁極相反； 該第二磁性裝置包括一第三磁性件和一第四磁性件，該第三磁性件和該第四磁性件沿該腔室本體的周向間隔設置，該第三磁性件位於該第一磁性件所在的一側，該第四磁性件位於該第二磁性件所在的一側，該第三磁性件的磁極排布方向與該第一磁性件的磁極排布方向相同，該第二磁性件的磁極排布方向與該第四磁性件的磁極排布方向相同。
3. 如請求項2所述的半導體腔室，其中，該半導體腔室還包括一驅動機構，該驅動機構設置於該腔室本體，該驅動機構與該第三磁性件和該第四磁性件均相連接，該驅動機構用於驅動該第三磁性件和該第四磁性件靠近或遠離該磁控管。
4. 如請求項3所述的半導體腔室，其中，該驅動機構包括一驅動源和一傳動件，該第三磁性件和該第四磁性件均與該傳動件相連接，該驅動源與該傳動件相連接，該驅動源通過該傳動件驅動該第三磁性件和該第四磁性件運動。
5. 如請求項4所述的半導體腔室，其中，該傳動件包括一承載板和一防護件，該防護件設置於該承載板的頂部，該驅動源與該承載板相連接，該防護件開設有防護腔，該第三磁性件和該第四磁性件均位於該防護腔內，該驅動源通過該承載板和該防護件帶動該第三磁性件和該第四磁性件運動。
6. 如請求項5所述的半導體腔室，其中，該防護件包括一第一板體和一第二板體，該第一板體開設有一容納槽，該第二板體遮蓋該容納槽的槽口，該容納槽與該第二板體圍成該防護腔。
7. 如請求項5所述的半導體腔室，其中，該承載板和該防護件的外形輪廓均為環形結構。
8. 如請求項7所述的半導體腔室，其中，該承載板包括至少兩個第一弧形板，該至少兩個第一弧形板拼接圍成該環形結構， 該防護件=包括至少兩個第二弧形板，該至少兩個第二弧形板拼接圍成該環形結構。
9. 如請求項2所述的半導體腔室，其中，該半導體腔室還包括一驅動機構，該驅動機構包括一第一驅動源、一第二驅動源、一第一傳動件和一第二傳動件； 該第一驅動源與該第一傳動件相連接，該第一傳動件與該第三磁性件相連接，該第一驅動源通過該第一傳動件驅動該第三磁性件運動； 該第二驅動源與該第二傳動件相連接，該第二傳動件與該第四磁性件相連接，該第二驅動源通過該第二磁性件驅動該第四磁性件運動。
10. 如請求項2所述的半導體腔室，其中，該第三磁性件和該第四磁性件的數量可以均為多個，該多個第三磁性件和該多個第四磁性件均沿該腔室本體的周向間隔分佈。
11. 如請求項1所述的半導體腔室，其中，該第二磁性裝置位於該腔室本體的外側。