CN201132848Y - 一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置 - Google Patents
一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN201132848Y CN201132848Y CNU2007200167823U CN200720016782U CN201132848Y CN 201132848 Y CN201132848 Y CN 201132848Y CN U2007200167823 U CNU2007200167823 U CN U2007200167823U CN 200720016782 U CN200720016782 U CN 200720016782U CN 201132848 Y CN201132848 Y CN 201132848Y
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- baffle plate
- holes
- double
- matrix
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims description 21
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 41
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 abstract description 5
- 239000013077 target material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007560 sedimentation technique Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- QFUKUPZJJSMEGE-UHFFFAOYSA-N 5-(hydroxymethyl)-1-(3-methylbutyl)pyrrole-2-carbaldehyde Chemical compound CC(C)CCN1C(CO)=CC=C1C=O QFUKUPZJJSMEGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000011491 glass wool Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- 206010020843 Hyperthermia Diseases 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000036031 hyperthermia Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009504 vacuum film coating Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本实用新型涉及薄膜制备领域，具体地说是一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置，解决由于电弧离子镀中大颗粒的存在，严重影响了涂层和薄膜的性能和寿命等问题。本实用新型双层带孔挡板放置于电弧离子镀沉积装置的靶材与基体之间，与靶材和基体同轴放置，基体后放置增强磁场的发生装置。本实用新型是在电弧离子镀沉积工艺中使用的简便装置，用以减少薄膜中大颗粒的含量，提高薄膜的质量，达到制备高质量薄膜的要求。
Description
技术领域
本实用新型涉及薄膜制备领域，具体地说是一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的简便装置，用以减少薄膜中大颗粒的含量，提高薄膜的质量。
背景技术
电弧离子镀膜技术是当今一种先进的离子镀膜技术，由于其结构简单，离化率高(70％-80％)，入射粒子能量高，绕射性好，可实现低温沉积等一系列优点，使电弧离子镀技术得到快速发展并获得广泛应用，展示出很大的经济效益和工业应用前景。
电弧离子镀是基于气体放电等离子体物理气相沉积原理的镀膜技术。这种技术依靠在真空镀膜室中阴极靶材表面上产生的电弧斑点的局部高温，使作为靶材的阴极材料瞬时蒸发和离化，产生电离度高而且离子能量大的等离子体，在工件上加上负电位，即可在工件加热温度比较低的条件下，在工件表面镀上一层硬度高、组织致密而且结合性好的各种硬质薄膜。
电弧离子镀阴极斑点的尺寸很小(100～200μm2)，电流密度很高(105～107A/cm2)，具有非常高的功率密度(1016W/m2)，因此阴极斑点在作为强烈的电子、金属原子、离子和高速(1000m/s)金属蒸汽发射源的同时，也不断的喷射金属液滴(大颗粒)。
电弧离子镀技术虽然有很多优点，但是由于电弧离子镀中大颗粒的存在，严重影响了涂层和薄膜的性能和寿命。因此有关如何解决阴极电弧镀中大颗粒问题对阴极电弧的发展影响很大，成为后期发展的主要论题，也成为阻碍电弧离子镀技术更深入广泛应用的瓶颈问题。
电弧离子镀的进一步发展要求在工艺设计中考虑对大颗粒的抑制，目前减少大颗粒的措施主要有两种，即减少大颗粒的发射或者在等离子体传输过程中将大颗粒排除掉。
减少大颗粒的发射有多种设计方法，主要靠控制弧斑在靶材表面的运动，提高弧斑的运动速度来实现的。其中应用较普遍的有受控电弧技术，阴极冷却技术，阴极表面高温反应层技术。这些方法虽然一定程度上能够减少颗粒的发射，减少薄膜中大颗粒的含量，但由于电弧本身物理特性的限制，并不能完全清除薄膜中的大颗粒，不能满足制备光洁度高，结构致密均匀的高质量薄膜的要求。
比较彻底清除大颗粒的方法是在等离子体传输过程中将大颗粒排除掉的方法。目前应用较多的是磁过滤技术，主要是利用大颗粒与金属离子质荷比的差别将大颗粒完全阻挡在沉积区外，这种方法虽然可以满足制备高质量薄膜的要求，但是磁过滤技术降低了等离子的传输效率，降低了沉积速率，同时需要增加额外的设备，结构复杂，成本很高，不利于应用推广。
因此，需要有一种装置、方法既简便，容易实现，成本低，又能够满足制备高质量薄膜的要求。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置，解决由于电弧离子镀中大颗粒的存在，严重影响了涂层和薄膜的性能和寿命等问题。它是在电弧离子镀沉积工艺中使用的简便装置，用以减少薄膜中大颗粒的含量，提高薄膜的质量，达到制备高质量薄膜的要求。
为了实现上述目的，本实用新型的技术方案是：
一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置，双层带孔挡板放置于电弧离子镀沉积装置的靶材与基体之间，与靶材和基体同轴放置，基体后放置增强磁场的发生装置。
所述双层带孔挡板为带孔挡板I、带孔挡板II同轴平行放置，带孔挡板I、带孔挡板II上的孔相互错开，挡板之间的距离可调。
所述双层带孔挡板为正多边形或者圆形，双层带孔挡板中的孔形状是圆形、方形、椭圆形或三角形，两层挡板中的孔形状一致。
所述双层带孔挡板与靶材以及基体之间的距离可调，双层带孔挡板悬浮放置或固定在真空室壁上接地放置。
所述基体后放置的增强磁场发生装置为增强磁场线圈，增强磁场线圈同靶材、双层带孔挡板同轴放置，线圈位置可调。
所述增强磁场线圈形状是方形的或者圆形的，线圈的大小没有限制。
所述增强磁场线圈产生的磁场大小可调，磁场的极性可调；增强磁场线圈产生的磁场极性与放置于靶材后面的磁场发生装置产生的磁场极性相同，磁极按S-N-S-N或者N-S-N-S分布。
本发明根据大颗粒和离子、电子在等离子体传输过程中的不同的运动特点，大颗粒由于质量大(远远大于离子的质量)，在前进过程中基本不会改变其运行轨迹，因此是直线运动的；而带电粒子(离子、电子)在前进的过程中会不断地相互碰撞改变其运动轨迹，这也是电弧离子镀有很好的绕射性的原因。只要在大颗粒向基体直线传输的路径中通过某种方式将其排除，阻挡其向基体的继续运动，便可以阻止大颗粒在薄膜上的沉积。
而实现这种目的最简单的方法是在基体前设置一实体挡板，挡板的大小适当使其正好能够阻碍大颗粒的前进，而离子则通过碰撞绕射到挡板后基体附近，在负偏压的作用下沉积成膜。见附图1，2。
上述方法虽然简单容易实现，然而由于实体挡板在阻挡大颗粒的同时，也会对大部分的离子形成阻碍，特别是对比较大的样品，所需的挡板尺寸也必须较大能够遮挡住整个样品，这样就会阻挡更多的离子前进，仅靠边缘绕射过来到达基体附近的离子密度很低，极大地降低了沉积速率，同时也造成了沉积的不均匀性。
在上述方法的基础上，本实用新型提出一种新的解决方案：
方案一：
在靶材与基体之间合适的位置设置一双层带孔挡板，两个挡板之间有一定的距离，两个挡板的形状相同，单层挡板上孔的数目和间距合理分布，使得前层挡板的有孔的地方正好被后层挡板无孔的地方挡住，前层挡板无孔的地方正好挡住后层挡板有孔的地方，从而实现对直线传输的大颗粒的阻挡(那些通过前层挡板有孔的位置大颗粒会被后层挡板阻挡)，而离子则可以通过两层挡板上有孔的位置，增加了挡板后面离子的密度，改变了仅靠边缘绕射带来的离子密度低以及不均匀的弊端。
方案二：
在方案一的基础上，为了进一步增加基体附近的离子密度和均匀性，在基体后加一增强磁场，磁场由电磁线圈产生，线圈与靶材同轴，线圈通直流电，磁场大小可以通过调节线圈电流进行改变，磁场的极性和靶材后面约束弧斑运动的磁场的极性相同，形成S-N-S-N或者N-S-N-S的分布。
本实用新型的装置有以下特点：
1.方案一所述的双层带孔挡板材料只要能够在真空电弧等离子区受热不变形，其他不受限制。挡板的形状不受限制，最好是正多边形或者圆形的。
2.方案一所述的双层带孔挡板中的孔的形状可以是圆形的、方形的、椭圆形的、三角形的等，两层挡板孔的形状一致。
3.方案一所述的双层带孔挡板中的孔的大小在保证挡板上孔的数目足够的情况下不受限制，孔的分布间距合理，保证前层挡板的有孔的地方正好被后层挡板无孔的地方挡住，前层挡板无孔的地方正好挡住后层挡板有孔的地方。
4.方案一所述的双层带孔挡板同轴平行放置，与靶材也是同轴放置。挡板间距可以调节以实现不同的目的。挡板与靶材以及基体间的距离也可以调节。双层带孔挡板在保证上述第3条的情况下可以单独放置或者连接在一起放置。
5.方案一所述的双层带孔挡板可以悬浮放置也可以固定在真空室壁上接地放置。
6.方案二所述的增强磁场发生装置尺寸不受限制(根据样品尺寸和真空室的尺寸制作)。线圈形状可以是方形的或者圆形的。电磁线圈使用QZY-2高温漆包线缠绕而成，线圈外面缠绕耐高温的玻璃丝布。线圈引线使用的是高温线，并套有瓷管进行保护。线圈与靶材以及双层带孔挡板同轴，线圈的位置可以调节，可以通过调节线圈电流的大小来调节磁感应强度的大小，通过调节电流的方向来改变磁极的方向。
7.方案二所述的增强磁场发生装置产生的磁场极性与放置于靶材后面的磁场发生装置产生的磁场极性相同，磁极按S-N-S-N或者N-S-N-S分布。
本实用新型具有以下优点：
1.本实用新型通过双层带孔挡板装置配合基体处的增强磁场发生装置，提供一种在电弧离子镀沉积工艺中使用的简便装置、方法，用以减少薄膜中大颗粒的含量，提高薄膜的质量，达到制备高质量薄膜的要求。
2.本实用新型中双层带孔挡板装置制作简便，调节范围大，放置容易，成本低廉，以为了实现不同的目的制作成不同的形式。
3.本实用新型中双层带孔挡板装置，可以有效的阻碍大颗粒在样品上的沉积，同时，一定程度上改善了挡板后离子密度的分布，提高了沉积速率和均匀性。
4.本实用新型中基体处的增强磁场发生装置容易制作，可以方便的通过调节线圈电流改变磁场的强度，进一步提高基体处离子的密度，提高了沉积速率和均匀性。
附图说明
图1-图2是加实体挡板的电弧离子镀沉积装置示意图。其中，图1为沉积过程；图2为沉积装置。
图3是实施例1电弧离子镀沉积装置示意图。
图4是图3中双层带孔挡板示意图。
图5是实施例1不加双层带孔挡板(a)和施加了双层带孔挡板(b)沉积的TiN薄膜的扫描电镜照片。
图6是实施例1不加双层带孔挡板和施加了双层带孔挡板沉积的TiN薄膜的粗糙度直方图。
图7是实施例1不加双层带孔挡板和施加了双层带孔挡板沉积的TiN薄膜的结构XRD图。
图8是实施例2电弧离子镀沉积装置示意图。
图9(a)-(b)是实施例2磁场增强线圈内通1A直流电时磁场分布示意图。其中，图9(a)真空室内从靶材到基体的磁力线分布图；图9(b)真空室内从靶材到基体的磁场大小分布图。
图10是实施例2磁场分布的矢量图。
图中，1真空室；2基体(试样)；3导磁环；4靶材；5镀镍纯铁；6电磁线圈；7进水管；8出水管；9引弧线圈；10引弧针；11增强磁场线圈；12基体支架；13实体挡板；14双层带孔挡板；15带孔挡板I；16带孔挡板II。
具体实施方式
下面通过实施例和附图对本实用新型作进一步详细说明。
如图1-2所示，电弧离子镀沉积装置主要包括真空室1、基体(试样)2、导磁环3、靶材4、镀镍纯铁5、电磁线圈6、进水管7、出水管8、引弧线圈9、引弧针10等，真空室1内设置基体(试样)2、导磁环3、靶材4、引弧针10，靶材4正面与基体(试样)2相对，靶材4背面设有电磁线圈6，在电磁线圈6中间安装镀镍纯铁5，循环水箱通过进水管7、出水管8进行循环，对靶材4进行冷却，镀镍纯铁5与电磁线圈6安装于冷却水内；引弧针10连至真空室1外的引弧线圈9，引弧线圈9带动引弧针10与靶材4接触进行引弧；导磁环3设置于靶材4外周，可增加横向磁场分量，提高电弧斑点运动速度。在基体2前设置一实体挡板13，实体挡板13的大小适当使其正好能够阻碍大颗粒的前进，而离子则通过碰撞绕射到实体挡板13后的基体2附近，基体2安装于基体支架12上，基体2在负偏压的作用下沉积成膜。
实施例1：
附图3是本实用新型的方案一的实施例装置图，与图2不同之处在于：双层带孔挡板14(带孔挡板I 15、带孔挡板II 16)放置于阴极靶材4与基体2之间，与靶材4以及基体2之间的距离相等。双层带孔挡板14的结构如图4所示，双层带孔挡板14中的带孔挡板I 15、带孔挡板II 16同轴平行放置，与靶材4和基体2也是同轴放置，带孔挡板I 15、带孔挡板II 16之间的距离50mm。本实施例中带孔挡板I 15、带孔挡板II 16由不锈钢薄板制作，挡板的形状是正六边形，对边之间长度为100mm。孔的形状是圆形，孔的直径为8mm，孔间距也是8mm，挡板上的孔均匀分布。带孔挡板I15、带孔挡板II 16错开一定的位置，保证了前层挡板的有孔的地方正好被后层挡板无孔的地方挡住，前层挡板无孔的地方正好挡住后层挡板有孔的地方。带孔挡板I 15、带孔挡板II 16之间通过四条螺纹丝杆加螺帽固定，丝杆长度150mm，方便调节挡板之间的距离，同时也保证了挡板不变形，挡板固定在真空室壁上接地安装。
以沉积TiN薄膜为例验证本实用新型的效果，本实施例中，采用Ti靶作为靶材，靶材后有产生控制弧斑运动的电磁线圈，线圈的中间固定有高导磁的镀镍纯铁，靶材周围套有导磁环用以增加靶面横向磁场分量的强度。在相同的工艺参数下，沉积TiN薄膜。图5是不加双层带孔挡板(a)和施加了双层带孔挡板(b)沉积的TiN薄膜的扫描电镜照片，由于本实施例弧斑是在比较高的磁场驱动下运动的，运动速度快，减少了大颗粒的发射，但是在不加双层带孔挡板沉积的薄膜中依然有很多的颗粒，而在施加了双层带孔挡板沉积的薄膜中没有一个颗粒。图6是两者的粗糙度结果，可以看出施加双层带孔挡板可以大大降低薄膜的粗糙度，提高薄膜的光洁度，图7是两种情况下沉积的薄膜的结构XRD图，图中A为加双层带孔挡板，B为不加双层带孔挡板，说明了施加了双层带孔挡板沉积的薄膜结构没有变化，而且具有较高的择优取向。
实施例2：
附图8是本实用新型的方案二的实施例装置图，在实施例1的基础上，在基体处外加一增强磁场线圈11，增强磁场线圈11同靶材4、双层带孔挡板14同轴放置，增强磁场线圈11距基体2的距离可以调节，增强磁场线圈11的形状是圆形，内径100mm，外径180mm，厚度50mm。电磁线圈使用QZY-2高温漆包线缠绕而成，线圈外面缠绕耐高温的玻璃丝布，保证了高温绝缘。线圈引线使用的是高温线，并套有瓷管进行保护。线圈电流通过直流调压器进行调节，调节电流的大小可以改变磁场的强度。
增强磁场的极性与放置于靶材后面的磁场发生装置产生的磁场极性相同，磁极按S-N-S-N分布。图9(a)-(b)是线圈内通1A直流电时磁场的分布情况，可以看出磁场在空间的分布是从靶材到基体弯曲分布的，基体处磁场比较集中，强度大，磁场分布的特点提高了等离子体传输的效率，有利于在阻碍大颗粒的同时，增强基体附近的离子密度。而且基体附近的磁场分布均匀，提高了薄膜沉积的均匀性。图10是磁场分布的矢量图，进一步说明了磁场的分布有利于离子在基体附近聚集，保证了薄膜质量的同时，提高趁机速率和沉积均匀性。因此，本实用新型通过简便的装置、方法达到了制备高质量薄膜的要求，而且由于成本低，有利于推广。
Claims (7)
1、一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置，其特征在于：双层带孔挡板放置于电弧离子镀沉积装置的靶材与基体之间，与靶材和基体同轴放置，基体后放置增强磁场的发生装置。
2、按照权利要求1所述的装置，其特征在于：双层带孔挡板为带孔挡板I、带孔挡板II同轴平行放置，带孔挡板I、带孔挡板II上的孔相互错开，挡板之间的距离可调。
3、按照权利要求2所述的装置，其特征在于：双层带孔挡板为正多边形或者圆形，双层带孔挡板中的孔形状是圆形、方形、椭圆形或三角形，两层挡板中的孔形状一致。
4、按照权利要求1所述的装置，其特征在于：双层带孔挡板与靶材以及基体之间的距离可调，双层带孔挡板悬浮放置或固定在真空室壁上接地放置。
5、按照权利要求1所述的装置，其特征在于：基体后放置的增强磁场发生装置为增强磁场线圈，增强磁场线圈同靶材、双层带孔挡板同轴放置，线圈位置可调。
6、按照权利要求5所述的装置，其特征在于：增强磁场线圈形状是方形的或者圆形的。
7、按照权利要求5所述的装置，其特征在于：增强磁场线圈产生的磁场大小可调，磁场的极性可调；增强磁场线圈产生的磁场极性与放置于靶材后面的磁场发生装置产生的磁场极性相同，磁极按S-N-S-N或者N-S-N-S分布。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2007200167823U CN201132848Y (zh) | 2007-12-12 | 2007-12-12 | 一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2007200167823U CN201132848Y (zh) | 2007-12-12 | 2007-12-12 | 一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN201132848Y true CN201132848Y (zh) | 2008-10-15 |
Family
ID=40061123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNU2007200167823U Expired - Fee Related CN201132848Y (zh) | 2007-12-12 | 2007-12-12 | 一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN201132848Y (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100591797C (zh) * | 2008-01-09 | 2010-02-24 | 中国科学院金属研究所 | 提高电弧离子镀沉积薄膜质量的装置 |
| CN102936718A (zh) * | 2012-11-08 | 2013-02-20 | 温州职业技术学院 | 一种多结构耦合磁场适应型旋转弧离子镀装置 |
| CN102953035A (zh) * | 2012-11-02 | 2013-03-06 | 温州职业技术学院 | 多模式交变耦合磁场辅助电弧离子镀沉积弧源设备 |
| CN103298969A (zh) * | 2010-11-08 | 2013-09-11 | 哈尔科夫国家科技中心物理科技学院(Nsckipt) | 用于传输真空电弧等离子体的方法和装置 |
| CN105088149A (zh) * | 2014-05-20 | 2015-11-25 | 上海建冶环保科技股份有限公司 | 一种真空蒸镀设备 |
-
2007
- 2007-12-12 CN CNU2007200167823U patent/CN201132848Y/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100591797C (zh) * | 2008-01-09 | 2010-02-24 | 中国科学院金属研究所 | 提高电弧离子镀沉积薄膜质量的装置 |
| CN103298969A (zh) * | 2010-11-08 | 2013-09-11 | 哈尔科夫国家科技中心物理科技学院(Nsckipt) | 用于传输真空电弧等离子体的方法和装置 |
| CN103298969B (zh) * | 2010-11-08 | 2015-09-16 | 哈尔科夫国家科技中心物理科技学院(Nsckipt) | 用于传输真空电弧等离子体的方法和装置 |
| CN102953035A (zh) * | 2012-11-02 | 2013-03-06 | 温州职业技术学院 | 多模式交变耦合磁场辅助电弧离子镀沉积弧源设备 |
| CN102936718A (zh) * | 2012-11-08 | 2013-02-20 | 温州职业技术学院 | 一种多结构耦合磁场适应型旋转弧离子镀装置 |
| CN102936718B (zh) * | 2012-11-08 | 2014-07-09 | 温州职业技术学院 | 一种多结构耦合磁场适应型旋转弧离子镀装置 |
| CN105088149A (zh) * | 2014-05-20 | 2015-11-25 | 上海建冶环保科技股份有限公司 | 一种真空蒸镀设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101363114B (zh) | 一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺 | |
| US5269898A (en) | Apparatus and method for coating a substrate using vacuum arc evaporation | |
| CN101792895B (zh) | 阴极真空电弧源薄膜沉积装置及沉积薄膜的方法 | |
| CN201132848Y (zh) | 一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置 | |
| CN201158702Y (zh) | 一种改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置 | |
| CN102953035B (zh) | 多模式交变耦合磁场辅助电弧离子镀沉积弧源设备 | |
| CN206956141U (zh) | 一种磁控溅射镀膜机 | |
| CN103540900A (zh) | 一种磁控电弧离子镀复合沉积工艺和沉积装置 | |
| JPS63303065A (ja) | 表面処理方法 | |
| CN102634761B (zh) | 截面为带状的真空阴极电弧等离子体的磁过滤方法 | |
| CN100591797C (zh) | 提高电弧离子镀沉积薄膜质量的装置 | |
| CN102779711B (zh) | 具有超大离子束发散角的离子源 | |
| CN101358328A (zh) | 一种动态受控电弧离子镀弧源 | |
| CN213203180U (zh) | 溅射镀膜设备 | |
| CN203498466U (zh) | 一种磁控电弧离子镀复合沉积装置 | |
| CN202945315U (zh) | 一种高效动态耦合磁控弧源装置 | |
| KR100701267B1 (ko) | 저전류 구동형 펄스 아크 발생장치 | |
| CN102409310A (zh) | 柔性金属基底双靶共溅射连续镀制梯度金属陶瓷膜层方法 | |
| CN206858650U (zh) | 一种磁控溅射装置 | |
| CN205710898U (zh) | 电子束辅助等离子溅镀挠性覆铜板的设备 | |
| CN210438827U (zh) | 一种脉冲碳离子激发源装置 | |
| CN202705458U (zh) | 一种具有超大离子束发散角的离子源 | |
| CN205821446U (zh) | 一种低温沉积磁控溅射镀膜装置 | |
| CN105862005A (zh) | 等离子体增强磁控溅射系统及方法 | |
| JP5962979B2 (ja) | 成膜装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20081015 Termination date: 20121212 |