JP2000144390A

JP2000144390A - 圧力勾配型ホローカソード型イオンプレーティング装置

Info

Publication number: JP2000144390A
Application number: JP10310833A
Authority: JP
Inventors: Ryoichi Daito; 良一大東; Yoji Iwamoto; 要司岩本
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1998-10-30
Filing date: 1998-10-30
Publication date: 2000-05-26
Anticipated expiration: 2018-10-30
Also published as: JP3841962B2

Abstract

(57)【要約】【課題】圧力勾配型のホローカソード型イオンプレー
テイング装置で、チャンバーの一部の側壁側スペースで
の異常放電の問題、多源ホローカソード型イオンプレー
テイング装置における各プラズマガンから発生されるプ
ラズマビームの互いの干渉による悪影響の問題を解決で
きる装置を提供する。更には、成膜の制御がし易く、且
つ、蒸発粒子の効率利用ができる装置を提供する。【解決手段】圧力勾配型のホローカソード型イオンプ
レーティング装置であって、チャンバー部は、プラズマ
ビームの自己磁場による、進行方向に対してのねじれを
考慮して、設計されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ホローカソード型
イオンプレーテイング装置に関し、特に、異常放電が少
なく、且つ成膜の制御がし易く、蒸発粒子の効率利用が
できる、圧力勾配型ホローカソード型イオンプレーテイ
ング装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示装置（ＬＣＤとも言う）
やプラズマディスフレイ装置（ＰＤＰとも言う）等、デ
ィスプレイ用の大型基板の量産が求められる中、イオン
プレーティング法は、透明導電膜ＩＴＯや絶縁膜ＭｇＯ
等の薄膜形成において、ＥＢ蒸着法やスパッタリング法
に代わる成膜法として注目されている。これは、イオン
プレーティング法は、成膜レートが高く、プラズマビー
ムを磁場で制御することにより、大面積基板への成膜を
可能とする為であるが、特に、ホローカソード式イオン
プレーティング法は、蒸着源の蒸発と、イオン化を一つ
のガンで行えるという利点を持っており、ディスプレイ
用大型基板への成膜用として期待されている。

【０００３】ホローカソード型イオンプレーテイング装
置を、図５に基づいて簡単に説明しておく。図５は、圧
力勾配型の横型ホローカソード型イオンプレーテイング
装置の１例を示した構成図である。図５に示すホローカ
ソード型イオンプレーテイング装置は、排気孔５０２ａ
と反応ガス供給口５０２ｂを設けた真空チャンバー５０
２と、この真空チャンバー５０２の内の下部に配設され
た陽極（ハース）５０３、真空チャンバー５０２の内の
上部に配設された基板ホルダー５０４、真空チャンバー
５０２の所定位置（図示例では真空チャンバー左側壁）
に配設されたプラズマガン５０５、陰極５０６、中間電
極５０７および収束コイル５０８を備えている。また、
陽極５０３の下側には永久磁石５０９が配設されてい
る。このような圧力勾配型ホローカソード型イオンプレ
ーテイング装置における透明導電膜ＩＴＯの形成は以下
のようにして行われる。まず、陽極５０３に蒸発源５１
１を配置し、また透明導電膜ＩＴＯの被形成体である基
板５１２を基板ホルダーに保持し、真空チャンバー５０
２内部を１０^-6〜１０^-5Ｔｏｒｒ程度の真空度にする。
この状態で、アルゴン（Ａｒ）等のプラズマ用ガスをプ
ラズマガン５０５に導入する。そして、プラズマガン５
０５で発生したプラズマビーム５１５は、収束コイル５
０８により形成される磁界によって収束され、真空チャ
ンバー５０２内に引き出され、陽極５０３下方の永久磁
石５０９が作る磁界によって蒸発源５１１上に引き込ま
れ、この蒸発源５１１を加熱する。その結果、加熱され
た部分の蒸発源５１１は蒸発し、プラズマビーム５１５
の領域を通過する際に一部電離し、基板ホルダー５０４
に保持されている基材５１２に到達して表面に膜を形成
する。尚、図５に示す装置は、プラズマガン５０５側か
ら高い圧のアルゴン（Ａｒ）等のプラズマ用ガスを導入
し、排気孔５０２ａ側から吸引しているため、この間で
圧力勾配があり、プラズマガン５０５や中間電極５０７
等へのイオンの戻りや、反応ガス供給口５０２ｂから供
給されたガスの、プラズマガン５０５や中間電極５０７
等への到達がない。これにより、プラズマガン５０５や
中間電極５０７等への悪影響を防止している。そして、
このように圧力勾配を設けている構造のものを圧力勾配
型と言っている。

【０００４】しかし、従来の圧力勾配型ホローカソード
型イオンプレーテイング装置では、プラズマガン位置
は、チャンバーに対してほぼ対称の設計で、各部もこれ
に合わせて設計されており、異常放電が、一部の側壁側
スペースで起こり易く、問題となっていた。複数個のプ
ラズマガンを備えて（プラズマの発生源を）多源とした
装置の場合は、上記異常放電に加え、各プラズマガンか
ら発生されるプラズマビームが互いに干渉し、これによ
り安定放電ができない場合もあり、問題となっていた。
また、蒸発源からの蒸発粒子の飛散方向が、処理基板の
中心からずれた方向で、成膜を制御しずらい問題があっ
た。これは蒸発粒子の効率利用の面からも問題となって
いた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の圧
力勾配型ホローカソード型イオンプレーテイング装置で
は、チャンバーの一部の側壁での異常放電の問題や、複
数個のプラズマガンを備えて（プラズマの発生源を）多
源とした装置（これを多源ホローカソード型イオンプレ
ーテイング装置とも言う）の場合における、各プラズマ
ガンから発生されるプラズマビームの互いの干渉による
悪影響の問題があり、この対応が求められていた。ま
た、成膜の制御がし易く、且つ、蒸発粒子の効率利用が
できる方法（装置）が求められていた。本発明は、これ
らの問題に対応するもので、圧力勾配型ホローカソード
型イオンプレーテイング装置で、チャンバーの一部の側
壁側スペースでの異常放電の問題、多源ホローカソード
型イオンプレーテイング装置における各プラズマガンか
ら発生されるプラズマビームの互いの干渉による悪影響
の問題を解決できる装置を提供しようとするものであ
る。更に、成膜の制御がし易く、且つ、蒸発粒子の効率
利用ができる装置を提供しようとするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の圧力勾配型ホロ
ーカソード型イオンプレーテイング装置は、圧力勾配型
ホローカソード型イオンプレーティング装置であって、
チャンバー部は、プラズマビームの自己磁場による、進
行方向に対してのねじれを考慮して設計されたもので、
チャンバーのプラズマビームのビーム（電子）がねじれ
て行く方向側の、チャンバーの側壁と、ねじれを考慮し
ない場合の該側壁側のプラズマビーム位置とのスペース
を、チャンバーのプラズマビームのビーム（電子）がね
じれて行く方向とは反対側の、チャンバーの側壁と、ね
じれを考慮しない場合の該側壁側のプラズマビーム位置
とのスペースに比べ、大きくしたことを特徴とするもの
である。そして、上記において、複数個のプラズマガン
を備えて（プラズマの発生源を）多源としたもので、各
プラズマガンから発生させるプラズマビームの自己磁場
を考慮して、各プラズマガンから発生させるプラズマビ
ームの、他のプラズマビームによる磁場が互いに所定値
内となるように、各プラズマガンから発生されるプラズ
マビームの間隔を制御したものであることを特徴とする
ものである。そしてまた、上記において、るつぼおよび
その下のアノード磁石を、プラズマガンからのビームの
進行方向に直交する方向に移動する移動部を備えている
ことを特徴とするものである。尚、ここで言う、ねじれ
を考慮しない場合のプラズマビーム位置とは、ねじれる
ビーム（電子）を考慮した位置ではなく、仮にプラズマ
イオンビームの自己磁場によりビーム（電子）がねじれ
ないとした場合のプラズマビームの通過位置で、イオン
の通過位置に当たる。

【０００７】

【作用】本発明の圧力勾配型ホローカソード型イオンプ
レーテイング装置は、このような構成にすることによ
り、ホローカソード型イオンプレーテイング装置で、チ
ャンバーの一部の側壁側スペースでの異常放電の問題、
多源ホローカソード型イオンプレーテイング装置におけ
る各プラズマガンから発生されるプラズマビームの互い
の干渉による悪影響の問題を解決できる装置の提供を可
能とし、更に、成膜の制御がし易く、且つ、蒸発粒子の
効率利用ができる装置の提供を可能とした。具体的に
は、チャンバー部は、プラズマビームの自己磁場によ
る、進行方向に対してのねじれを考慮して設計されたも
ので、チャンバーのプラズマビームのビーム（電子）が
ねじれて行く方向側の、チャンバーの側壁と、ねじれを
考慮しない場合の該側壁側のプラズマビーム位置とのス
ペースを、チャンバーのプラズマビームのビーム（電
子）がねじれて行く方向とは反対側の、チャンバーの側
壁と、ねじれを考慮しない場合の該側壁側のプラズマビ
ーム位置とのスペースに比べ、大きくしたことにより、
従来の圧力勾配型ホローカソード型イオンプレーテイン
グ装置における、チャンバーの一部側壁側スペースにお
ける異常放電を起こり難いものとした。

【０００８】本願発明者は、従来の圧力勾配型ホローカ
ソード型イオンプレーテイング装置おける、チャンバー
の一部側壁側のスペースで異常放電が起こり易い理由
は、チャンバーの設計思想が、プラズマビームの自己磁
場による、進行方向に対しての右側ねじれを考慮したも
のでないと察知したのである。ここで、プラズマビーム
の自己磁場と、プラズマビームの自己磁場による、進行
方向に対しての右側ねじれについて簡単に説明してお
く。プラズマビームがビーム表面に作る自己磁場の大き
さＢｓ（ｔｅｓｌａ）は、下記の式（１）

【数１】で表される。ここで、μ₀は真空の透磁率、Ｉはプラズ
マ電流の量、２ｒはビーム径である。例えば、プラズマ
電流Ｉが１００Ａ、ビーム径が２ｃｍの場合には、上記
（１）式より、Ｂｓは２０Ｇ（Ｇａｕｓｓ）となり、通
常、プラズマビームは、数十Ｇの磁場で制御されている
ことから、自己磁場Ｂｓは無視できなくなる。また、磁
石の作る磁場の大きさが距離の二乗に反比例しているの
に対し、（１）式からも分かるように、プラズマビーム
電流が作る磁場は距離に反比例しているため、プラズマ
ビームが作る磁場は、磁石の磁場に比べ、遠方まで影響
を及ぼすことが分かる。一方また、一様な磁場と電場が
存在する場合、電子の運動方程式は、

【数２】のようになる。ここで、ｖは電子の速度、Ｅは電場、ｅ
は電子の電荷である。このような磁場、電場が存在する
場合（図３（ａ））、図３（ｂ）に示すように電子はそ
れぞれの場に垂直な方向にドリフトする。このドリフト
量は、プラズマビーム制御用の磁石が作る磁場、さらに
はビームの広がりなどを取り込み計算する必要がある。
このように、ビームは広がり、結果的には、ビームは、
プラズマビームの自己磁場による、進行方向に対して右
側にねじれて行く。従来の圧力勾配型ホローカソード型
イオンプレーテイング装置では、このねじれの影響を考
慮していないため、チャンバーの一部側壁側のスペース
で異常放電が起こり易いのである。

【０００９】しかし、ビームの広がりには、プラズマビ
ーム電流量（放電電流量）、磁場の大きさ、チャンバー
内の電場配置等、様々なパラメータが寄与しており、厳
密に計算するのは困難である。しかし、図５に示すよう
な、実使用のチャンバーにて、実使用に近い諸条件で、
実際に放電して、ビームのねじれを観測にて得て、簡略
的にビームのねじれの量を知ることができる。図４
（ａ）に示すねじれ量Ｓ０を観測にて把握するのであ
る。図４（ａ）は、チャンバー４６０上側（図５に示す
チャンバー５０２の上側に相当）からみた概略図で、図
４（ａ）中、太点線は観測されるビーム４７０のねじれ
て行く軌跡で、その矢印はビームの進行方向を示してい
る。細点線Ｌ１−Ｌ２はプラズマガン４１０（図５の５
０５に相当）から放出されたビームの方向で、プラズマ
ガン４１０から放出されたビームが自己磁場の影響を仮
に受けないとした場合の進む方向を示したものである。
図４（ａ）のチャンバー４６０においては、細点線Ｌ１
−Ｌ２がほぼチャンバー中心であり、ビームには広がり
があるため、図４のチャンバー４６０と側壁４６５Ａと
のスペース部４６７Ａにおいては、側壁４６５Ｂとのス
ペース部４６７Ｂよりも電子密度が高くなり、異常放電
がおきる可能性が高くなる。

【００１０】また、複数個のプラズマガンを備えてプラ
ズマの発生源を多源としたもので、各プラズマガンから
発生させるプラズマビームの自己磁場を考慮して、各プ
ラズマガンから発生させるプラズマビームの、他のプラ
ズマビームによる磁場が互いに所定値内となるように、
各プラズマガンから発生されるプラズマビームの間隔を
制御したものであることにより、多源ホローカソード型
イオンプレーテイング装置において、各プラズマガンに
よるプラズマビームが互いに実質的に干渉しないように
できる、即ち、安定放電を確保できる。

【００１１】多源ホローカソード型イオンプレーテイン
グ装置においては、ビームのねじれ方向の端のプラズマ
ビームほど、進行方向に対しての右側ねじれが大きくな
ることも、自己磁場の影響とすれば説明がつく。尚、ホ
ローカソード型イオンプレーテイング装置においては、
プラズマ密度は最も右側にあるプラズマビームとチャン
バー壁の間隔狭くなるほど高くなっていた。

【００１２】また、るつぼおよびその下のアノード磁石
を、プラズマガンからのビームの進行方向に直交する方
向に移動する移動部を備えていることにより、るつぼの
かたよりの無い使用を可能とするとともに、成膜する膜
厚分布の制御をし易くし、且つ蒸発粒子の効率利用を可
能としている。これを以下、簡単に説明する。図４
（ｂ）、図４（ｃ）はともに、図４（ａ）における、ろ
つぼ４４０へのビーム４７０の入射状態と処理基板４５
０への成膜状態を示した断面図である。尚、図４（ｂ）
のＬ３−Ｌ４方向は、図４（ａ）のＬ１−Ｌ２方向上に
あり、これに直交する。Ｌ３−Ｌ４の位置（図４（ａ）
のＬ１−Ｌ２位置でもある）にアノード磁石４８０が置
かれ、且つ、Ｌ３−Ｌ４からほぼ均等に、処理基板４５
０に置かれた場合、図４（ｂ）に示すように、蒸発粒子
４４５は、処理基板４５０の端部に向かう方向に進む。
これに対し、処理基板４５０はそのままの位置で、アノ
ード磁石４８０をＬ３−Ｌ４の位置からずらして置いた
場合は、図４（ｃ）のように、蒸発粒子４４５は、処理
基板４５０の中心（Ｌ３−Ｌ４）に近い位置に向かい進
む。このため、大型ガラス基板を処理基板として成膜す
る場合には、図４（ｃ）の場合の方が、図４（ｂ）の場
合に比べ、成膜の制御がし易く、且つ、蒸発粒子の効率
利用の点で優れている。尚、一般に、ビーム４７０が入
射する方向に蒸発粒子４４５が進むため、図４（ｂ）、
図４（ｃ）のようになる。このように、上記移動部（図
４の４９０に相当）を備えていることにより、るつぼ４
４０と、その下のアノード磁石４８０とを所定の位置に
移動でき、その結果、蒸発粒子４４５の方向を調整で
き、成膜の制御をし易くでる。同時に蒸発粒子の効率利
用もできる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の圧力勾配型ホローカソー
ド型イオンプレーテイング装置の実施の形態の１例を、
図に基づいて説明する。図１は本発明のホローカソード
型イオンプレーテイング装置の実施の形態の１例を示し
た概略構成図で、図２はプラズマガンとチャンバーの相
対位置関係を示した図である。図１、２中、１００は圧
力勾配型ホローカソード型イオンプレーテイング装置、
１１０はプラズマガン、１２０は収束コイル、１３０は
磁石、１４０はるつぼ、１６０はチャンバー、１６５側
壁、１７０はブラズマビーム、１８０は蒸発物質、１９
０は磁石（アノード磁石）、２１０は基板、２２０はテ
ーブル、２３０、２３５はクライオポンプ、２４０は搬
送ロール、２５１、２５２はチャンバー、２５５は仕切
り部、２６０は調整用板（シャッター）、２７０はステ
ージ、２７１はＸ移動部、２７２はＹ移動部である。本
例は、２個のプラズマガンを備えたホローカソード型イ
オンプレーティング装置で、、ディスプレイ用の大型基
板を、所定の距離をあけ連続的に搬送しながら、その一
面に、連続的に透明導電性膜ＩＴＯやＭｇＯ膜を成膜す
る成膜処理を行うための装置である。

【００１４】本例においては、これにより、プラズマビ
ームの自己磁場の影響によるビームのねじれに起因する
ビームとチャンバー１６０の側壁１６５間における異常
放電の発生を少なくするために、チャンバー１６０は、
プラズマビーム１７０の自己磁場による、進行方向に対
しての右側ねじれを考慮して、チャンバーのプラズマビ
ーム１７０がねじれて行く方向側である右側部の、チャ
ンバー１６０の側壁とプラズマビーム１７０とのスペー
ス部を、チャバーのプラズマビームがねじれて行く方向
とは反対側である左側部の、チャンバーの側壁とプラズ
マビームとのスペース部に比べ、大きくしてある。具体
的には、２基のプラズマガン１１０の中心間距離５６ｃ
ｍとし、プラズマビーム電流量（放電電流量）１２０
Ａ、放電電圧９０Ｖ、制御用磁石のビーム付近での磁場
３０Ｇ（ガウス）とした条件での、ビームのねじれ量を
観測したところ、約８ｃｍであった。これより、図２
（ａ）に示すように、２基のプラズマガン１１０のチャ
ンバー１６０に対する相対位置ズレであるオフセット量
は１５ｃｍ程度が適当と判断した。尚、図２（ｂ）、図
２（ａ）のＡ１−Ａ２における断面図、図２（ｃ）は、
図２（ａ）のＢ１−Ｂ２方向にみた断面図である。

【００１５】また、２基のプラズマガン１１０の中心間
距離５６ｃｍの距離の決定は、既に述べた（１）式（ビ
オ、サバールの式）より、各プラズマビームの自己磁場
を求め、各プラズマガンから発生されたプラズマビーム
同志が互いに干渉しない、即ち安定放電が維持できるよ
うに決定した。前述のオフセット量を決定のための条件
下では、各プラズマビームの自己磁場は、（１）式（ビ
オ、サバールの式）より、０．４Ｇ以下となるが、この
自己磁場では、各プラズマガンから発生されたプラズマ
ビーム同志が互いに干渉することはない。

【００１６】本例の圧力勾配型ホローカソード型イオン
プレーテイング装置の成膜は、図５に示すものと基本的
に同じであるため、ここでは説明を省略する。図１に示
す本例のホローカソード型イオンプレーテイング装置で
は、基板２１０を搬送ロール２３０により、テーブル２
２０側から、チャンバー１６０上側に向け、水平移動さ
せながら、まずチャンバー２５２に送られ、次いで、仕
切り部２５５を通抜け、チャンバー２５１へ送られる。
そして、チャンバー２５１にて、チャンバー１６０側の
面に、調整用板（シャッター）２６０の開口から成膜す
る。チャンバー２５１、２５２は、それぞれ、クライオ
ポンプ２３０、２３５により真空引きされている。調整
用板（シャッター）２６０の開口を変化させたり、移動
させることにより、基板２１０の成膜範囲や成膜時間を
調整する。るつぼ１４０は移動可能なステージ２７０上
に置かれている。本例では、蒸発源を入れるるつぼが３
個置くことができ、ステージ２７０のＸ移動部２７１を
移動させて、それぞれ使用することができ、長い時間の
連続成膜を可能としている。また、ステージ２７０は、
ＸＹ移動ステージで、Ｘ移動部２７１とＹ移動部２７２
とからなり、Ｙ移動部２７２の移動により、るつぼ１４
０と、その下の磁石（アノード磁石）１９０とを一緒に
移動できる。

【００１７】変形例としては、プラズマビームをシート
化し大面積基板への成膜を行う装置が考えられるが、ビ
ーム幅が広くなる分ビーム間の干渉は大きくなるため、
シート化ビームを使用するチャンバーではガン間距離は
シード幅に合わせさらに広くする。例えば、シート幅が
１０ｃｍの場合、ガン間距離を１０ｃｍさらに広げる。

【００１８】

【発明の効果】本発明は、上記のように、圧力勾配型ホ
ローカソード型イオンプレーテイング装置で、チャンバ
ーの一部の側壁側スペースでの異常放電の問題、多源ホ
ローカソード型イオンプレーテイング装置における各プ
ラズマガンから発生されるプラズマビームの互いの干渉
による悪影響の問題を解決できる装置の提供を可能とし
た。そしてまた、成膜の制御がし易く、且つ、蒸発粒子
の効率利用ができる装置の提供を可能とした。結果、液
晶表示装置（ＬＣＤ）や、プラズマディスプレイ装置
（ＰＤＰ）等のディスプレイ用大型基板への透明導電性
膜ＩＴＯやＭｇＯ膜の成膜を量産レベルで実施できるよ
うになった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の圧力勾配型ホローカソード型イオンプ
レーテイング装置の実施の形態の１例の概略構成図

【図２】プラズマガンとチャンバーの相対位置関係を示
した図

【図３】電子のドリフトを説明するための図

【図４】ねじれ量Ｓ０および蒸発粒子の方向を説明する
ための図

【図５】圧力勾配型ホローカソード型イオンプレーテイ
ング装置を説明するための図

【符号の説明】

１００圧力勾配型ホローカソード型イオ
ンプレーテイング装置１１０プラズマガン１２０収束コイル１３０磁石１４０るつぼ１６０チャンバー１６５側壁１７０ブラズマビーム１８０蒸発物質１９０磁石（アノード磁石）２１０基板２２０テーブル２３０、２３５クライオポンプ２４０搬送ロール２５１、２５２チャンバー２５５仕切り部２６０調整用板（シャッター）２７０ステージ２７１Ｘ移動部２７２Ｙ移動部４１０ブラズマガン４４０るつぼ４４５蒸発粒子４５０処理基板４６０チャンバー４６５Ａ、４６５Ｂ側壁４６７Ａ、４６７Ｂスペース４７０ビーム４８０アノード磁石４９０移動部（ステージ）５０１ホローカソード型イオンプレーテ
ィング装置５０２真空チャンバー５０２ａ排気孔５０２ｂ反応ガス供給口５０３陽極（ハース）５０４基材ホルダー５０５ブラズマガン５０６陰極５０７中間電極５０８収束コイル５０９永久磁石５１１蒸発源５１２基材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧力勾配型ホローカソード型イオンプレ
ーティング装置であって、チャンバー部は、プラズマビ
ームの自己磁場による、進行方向に対してのねじれを考
慮して設計されたもので、チャンバーのプラズマビーム
のビームがねじれて行く方向側の、チャンバーの側壁
と、ねじれを考慮しない場合の該側壁側のプラズマビー
ム位置とのスペースを、チャンバーのプラズマビームの
ビームがねじれて行く方向とは反対側の、チャンバーの
側壁と、ねじれを考慮しない場合の該側壁側のプラズマ
ビーム位置とのスペースに比べ、大きくしたことを特徴
とする圧力勾配型ホローカソード型イオンプレーテイン
グ装置。
【請求項２】請求項１において、複数個のプラズマガ
ンを備えてプラズマの発生源を多源としたもので、各プ
ラズマガンから発生させるプラズマビームの自己磁場を
考慮して、各プラズマガンから発生させるプラズマビー
ムの、他のプラズマビームによる磁場が互いに所定値内
となるように、各プラズマガンから発生されるプラズマ
ビームの間隔を制御したものであることを特徴とする圧
力勾配型ホローカソード型イオンプレーテイング装置。
【請求項３】請求項１ないし２において、るつぼおよ
びその下のアノード磁石を、プラズマガンからのビーム
の進行方向に直交する方向に移動する移動部を備えてい
ることを特徴とする圧力勾配型ホローカソード型イオン
プレーテイング装置。