CN202705456U - 在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置 - Google Patents

在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置 Download PDF

Info

Publication number
CN202705456U
CN202705456U CN2012202144193U CN201220214419U CN202705456U CN 202705456 U CN202705456 U CN 202705456U CN 2012202144193 U CN2012202144193 U CN 2012202144193U CN 201220214419 U CN201220214419 U CN 201220214419U CN 202705456 U CN202705456 U CN 202705456U
Authority
CN
China
Prior art keywords
target
magnetron sputtering
cathode
solar cell
magnet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN2012202144193U
Other languages
English (en)
Inventor
翟宇宁
李毅
刘志斌
宋光耀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Trony Technology Development Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Trony Technology Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Trony Technology Development Co Ltd filed Critical Shenzhen Trony Technology Development Co Ltd
Priority to CN2012202144193U priority Critical patent/CN202705456U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN202705456U publication Critical patent/CN202705456U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置,属于太阳能技术领域,解决连续镀膜中相邻阴极靶位之间电磁极性影响磁场分布等技术问题。本实用新型磁控溅射装置的阴极装置包括多个连续镀膜的磁控溅射阴极靶,每个阴极靶的磁体由外环和中间电磁体组成,且外环和中间电磁体的励磁线圈接直流电源正负极,调节阴极靶相邻靶位的磁体极性,在太阳能电池基板表面连续镀制导电膜层。本实用新型通过电磁体的极性设定,由单面镀到双面镀,提高了产能,降低了生产成本,不仅应用于在线生产硅基薄膜太阳能电池背电极膜层也适应前电极膜层。

Description

在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置
技术领域
本实用新型涉及一种硅基薄膜太阳能电池背电极或前电极在线连续镀膜的磁控溅射装置,属于太阳能技术领域。
背景技术
目前,薄膜太阳能电池的前电极和背电极的加工制造过程,均需要镀制TCO膜层,TCO膜层为透明导电膜,作薄膜太阳能电池芯片(电池板)的电极使用。同时,可以使光线透过,主要指标为透过率和电导率,TCO膜层的透过率越高,光线进入电池越多,电池的短路电流和开路电压越大。提高TCO膜层的电导率,能减少TCO膜层的缺陷,降低电池内的串联电阻,提高并联电阻,增大电池的填充因子,从而有效提高电池的转化效率。硅基薄膜太阳能电池一般应用平衡磁控溅射镀膜技术,特别是背电极(负极)的制作,在电池板(或芯片)PIN结的背电极P层膜表面形成复合膜层,金属氧化膜AZO、金属膜银Ag、铝Al等金属膜层作背电极导电用。磁控溅射镀膜技术,对靶材施加负高压,以靶材作为阴极,基片作为阳极,在靶材与基片之间形成电场,并通过在靶材背面放置磁极提供磁场,利用磁场与电场交互作用,约束电子在靶表面附近螺旋状运行,不断撞击氩气产生离子,所产生的离子在电场作用下撞向靶面溅射出靶材原子,沉积在基片上获得所需的导电薄膜层。工业化的磁控溅射已发展成为连续磁控溅射镀膜,即在一条磁控溅射设备上配备了多个磁控溅射阴极。如薄膜太阳能电池的背电极连续镀膜设备,当电池板(以下称基片)在生产线真空镀膜区域移动过程中连续经过AZO、Ag、Al阴极靶,在电池芯板背电极表面形成所需的复合膜层。虽然磁体材料可以采用永磁铁和电磁材料,但使用永磁铁的缺点是磁体极性调节不方便。为此,采用电磁铁,问题是现有技术忽略了电磁极性对磁场影响。特别是在线生产连续镀膜时,对阴极靶要进行排列组合,而每套磁控溅射阴极靶的结构要相同一致,在此条件下必须考虑相邻阴极装置靶位之间的磁体极性的相互影响和磁场的分布及等立体分布,对膜层的光学和电学性能的影响。
发明内容
鉴于此,要解决以上所述现有磁控溅射连续镀膜时,对多个阴极靶位排列,相邻阴极靶位之间电磁极性会影响磁场分布,要加以认真研究和合理的利用。
本实用新型目的在于用阴极靶的电磁体调整磁场极性,调节和控制阴极靶位的极性,使其磁体极性相同或相反,以适应在线太阳能电池电极连续磁控溅射镀复合透明导电膜和金属膜。 
本实用新型的另一目的是通过对磁体的极性设定,使磁控溅射镀膜不仅适合镀电池背电极膜层,还能镀前电极膜层及过渡膜层,膜层界面清晰、膜层性能好。 
为了实现以上任务,本实用新型采用的技术方案是:设计一种在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置,其阴极装置装在真空腔室内,阴极装置包括多个连续镀膜的磁控溅射阴极靶,每个阴极靶的磁体由外环和中间电磁体组成,且外环和中间电磁体的励磁线圈接直流电源正负极,调节阴极靶相邻靶位的磁体极性,在太阳能电池基片表面连续镀制导电膜层。
连续镀膜的磁控溅射阴极靶双侧排布,每侧配备三个平面阴极靶。
连续镀膜的磁控溅射阴极靶双侧排布,每侧配备AZO靶材、银靶材和铝靶材,阴极接DC磁控溅射电源,在太阳能电池基片表面连续镀制背电极膜层。
在AZO靶材和Ag靶材的相邻交叉区域磁控溅射镀膜获得彼此独立的AZO膜层和Ag膜层。
在银靶材和铝靶材的相邻交叉区域磁控溅射镀膜,获得银和铝的混合膜层。
阴极装置还包括组合式阴极靶位交叉区,相邻或相对的阴极靶的磁体的极性相同或相反,连续磁控溅射镀混合膜层。
磁控溅射阴极靶是平面靶或旋转靶,阴极靶两侧排布,对太阳能电池基片双侧面镀膜。
磁控溅射阴极靶单侧排布,配五个平面阴极靶位,依次为陶瓷靶TiO2、合金靶NiCr、金属靶银Ag、合金靶NiCr、陶瓷靶TiO2,阴极分别接DC磁控溅射电源。
外环和中间电磁铁,通过匹配励磁线圈的匝数控制外环和中间电磁体端面的磁通量相等。
外环和中间电磁铁,通过匹配外环和中间磁体的截面积调节磁通量,在太阳能电池基片表面连续镀制复合膜、金属膜或金属氧化物膜层。
实施本实用新型的积极效果:实现了本实用新型的目的,通过电磁体的极性设定,不仅应用于在线生产硅基薄膜太阳能电池背电极膜层也适应前电极膜层。通过阴极靶装置的设定,由单面镀到双面镀,提高了产能,降低了生产成本。
附图说明
图1、是本实用新型的真空腔室剖面示意图。
图2、是本实用新型的磁体结构示意图。
图3、是本实用新型中相邻阴极靶位磁体极性相同时,磁力线及等离子体分布示意图。
图4、是本实用新型中相邻阴极靶位磁体极性相反时,磁力线及等离子体分布示意图。
图5、是本实用新型阴极靶位中相对磁极极性相反时的磁力线及等离子体分布示意图。
图6、是本实用新型阴极靶位中相对磁极极性相同时的磁力线及等离子体分布示意图。
图7、是本实用新型实施例1单侧面镀膜,阴极靶可以两侧排布,对基片双侧面镀膜。
图8、是本实用新型实施例2的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图进一步说明本实用新型的原理:见图1-2,本实用新型阴极装置主要包括磁体、励磁线圈、靶材4、水冷背板5和靶座10,磁体包括磁轭3、中间磁体6和外环磁体8,中间磁体6上绕有中间磁体励磁线圈7,外环磁体8其上绕外环磁体励磁线圈9,中间磁体励磁线圈7和外环磁体励磁线圈9外接直流电源,中间磁体6和外环磁体8安装在磁轭3上,水冷背板5位于靶材4的背面,一起固定在靶托10上,形成阴极装置,阴极装置安装在真空腔室1的维修门2上,便于安装和检修。靶座10,磁力线11,等离子体12,基片13是磁控溅镀膜装置的阳极。为进一步说明相邻阴极靶位间电磁体对极性的相互影响,见图3,选择单侧镀膜,两组独立的阴极靶位极性相同时,靶位间磁力线11不闭合,等离子体12分别在各自靶位形成一个闭合的等离子体区。见图4,相邻阴极靶位磁极极性相反,两组靶位间磁力线11闭合,磁场合而为一,范围得以扩展,于是在两组阴极靶位上方,形成一个敞开式、共同的等离子体区12。 见图5、是本实用新型阴极靶位中相对磁极极性相反时的磁力线及等离子体分布示意图。双侧镀膜时,当相对阴极装置的磁体极性相反时,外环部分磁力线相互吸引,等离子体区闭合。
图6、是本实用新型阴极靶位中相对磁极极性相同时的磁力线及等离子体分布示意图,外环部分磁力线相互排斥,等离子体区域拉长。
图7是连续磁控溅射镀膜,在同一真空腔室内安装多个不同靶材构成磁控溅射阴极靶装置,基片作为阳极与磁控溅射阴极靶构成镀膜装置,基片在真空镀膜腔室内可连续的在组合式排列阴极靶区域内镀单一膜层,在靶与靶交叉区域内镀过度膜层。在基片表面形成复合膜层,因此连续磁控溅射镀膜设备具有结构简单、镀膜效率高等优点,但连续镀膜设备必须考虑相邻阴极装置的磁体极性的相互影响对膜层性能的影响。单侧镀膜时,邻阴极装置的磁体极性相同时,磁力线在相邻区域内相互排斥,等离子体分别在各自靶位上形成闭合的等离子体区,在基片经过两组阴极靶相连接区域时,会在基片表面形成界限清晰的各自靶材的膜层,当相邻阴极装置的磁体极性相反时,磁力线在相邻区域内相互吸引,磁场范围合二为一,磁场范围得以扩展,于是形成一个敞开式、共同的等离子体区,在基片经过两组阴极连接区域时,会在基片表面形成两种靶材的混合膜层。当相对阴极装置的磁体极性相同时,根据对膜层组合的要求不同,有些要求膜层界限清晰,有些要求膜层存在过渡的混合膜层,因此要根据膜层要求和多阴极的组合方式进行磁体的极性设定,使得相邻或相对的阴极装置的磁体的极性相同或相反。
图8,配备五个平面阴极装置离线连续磁控溅射镀膜设备的阴极装置单侧排布,依次为NiCr合金靶402、Ag金属靶4''、NiCr合金靶402、TiO2陶瓷靶401。 
实施例1
见图6,本实施例制备硅基薄膜太阳能电池组件的背电极制作,在线连续磁控溅射镀膜的磁控溅射阴极靶双侧排布,每侧配备三个平面阴极装置,靶材4'为AZO、Ag银靶材4'',铝Al靶材4'''均为矩形,阴极接DC磁控溅射电源,实现理想稳定的增反效果。清晰界定AZO膜层的光学、电学以及物理常数,如折射率n、电阻率ρ以及膜层厚度等。要求AZO膜层形成时膜层独立,减少过渡层出现,因此,要求装有靶材4'AZO与装有Ag靶材4''的相邻外环磁体8的磁极极性相同。金属背电极易于实现反射率,为增强两种金属膜层结合力,为形成两种金属膜层混合的过渡层,因此要求装有靶材Ag4''与Al4'''的相邻外环磁体8极性相反,阴极接DC磁控溅射电源。为实现稳定的增反效果,清晰界定AZO膜层的光学、电学以及物理常数,折射率n、电阻率ρ以及膜层厚度等,防止AZO镀膜时对金属靶产生污染,要求AZO成膜层独立,减少过渡层的出现,装靶材AZO4'与装有靶材银Ag4''的相邻外环磁体8极性相同。金属背电极易于实现反射率,为增强两种金属膜层结合力,可通过获得过渡层实现,即形成两种金属膜层混合的过渡层,因此要求装有银靶材Ag4''与装有靶材Al4'''的相邻外环磁体8的磁极极性相反;同时考虑相对磁极极性影响,AZO4'、Ag4''、Al4'''侧外环磁体8的磁极极性应与AZO4'、Ag4''、Al4'''相同。通过调整励磁线圈电源,磁力线11分布和等离子体12分布如图3所示,两组独立的阴极靶位极性相同时,靶位间磁力线11不闭合,等离子体12分别在各自靶位形成一个闭合的等离子体区。当基片13经过AZO和Ag的相邻交叉区域磁力线11呈分离状况,形成各自独立的等离子体12区域,所镀膜层材料互不混合,获得彼此独立的AZO膜层和Ag膜层;当基片13经过Ag和Al的相邻交叉区域磁力线11呈融合状况,形成共同的等离子体12区域,所镀膜层材料发生混合,获得Ag和Al的混合膜层,满足工艺要求。
实施例2
见图7本实施例为制作离线低辐射镀膜单银Low-E玻璃时,连续磁控溅射镀膜设备的阴极装置单侧排布,配备五个平面阴极装置,依次为TiO2陶瓷靶(401)、NiCr合金靶(402)、Ag金属靶(403)、NiCr合金靶(402)、TiO2陶瓷靶(401),阴极分别接DC磁控溅射电源。TiO2/NiCr/Au-Ag/NiCr/TiO2复合膜结构,多层膜由于在层与层之间发生光的干涉现象,根据每层膜的光学及电学特性,形成具有较高的近红外线反射,实现隔热保温的作用。所以在制作复合膜时,需清晰界定每个膜层的光学常数,如折射率n、电阻率ρ以及膜层厚度等,实现特定的光学要求,所以要求每个膜层形成时膜层独立,因此要求五个平面阴极装置相邻外环磁体8的磁极极性相同,根据要求通过调整励磁线圈电源,如图7,使得磁力线11分布线和等离子体12分布如图3所示,当基片13连续经过所述的五个平面阴极装置时,相邻交叉区域磁力线11呈分离状况,形成各自独立的等离子体12区域,所镀膜层材料互不混合。

Claims (10)

1.一种在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置,其阴极装置装在真空腔室内,其特征在于所述阴极装置包括多个连续镀膜的磁控溅射阴极靶,每个阴极靶的磁体由外环和中间电磁体组成,且外环和中间电磁体的励磁线圈接直流电源正负极,调节阴极靶相邻靶位的磁体极性,在太阳能电池基片表面连续镀制导电膜层。
2.根据权利要求1所述的在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置,其特征在于所述连续镀膜的磁控溅射阴极靶双侧排布,每侧配备三个平面阴极靶。
3.根据权利要求2所述的在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置,其特征在于所述连续镀膜的磁控溅射阴极靶双侧排布,每侧配备AZO靶材、银靶材和铝靶材,阴极接DC磁控溅射电源,在太阳能电池基片表面连续镀制背电极膜层。
4.根据权利要求3所述的在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置,其特征在于:在AZO靶材和Ag靶材的相邻交叉区域磁控溅射镀膜获得彼此独立的AZO膜层和Ag膜层。
5.根据权利要求3所述的在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置,其特征在于:在银靶材和铝靶材的相邻交叉区域磁控溅射镀膜。
6.根据权利要求1所述的在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置,其特征在于所述阴极装置还包括组合式阴极靶位交叉区,相邻或相对的阴极靶的磁体的极性相同或相反,连续磁控溅射镀混合膜层。
7.根据权利要求2所述的在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置,其特征在于所述磁控溅射阴极靶是平面靶或旋转靶,阴极靶两侧排布,对太阳能电池基片双侧面镀膜。
8.根据权利要求1所述的在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置,其特征在于所述磁控溅射阴极靶单侧排布,配五个平面阴极靶位,依次为陶瓷靶TiO2、合金靶NiCr、金属靶银Ag、合金靶NiCr、陶瓷靶TiO2,阴极分别接DC磁控溅射电源。
9.根据权利要求1所述的在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置,其特征在于所述外环和中间电磁铁,通过匹配励磁线圈的匝数控制外环和中间电磁体端面的磁通量相等。
10.根据权利要求1所述的在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置,其特征在于所述外环和中间电磁铁,通过匹配外环和中间磁体的截面积调节磁通量,在太阳能电池基片表面连续镀制复合膜、金属膜或金属氧化物膜层。
CN2012202144193U 2012-05-14 2012-05-14 在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置 Expired - Lifetime CN202705456U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012202144193U CN202705456U (zh) 2012-05-14 2012-05-14 在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012202144193U CN202705456U (zh) 2012-05-14 2012-05-14 在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN202705456U true CN202705456U (zh) 2013-01-30

Family

ID=47585777

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012202144193U Expired - Lifetime CN202705456U (zh) 2012-05-14 2012-05-14 在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN202705456U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103184422A (zh) * 2013-03-25 2013-07-03 肇庆市腾胜真空技术工程有限公司 Tco透明导电膜的低温沉积装置及工艺
TWI616551B (zh) * 2016-08-30 2018-03-01 一種磁控元件和磁控濺射裝置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103184422A (zh) * 2013-03-25 2013-07-03 肇庆市腾胜真空技术工程有限公司 Tco透明导电膜的低温沉积装置及工艺
CN103184422B (zh) * 2013-03-25 2015-07-22 肇庆市腾胜真空技术工程有限公司 Tco透明导电膜的低温沉积装置及工艺
TWI616551B (zh) * 2016-08-30 2018-03-01 一種磁控元件和磁控濺射裝置
CN107785219A (zh) * 2016-08-30 2018-03-09 北京北方华创微电子装备有限公司 一种磁控元件和磁控溅射装置
CN107785219B (zh) * 2016-08-30 2019-10-11 北京北方华创微电子装备有限公司 一种磁控元件和磁控溅射装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101363114B (zh) 一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺
CN111172504B (zh) 一种磁控溅射阴极
CN101877372B (zh) 薄膜太阳能电池的背电极膜层
CN102412339B (zh) 具有高反射背电极的薄膜太阳能电池制造方法
CN201598329U (zh) 一种配置气体离子源的对靶磁控溅射装置
CN102677008B (zh) 在线制备太阳能电池导电极膜层的装置
CN110295352A (zh) 电-磁场协同增强高功率脉冲磁控溅射沉积装置及方法
CN202705456U (zh) 在线制备太阳能电池导电膜层的磁控溅射装置
CN208351218U (zh) 一种固态离子传导层及含该固态离子传导层的固态电致变色器件
CN202492570U (zh) 用于太阳能电池的磁控溅射镀膜装置
CN102779711A (zh) 具有超大离子束发散角的离子源
CN201534876U (zh) 一种平面磁控溅射装置
CN102254778A (zh) 一种实现高脉冲功率磁控放电方法
CN101560643A (zh) 等离子体产生设备、沉积设备和沉积方法
CN103290378B (zh) 磁控溅射镀膜阴极机构
CN202595260U (zh) 一种用于连续磁控溅射镀膜的阴极装置
CN203212630U (zh) Tco透明导电膜的低温沉积装置
CN100564581C (zh) 用于阴极材料连续沉积的双阳极交流电源
CN205741199U (zh) 一种预防靶中毒的等离子体增强磁控溅射设备
CN208649457U (zh) 一种阴极体组件、磁控溅射阴极及磁控溅射装置
CN103184422B (zh) Tco透明导电膜的低温沉积装置及工艺
CN209974873U (zh) 一种高场强高靶材利用率的阴极
CN203546138U (zh) 一种提高靶材利用率的靶材结构
CN103074586B (zh) 一种低温低损伤多功能复合镀膜的装置和方法
TWI768014B (zh) 磁控管濺射方法、磁控管濺射裝置及其磁鐵控制系統

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20130130

CX01 Expiry of patent term