CN101363114B - 一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及薄膜制备领域，具体地说是一种磁场增强的电弧离子镀沉积工艺，用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性，减少靶材大颗粒的发射，提高靶材刻蚀均匀性。本发明电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置，一套放置于靶材后面，另一套放置于真空室内，通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体进行沉积。本发明通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场，解决了传统工艺等离子在传输空间分布的不均匀性，提高了薄膜的沉积速率和沉积均匀性。同时可以减少靶材颗粒的发射和薄膜中大颗粒的含量，提高薄膜质量，拓展了制备工艺参数的范围，为制备不同性能的薄膜提供条件。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜制备领域，具体地说是一种磁场增强的电弧离子镀沉积工艺，用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性，减少靶材大颗粒的发射，提高靶材刻蚀均匀性。
背景技术
电弧离子镀是工业镀膜生产以及科学研究中最重要的技术之一，由于其结构简单，离化率高(70％-80％)，入射粒子能量高，绕射性好，可实现低温沉积等一系列优点，使电弧离子镀技术得到快速发展并获得广泛应用，展示出很大的经济效益和工业应用前景。
真空电弧放电是低压大电流放电，真空电弧的行为被阴极表面许多快速游动，高度明亮的阴极斑点所控制。真空弧光放电实际上是一系列电弧事件，由于其快速地连续发生，以至于给人运动电弧的印象，阴极斑点及弧根的运动决定了整个电弧的运动，相邻弧斑的次第燃起和熄灭构成了弧斑的运动。尽管对弧斑内部结构的过程还没有确切的了解，但是为了更好的提高沉积薄膜的质量和有效的利用靶材，提高放电稳定性，必须对弧斑的运动以及等离子体的传输进行合理的控制。
目前的电弧离子镀技术主要是在靶材附近施加磁场来控制弧斑的运动，来提高放电稳定性和靶材刻蚀率。主要有在小尺寸圆柱靶下加轴向磁场，大的平面靶施加拱形磁场。由于电弧离子镀主要靠靶面上的阴极斑点的放电来沉积所需薄膜的，因此是一种点状源，这些传统的单纯在靶面附近施加磁场的方法虽然可以有效地控制弧斑在靶面的运动，但是并没有解决等离子在传输空间分布的不均匀性，同时，随着磁场强度的增加，造成了部分离子随着靶材周围磁场的分布运动而流失，造成了基体处离子密度的下降。而且长时间的刻蚀容易在靶面上形成刻蚀轨道，造成靶材刻蚀的不均匀。
电弧离子镀技术虽然有很多优点，但是由于电弧离子镀中大颗粒的存在，严重影响了涂层和薄膜的性能和寿命。因此有关如何解决阴极电弧镀中大颗粒问题对阴极电弧的发展影响很大，成为后期发展的主要论题，也成为限制电弧离子应用范围的主要因素。目前应用较多的是磁过滤技术，但是磁过滤技术降低了等离子的传输效率，降低了沉积速率，同时需要增加额外的设备，成本高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型的磁场增强电弧离子镀沉积工艺，用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性，减少薄膜中大颗粒的含量，提高薄膜质量，减少靶材大颗粒的发射，提高靶材刻蚀均匀性。
为了实现上述目的，本发明的技术方案是：
一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺，采用电弧离子镀沉积装置，电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置，一套放置于靶材后面，另一套放置于真空室内，通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体进行沉积。
所述的磁场增强电弧离子镀沉积工艺，放置于靶材后面的磁场发生装置为在中间安装镀镍纯铁的电磁线圈或者环形永磁体。
所述的磁场增强电弧离子镀沉积工艺，放置于真空室内的磁场发生装置为一个磁场增强线圈，磁场增强线圈放置于真空室内的基体一侧或另一侧。
所述的磁场增强电弧离子镀沉积工艺，放置于真空室内的磁场发生装置为两个磁场增强线圈，磁场增强线圈分别放置于真空室内的基体一侧或两侧。
所述的磁场增强电弧离子镀沉积工艺，放置于真空室内的靶材外周设置有导磁环。
所述的磁场增强电弧离子镀沉积工艺，放置于真空室的磁场发生装置产生的磁场极性与放置于靶材后面的磁场发生装置产生的磁场极性相同。
所述的磁场增强电弧离子镀沉积工艺，电磁线圈的电流形式是直流、交流或者脉冲的，电流大小通过调压电源调节。
所述的磁场增强电弧离子镀沉积工艺，电磁线圈与靶材同轴，电磁线圈的位置可调，通过调节电磁线圈电流的大小来调节磁感应强度的大小，通过调节电流的方向来改变磁极的方向。
本发明采用电弧离子镀沉积装置通过靶材对基体进行沉积，磁场发生装置为两套，一套放置于靶材后面，主要用以控制弧斑的运动，另外一套放置于真空室内，主要用以约束等离子体的传输，提高传输效率和基体附近的离子密度，改善基体附近离子分布的均匀性，达到提高薄膜沉积速率和沉积均匀性的目的。两套磁场装置配合使用，形成从靶材到基体分布的耦合磁场，达到一种远离平衡态的沉积条件，提高沉积薄膜的质量。
本发明的磁场发生装置有以下特点：
1.放置于靶材后面的磁场发生装置尺寸小于靶材直径(常规64mm)，直接浸泡在循环冷却水中，可以使用可调节电流大小的电磁线圈或者使用环形永磁体，本发明中使用的电磁线圈中间固定有镀镍纯铁，用来提高磁感应强度，镀镍的目的是防止纯铁生锈，降低磁感应的强度。使用的环形永磁体是钕铁硼磁性材料，磁性强。靶材周围套有导磁环，用以增加靶面横向磁场的分量的强度，提高弧斑的运动速度。
2.放置于靶材后面的磁场发生装置：使用中间固定高导磁的镀镍纯铁的电磁线圈可以通过调节线圈电流的大小来调节磁感应强度的大小，通过调节电流的方向来改变磁极的方向。使用钕铁硼环形永磁体可以通过改变永磁体与靶材的位置来调节磁场的强度，磁极的位置不易更换。条件允许的情况下推荐使用前者，前者可以改善传统的沉积工艺，通过提高磁场强度减少颗粒发射，通交变电流可以使得弧斑在整个靶面均匀刻蚀，提高靶材利用率。后者在冷却水中长时间浸泡容易退磁。
3.放置于真空室的磁场发生装置尺寸大(根据样品的尺寸制作)，使用的是QZY-2高温漆包线缠绕的电磁线圈，线圈外面缠绕耐高温的玻璃丝布。线圈引线使用的是高温线，并套有瓷管进行保护。线圈与靶材同轴，线圈的位置可以调节，可以通过调节线圈电流的大小来调节磁感应强度的大小，通过调节电流的方向来改变磁极的方向。
4.放置于真空室的磁场发生装置可以由一个电磁线圈或者两个电磁线圈组成。为了达到不同的目的，样品摆放的位置可以调节。对于一个线圈的装置，样品可以放置于线圈的后面、线圈的中间、线圈的前面，由于磁力线的位形不一样，可以达到制备不同性能的薄膜。对于两个线圈的装置，样品可以放置于两个线圈的后面、两个线圈的中间、两个线圈的前面。
5.放置于真空室的磁场发生装置产生的磁场极性与放置于靶材后面的磁场发生装置产生的磁场极性相同，对于真空室内只有一个线圈的情况，磁极按S-N-S-N或者N-S-N-S分布，对于真空室内有两个线圈的情况，磁极按S-N-S-N-S-N或者N-S-N-S-N-S分布。线圈的极性可以通过调节电流的方向来改变。
6.放置于真空室的磁场发生装置与放置于靶材后面的磁场发生装置的磁场可以单独调节或者共同调节；为了达到不同的沉积效果，电磁线圈的电流形式可以是直流，交流或者脉冲的，电流大小可以通过调压电源调节；本发明的磁场增强沉积工艺配合施加在样品上脉冲偏压共同使用，可以扩大调节参数的范围，为制备不同性能的薄膜提供条件。
本发明具有以下优点：
1.本发明通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场，解决了传统工艺等离子在传输空间分布的不均匀性，提高了薄膜的沉积速率和沉积均匀性。同时可以减少靶材颗粒的发射和薄膜中大颗粒的含量，提高薄膜质量。拓展了制备工艺参数的范围，为制备不同性能的薄膜提供条件。
2.本发明中放置于靶材后面的磁场发生装置产生的磁场可以控制弧斑的运动，通过增加线圈电流的大小配合靶材周围的导磁环，可以提高靶面横向磁场分量的大小，提高弧斑的运动速度，减少大颗粒的发射，通过改变线圈电流的形式，比如通交流电，可以使弧斑在整个靶面上均匀刻蚀，提高靶材利用率。
3.本发明中两套磁场的耦合使用，可以改善等离子在传输空间分布。通过调节放置于真空室的磁场发生装置产生的磁场大小，可以改变基体处离子的密度、分布，改变薄膜的沉积速率以及薄膜的性能。
4.本发明中样品在不同位置的摆放可以达到不同的制备效果。不同位置的磁场位形，大小不同，离子的运动轨迹不同，沉积薄膜的性能会有所不同。
5.本发明中在放置于真空室的磁场发生装置中通交流电或者脉冲电流，会引起带电粒子在传输空间的振荡。增加带电粒子之间的碰撞，提高离化率。同时，可以给等离子传输空间的大颗粒充电，在偏压的作用下排除颗粒在薄膜上的沉积。
6.本发明的磁场增强沉积工艺配合施加在样品上脉冲偏压共同使用，可以扩大调节参数的范围，为制备不同性能的薄膜提供条件。同时，可以通过调节参数达到制备高质量薄膜的要求。
附图说明
图1是实施例1电弧离子镀沉积装置示意图。
图2(a)-(b)是实施例1磁场分布示意图。其中，图2(a)靶材附近磁力线分布图；图2(b)真空室内从靶材到基体的磁场分布图。
图3(a)-(b)是薄膜的沉积速率变化图。其中，图3(a)基体处距离靶基中心不同位置薄膜的沉积速率；图3(b)沉积速率随靶材表面靶沿处横向磁场分量的变化图。
图4是实施例2电弧离子镀沉积装置示意图。
图5是实施例2真空室内从靶材到基体的磁力线分布图。
图6是实施例2真空室内从靶材到基体的磁场大小分布图。
图7是实施例3电弧离子镀沉积装置示意图。
图8是实施例3真空室内从靶材到基体的磁力线分布图。
图9是实施例4电弧离子镀沉积装置示意图。
图10是实施例4真空室内从靶材到基体的磁力线分布图。
图11是实施例5电弧离子镀沉积装置示意图。
图12是实施例5真空室内从靶材到基体的磁力线分布图。
图中，1真空室；2基体(试样)；3导磁环；4靶材；5镀镍纯铁；6电磁线圈；7进水管；8出水管；9引弧线圈；10引弧针；11磁场增强线圈。
具体实施方式
下面通过实例图以及磁场的分布图对本发明作进一步详细说明。
实施例1：改善的传统沉积工艺
采用单纯在靶面附近施加磁场的方法控制弧斑在靶面上的运动，见附图1，电弧离子镀沉积装置主要包括真空室1、基体(试样)2、导磁环3、靶材4、镀镍纯铁5、电磁线圈6、进水管7、出水管8、引弧线圈9、引弧针10等，真空室1内设置基体(试样)2、导磁环3、靶材4、引弧针10，靶材4正面与基体(试样)2相对，靶材4背面设有电磁线圈6，在电磁线圈6中间安装镀镍纯铁5，循环水通过进水管7、出水管8进行循环，对靶材4进行冷却，镀镍纯铁5与电磁线圈6安装于冷却水内；引弧针10连至真空室1外的引弧线圈9，引弧线圈9带动引弧针10与靶材4接触进行引弧；导磁环3设置于靶材4外周，可增加横向磁场分量，提高电弧斑点运动速度。传统的单独利用永磁体来约束弧斑的方法靠永磁体与靶材之间的距离来改变磁场强度的大小，不能连续调节，调节范围小，长时间在冷却水中浸泡容易消磁。采用中间固定高导磁的镀镍纯铁的电磁线圈可以通过调节线圈电流的大小来连续调节磁感应强度的大小。同时在靶材周围套有导磁环，可以提高靶面横向磁场分量的强度，提高弧斑的运动速度，减少颗粒的发射。线圈中通交流电可以使弧斑在整个靶面上均匀刻蚀，提高靶材利用率。
但是这种传统的沉积工艺的磁场位形不均匀，见附图2(a)-(b)。而且由于电弧离子镀是点状源的特性，使得等离子体在传输空间分布不均匀，造成薄膜沉积的不均匀。附图3(a)是基体处不同位置薄膜的沉积速率，远离中心处的沉积速率有很大的下降。同时，随着磁场强度的增加，造成了部分离子随着靶材周围磁场的分布运动而流失，造成了基体处离子密度的下降，沉积速率下降，见附图3(b)。
实施例2
与实施例1不同之处在于：采用新型的磁场增强工艺，由两套磁场发生装置组成，一套放置于靶材后面，磁场发生装置和实施例1中的相同，即在电磁线圈6中间安装镀镍纯铁5，主要用以控制弧斑的运动，另外一套磁场增强线圈11放置于真空室1内的基体(试样)2背面，由一个线圈组成，主要用以约束等离子体的传输，提高传输效率和基体附近的离子密度，改善基体附近离子分布的均匀性，达到提高薄膜沉积速率和沉积均匀性的目的。样品放置于线圈的前面附近，见附图4。
放置于真空室内的电磁线圈和靶材同轴，产生的磁场和放置于靶材后面的装置产生的磁场形成S-N-S-N的分布，见附图5。这种磁场增强工艺可以改善等离子传输空间的磁场分布，见附图6，提高等离子体的传输效率。通过调节基体后线圈的电流可以调节磁场的强度和带电粒子的分布，达到不同的沉积速率和薄膜质量的目的。
基体后的线圈通交流电或者脉冲电流，会引起带电粒子在传输空间的振荡。增加带电粒子之间的碰撞，提高离化率。同时，可以给等离子传输空间的大颗粒充电，在偏压的作用下排除颗粒在薄膜上的沉积。
实施例3
与实施例1不同之处在于：采用新型的磁场增强工艺，由两套磁场发生装置组成，一套放置于靶材后面，磁场发生装置和实施例1中的相同，即在电磁线圈6中间安装镀镍纯铁5，另外一套磁场发生装置(磁场增强线圈11)和实施例2中的相同，磁场位形和调节的工艺也相同。不同的是磁场增强线圈11放置于真空室1内的基体(试样)2前面，见附图7，8。样品摆放在线圈的后面与实施例2效果不同，因为样品附近磁场位形的不同造成的带电粒子的运动轨迹不同，沉积薄膜的结构性能会有所不同。同时，样品前面的线圈相当于一段磁过滤系统，可以减少颗粒在薄膜表面的沉积。
实施例4
与实施例1不同之处在于：采用新型的磁场增强工艺，由两套磁场发生装置组成，一套放置于靶材后面，磁场发生装置和实施例1中的相同，即在电磁线圈6中间安装镀镍纯铁5，主要用以控制弧斑的运动，另外一套磁场发生装置(磁场增强线圈11)由两个线圈组成，分别放置于真空室1内的基体(试样)2前面和背面，两个线圈之间有一定的距离，在本实例中是80cm，样品放置于两个线圈的中间，具体的说是第二线圈的前面附近，见附图9。
放置于真空室内的电磁线圈和靶材同轴，产生的磁场和放置于靶材后面的装置产生的磁场形成S-N-S-N-S-N的分布，见附图10。真空室内两个线圈可以更好的改善等离子传输空间的分布，基体前面的一个线圈相当于一段磁过滤系统，可以减少颗粒在薄膜表面的沉积，提高薄膜的质量。
基体后面的线圈可以进一步提高等离子体的传输效率。提高基体附近离子密度，提高沉积速率。两个线圈的优化调节可以实现制备高质量的薄膜，同时又改进了传统的磁过滤系统等离子体传输距离太长造成沉积速率大幅度下降以及设备复杂带来的弊端。
实施例5
与实施例1不同之处在于：采用新型的磁场增强工艺，由两套磁场发生装置组成，一套放置于靶材后面，磁场发生装置和实施例1中的相同，即在电磁线圈6中间安装镀镍纯铁5，另外一套磁场发生装置(磁场增强线圈11)由两个线圈组成，磁场发生装置和实施例4中的相同，磁场位形和调节的工艺也相同。不同的是两个磁场增强线圈11均放置于真空室内的基体(试样)2前面，见附图11，12。样品放置于真空室内两个线圈的后面与实施例4效果不同，两个线圈配合可以更好的约束等离子体的传输，提高传输效率。样品前面的两个线圈相当于一段长的磁过滤系统，可以减少颗粒在薄膜表面的沉积，提高薄膜的质量。同时又减少了传统磁过滤系统的复杂性，节约了成本。可以满足制备高质量薄膜的要求。
Claims (5)
1.一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺，其特征在于：采用电弧离子镀沉积装置，电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置，一套放置于靶材后面，另一套放置于真空室内，通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体进行沉积；
放置于靶材后面的磁场发生装置为在中间安装镀镍纯铁的电磁线圈或者环形永磁体，放置于靶材后面的磁场发生装置直接浸泡在循环冷却水中；
放置于真空室内的磁场发生装置为一个磁场增强线圈，磁场增强线圈放置于真空室内的基体一侧或另一侧；
或者，放置于真空室内的磁场发生装置为两个磁场增强线圈，磁场增强线圈分别放置于真空室内的基体一侧或两侧。
2.按照权利要求1所述的磁场增强电弧离子镀沉积工艺，其特征在于：放置于真空室内的靶材外周设置有导磁环。
3.按照权利要求1所述的磁场增强电弧离子镀沉积工艺，其特征在于：放置于真空室的磁场发生装置产生的磁场极性与放置于靶材后面的磁场发生装置产生的磁场极性相同。
4.按照权利要求1所述的磁场增强电弧离子镀沉积工艺，其特征在于：电磁线圈的电流形式是直流、交流或者脉冲的，电流大小通过调压电源调节。
5.按照权利要求1所述的磁场增强电弧离子镀沉积工艺，其特征在于：电磁线圈与靶材同轴，电磁线圈的位置可调，通过调节电磁线圈电流的大小来调节磁感应强度的大小，通过调节电流的方向来改变磁极的方向。
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| CN105624617B (zh) * | 2014-10-29 | 2018-09-04 | 中国科学院金属研究所 | 电弧离子镀制备致密MCrAlRe型涂层的方法 |
| CN105200385B (zh) * | 2015-10-27 | 2019-02-01 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 箍缩磁场辅助磁控溅射镀膜装置 |
| CN105200383B (zh) * | 2015-10-27 | 2019-03-01 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 一种磁控溅射制备超硬超光滑四面体碳薄膜的装置与方法 |
| CN108070829A (zh) * | 2016-11-18 | 2018-05-25 | 中国科学院金属研究所 | 一种Ti-Cu-N纳米复合抗菌涂层及其制备方法 |
| CN109989008A (zh) * | 2017-12-30 | 2019-07-09 | 魏永强 | 组合磁场与内衬组合管和多孔挡板复合过滤的电弧离子镀 |
| CN109055900B (zh) * | 2018-09-17 | 2020-10-02 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种用于阴极电弧沉积的复合靶及沉积方法 |
| SG11202106614UA (en) | 2018-12-20 | 2021-07-29 | Oerlikon Surface Solutions Ag Pfaeffikon | Cathodic arc ignition device |
| SG11202109135UA (en) | 2019-03-15 | 2021-09-29 | Nanofilm Tech International Limited | Improved cathode arc source |
| CN111005065B (zh) * | 2020-01-07 | 2020-11-13 | 北京科技大学 | 一种金刚石膜的等离子体电弧沉积装置与方法 |
| CN111826619A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-10-27 | 九牧厨卫股份有限公司 | 一种塑胶金属化的电镀预镀工艺 |
| CN113845099B (zh) * | 2021-06-30 | 2024-04-26 | 南京邮电大学 | 一种弧光放电技术用于制备CoSP钠电负极材料的方法 |
| CN114653322B (zh) * | 2022-02-25 | 2023-10-20 | 山东铝谷产业技术研究院有限公司 | 一种制备微、纳米粉体装置和工艺 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4673477A (en) * | 1984-03-02 | 1987-06-16 | Regents Of The University Of Minnesota | Controlled vacuum arc material deposition, method and apparatus |
-
2007
- 2007-12-12 CN CN2007101588294A patent/CN101363114B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4673477A (en) * | 1984-03-02 | 1987-06-16 | Regents Of The University Of Minnesota | Controlled vacuum arc material deposition, method and apparatus |
| US4673477B1 (zh) * | 1984-03-02 | 1993-01-12 | Univ Minnesota |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| JP特开平2-228469A 1990.09.11 |
| 摘要，说明书第7页左下栏-右下栏，图1. |
| 陈朝平.增强型脉冲离子源的研制.西安工业大学硕士学位论文.2006,摘要，第13-14页. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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