TWI616551B - 一種磁控元件和磁控濺射裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種磁控元件和磁控濺射裝置。該磁控元件包括閉合磁極和開路磁極，閉合磁極包圍開路磁極，閉合磁極和開路磁極之間形成的磁場能使濺射沉積薄膜的均勻性小於5%。該磁控元件通過設置閉合磁極和開路磁極，能適用於RF/DC PVD技術，通過調節閉合磁極和開路磁極之間形成的電漿路徑的形狀與分佈，能在全製程壓力範圍下使濺射沉積薄膜滿足設定的均勻性要求，從而大大提高了沉積薄膜的均勻性；該磁控元件適用的磁控濺射系統以及適用的薄膜沉積材料都比較廣泛，並且，該磁控元件還能提高靶材的利用率。
Description
本發明涉及半導體裝置製備技術領域，具體地，涉及一種磁控元件和磁控濺射裝置。
磁控濺射或濺射（Sputtering）沉積技術是物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）的一種，是半導體工業中最廣為使用的一類薄膜製造技術，泛指採用物理方法製備薄膜的薄膜製備製程。物理氣相沉積技術可應用於很多製程領域，如銅互連線技術、封裝領域中的矽通孔（Through Silicon Via, TSV）技術等等。
典型的PVD裝置包括高真空製程腔、被濺射的靶材和磁控管，為了提高濺射效率，磁控管放置在靶材背面，磁控管包括極性相反的磁鐵，極性相反的磁鐵在臨近其的靶材表面產生磁場。為了達到均勻濺射的目的，磁控管通過電機帶動，在靶材表面均勻掃描。
如第1圖所示是現有技術中的一種由第一開路磁極122、第二開路磁極120、第三開路磁極132、第四開路磁極134組成的磁控管。雖然其可以在一定程度上提高靶材壽命和薄膜均勻性，但是在使用中，發現以下問題：
其一，因為該磁控管僅由開路磁極組成，各個開路磁極之間沒有構成閉合的電漿路徑，所以只有在靶材電源為射頻（RF）電源，即靶材載入射頻功率的情況下，才可以進行濺射。而在靶材電源為直流（DC）電源，即靶材載入直流功率時，非閉合的電漿路徑會導致電子的逃逸現象，使其無法電離出電漿，不能維持濺射。
其二，RF PVD技術（即靶材載入射頻功率）的情況下，電漿密度在靶材中心區域的分佈相對其在靶材邊緣區域的分佈要高。並且，這種差異會隨著製程壓力的升高而增大。而該磁控管的形狀決定了其在靶材邊緣區域的磁場分佈較多，可以提高該處的電漿密度。從而在較高的製程壓力（如通入製程腔室內的氣體壓力大於5毫托）的情況下，縮小了電漿密度在靶材中心區域和靶材邊緣區域的分佈差異，提高了電漿密度分佈的均勻性，從而提高薄膜均勻性。但是，在較低的製程壓力（如通入製程腔室內的氣體壓力小於5毫托）的情況下，電漿密度在靶材中心區域和靶材邊緣區域的分佈差異並不明顯，此時再提高靶材邊緣區域的電漿密度，則會加大電漿密度在靶材中心區域和靶材邊緣區域的分佈差異，反而降低了電漿密度分佈的均勻性和薄膜均勻性。
目前，因為RF/DC PVD技術（即靶材電源為射頻（RF）電源和直流（DC）電源，靶材同時載入射頻功率和直流功率）可以實現高離子離化率製程以得到更好的臺階覆蓋率，使其得到了越來越廣泛的應用。因此，急需設計一種能夠在RF/DC PVD技術下，適用於全製程壓力範圍，且可以均勻沉積薄膜的磁控管。
本發明至少為解決現有技術中的上述問題之一，提供一種磁控元件和磁控濺射裝置。該磁控元件通過設置閉合磁極和開路磁極，使電漿路徑在閉合磁極內整體呈閉合狀態，可以適用於RF/DC PVD技術。同時，通過調節閉合磁極和開路磁極之間形成的電漿路徑的形狀與分佈，可以在全製程壓力範圍下，縮小電漿密度在靶材中心區域和靶材邊緣區域的分佈差異，能使濺射沉積薄膜滿足設定的均勻性要求，從而大大提高沉積薄膜的均勻性；同時可以使得該磁控元件適用的磁控濺射系統以及適用的薄膜沉積材料都比較廣泛。
本發明提供一種磁控元件，其包括閉合磁極和開路磁極，該閉合磁極包圍該開路磁極，該閉合磁極和該開路磁極之間形成的磁場能使濺射沉積薄膜的均勻性小於5%。
其中，該開路磁極包括第一磁極，該第一磁極呈弧形，該閉合磁極與該第一磁極彼此間隔設定距離且極性相反，該磁控元件的旋轉中心位於該第一磁極包圍的區域中。
其中，該閉合磁極的形狀為相同曲率半徑的閉合曲線或不同曲率半徑的閉合曲線。
其中，該第一磁極的形狀為具有相同曲率半徑的弧形或具有不同曲率半徑的弧形。
其中，該第一磁極上的每一個點沿其各自的徑向方向到該閉合磁極之間的間距固定；或者該第一磁極上的每一個點沿其各自的徑向方向到該閉合磁極之間的間距不固定。
其中，該開路磁極還包括第二磁極和第三磁極，該第二磁極設置在該第一磁極包圍的區域中，該第三磁極設置在該第一磁極的開口區域；該第二磁極和該第三磁極彼此間隔設定距離且極性相反。
其中，該第二磁極的形狀為弧線或直線，該第三磁極的形狀為弧線或直線；該第三磁極沿從該旋轉中心到該閉合磁極的方向延伸，該第二磁極的延伸方向與該第三磁極的延伸方向不同。
作為另一個技術方案，本發明還提供一種磁控濺射裝置，其包括本發明上述任一方案該的磁控元件。
其中，磁控濺射裝置還包括靶材，該靶材上單獨施加射頻電源，或者同時施加射頻電源和直流電源，或者單獨施加直流電源；該磁控元件的旋轉中心與該靶材的中心對應重合。
其中，該磁控濺射裝置用於濺射沉積金屬薄膜、非金屬薄膜、磁性薄膜或非磁性薄膜。
本發明的有益效果：本發明所提供的磁控元件，通過設置閉合磁極和開路磁極，使電漿路徑在閉合磁極內整體呈閉合狀態，可以適用於RF/DC PVD技術。同時，通過調節閉合磁極和開路磁極之間形成的電漿路徑的形狀與分佈，可以在全製程壓力範圍下，縮小電漿密度在靶材中心區域和靶材邊緣區域的差異，使濺射沉積薄膜滿足設定的均勻性要求，從而大大提高了沉積薄膜的均勻性；同時可以使該磁控元件適用的磁控濺射系統以及適用的薄膜沉積材料都比較廣泛；並且，該磁控元件還能提高靶材的利用率。
本發明所提供的磁控濺射裝置，通過採用上述磁控元件，提高了該磁控濺射裝置濺射沉積薄膜的均勻性，同時還提高了靶材的利用率。
為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖和具體實施方式對本發明所提供的一種磁控元件和磁控濺射裝置作進一步詳細描述。
實施例1： 本實施例提供一種磁控元件，如第2圖所示，包括閉合磁極1和開路磁極，閉合磁極1包圍開路磁極，閉合磁極1和開路磁極之間形成的磁場能使濺射沉積薄膜的均勻性小於5%。
該磁控元件的閉合磁極1與開路磁極之間形成的電漿路徑3在閉合磁極1內整體呈閉合狀態，可以適用於RF/DC PVD技術（即靶材電源為射頻（RF）電源和直流（DC）電源，靶材同時載入射頻功率和直流功率）。其中，射頻電源載入射頻能量，使電子振動電離形成電漿，以維持電漿濺射；直流電源用以增加電漿碰撞靶材的能量。當然，因為該磁控元件由閉合磁極1與開路磁極組合而成，因而也可以適用於RF PVD技術或者DC PVD技術。在RF PVD技術（即靶材電源為射頻（RF）電源，靶材僅載入射頻功率）的情況下，閉合磁極1和開路磁極共同作用；在DC PVD技術（即靶材電源為直流（DC）電源，靶僅材載入直流功率）的情況下，閉合磁極1作用。
同時，通過調節閉合磁極１和開路磁極之間形成的電漿路徑３的形狀與分佈，可以在製程腔室的全製程壓力的範圍內，縮小靶材中心區域和靶材邊緣區域的電漿密度的差異，使濺射沉積薄膜滿足設定的均勻性要求，從而大大提高了沉積薄膜的均勻性。本申請中，濺射沉積薄膜的均勻性計算公式為：(Lmax-Lmin)/2，其中，Lmax為濺射沉積薄膜的最大厚度，Lmin為濺射沉積薄膜的最小厚度；並且，均勻性越好，則(Lmax-Lmin)/2的數值越小；反之，亦然。
較佳的，可以使閉合磁極1對應靶材邊緣區域，且該閉合磁極1的直徑大於用於在其上濺射形成膜層的晶片的直徑（常用的晶片的直徑為200mm或300mm）。同時使閉合磁極1與開路磁極之間的間距在20-60mm的範圍內，即開路磁極對應靶材中心區域。如此設置，在較高的製程壓力（如通入製程腔室內的氣體壓力大於5毫托）的情況下，閉合磁極1可以適當提高靶材邊緣區域的電漿密度，縮小其與靶材中心區域電漿密度的差異，提高電漿密度分佈的均勻性，從而提高薄膜均勻性。在較低的製程壓力（如通入製程腔室內的氣體壓力小於5毫托）的情況下，開路磁極可以適當提高靶材中心區域的電漿密度，縮小其與靶材邊緣區域電漿密度的差異，提高電漿密度分佈的均勻性，從而提高薄膜均勻性。經充分實驗驗證，該磁控元件能使濺射沉積薄膜滿足設定的均勻性要求，即均勻性小於5%。
本實施例中，開路磁極包括第一磁極21，第一磁極21呈弧形，閉合磁極1與第一磁極21間隔設定距離且極性相反，磁控元件的旋轉中心P位於第一磁極21包圍的區域中。
本實施例中，第一磁極21與閉合磁極1之間的間距為等間距，即，第一磁極21上的每一個點沿其各自的徑向方向到閉合磁極1之間的間距固定。需要說明的是，第一磁極21與閉合磁極1之間的間距也可以為變間距，即，第一磁極21上的每一個點沿其各自的徑向方向到閉合磁極1之間的間距不固定。
本實施例中，閉合磁極1的形狀為相同曲率半徑的閉合曲線。第一磁極21的形狀為相同曲率半徑的開路弧線。可以理解，本申請中曲線和弧線的線寬並不受限制。
因為本實施例中的磁控元件適用於更廣泛的製程壓力，所以可以用於沉積金屬、非金屬、磁性以及非磁性薄膜，應用範圍比較廣泛。
實施例2： 本實施例提供一種磁控元件，與實施例1中不同的是，如第3圖所示，閉合磁極1的形狀為不同曲率半徑的閉合曲線，第一磁極21的形狀也為不同曲率半徑的開路弧線。
需要說明的是，當閉合磁極1和/或第一磁極21各自的形狀為不同曲率半徑的閉合曲線時,可以通過調節其曲率半徑的變化，調節其所產生的磁場在靶材中心區域和邊緣區域的分佈，使其可以在全製程壓力範圍下，縮小電漿密度在靶材中心區域和靶材邊緣區域的分佈差異，使濺射沉積薄膜滿足設定的均勻性要求，從而大大提高沉積薄膜的均勻性。
較佳的，如第3圖所示，閉合磁極1和第一磁極21的曲率半徑較小的部分更偏向靶材中心區域，從而可以適當提高閉合磁極1和第一磁極21在靶材中心區域的磁場分佈，這樣，在低製程壓力下，可以適當的提高該處的電漿密度，從而解決現有技術中因只提高靶材邊緣區域的電漿密度，反而會加大電漿密度在靶材中心區域和靶材邊緣區域的分佈差異，降低電漿密度分佈的均勻性和薄膜均勻性的問題。當然，閉合磁極1和第一磁極21的曲率半徑較大的部分依然偏向靶材邊緣區域，從而可以提高該處磁場分佈和電漿密度，進而提高製程壓力下的薄膜均勻性。
實施例3： 本實施例提供一種磁控元件，如第4圖所示，本實施例中的磁控元件在實施例1或實施例2的基礎上對開路磁極進行變型，具體地，本實施例中的開路磁極2包括第一磁極21、第二磁極22和第三磁極23，第二磁極22設置在第一磁極21包圍的區域中，第三磁極23設置在第一磁極21的開口區域；第二磁極22和第三磁極23相互間隔設定距離且極性相反。較佳的，第二磁極22和第一磁極21的極性也相反。
其中，第二磁極22的形狀為弧線或直線，第三磁極23的形狀為弧線或直線；第三磁極23沿從旋轉中心P到閉合磁極1的方向延伸，第二磁極22的延伸方向與第三磁極23的延伸方向不同。
需要說明的是，可以通過調節閉合磁極1、第一磁極21、第二磁極22和第三磁極23的形狀、位置和極性，調節其所產生的磁場在靶材中心區域和邊緣區域的分佈，使其可以在全製程壓力範圍下，縮小電漿密度在靶材中心區域和靶材邊緣區域的分佈差異，使濺射沉積薄膜滿足設定的均勻性要求，從而大大提高沉積薄膜的均勻性。
較佳的，如第4圖所示，第二磁極22和第三磁極23在靶材中心區域的磁場分佈較多，在低製程壓力下，可以適當的提高該處的電漿密度，從而解決現有技術只提高靶材邊緣區域的電漿密度，反而會加大電漿密度在靶材中心區域和靶材邊緣區域的分佈差異，降低電漿密度分佈的均勻性和薄膜均勻性的問題。在高製程壓力下，閉合磁極1和第一磁極21可以起到提高靶材邊緣區域的磁場分佈和電漿密度，進而縮小電漿密度在靶材中心區域和靶材邊緣區域的分佈差異，提高的薄膜均勻性的作用。
本實施例中磁控元件的其他結構及其設置方式與實施例1或實施例2中相同，此處不再贅述。
實施例1-3的有益效果：實施例1-3中所提供的磁控元件，通過設置閉合磁極和開路磁極，使電漿路徑在閉合磁極內整體呈閉合狀態，可以適用於RF/DC PVD技術。同時，通過調節閉合磁極和開路磁極之間形成的電漿路徑的形狀與分佈，可以在全製程壓力範圍下，縮小電漿密度在靶材中心區域及在靶材邊緣區域的分佈差異，使濺射沉積薄膜滿足設定的均勻性要求，從而大大提高沉積薄膜的均勻性；同時可以使該磁控元件的適用範圍較廣，能夠適用很多種磁控濺射系統以及薄膜沉積材料；並且，該磁控元件還能提高靶材的利用率。
實施例4： 如第5圖所示，本實施例提供一種磁控濺射裝置，其包括實施例1-3任意一個實施例所提供的磁控元件4。
本實施例中，磁控濺射裝置還包括靶材5，該靶材5可單獨施加射頻電源6，或者同時施加射頻電源6和直流電源7，或者單獨施加直流電源7；磁控元件4的旋轉中心與靶材5的中心對應重合。
採用實施例1-3任意一個所提供的磁控元件4，通過調節閉合磁極和開路磁極之間形成的磁場，可以在全製程壓力範圍下提高該磁控濺射裝置濺射沉積薄膜的均勻性。
較佳的，在射頻電源6與直流電源7共同載入的磁控濺射系統中，射頻電源6使得電子振動電離形成電漿，射頻能量能夠維持電漿濺射，直流電源7在磁控濺射系統中能夠增加電漿碰撞靶材的能量；此時，採用實施例1中的磁控元件4，通過調節閉合磁極和開路磁極之間形成的磁場，該磁控濺射裝置能夠適用於廣泛的製程壓力下的磁控濺射處理；從而使得磁控濺射裝置可以用於濺射沉積金屬薄膜、非金屬薄膜、磁性薄膜或非磁性薄膜。
當然，因為磁控元件4由閉合磁極與開路磁極組合而成，從而也可以適用於RF PVD或者DC PVD技術。RF PVD技術的情況下，閉合磁極和開路磁極共同作用；DC PVD技術的情況下，閉合磁極作用。
可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的示例性實施方式，然而本發明並不侷限於此。對於本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護範圍。
1：閉合磁極 2：開路磁極 3：電漿路徑 4：磁控元件 5：靶材 6：射頻電源 7：直流電源 21：第一磁極 22：第二磁極 23：第三磁極 122：第一開路磁極 120：第二開路磁極 132：第三開路磁極 134：第四開路磁極 P：旋轉中心
第1圖為現有技術中磁控管的結構俯視圖； 第2圖為本發明實施例1中磁控元件的結構俯視圖； 第3圖為本發明實施例2中磁控元件的結構俯視圖； 第4圖為本發明實施例3中磁控元件的結構俯視圖； 第5圖為本發明實施例4中磁控濺射裝置的結構示意圖。
1：閉合磁極 2：開路磁極 3：電漿路徑 21：第一磁極 22：第二磁極 23：第三磁極 P：旋轉中心
Claims (10)
- 一種磁控元件，其特徵在於，包括閉合磁極和開路磁極，該閉合磁極包圍該開路磁極，該開路磁極包括第一磁極，該第一磁極呈弧形，該閉合磁極和該開路磁極之間形成的磁場能使濺射沉積薄膜的均勻性小於5%。
- 如申請專利範圍第1項所述的磁控元件，其中該閉合磁極與該第一磁極彼此間隔設定距離且極性相反，該磁控元件的旋轉中心位於該第一磁極包圍的區域中。
- 如申請專利範圍第1項所述的磁控元件，其中該閉合磁極的形狀為相同曲率半徑的閉合曲線或不同曲率半徑的閉合曲線。
- 如申請專利範圍第2項所述的磁控元件，其中該第一磁極的形狀為具有相同曲率半徑的弧線或具有不同曲率半徑的弧線。
- 如申請專利範圍第2項所述的磁控元件，其中該第一磁極上的每一個點沿其各自的徑向方向到該閉合磁極之間的間距固定；或者該第一磁極上的每一個點沿其各自的徑向方向到該閉合磁極之間的間距不固定。
- 如申請專利範圍第2項所述的磁控元件，其中該開路磁極還包括第二磁極和第三磁極，該第二磁極設置在該第一磁極包圍的區域中，該第三磁極設置在該第一磁極的開口區域；該第二磁極和該第三磁極彼此間隔設定距離且極性相反。
- 如申請專利範圍第6項所述的磁控元件，其中該第二磁極的形狀為弧線或直線，該第三磁極的形狀為弧線或直線；該第三磁極沿從該旋轉中心到該閉合磁極的方向延伸，該第二磁極的延伸方向與該第三磁極的延伸方向不同。
- 一種磁控濺射裝置，其特徵在於，包括申請專利範圍第1項至第7項任一項所述的磁控元件。
- 如申請專利範圍第8項所述的磁控濺射裝置，還包括靶材，該靶材上單獨施加射頻電源，或者同時施加射頻電源和直流電源，或者單獨施加直流電源；該磁控元件的旋轉中心與該靶材的中心對應重合。
- 如申請專利範圍第8項所述的磁控濺射裝置，其中該磁控濺射裝置用於濺射沉積金屬薄膜、非金屬薄膜、磁性薄膜或非磁性薄膜。
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Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN202705456U (zh) * | 2012-05-14 | 2013-01-30 | 深圳市创益科技发展有限公司 | 在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置 |
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