KR20090031608A - 플라즈마 성막 장치 및 막의 제조법 - Google Patents

플라즈마 성막 장치 및 막의 제조법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090031608A
KR20090031608A KR1020097002473A KR20097002473A KR20090031608A KR 20090031608 A KR20090031608 A KR 20090031608A KR 1020097002473 A KR1020097002473 A KR 1020097002473A KR 20097002473 A KR20097002473 A KR 20097002473A KR 20090031608 A KR20090031608 A KR 20090031608A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
magnet
plasma
film
forming apparatus
plasma beam
Prior art date
Application number
KR1020097002473A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101043166B1 (ko
Inventor
다까유끼 모리와끼
도모야스 사이또
마사오 사사끼
히또시 나까가와라
Original Assignee
캐논 아네르바 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 아네르바 가부시키가이샤 filed Critical 캐논 아네르바 가부시키가이샤
Publication of KR20090031608A publication Critical patent/KR20090031608A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101043166B1 publication Critical patent/KR101043166B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/46—Sputtering by ion beam produced by an external ion source
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마 빔을 조사하는 플라즈마 건과, 플라즈마 건으로부터 조사된 플라즈마 빔에 자계를 적용하여, 플라즈마 빔의 빔 단면을 대략 직사각형 또는 타원 형상으로 변형시키는 자석을 갖는 플라즈마 성막 장치는, 빔 단면이 변형된 플라즈마 빔을 편향시키고, 편향시킨 플라즈마 빔을 피조사체에 조사시키는 복수의 인입 마그넷 유닛을 구비한다. 인입 마그넷 유닛에는, 피조사체의 이면측에 배치되는 제1 마그넷과, 제1 마그넷과 동일한 자극의 제2 마그넷이 배치되고, 또한 제1 마그넷과 제2 마그넷이 서로 이격한 상태로 병치되어 있다.
플라즈마 빔, 플라즈마 건, 플라즈마 성막 장치, 인입 마그넷 유닛, 증발 재료 받침 접시

Description

플라즈마 성막 장치 및 막의 제조법{PLASMA FILM DEPOSITION SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING FILM}
본 발명은 플라즈마 성막 장치에 관한 것으로, 특히 플라즈마 빔을 편향시켜 증발 재료 상에 인입하는 타입의 플라즈마 성막 장치에 관한 것이다.
LCD(액정 표시 장치 Liquid Crystal Display), PDP(플라즈마 디스플레이 장치 Plasma Display Panel) 그 밖의 대화면의 디스플레이 장치용의 대면적 기판으로의 투명 도전막 ITO, 전방면판 전극 보호층(예를 들어 MgO 산화마그네슘) 그 밖의 박막 형성시에 있어서는, 최근 생산량이 증가하고 있다. 또한, 패널의 고해상도화에 대한 요구의 증대에 수반하여, 전자 빔(EB) 증착법이나 스패터링법을 대신하는 성막법으로서 이온 플레이팅법이 주목받고 있다. 이온 플레이팅법은, 높은 성막율, 고밀도의 막질의 형성, 큰 프로세스 마진을 실현할 수 있을 뿐만 아니라, 플라즈마 빔을 자계에서 제어함으로써 대면적 기판으로의 성막을 가능하게 하고 있다.
이와 같은 장점을 구비하는 이온 플레이팅법 중에서도, 특히 할로우 캐소드식 이온 플레이팅법이 디스플레이용의 대면적 기판으로의 성막용으로서 기대되고 있다. 할로우 캐소드식 이온 플레이팅법에 의한 성막 장치에서는, 할로우 캐소드와 복수의 전극을 구비하는 플라즈마 건에 Ar 가스를 도입하여 고밀도의 플라즈마 를 생성하고, 자계를 사용하여 플라즈마 빔의 형상, 궤도를 변화시켜 성막실로 유도하고 있다. 플라즈마 건에서 생성된 플라즈마 빔은, 플라즈마 빔의 조사 방향에 대해 직교하는 방향으로 연장하고, 대향하여 서로 평행하게 배치되어 있는 영구 자석으로 이루어지는 마그넷에 의해 형성되는 자계 중을 통과한다.
여기서, 플라즈마 빔의 조사 방향이라 함은, 도 1에 있어서, 플라즈마 건의 중심을 지나고, 증발 재료 받침 접시의 상면에 대해 평행한 화살표 Z의 방향이고, 플라즈마 빔이 편향을 받기 전의 플라즈마 건으로부터의 발사시에 있어서의 조사 방향을 말한다. 이에 의해, 자계를 통과한 플라즈마 빔은 편평하게 넓혀진 시트 형상의 플라즈마 빔으로 된다. 이와 같이, 인입 마그넷으로 증발 재료 받침 접시 상의 증발 재료(예를 들어 MgO)의 광범위에 걸쳐 플라즈마 빔을 조사할 수 있다. 또한, 이에 의해 넓은 범위의 증발 재료를 가열, 증발시켜, 폭이 넓은 기판 상으로의 성막이 가능해진다(일본 특허 출원 공개 평9-78230호 공보를 참조).
최근, 종래 브라운관 방식을 대신하는 박형 또한 대화면의 디스플레이 장치로서, LCD나 PDP의 수요가 급격히 증대되고 있어, 그 생산성의 새로운 향상이 급선무로 되고 있다. 이들 대화면의 디스플레이 장치용의 대면적 기판으로의 박막 형성을 위해, 상술한 할로우 캐소드식 이온 플레이팅법을 사용하는 경우에는, 성막 속도를 올리기 위해, 증발원으로 투입되는 플라즈마 빔의 파워를 증가시키게 된다.
그러나, 플라즈마 빔의 투입 파워를 증가시키면, 플라즈마 빔이 조사된 증발 재료로부터 스플래쉬라 불리는 액적상(液滴狀) 혹은 미세한 고형상(固形狀)의 비산물(증발 재료)이 돌발적으로 발생하는 일이 있다.
스플래쉬는, 성막 속도를 올리기 위해 투입 파워를 증가시킬수록 그 발생량이 현저해지기 때문에, 증대시킨 플라즈마 빔의 에너지가 증발 재료의 조사 부분에 집중함으로써, 그 부분에서 돌비와 같은 현상이 야기되기 때문에 발생한다고 생각되고 있다. 따라서, 종래 플라즈마 성막 장치에 있어서는, 이와 같은 스플래쉬에 의한 비산물이 성막 중의 기판의 표면에 부착되면, 이미 형성된 구멍, 홈 그 밖의 패턴 상에 퇴적되어 버려, 보이드, 그 밖의 배선 불량의 원인으로 된다. 그 결과, 디스플레이 장치로서의 품질을 현저하게 저하시켜 버릴 우려가 있다는 과제가 있다.
본 발명은 상술한 과제에 비추어 이루어진 것으로, 성막 속도를 저하시키지 않고 스플래쉬의 발생을 방지하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관한 플라즈마 성막 장치는, 플라즈마 빔을 조사하는 플라즈마 건과, 상기 플라즈마 건으로부터 조사된 플라즈마 빔에 자계를 적용하여, 상기 플라즈마 빔의 빔 단면을 대략 직사각형 또는 타원 형상으로 변형시키는 자석을 갖는 플라즈마 성막 장치이며,
상기 빔 단면이 변형된 플라즈마 빔을 편향시키고, 상기 편향시킨 플라즈마 빔을 피조사체에 조사시키는 복수의 인입 마그넷 유닛을 구비하고,
상기 인입 마그넷 유닛에는, 상기 피조사체의 이면측에 배치되는 제1 마그넷과, 상기 제1 마그넷과 동일한 자극의 제2 마그넷이 배치되고, 또한 상기 제1 마그넷과 상기 제2 마그넷이 서로 이격한 상태로 병치되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 관한 플라즈마 성막 장치에 있어서, 상기 제1 마그넷과 상기 제2 마그넷은 상기 플라즈마 빔의 조사 방향을 따라 병치되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 관한 플라즈마 성막 장치에 있어서, 상기 제1 마그넷과 상기 제2 마그넷은 요크를 통해 병치되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 플라즈마 성막 장치에 있어서, 상기 제1 마그넷 및 상기 제2 마그넷은 상기 피조사체의 이면측에 배치되어 있고, 상기 제1 마그넷 및 상기 제2 마그넷과는 다른 자극의 제3 마그넷을 통해 병치되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 관한 플라즈마 성막 장치에 있어서, 상기 제1 마그넷 또는 상기 제2 마그넷 중, 상기 플라즈마 건으로부터 가장 이격된 위치에 배치된 마그넷이, 가장 강한 자계를 발생시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 관한 플라즈마 성막 장치에 있어서, 상기 제1 마그넷 내지 제3 마그넷은 사각기둥의 형상을 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 관한 기판에 성막하기 위한 막의 제조법은,
진공 배기 가능한 성막실 내에 배치되어 있는 증발 재료 받침 접시에 수용되어 있는 피조사체인 증발 재료에 대해, 청구항 1에 기재된 플라즈마 성막 장치에서 생성된 플라즈마를 입사하여 증발 재료를 증발시키고,
상기 성막실 내에서 상기 증발 재료 받침 접시에 대해 소정의 간격을 두고, 상기 증발 재료 받침 접시에 대향하는 위치에 배치되어 있는 상기 기판에 성막하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 플라즈마 성막 장치에 따르면, 플라즈마 빔의 조사 방향을 따라, 플라즈마 빔을 편향시키기 위한 복수의 마그넷을 서로 이격하여 배치하고, 또한 피조사체측에 동일한 자극이 되도록 하고 있다.
그 결과, 증발 재료에 조사되는 플라즈마 빔을 넓은 범위에 분산시킬 수 있어, 플라즈마 빔의 증발 재료 상의 조사 면적을 증대시킬 수 있다. 또한, 플라즈마 빔의 파워를 증대시켜 성막 속도를 올리면서, 증발 재료의 단위 면적당에 조사되는 플라즈마 빔의 에너지 밀도를 저하시킬 수 있고, 이에 의해, 성막 속도를 떨어뜨리지 않고 스플래쉬의 발생을 방지할 수 있는 플라즈마 성막 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 그 밖의 특징 및 이점은, 첨부 도면을 참조로 한 이하의 설명에 의해 명백해질 것이다. 또한, 첨부 도면에 있어서는, 동일하거나 혹은 같은 구성에는 동일한 참조 번호를 부여한다.
첨부 도면은 명세서에 포함되고, 그 일부를 구성하고, 본 발명의 실시 형태를 나타내고, 그 기술과 함께 본 발명의 원리를 설명하기 위해 사용된다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 플라즈마 성막 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 관한 플라즈마 성막 장치의 개략 구성을 도시하는 측면도이다.
도 3A는 본 발명의 실시 형태에 관한 인입 마그넷 유닛의 개략 구성을 도시 하는 측면도이다.
도 3B는 다른 실시 형태에 관한 인입 마그넷 유닛의 개략 구성을 도시하는 측면도이다.
도 3C는 또 다른 실시예에 관한 인입 마그넷 유닛의 개략 구성을 도시하는 측면도이다.
도 3D는 또 더 다른 실시예에 관한 인입 마그넷 유닛의 개략 구성을 도시하는 측면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도 1 내지 도 3A 내지 도 3D의 참조에 의해 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 플라즈마 성막 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도이고, 도 2는 본 발명의 실시 형태에 관한 플라즈마 성막 장치의 개략 구성을 도시하는 측면도이다. 도 3A는 본 발명의 실시 형태에 관한 인입 마그넷 유닛의 개략 구성을 도시하는 측면도이다.
도 3B는 다른 실시 형태에 관한 인입 마그넷 유닛의 개략 구성을 도시하는 측면도, 도 3C는 또 다른 실시예에 관한 인입 마그넷 유닛의 개략 구성을 도시하는 측면도, 및 도 3D는 또 더 다른 실시예에 관한 인입 마그넷 유닛의 개략 구성을 도시하는 측면도이다.
본 실시 형태에 관한 플라즈마 성막 장치(10)는, 마그넷(27, 29)에 의해 플라즈마 빔(25)의 단면을 대략 직사각형 또는 타원 형상으로 변형시킨 플라즈마 빔(28)을 편향시켜 증발 재료(31) 상에 인입하는 타입의 플라즈마 성막 장치이다. 그리고, 플라즈마 빔(28)을 증발 재료(31) 상에 인입하기 위한 인입 마그넷 유닛(33)은, 증발 재료 받침 접시(32)(피조사체)의 이면측에 배치되고, 플라즈마 빔의 조사 방향(화살표 Z방향)을 따라 서로 이격하도록 병치된 복수의 인입 마그넷[제1 마그넷(34), 제2 마그넷(35)]을 구비하고, 이 구성에 의해, 스플래쉬의 발생을 방지하면서 생산성의 향상을 실현하는 것이다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 플라즈마 성막 장치(10)는, 플라즈마 건(20)과, 플라즈마 건(20)으로부터 성막실(30) 내로 플라즈마 빔을 인출하기 위한 수렴 코일(26)과, 인출된 플라즈마 빔을 대략 직사각형 또는 타원 형상으로 변형시키기 위한 마그넷(27, 29)과, 인입 마그넷 유닛(33), 증발 재료(31)를 보유 지지하는 증발 재료 받침 접시(32), 및 기판(39)을 수용하는 성막실(30)을 구비하는 것이다. 각각의 구성 부재에 대해 이하에 상세하게 설명한다.
플라즈마 건(20)은 할로우 캐소드(21)와, 전극 마그넷(22)과, 전극 코일(23)을 구비한다. 전극 마그넷(22) 및 전극 코일(23)은 중공 원통 형상의 할로우 캐소드(21)의 축상이며, 성막실(30)측에 차례로 배치되고, 전극 코일(23)은 성막실(30)로부터 연장 설치된 플라즈마 통과부(30a)에 결합되어 있다. 또한, 플라즈마 건(20)의 캐소드(21a)에는 직류 전원(V1)의 마이너스측이 접속되고, 전극 마그넷(22), 전극 코일(23)에는 저항(R1, R2)을 통해 직류 전원(V1)의 플러스측이 접속되어 있다. 이 구성에 있어서, 직류 전원(V1)을 동작시키면 플라즈마 건(20) 내에 원기둥 형상의 플라즈마 빔이 발생한다. 본 실시 형태에서는, 플라즈마 건(20)은 성막실(30)의 외부에 배치되어 있으나, 성막실(30) 내에 설치할 수도 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 플라즈마 건(20)을 1개 탑재한 플라즈마 성막 장치(10)를 도시했으나, 예를 들어 성막실(30) 내에 복수개의 플라즈마 건이 탑재된 플라즈마 성막 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.
플라즈마 건(20)의 전극 코일(23)보다도 성막실(30)측에는, 성막실(30)의 플라즈마 통과부(30a)를 둘러싸도록, 수렴 코일(공심 코일)(26)이 배치되어 있다. 이 수렴 코일(26)은, 할로우 캐소드(21)와 동축 상에 배치되어 있다. 이 수렴 코일(26)에 외부 전원(도면에 도시하지 않음)으로부터 직류 전류를 인가함으로써, 플라즈마 건(20)에서 발생한 플라즈마 빔이 성막실(30) 내로 인출된다. 이 플라즈마 빔(25)은, 할로우 캐소드(21) 및 수렴 코일(26)의 축의 연장선(Z방향) 상에 인출되고, 성막실(30) 내를 진행한다.
성막실(30) 내이며, 플라즈마 빔(25)의 조사 방향 하류측에는, 상류측[플라즈마 건(20)측]으로부터 차례로 마그넷(29, 27)이 배치되어 있다. 이들 마그넷(27, 29)은, 플라즈마 빔(25)의 조사 방향에 대해 직교하는 방향으로 연장하는 판 형상의 영구 자석이며, 서로 평행하게 대향 배치되어 있다. 플라즈마 건(20)으로부터 성막실(30) 내로 인출된 플라즈마 빔(25)은, 이들 마그넷(27, 29)에 의해 형성되는 자계 중을 통과하는 동안에, 조사 방향(Z방향)으로 직교하는 방향(X 방향)으로 넓혀지는 빔 단면이 대략 직사각형 또는 타원 형상으로 변형된 플라즈마 빔(28)으로 된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 마그넷(27, 29)의 2세트를 배치하고 있으나, 마그넷은 1세트라도 좋고, 3세트 이상의 마그넷을 배치할 수도 있다. 또한, 마그넷(27, 29)은 성막실(30)의 외부에 배치해도 좋다.
배기 가능한 성막실(30) 내에는, 증발 재료(예를 들어 MgO, 투명 도전 성막 ITO)(31)를 내부에 수용 보유하는 증발 재료 받침 접시(32)와, 성막 처리되는 기판(39)(예를 들어, 디스플레이용 대형 기판)이 수용되어 있다. 기판(39)은 기판 홀더(도면에 도시하지 않음)에 의해 보유 지지되고, 증발 재료 받침 접시(32)에 보유된 증발 재료(31)와 서로 대향하도록 배치되어 있다. 기판(39)은, 요구되는 사양에 따라서 결정되는 소정 간격을 두고 증발 재료(31)와 대향 배치되고, 조사 방향(Z방향)으로 평행하게[도 2의 Z방향의 화살표(43) 방향으로] 연속적으로 반송된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 성막실(30) 내의 증발 재료 받침 접시(32)의 이면측에는, 인입 마그넷 유닛(33)이, 플라즈마 빔(25)의 조사 방향(Z방향)으로 직교하는 방향(X 방향)으로 복수 배치되어 있다. 도 3A에 상세를 도시하는 인입 마그넷 유닛(33)은, 플라즈마 건(20)측으로부터, 즉 플라즈마 빔(25)의 조사 방향을 따라, 동일한 사각기둥의 형상[조사 방향의 길이(a)]을 갖는 인입 마그넷(34)(제1 마그넷), 인입 마그넷(35)(제2 마그넷)을 차례로 배치하고, 인입 마그넷(34)과 인입 마그넷(35) 사이에 요크(36)를 배치하여 이루어지는 것이다.
인입 마그넷(34, 35)은, 예를 들어 모두 증발 재료 받침 접시(32)에 대해 동일한 자극, 예를 들어 S극이 대향하도록 배치된다. 통상, 인입 마그넷(34, 35)은, 예를 들어 사마륨ㆍ코발트계 자석(SmㆍCo)이나 네오듐계 자석(NdㆍFeㆍB)으로 형성할 수 있다.
또한, 인입 마그넷(34, 35)의 Z방향의 폭(a)은, 본 실시 형태에서는 10㎜로 부터 30㎜ 사이에서 설정했으나, 특별히 한정되는 것이 아니라, 사용되는 인입 마그넷 유닛의 재질이나 필요로 하는 플라즈마 빔의 편향 방향을 고려하여 자유롭게 선택할 수 있다.
이상의 구성에 따르면, 성막실(30) 내를 진행하는 플라즈마 빔(28)은, 인입 마그넷(34, 35)이 형성하는 자계에 의해 편향하여 증발 재료 받침 접시(32) 상의 증발 재료(31) 상에 인입된다. 이에 의해, 증발 재료(31)는 가열되어 증발하고, 증발 재료(31)에 대향하는 기판(39) 상에 막을 형성한다. 본 실시 형태에 있어서, 요크(36)에 의해 인입 마그넷(34)과 인입 마그넷(35)은 이격하여 배치되기 때문에, 인입 마그넷(34)에 의한 자계와, 인입 마그넷(35)에 의한 자계가 각각 형성된다. 인입 마그넷(34, 35)에 의해 형성되는 자계에 의해 플라즈마 빔(28)의 조사 방향(Z방향)에서 플라즈마 빔(28)의 편향 방향을 분산시킴으로써, 증발 재료(31)의 보다 넓은 범위에 플라즈마 빔(28)을 조사시킬 수 있다. 따라서, 성막 속도의 향상 등, 생산성 향상을 위해 플라즈마 빔(25)의 파워를 증대시켜도, 증발 재료(31) 상에 있어서 플라즈마 빔(28)의 조사 면적을 확대하고, 또한 에너지 밀도가 국소적으로 급증하는 것을 억지할 수 있기 때문에, 스플래쉬의 발생을 방지할 수 있다.
이에 반해, 인입 마그넷을 1개만으로 하여 증발 재료 받침 접시(32)에 대한 면적을 증가시킨 경우에는, 이 인입 마그넷이 형성하는 자계를 강하게 할 수는 있으나, 형성되는 자계는 1개의 인입 마그넷에 의한 것뿐이기 때문에, 플라즈마 빔(28)을 분산시킬 수 없다. 이로 인해, 플라즈마 빔(25)의 파워를 증대시켜도 플라즈마 빔(28)의 에너지 밀도가 국소적으로 급증하여 스플래쉬가 발생한다고 생각 된다.
또한, 상술한 인입 마그넷 유닛(33)에서는, 인입 마그넷(34)과 인입 마그넷(35) 사이에 요크(36)를 배치했으나, 이것 대신에, 도 3B에 도시한 바와 같이 2개의 인입 마그넷(134, 135)(제1 마그넷, 제2 마그넷) 사이에 마그넷(136)(제3 마그넷)을 배치한 인입 마그넷 유닛(133)을 사용할 수도 있다.
이 인입 마그넷 유닛(133)은, 플라즈마 건(20)측으로부터, 인입 마그넷(34, 35)과 동일한 사각기둥의 형상[Z방향의 폭(a)], 동일 재료로 이루어지는 인입 마그넷(134, 135)을, 증발 재료 받침 접시(32)측이 S극이 되도록, 차례로 배치한 것이며, 또한 인입 마그넷(134)과 인입 마그넷(135) 사이에는, 증발 재료 받침 접시(32)측이 N극[인입 마그넷(134, 135)과는 다른 자극]이 되도록, 마그넷(136)(제3 마그넷)을 배치하고 있다. 마그넷(136)은, 예를 들어 사마륨ㆍ코발트계 자석이나 네오듐계 등의 자석으로 형성할 수 있다. 인입 마그넷(134, 135) 및 마그넷(136)은 긴 판 형상의 요크(137) 상에 고정되어 배치되어 있다.
이와 같은 구성의 인입 마그넷 유닛(133)에 있어서, 마그넷(136)에 의해 인입 마그넷(134)과 인입 마그넷(135)은 이격하여 배치되기 때문에, 인입 마그넷(134)에 의한 자계와, 인입 마그넷(135)에 의한 자계가 각각 형성된다. 인입 마그넷(134, 135)에 의해 형성되는 자계에 의해 플라즈마 빔(28)의 편향 방향을 분산시킴으로써, 증발 재료(31)의 보다 넓은 범위에 플라즈마 빔(28)을 분산시킬 수 있다. 따라서, 성막 속도의 향상 등, 생산성 향상을 위해 플라즈마 빔(25)의 파워를 증대시켜도, 증발 재료(31)에 있어서의 플라즈마 빔(28)의 조사 면적을 확대하고, 또한 에너지 밀도가 국소적으로 급증하는 것을 억지할 수 있기 때문에, 스플래쉬의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 상술한 요크(36)이나 마그넷(136) 대신에, 공극을 통해 2개의 인입 마그넷을 이격시키는 것만으로도, 양쪽의 인입 마그넷에 의한 자계가 각각 형성되기 때문에, 플라즈마 빔(28)의 편향 방향을 분산시킬 수 있어, 증발 재료(31)의 보다 넓은 범위에 플라즈마 빔(28)을 조사시킬 수 있다.
또한, 상술한 인입 마그넷 유닛(33)에서는, 인입 마그넷(34, 35)을 동일 형상의 자석으로 구성했다. 플라즈마 건(20)에 가까운 위치에 배치되는 인입 마그넷(34)보다도, 먼 위치에 배치되는 인입 마그넷(35)이 형성하는 자계의 쪽이 커지도록 하면, 인입 마그넷(35)에 의한 자계가 플라즈마 건(20)측의 보다 넓은 범위에 미치기 쉬워져, 플라즈마 빔(28)을 더 확실하게 분산시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 이것은, 예를 들어 인입 마그넷(34)을 사마륨ㆍ코발트계 자석(SmㆍCo)으로 형성하는 한편, 인입 마그넷(35)을 사마륨ㆍ코발트계 자석보다도 강력한 자계를 형성할 수 있는 네오듐계 자석(NdㆍFeㆍB)으로 형성함으로써, 인입 마그넷(34)보다도 인입 마그넷(35)에 의한 자계를 크게 함으로써 실현할 수 있다.
또한, 도 3C에 도시한 인입 마그넷 유닛(233)과 같이, 플라즈마 건(20)측의 인입 마그넷(234)[조사 방향의 길이(a)]보다도 인입 마그넷(235)[조사 방향의 길이(b)](b ＞ a)의 체적을 크게 함으로써도, 인입 마그넷(234)(제1 마그넷)보다도 인입 마그넷(235)(제2 마그넷)이 형성하는 자계를 크게 할 수 있다. 이 인입 마그넷 유닛(233)에서는, 인입 마그넷(234, 235)(제1 마그넷, 제2 마그넷) 사이에 마그 넷(236)(제3 마그넷)을 배치하고, 인입 마그넷(234, 235) 및 마그넷(236)은 긴 판 형상의 요크(237) 상에 배치되어 있다. 인입 마그넷(234, 235) 및 마그넷(236)은, 예를 들어 사마륨ㆍ코발트계 자석(SmㆍCo)이나 네오듐계 자석(NdㆍFeㆍB)으로 형성할 수 있다. 또한, 마그넷(236) 대신에 요크를 배치하거나, 또는 공극으로 해도 좋다.
또한, 도 3D에 도시한 인입 마그넷 유닛(333)과 같이, 플라즈마 건(20)측의 인입 마그넷(334)(제1 마그넷)보다도 인입 마그넷(335)(제2 마그넷)의 S극의 선단면을, 증발 재료 받침 접시(32)측(Y 방향)에 근접한 상태로 배치할 수도 있다.
이와 같이 배치하면, 인입 마그넷(334, 335)으로부터 플라즈마 빔(28)이 받는 자계 중, 인입 마그넷(335)이 발생하는 자계의 비율을 크게 할 수 있다. 이에 의해 플라즈마 빔(28)을 더 확실하게 분산시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 이 인입 마그넷 유닛(333)은, 플라즈마 건(20)측으로부터, 길이 방향 직교 단면이 동일한 사각기둥의 형상을 갖는 인입 마그넷(334, 335)(제1 마그넷, 제2 마그넷)을 차례로 배치하고, 인입 마그넷(334)과 인입 마그넷(335) 사이에 요크(336)를 배치하여 이루어지는 것이다. 인입 마그넷(334, 335)은, 예를 들어 사마륨ㆍ코발트계 자석(SmㆍCo)이나 네오듐계 자석(NdㆍFeㆍB)으로 형성할 수 있다. 여기서, 인입 마그넷(335)의 N극의 선단면은, 인입 마그넷(334)의 N극의 선단면과 대략 동일한 위치에 배치해도 좋으나, 인입 마그넷(334)과 인입 마그넷(335)을 동일 형상으로서, 인입 마그넷(335)을 인입 마그넷(334)보다도 증발 재료 받침 접시(32)측에 근접한 상태로 배치할 수도 있다.
복수의 인입 마그넷은 이격하여 배치되어 있으면, 플라즈마 빔(28)의 조사 방향을 따라 3개 이상 배치해도 좋다. 이 경우, 인입 마그넷을 1개씩 이격 배치해도 되는 것은 물론, 인접 배치한 인입 마그넷의 블록을 서로 이격 배치시키는 형태라도 좋다. 또한, 인입 마그넷 사이에는, 요크와, 인입 마그넷은 자극을 반대를 향하게 한 마그넷의 양쪽을 배치해도 좋다. 또한, 서로 이격하여 배치하고, 플라즈마 빔(28)의 편향 방향을 분산시킬 수 있으면, 복수의 인입 마그넷은 플라즈마 빔(25)의 바로 아래에 병치하지 않아도 좋다.
이하, 본 실시 형태에 관한 플라즈마 성막 장치(10)를 사용한 기판(39)으로의 성막 방법(막의 제조법)에 대해 설명한다.
우선, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 진공 배기 가능한 성막실 내의 증발 재료 받침 접시(32)에 증발 재료(31)를 배치하고, 성막 처리되는 기판(39)을 기판 홀더(도면에 도시하지 않음)에 세트한다.
다음에, 성막실(30) 내부를 성막 사양에 따라서 정해지는 소정의 진공도로 하기 위해 배기[화살표(42)]하는 동시에, 반응 가스를 성막실(30) 내에 공급한다[화살표(41)].
이 상태에서, 플라즈마 빔 발생용 가스[예를 들어 아르곤(Ar)]를 플라즈마 건(20)의 할로우 캐소드(21) 내에 도입한다[화살표(40)]. 직류 전원(V1)을 동작시킴으로써 플라즈마 건(20)에서 생성된 플라즈마 빔(25)은, 수렴 코일(26)에 의해 형성되는 자계에 의해 수렴된다. 수렴된 플라즈마 빔(25)은, 수렴 코일(26)로의 인가 전류에 의해 결정되는 특정의 직경을 갖는 원기둥 형상으로 넓히면서 성막 실(30) 내에 인출된다. 인출된 플라즈마 빔(25)은, 마그넷(27, 29)이 각각 형성하는 자계 중을 각각 통과하고, 각각의 자계에 의해 대략 직사각형 또는 타원 형상으로 변형된, 편평한 시트 형상의 플라즈마 빔(28)으로 된다.
플라즈마 빔(28)은, 기판(39)과 증발 재료(31)에 끼워지는 공간을 향해 진행하고, 증발 재료 받침 접시(32)의 이면측에 있어서 증발 재료(31)측에 S극이 향하도록 배치된 인입 마그넷(34, 35)이 형성하는 자계에 의해, 증발 재료(31) 상에 인입되도록 편향한다. 증발 재료(31)는, 플라즈마 빔(28)에 의해 가열된 부분이 증발하고, 기판 홀더(도시하지 않음)에 의해 플라즈마 건(20)으로부터 이격되는 방향[화살표(43)]으로 이동하고 있는 기판(39)에 도달하여 기판(39)의 표면에 막(예를 들어 MgO)을 형성한다.
상기한 실시 형태에 관한 성막 장치에서, 이하의 조건에서 산화마그네슘의 성막 실험을 행했다.
비교를 위한 인입 마그넷 유닛은, 도 3B에 도시한 구성과 동등한 것을 사용하고 있다. 종래 인입 마그넷의 예로서, 증발 재료 받침 접시(32)의 이면측에, S극을 향한 1개만의 인입 마그넷을 사용하고 있다. 또한, 증발 재료 받침 접시(32)와 각각의 인입 마그넷(134, 135) 등의 거리는 80㎜로 공통으로 하고, 각각의 인입 마그넷(134, 135) 등의 형상도 동일한 형상의 것을 사용하고 있다.
산화마그네슘의 증착 조건은 이하와 같다.
ㆍ방전 전력 : 0.16㎩
ㆍAr 유량 : 11sccm
ㆍ전력 : 26.1Kw
ㆍ수렴 코일 전류 : 45A
본 발명의 실시 형태에 관한 성막 장치에서 상기 성막 조건에서, 기판(39) 상에 산화마그네슘의 성막을 행한 후, 증발 재료 받침 접시(32)에 형성된 플라즈마 빔(28)의 조사 자국(조사 면적)을 측정했다.
인입 마그넷이 1개인 종래 경우에 비해, 도 3B에 도시한 구성의 마그넷 유닛(133)을 사용한 경우, 조사 면적은, 플라즈마 빔(25)의 조사 방향(도 1, 도 3의 Z방향)에 있어서 약 1.5배로 확대되고 있는 것이 확인되었다. 또한, 이 성막 조건은, 인입 마그넷이 1개인 경우에는 170Å/초라는 높은 성막 속도를 실현하는 한편 스플래쉬가 발생하는 조건이었으나, 인입 마그넷 유닛(133)을 사용하면, 스플래쉬를 발생시키지 않고 높은 성막 속도를 유지하는 것이 확인되었다.
본 발명에 대해 상기한 실시 형태를 참조하면서 설명했으나, 본 발명은 상기한 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 개량의 목적 또는 본 발명의 사상의 범위 내에 있어서 개량 또는 변경이 가능하다.
본 발명은 상기 실시 형태에 제한되는 것이 아니라, 본 발명의 정신 및 범위로부터 이탈하지 않고, 다양한 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위를 명백하게 하기 위해, 이하의 청구항을 첨부한다.
본원은 2006년 7월 7일 제출된 일본 특허 출원 제2006-188521호를 기초로 하여 우선권을 주장하는 것으로, 그 기재 내용의 모두를 여기에 원용한다.

Claims (7)

  1. 플라즈마 빔을 조사하는 플라즈마 건과, 상기 플라즈마 건으로부터 조사된 플라즈마 빔에 자계를 적용하여, 상기 플라즈마 빔의 빔 단면을 대략 직사각형 또는 타원 형상으로 변형시키는 자석을 갖는 플라즈마 성막 장치에 있어서,
    상기 빔 단면이 변형된 플라즈마 빔을 편향시키고, 상기 편향시킨 플라즈마 빔을 피조사체에 조사시키는 복수의 인입 마그넷 유닛을 구비하고,
    상기 인입 마그넷 유닛에는, 상기 피조사체의 이면측에 배치되는 제1 마그넷과, 상기 제1 마그넷과 동일한 자극의 제2 마그넷이 배치되고, 또한 상기 제1 마그넷과 상기 제2 마그넷이 서로 이격한 상태로 병치되어 있는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 성막 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 마그넷과 상기 제2 마그넷은 상기 플라즈마 빔의 조사 방향을 따라 병치되는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 성막 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 마그넷과 상기 제2 마그넷은 요크를 통해 병치되는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 성막 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 마그넷 및 상기 제2 마그넷은, 상기 피조사체의 이면측에 배치되어 있고, 상기 제1 마그넷 및 상기 제2 마그넷과는 다 른 자극의 제3 마그넷을 통해 병치되는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 성막 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 마그넷 또는 상기 제2 마그넷 중, 상기 플라즈마 건으로부터 가장 이격된 위치에 배치된 마그넷이, 가장 강한 자계를 발생시키는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 성막 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1 마그넷, 상기 제2 마그넷 및 상기 제3 마그넷은 사각기둥의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 성막 장치.
  7. 기판에 성막하기 위한 막의 제조법이며,
    진공 배기가 가능한 성막실 내에 배치되어 있는 증발 재료 받침 접시에 수용되어 있는 피조사체인 증발 재료에 대해, 제1항에 기재된 플라즈마 성막 장치에서 생성된 플라즈마를 조사하여 상기 증발 재료를 증발시키고,
    상기 성막실 내에서 상기 증발 재료 받침 접시에 대해 소정의 간격을 두고, 상기 증발 재료 받침 접시에 대향하는 위치에 배치되어 있는 기판에 성막하는 것을 특징으로 하는, 막의 제조법.
KR1020097002473A 2006-07-07 2007-07-04 플라즈마 성막 장치 및 막의 제조법 KR101043166B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006188521 2006-07-07
JPJP-P-2006-188521 2006-07-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090031608A true KR20090031608A (ko) 2009-03-26
KR101043166B1 KR101043166B1 (ko) 2011-06-20

Family

ID=38894560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097002473A KR101043166B1 (ko) 2006-07-07 2007-07-04 플라즈마 성막 장치 및 막의 제조법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090294281A1 (ko)
JP (1) JP4981046B2 (ko)
KR (1) KR101043166B1 (ko)
CN (1) CN101490304B (ko)
TW (1) TW200823307A (ko)
WO (1) WO2008004593A1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4368417B2 (ja) * 2007-04-24 2009-11-18 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ発生装置およびこれを用いた成膜方法並びに成膜装置
WO2009069743A1 (ja) * 2007-11-30 2009-06-04 Canon Anelva Corporation 基板処理装置、及び基板処理方法
JP5580004B2 (ja) * 2008-07-14 2014-08-27 キヤノンアネルバ株式会社 真空容器、および真空処理装置
JP2010168648A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Canon Anelva Corp 成膜装置及び基板の製造方法
JP5421438B1 (ja) 2012-08-15 2014-02-19 中外炉工業株式会社 プラズマ処理装置
CN116334536B (zh) * 2023-03-29 2024-07-26 东北大学 一种高韧性过渡族金属氮化物TiAl(Ni)NX硬质涂层及其制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH073442A (ja) * 1993-06-16 1995-01-06 Asahi Glass Co Ltd 蒸着装置
JP2657206B2 (ja) * 1994-02-24 1997-09-24 株式会社ジーティシー 透明導電膜の形成方法
CN2256886Y (zh) * 1996-02-02 1997-06-25 吉林大学 磁控弧光放电离子镀装置
JP4219566B2 (ja) * 2001-03-30 2009-02-04 株式会社神戸製鋼所 スパッタ装置
JP4734894B2 (ja) * 2004-11-04 2011-07-27 大日本印刷株式会社 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置
JP4416632B2 (ja) * 2004-12-03 2010-02-17 キヤノン株式会社 ガスクラスターイオンビーム照射装置およびガスクラスターのイオン化方法
JP2007277708A (ja) * 2006-03-17 2007-10-25 Canon Inc 成膜装置および成膜方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20090294281A1 (en) 2009-12-03
JP4981046B2 (ja) 2012-07-18
TW200823307A (en) 2008-06-01
CN101490304A (zh) 2009-07-22
JPWO2008004593A1 (ja) 2009-12-03
KR101043166B1 (ko) 2011-06-20
TWI369408B (ko) 2012-08-01
CN101490304B (zh) 2011-06-15
WO2008004593A1 (fr) 2008-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101043166B1 (ko) 플라즈마 성막 장치 및 막의 제조법
KR100848851B1 (ko) 플라즈마 데미지 프리 스퍼터 건 및 이를 구비한 스퍼터장치와 이를 이용한 플라즈마 처리장치 및 성막 방법
US8382966B2 (en) Sputtering system
CN111172504B (zh) 一种磁控溅射阴极
JP5300084B2 (ja) 薄膜作製用スパッタ装置
US20090314206A1 (en) Sheet Plasma Film-Forming Apparatus
JP4660570B2 (ja) 真空成膜装置及び成膜方法
JP6453852B2 (ja) イオンビームソース
JP4728089B2 (ja) シート状プラズマ発生装置および成膜装置
JP4368417B2 (ja) プラズマ発生装置およびこれを用いた成膜方法並びに成膜装置
JP2010248576A (ja) マグネトロンスパッタリング装置
KR101158357B1 (ko) 진공처리장치
US9824867B2 (en) Plasma generation apparatus, deposition apparatus, and plasma generation method
JPS6112866A (ja) プラズマ集中型高速スパツタ装置
JP2000144390A (ja) 圧力勾配型ホローカソード型イオンプレーティング装置
US20140166479A1 (en) Sputtering apparatus
JPH0361364A (ja) シートプラズマを利用した薄膜形成方法
WO2009075393A1 (en) Plasma damage free sputter gun, sputter, plasma process apparatus and film-forming method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140530

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150515

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160517

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170522

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180516

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190515

Year of fee payment: 9