CN206858650U - 一种磁控溅射装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及磁控溅射技术领域,特别涉及一种磁控溅射装置,包括壳体,壳体设置有密闭空腔,密闭空腔设置有靶材和基板;密闭空腔设置有进气口和出气口,靶材的内部设置有若干个冷却管,冷却管一端均与进水分流管相连接,进水分流管一端与主进水管相连接,冷却管另一端均与出水分流管相连接,主出水管一端与主出水管相连接,靶材的背部沿靶材的长度方向设置有若干个磁铁,每两个相邻的磁铁之间设置有散热板,散热板一端固定在靶材的背部上;磁铁和散热板之间设置有间隙。在使用本实用新型时,既保证磁控溅射成膜均匀性和靶材利用率,又方便散热,避免靶材的溅射温度过高,进而保证成膜质量。
Description
技术领域
本实用新型涉及磁控溅射技术领域,特别涉及一种磁控溅射装置。
背景技术
磁控溅射,是指在阴极(通常为靶材)与阳极(通常为安装被成膜基板的基板安装座或镀膜腔体壁)之间加一个正交磁场和电场,在真空镀膜腔体中充入所需要的惰性气体(通常为氩气),氩气电离成氩离子(带正电荷)和电子,氩离子在驱动电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材粒子,这些靶材粒子(原子或分子)沉积在被成膜基板上成膜。行业上主要对磁控溅射的成膜均匀性和靶材利用率进行研究,即如何提高靶材利用率为主。而对靶材的溅射温度控制一直停留在原地,即靠靶材自行散热为主,若靶材散热性差,自然会影响成膜质量。故有必要提供一种便于靶材散热的磁控溅射装置。
实用新型内容
本实用新型的目的在于针对现有技术的缺陷和不足,提供一种便于靶材散热的磁控溅射装置。
为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是:
本实用新型所述的一种磁控溅射装置,包括壳体,所述壳体设置有密闭空腔,所述密闭空腔设置有靶材和基板;
所述密闭空腔一侧设置有进气口,进气口与惰性气体的源头相连接,所述密闭空腔另一侧设置有出气口,出气口与负压气源相连接;
所述靶材的内部沿高度方向设置有若干个冷却管,所述冷却管一端均与进水分流管相连接,进水分流管一端与主进水管相连接,主进水管一端与水源相连接;
所述冷却管另一端均与出水分流管相连接,主出水管一端与主出水管相连接,主出水管一端与回收站相连接;
所述靶材的背部沿靶材的长度方向设置有若干个磁铁,每两个相邻的磁铁之间设置有散热板,散热板一端固定在靶材的背部上;磁铁和散热板之间设置有间隙。
进一步地,所述散热板另一端横截面呈三角形状。
进一步地,所述进气口和出气口的数量为两个,进气口和出气口均呈对称设置。
进一步地,所述磁铁的磁铁高度大于散热板的散热板高度。
进一步地,所述主进水管、进水分流管、出水分流管和主出水管的内径相同,冷却管的内径小于主进水管的内径。
采用上述结构后,本实用新型有益效果为:本实用新型所述的一种磁控溅射装置,包括壳体,壳体设置有密闭空腔,密闭空腔设置有靶材和基板;密闭空腔一侧设置有进气口,进气口与惰性气体的源头相连接,密闭空腔另一侧设置有出气口,出气口与负压气源相连接;靶材的内部沿高度方向设置有若干个冷却管,冷却管一端均与进水分流管相连接,进水分流管一端与主进水管相连接,主进水管一端与水源相连接;冷却管另一端均与出水分流管相连接,主出水管一端与主出水管相连接,主出水管一端与回收站相连接;靶材的背部沿靶材的长度方向设置有若干个磁铁,每两个相邻的磁铁之间设置有散热板,散热板一端固定在靶材的背部上;磁铁和散热板之间设置有间隙。在使用本实用新型时,通过在靶材的内部沿高度方向设置有若干个冷却管,通过将散热板一端固定在靶材的背部上,极大地提高了靶材的散热效率;通过在靶材的背部沿靶材的长度方向设置有若干个磁铁,每两个相邻的磁铁之间设置有散热板,这样既可以保证磁控溅射成膜均匀性和靶材利用率,又可以方便散热,避免靶材的溅射温度过高,进而保证成膜质量。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
附图标记说明:
1、壳体;1-1、进气口;1-2、出气口;
2、靶材;3、基板;41、主进水管;42、进水分流管;43、冷却管;
44、出水分流管;45、主出水管;5、磁铁;6、散热板。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。
如图1所示,本实用新型所述的一种磁控溅射装置,包括壳体1,所述壳体1设置有密闭空腔,所述密闭空腔设置有靶材2和基板3,靶材2和基板3固定在密闭空腔内底面的技术与现有技术无本质区别,故不在此详说;靶材2一端与电源阴极相连接,基板3一端与电源阳极相连接。
所述密闭空腔一侧设置有进气口1-1,进气口1-1与惰性气体的源头(图中未示出)相连接,所述密闭空腔另一侧设置有出气口1-2,出气口1-2与负压气源(图中未示出)相连接。
所述靶材2的内部沿高度方向设置有若干个冷却管43,两个冷却管43之间的间隙为1~5cm,间隙的大于取决于靶材2厚度,靶材2的厚度越大,间隙就越大。
所述冷却管43一端均与进水分流管42相连接,进水分流管42一端与主进水管41相连接,主进水管41一端与水源(图中未示出)相连接。
所述冷却管43另一端均与出水分流管44相连接,主出水管45一端与主出水管45相连接,主出水管45一端与回收站(图中未示出)相连接。
所述靶材2的背部沿靶材2的长度方向设置有若干个磁铁5,磁铁5为永磁铁。每两个相邻的磁铁5之间设置有散热板6,散热板6一端固定在靶材2的背部上;磁铁5和散热板6之间设置有间隙;磁铁5和散热板6之间的间隙为3~6cm,间隙的大于取决于靶材2厚度,靶材2的厚度越大,间隙就越大。
进一步地,所述散热板6另一端横截面呈三角形状,便于提高散热效率,散热板6的材质优选用铝制材料。
进一步地,所述进气口1-1和出气口1-2的数量为两个,进气口1-1和出气口1-2均呈对称设置;两个进气口1-1分布在密闭空腔一侧壁的两端;两个出气口1-2分布在密闭空腔另一侧壁的两端。
进一步地,所述磁铁5的磁铁高度H1大于散热板6的散热板高度H2。
进一步地,所述主进水管41、进水分流管42、出水分流管44和主出水管45的内径相同,冷却管43的内径小于主进水管41的内径。
在使用本实用新型时,通过在靶材的内部沿高度方向设置有若干个冷却管,通过将散热板一端固定在靶材的背部上,极大地提高了靶材的散热效率;通过在靶材的背部沿靶材的长度方向设置有若干个磁铁,每两个相邻的磁铁之间设置有散热板,这样既可以保证磁控溅射成膜均匀性和靶材利用率,又可以方便散热,避免靶材的溅射温度过高,进而保证成膜质量。
以上所述仅是本实用新型的较佳实施方式,故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰,均包括于本实用新型专利申请范围内。
Claims (5)
1.一种磁控溅射装置,其特征在于:包括壳体(1),所述壳体(1)设置有密闭空腔,所述密闭空腔设置有靶材(2)和基板(3),
所述密闭空腔一侧设置有进气口(1-1),进气口(1-1)与惰性气体的源头相连接,所述密闭空腔另一侧设置有出气口(1-2),出气口(1-2)与负压气源相连接;
所述靶材(2)的内部沿高度方向设置有若干个冷却管(43),所述冷却管(43)一端均与进水分流管(42)相连接,进水分流管(42)一端与主进水管(41)相连接,主进水管(41)一端与水源相连接;
所述冷却管(43)另一端均与出水分流管(44)相连接,主出水管(45)一端与主出水管(45)相连接,主出水管(45)一端与回收站相连接;
所述靶材(2)的背部沿靶材(2)的长度方向设置有若干个磁铁(5),每两个相邻的磁铁(5)之间设置有散热板(6),散热板(6)一端固定在靶材(2)的背部上;磁铁(5)和散热板(6)之间设置有间隙。
2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射装置,其特征在于:所述散热板(6)另一端横截面呈三角形状。
3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射装置,其特征在于:所述进气口(1-1)和出气口(1-2)的数量为两个,进气口(1-1)和出气口(1-2)均呈对称设置。
4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射装置,其特征在于:所述磁铁(5)的磁铁高度(H1)大于散热板(6)的散热板高度(H2)。
5.根据权利要求1所述的一种磁控溅射装置,其特征在于:所述主进水管(41)、进水分流管(42)、出水分流管(44)和主出水管(45)的内径相同,冷却管(43)的内径小于主进水管(41)的内径。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201720550384.3U CN206858650U (zh) | 2017-05-17 | 2017-05-17 | 一种磁控溅射装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201720550384.3U CN206858650U (zh) | 2017-05-17 | 2017-05-17 | 一种磁控溅射装置 |
Publications (1)
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CN201720550384.3U Active CN206858650U (zh) | 2017-05-17 | 2017-05-17 | 一种磁控溅射装置 |
Country Status (1)
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CN (1) | CN206858650U (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107976328A (zh) * | 2018-01-12 | 2018-05-01 | 北京航空航天大学 | 防溅射分子沉骨架 |
CN108204902A (zh) * | 2018-01-12 | 2018-06-26 | 北京航空航天大学 | 防溅射分子沉和带筒体双层防溅射分子沉及其冷却方法 |
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2017
- 2017-05-17 CN CN201720550384.3U patent/CN206858650U/zh active Active
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CN107976328A (zh) * | 2018-01-12 | 2018-05-01 | 北京航空航天大学 | 防溅射分子沉骨架 |
CN108204902A (zh) * | 2018-01-12 | 2018-06-26 | 北京航空航天大学 | 防溅射分子沉和带筒体双层防溅射分子沉及其冷却方法 |
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