KR100684736B1 - 성막 장치 - Google Patents

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이주화
김영각
이강일
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Abstract

본 발명의 성막 장치는, 플라즈마 빔을 성막 소스에 조사하여 이 성막 소스를 기판에 증착시킴에 있어서, 성막 분포의 균일도 및 증착 효율을 향상시키는 것으로서, 진공챔버, 상기 진공챔버에 내장되어 성막 소스를 수납하는 하스(hearth), 상기 진공챔버에 설치되어 상기 진공챔버 내부로 플라즈마 빔을 조사하는 플라즈마 건, 및 상기 플라즈마 건의 전방이고 상기 진공챔버 내에 설치되는 스프릿 마그네트로 구성된다.
MgO, 성막, 스프릿, 마그네트, 하스, 플라즈마 빔

Description

성막 장치 {FILM FORMING APPARATUS}
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 MgO 성막 장치의 개략적인 평면도이다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 MgO 성막 장치의 개략적인 측면도이다.
도3은 하전 입자의 자기력선을 따라 회전 운동하는 상태의 사시도이다.
도4는 마주하는 스프릿 마그네트들 사이에서 자기력선이 분할되는 작용 상태도이다.
도5는 도4의 자기력선에 의하여 플라즈마 빔이 분할되는 작용 상태도이다.
도6은 스프릿 마그네트가 없는 경우 자기장과 플라즈마 빔의 운동 상태의 평면도이다.
도7은 스프릿 마그네트가 있는 경우 자기장가 플라즈마 빔의 운동 상태의 평면도이다.
도8은 도7의 단면도이다.
도9는 증발원이 1개인 경우 증착 상태도이다.
도10은 증발원이 2개인 경우 증착 상태도이다.
본 발명은 성막 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 빔을 사용하여 증착 효율과 성막 분포의 균일성을 향상시키는 성막 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 플라즈마 디스플레이 패널은 가스방전현상을 이용하여 화상을 표시하며, 표시용량, 휘도, 콘트라스트, 잔상, 시야각 등의 우수한 표시능력을 가지고 있다. 이 플라즈마 디스플레이 패널은 전면기판과 배면기판 사이에 방전셀을 구비하고, 이 방전셀에 방전가스를 충전하여, 양 기판을 상호 봉입하여 형성된다. 이 플라즈마 디스플레이 패널의 일례로써, 3전극 면방전 플라즈마 디스플레이 패널을 예로 들어 설명하면, 방전셀에 대응하도록 전면기판에 표시전극들을 구비하고 이 표시전극들을 유전층으로 덮고 있다. 이 유전층을 플라즈마 방전으로부터 보호하고 이차전자방출계수를 증대시키기 위하여, 이 유전층에는 보호막, 즉 일례로 MgO 막이 형성되어 있다.
이와 같이, 기판에 막을 형성하기 위하여, 성막 장치가 사용되고 있다. 이 성막 장치의 일례로서, 기판에 MgO을 성막하는 장치를 예로 들어 설명할 수 있다. 이 MgO 성막 장치는 일본공개특허공보 2000-17431호(200.1.18 공개)에 의하면, 접지되는 진공챔버, 이 진공챔버 내의 하측에 구비되어 MgO를 수납하는 하스(hearth), MgO에 조사되는 플라즈마 빔을 발생시켜 진공챔버 안으로 향하게 하도록 진공챔버에 구비되는 플라즈마 건(gun), 이 건에 의하여 생성한 플라즈마 빔에 자기장을 가하여 플라즈마 빔의 궤도나 형상 또는 궤도와 형상을 제어하여 하스 내의 MgO에 조사시키는 영구자석과 집속 코일, 및 진공챔버 안의 플라즈마 건에서 플라즈마 빔의 외주를 둘러싸고 설치되며 MgO에 조사된 플라즈마 빔이 생기는 반사 전 자의 흐름이 귀환하는 전자 귀환 전극을 구비한다.
따라서, 이 성막 장치는 플라즈마 빔으로 MgO를 증발시켜, 진공챔버 내의 MgO 하스 상방에 구비되는 기판에 MgO를 성막한다. 이 성막 장치는 플라즈마 건에서 생성한 플라즈마 빔을 영구자석과 집속 코일로 제어하여, 하스 내의 MgO(증착원)에 유도하므로 플라즈마 빔은 한 부분에서만 MgO를 증발시킨다(도6 참조). 따라서 MgO가 하스 내의 한 부분에서만 증발되어 이 부분에 대응하는 기판에 성막 되므로, 기판 전체를 볼 때, 성막 분포의 균일도가 떨어지고, 또한 증착 효율이 낮게 나타난다(도9 참조).
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 플라즈마 빔을 성막 소스에 조사하여 이 성막 소스를 기판에 증착시킴에 있어서, 성막 분포의 균일도 및 증착 효율을 향상시키는 성막 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 성막 장치는, 진공챔버, 상기 진공챔버에 내장되어 성막 소스를 수납하는 하스(hearth), 상기 진공챔버에 설치되어 상기 진공챔버 내부로 플라즈마 빔을 조사하는 플라즈마 건, 및 상기 플라즈마 건의 전방이고 상기 진공챔버 내에 설치되는 스프릿 마그네트를 포함한다.
이때, 상기 성막 소스는 MgO로 이루어질 수 있다.
상기 스프릿 마그네트는 상기 진공챔버의 내부에서 상기 플라즈마 빔이 향하는 가상의 직선에서 그 하측에 구비되는 제1 스프릿 마그네트와, 상기 가상의 직선에서 그 상측에 제1 스프릿 마그네트에 대향하여 구비되는 제2 스프릿 마그네트를 포함할 수 있다.
상기 제1 스프릿 마그네트와 상기 제2 스프릿 마그네트는 대향 면이 동일 극성으로 이루어질 수 있다.
상기 제1 스프릿 마그네트는 상기 진공챔버의 상 방향으로 향하는 평면을 포함할 수 있다.
상기 제2 스프릿 마그네트는 상기 진공챔버의 하 방향으로 향하는 평면을 포함할 수 있다.
상기 제1 스프릿 마그네트는 직육면체 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 스프릿 마그네트는 직육면체 형상을 가질 수 있다.
상기 진공챔버의 평면 방향에서, 상기 제1 스프릿 마그네트는 상기 플라즈마 빔의 조사 방향의 거리(SP1)가 이에 교차하는 방향의 거리(SP2)보다 크게 형성될 수 있다.
상기 진공챔버의 평면 방향에서, 상기 제2 스프릿 마그네트는 상기 플라즈마 빔의 조사 방향의 거리(SP3)가 이에 교차하는 방향의 거리(SP4)보다 크게 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 성막 장치는, 상기 플라즈마 빔이 향하는 방향을 따라 상기 플라즈마 건과 상기 스프릿 마그네트 사이에 구비되는 시트 마그네트를 포함할 수 있다.
상기 시트 마그네트는 상기 플라즈마 건이 설치되는 상기 진공챔버의 외부에 구비될 수 있다.
상기 시트 마그네트는 상기 진공챔버의 외부에서 상기 플라즈마 빔이 향하는 가상의 직선에서 그 하측에 구비되는 제1 시트 마그네트와, 상기 가상의 직선에서 그 상측에 제1 시트 마그네트에 대향하여 구비되는 제2 시트 마그네트를 포함할 수 있다.
상기 제1 시트 마그네트와 상기 제2 시트 마그네트는 대향 면이 동일 극성으로 이루어질 수 있다.
상기 제1 시트 마그네트는 상기 진공챔버의 상 방향으로 향하는 평면을 포함할 수 있다.
상기 제2 시트 마그네트는 상기 진공챔버의 하 방향으로 향하는 평면을 포함할 수 있다.
상기 제1 시트 마그네트는 직육면체 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 시트 마그네트는 직육면체 형상을 가질 수 있다.
상기 진공챔버의 평면 방향에서, 상기 제1 시트 마그네트는, 상기 플라즈마 빔의 조사 방향의 거리(S1)가 이에 교차하는 방향의 거리(S2)보다 크게 형성될 수 있다.
상기 진공챔버의 평면 방향에서, 상기 제2 시트 마그네트는, 상기 플라즈마 빔의 조사 방향의 거리(S3)가 이에 교차하는 방향의 거리(S4)보다 크게 형성될 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한 다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 MgO 성막 장치의 개략적인 평면도이고, 도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 MgO 성막 장치의 개략적인 측면도이다.
성막 장치는 다양한 성막 소스를 사용하여 그 대상물에 증착하여 막을 형성하도록 구성될 수 있다. 본 실시예에서는 플라즈마 디스플레이 패널의 글라스 기판에 MgO를 성막하는 MgO 성막 장치를 예로 들어 설명한다.
이 성막 장치는 진공을 형성하는 진공챔버(10)와 이 진공챔버(10)에 내장되어 성막 소스(21, 이하, "MgO"라 한다)를 수납하는 하스(hearth)(20), 플라즈마 건(30), 및 스프릿 마그네트(40)를 포함하여, 진공챔버(10) 내부로 투입되는 기판(50)에 MgO(21)를 성막한다.
이 진공챔버(10)는 별도로 구비되는 진공펌프(미도시)에 의하여 내부를 진공 상태로 형성한다. 이 진공챔버(10)는 투입되는 기판(50)의 하면(도2에서)에 증발되는 MgO(21)를 성막하는 공간을 형성한다.
이 진공챔버(10)의 내부로 기판(50)을 반송하는 설비는 다양하게 구성될 수 있고, 이 설비에 공지의 설비가 사용될 수 있는 바, 여기에서 기판(50)의 반송을 위한 설비에 대한 구체적인 설명을 생략한다.
MgO(21)는 기판(50)의 하면에 성막될 성막 소스로써, 일례를 들면, 플라즈마 디스플레이 패널의 전면을 형성하는 기판(50)에 성막되어 보호막으로 작용한다. 따라서 MgO(21)는 기판(50)에 대하여 균일한 성막 분포를 형성하는 것이 좋다.
이와 같이 기판(50)에 성막될 MgO(21)는 기판(50)의 하방에 배치되는 하스 (20)에 수납된다.
이 하스(20)에 수납된 MgO(21)를 증발시켜 기판(50)에 성막하기 위하여 플라즈마 건(30)이 진공챔버(10)에 구비된다. 이 플라즈마 건(30)은 진공챔버(10)의 외부에 설치되어 진공챔버(10) 내부로 플라즈마 빔(PB)을 조사할 수 있도록 구성된다.
이를 보다 구체적으로 설명하면, 이 진공챔버(10)는 그 측방에 입구(11)를 구비하고, 플라즈마 건(30)은 이 입구(11)에 설치된다. 따라서 플라즈마 빔(PB)은 하스(20)에 수납된 MgO(21)를 향하여 플라즈마 빔(PB)을 조사할 수 있게 된다. 이 플라즈마 건(30)의 일례로써 압력 균배형 플라즈마 건을 들 수 있다.
이와 같은 성막 장치에서, 플라즈마 건(30)은 전원의 마이너스 축에 접속되는 환상의 음극(31)과, 전원의 플러스 측에 접속되는 환상의 중간 전극(32)을 구비한다. 그리고 진공챔버(10)는 접지된다. 이 플라즈마 건(30)은 음극(31)으로부터 공급되는 방전가스를 플라즈마 상태로 변화시켜, 중간 전극(32)을 통하여 형성되는 플라즈마 빔(PB)을 진공챔버(10)의 내부로 조사한다. 이때 플라즈마 빔(PB)은 가상의 직선(L) 방향을 향하게 된다.
또한, 플라즈마 건(30)이 설치되는 상기 진공챔버(10)의 입구(11)의 외측에는 집속 코일(33)이 구비된다. 이 집속 코일(33)은 자기장을 이용하여 플라즈마 빔(PB)의 궤도 또는 형상, 또는 궤도와 형상을 제어한다.
이렇게 제어된 플라즈마 빔(PB)은 하스(20)의 하측에 구비되는 영구자석(22)에 의하여 하스(20)에 수납되는 MgO(21)에 작용하여, MgO(21)를 증발시킨다. 이렇 게 증발되는 MgO(21)는 이 하스(20)의 상방에 위치하는 기판(50)의 하면에 증착된다.
또한, 성막 장치는 플라즈마 빔(PB)을 조사하는 플라즈마 건(30)의 선단에 전자 귀환 전극(34)을 구비한다. MgO(21)에 조사된 플라즈마 빔(PB)에 의하여 생기는 반사 전자의 흐름이 이 전자 귀환 전극(34)으로 귀환하므로, 이 반사 전자 흐름이 진공챔버(10)로 접지 귀환하는 것을 방지한다.
이 실시예의 성막 장치는 플라즈마 건(30)에서 조사되는 플라즈마 빔(PB)을 보다 효과적으로 유도하여 MgO(21)에 작용시키도록 상기한 스프릿 마그네트(40)를 플라즈마 건(30)과 하스(20) 사이에 구비한다. 또한, 이 성막 장치는 스프릿 마그네트(40)와 플라즈마 건(30) 사이에 시트 마그네트(60)를 더 구비할 수 있다.
편의상, 플라즈마 건(30)에서 조사되는 플라즈마 빔(PB)이 제어되는 순서대로 설명하기 위하여, 시트 마그네트(60)를 먼저 설명하고, 이 시트 마그네트(60)에서 제어된 플라즈마 빔(PB)을 제어하는 스프릿 마그네트(40)에 대하여 설명한다.
구체적으로 보면, 시트 마그네트(60)는 플라즈마 빔(PB)이 향하는 방향(도면에서 x축 방향)을 따라 플라즈마 건(30)과 스프릿 마그네트(40) 사이에 구비된다. 이 시트 마그네트(60)는 진공챔버(10)의 외부 즉, 플라즈마 건(30)이 설치되는 입구(11)의 외부에 설치될 수 있다.
이 시트 마그네트(30)는 플라즈마 빔(PB)을 진공챔버(10)의 상하 방향(z축 방향)으로 눌러 평평한(x-y 평면에 대하여) 형상으로 변화시킨다. 이 플라즈마 빔(PB)의 평면화를 보다 효과적으로 수행하기 위하여, 일례로써, 제1 시트 마그네트 (60a)와 제2 시트 마그네트(60b)로 구성되는 것을 들 수 있다.
제1 시트 마그네트(60a)는 플라즈마 빔(PB)이 향하는 가상의 직선(L)에서 그 하측(z축 방향에 대하여)에 구비된다(도2 참조). 제2 시트 마그네트(60b)는 가상의 직선(L)에서 그 상측에 구비되며, 제1 시트 마그네트(60a)에 대향한다.
이 제1 시트 마그네트(60a)와 제2 시트 마그네트(60a)는 서로 대향 면을 가지며, 그 대향 면은 동일 극성, 즉 같은 자성을 가진다. 따라서 제1 시트 마그네트(60a)와 제2 시트 마그네트(60b)의 대향 면 사이에서는 상호 척력의 자기장이 형성된다.
따라서, 제1 시트 마그네트(60a)는 진공챔버(10)의 상 방향(z축 방향)으로 향하는 평면을 가지게 되고, 제2 시트 마그네트(60b)는 진공챔버(10)의 하 방향(z축 방향)으로 향하는 평면을 가지게 된다.
또한, 제1 시트 마그네트(60a)와 제2 시트 마그네트(60b)는 각각 직육면체 형상으로 형성되어, 실질적으로 동일한 세기의 자기장을 형성할 수 있게 한다. 이로써 플라즈마 빔(PB)은 상기의 직선(L) 상에서 x-y 평면 방향으로 평평하게 형성된다.
또한, 진공챔버(10)의 평면 방향(x-y 평면 방향)에서, 제1 시트 마그네트(60a)는 플라즈마 빔(PB)의 조사 방향의 거리(S1)가 이에 교차하는 방향의 거리(S2)보다 크게 형성되고, 제2 시트 마그네트(60b)는 플라즈마 빔(PB)의 조사 방향의 거리(S3)가 이에 교차하는 방향의 거리(S4)보다 크게 형성된다. 이로써, 플라즈마 빔(PB)은 x-y 평면상에서 y축 방향으로 보다 넓게 형성된다.
한편, 스프릿 마그네트(40)는 플라즈마 빔(PB)의 조사 방향을 따라 플라즈마 건(30)의 전방이면서 진공챔버(10) 내에 설치된다. 시트 마그네트(60)는 플라즈마 빔(PB)을 x-y 평면 방향으로 평평하게 하기 위하여, 진공챔버(10)의 외부, 즉 입구(11)의 외부에 구비되지만, 스프릿 마그네트(40)는 평평하게 변화된 플라즈마 빔(PB)을 분리하도록 x축 방향을 따라 시트 마그네트(60)를 지난 위치의 진공챔버(10) 내부에 구비된다.
이 플라즈마 빔(PB)의 분할에 대해서는 도3 내지 도5를 참조하여 설명한다. 이 플라즈마 빔(PB)을 형성하는 하전 입자(e)는 자기력선(ML)을 따라 회전하면서 운동한다. 자기력선(ML)이 하전 입자들(e)의 운동 방향을 결정하게 되므로 자기장의 설계에 따라 하전 입자들(e)의 운동을 제어할 수 있다.
플라즈마 빔(PB)을 분할하기 위하여, 먼저 자기력선(ML)을 분할하여야 한다. 이를 위하여 도4에 도시된 바와 같이 스프릿 마그네트(40)의 형상을 결정하고, 자기장의 세기를 결정하면, 도5에 도시된 바와 같이 자기력선(ML)이 제1 자기력선(ML1)과 제2 자기력선(ML2)으로 분할된다.
도6은 스프릿 마그네트(40)를 구비하지 않은 상태로서 플라즈마 빔(PB)이 분리되지 않는 상태를 나타내며, 도7 및 도8은 스프릿 마그네트(40)를 구비한 상태로서 플라즈마 빔(PB)이 제1 플라즈마 빔(PB1)과 제2 플라즈마 빔(PB2)으로 분리되는 상태를 나타내고 있다.
이를 구현하기 위하여 스프릿 마그네트(40)의 일례를 구체적으로 설명하면, 제1 스프릿 마그네트(40a)와 제2 스프릿 마그네트(40b)로 구성되는 것을 들 수 있 다.
제1 스프릿 마그네트(40a)는 진공챔버(10)의 내부에서 플라즈마 빔(PB)이 향하는 가상의 직선(L)에서 그 하측에 구비된다. 제2 스프릿 마그네트(40b)는 가상의 직선(L)에서 그 상측에 구비되어, 가상의 직선(L)을 사이에 두고 제1 스프릿 마그네트(40a)에 대향하여 구비된다.
이 제1 스프릿 마그네트(40a)와 제2 스프릿 마그네트(40b)는 상기한 제1 시트 마그네트(60a)와 제2 시트 마그네트(60b)처럼, 서로 대향 면을 가지며, 그 대향 면은 동일 극성, 즉 같은 자성을 가진다. 따라서 제1 스프릿 마그네트(40a)와 제2 스프릿 마그네트(40b)의 대향 면 사이에서는 상호 척력의 자기장이 형성된다(도4 참조).
따라서, 제1 스프릿 마그네트(40a)는 진공챔버(10)의 상 방향(z축 방향)으로 향하는 평면을 가지게 되고, 제2 스프릿 마그네트(40b)는 진공챔버(10)의 하 방향(z축 방향)으로 향하는 평면을 가지게 된다.
또한, 제1 스프릿 마그네트(40a)와 제2 스프릿 마그네트(40b)는 각각 직육면체 형상으로 형성되어, 실질적으로 동일한 세기의 자기장을 형성할 수 있게 된다. 이로써 플라즈마 빔(PB)은 상기의 직선(L) 상에서 x-y 평면 방향에서 x축 방향으로 분할된다(도5 참조)
또한, 진공챔버(10)의 평면 방향(x-y 평면 방향)에서, 상기 제1 스프릿 마그네트(40a)는 플라즈마 빔(PB)의 조사 방향의 거리(SP1)가 이에 교차하는 방향의 거리(SP2)보다 크게 형성되고, 제2 스프릿 마그네트(40b)는 플라즈마 빔(PB)의 조사 방향의 거리(SP3)가 이에 교차하는 방향의 거리(SP4)보다 크게 형성된다. 이로써, 플라즈마 빔(PB)은 x-y 평면상에서 x축 방향을 따라 보다 멀어지게 분할된다.
이와 같이, 플라즈마 건(30)에서 조사되는 플라즈마 빔(PB)은 시트 마그네트(30)에 의하여 x-y 평면 방향으로 평평하게 형성된다. 이렇게 평평하게 된 플라즈마 빔(PB)은 도6에서와 같이 스프릿 마그네트(40)를 구비하지 않는 경우 분리되지 않는 상태와 비교할 때, 스프릿 마그네트(40)를 구비함으로써 이를 기준으로 하여 x축 방향 양쪽의 제1 플라즈마 빔(PB1)과 제2 플라즈마 빔(PB2)으로 분할되는 것을 알 수 있다.
따라서, 도9에 도시된 바와 같이 분리되지 않는, 즉 증발원이 1개인 도6의 플라즈마 빔(PB)으로 MgO(21)를 기판(50)에 증착하는 경우, 성막(23a)이 기판(50)의 중심에 집중되어 성막 균일도가 낮은 것과 비교할 때, 도10에 도시된 바와 같이 제1 플라즈마 빔(PB1)과 제2 플라즈마 빔(PB2)으로 분리되는, 즉 증발원인 2개인 도7 및 도8의 제1 플라즈마 빔(PB1)과 제2 플라즈마 빔(PB2)으로 MgO(21)를 기판(50)에 증착하는 경우, 성막(23b)이 기판(50)의 중심에서 x축 방향 양측으로 넓게 퍼져, 성막 균일도가 높아 증착 효율이 향상되는 것을 알 수 있다.
한편, 이와 같이 증발원을 다중으로 하여 증발원의 개수를 증가시키는 경우, 스프릿 마그네트(40)와 플라즈마 건(30) 사이에 자기장의 간섭이 생기므로 이들 사이의 간격을 줄이는데 한계가 있다.
이로 인하여, 증발원의 개수를 증가시켜 성막의 균일도를 향상시키기는 어렵지만, 한 개의 플라즈마 건(30)으로 2개의 증발원을 만드는 경우, 제1 스프릿 마그 네트(40a)와 제2 스프릿 마그네트(40b) 사이의 간격(z축 방향)을 변경시킴으로써, 제1 플라즈마 빔(PB1)과 제2 플라즈마 빔(PB2)의 2개 증발원 사이 간격을 조절하여, 기판(50)에 증착되는 MgO 막의 균일도를 향상시킬 수 있다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 성막 장치에 의하면, 진공챔버의 입구에 시트 마그네트를 구비하여 플라즈마 건에서 조사되는 플라즈마 빔을 1차로 평평하게 형성하고, 시트 마그네트와 하스 사이에 스프릿 마그네트를 구비하여 평평하게 형성된 플라즈마 빔을 양측으로 분할하여 MgO에 작용시켜, 증발원을 2개로 하여 기판에 MgO를 증착하여 성막함으로써, 성막 효율 및 성막 분포도가 균일하게 형성되는 효과가 있다.

Claims (20)

  1. 진공챔버;
    상기 진공챔버에 내장되어 성막 소스를 수납하는 하스(hearth);
    상기 진공챔버에 설치되어 상기 진공챔버 내부의 상기 하스로 플라즈마 빔을 조사하는 플라즈마 건;
    상기 플라즈마 건의 전방에 설치되고 상기 플라즈마 건으로부터 조사된 상기 플라즈마 빔을 편평화하도록 자기장을 형성하는 시트 마그네트; 및
    상기 시트 마그네트의 전방이고 상기 진공챔버 내에 설치되며, 상기 시트 마그네트를 통해 편평화된 상기 플라즈마 빔을 분할하도록 자기장을 형성하는 스프릿 마그네트를 포함하는 성막 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 성막 소스는 MgO로 이루어지는 성막 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 스프릿 마그네트는 상기 진공챔버의 내부에서 상기 플라즈마 빔이 향하는 가상의 직선에서 그 하측에 구비되는 제1 스프릿 마그네트와,
    상기 가상의 직선에서 그 상측에 제1 스프릿 마그네트에 대향하여 구비되는 제2 스프릿 마그네트를 포함하는 성막 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 스프릿 마그네트와 상기 제2 스프릿 마그네트는 대향 면이 동일 극 성으로 이루어지는 성막 장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 스프릿 마그네트는 상기 진공챔버의 상 방향으로 향하는 평면을 포함하는 성막 장치.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 스프릿 마그네트는 상기 진공챔버의 하 방향으로 향하는 평면을 포함하는 성막 장치.
  7. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 스프릿 마그네트는 직육면체 형상을 가지는 성막 장치.
  8. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 스프릿 마그네트는 직육면체 형상을 가지는 성막 장치.
  9. 제3 항에 있어서,
    상기 진공챔버의 평면 방향에서, 상기 제1 스프릿 마그네트는,
    상기 플라즈마 빔의 조사 방향의 거리(SP1)가 이에 교차하는 방향의 거리(SP2)보다 크게 형성되는 성막 장치.
  10. 제3 항에 있어서,
    상기 진공챔버의 평면 방향에서, 상기 제2 스프릿 마그네트는,
    상기 플라즈마 빔의 조사 방향의 거리(SP3)가 이에 교차하는 방향의 거리(SP4)보다 크게 형성되는 성막 장치.
  11. 삭제
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 시트 마그네트는 상기 플라즈마 건이 설치되는 상기 진공챔버의 외부에 구비되는 성막 장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 시트 마그네트는 상기 진공챔버의 외부에서 상기 플라즈마 빔이 향하는 가상의 직선에서 그 하측에 구비되는 제1 시트 마그네트와,
    상기 가상의 직선에서 그 상측에 제1 시트 마그네트에 대향하여 구비되는 제2 시트 마그네트를 포함하는 성막 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 시트 마그네트와 상기 제2 시트 마그네트는 대향 면이 동일 극성으로 이루어지는 성막 장치.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 시트 마그네트는 상기 진공챔버의 상 방향으로 향하는 평면을 포함하는 성막 장치.
  16. 제13 항에 있어서,
    상기 제2 시트 마그네트는 상기 진공챔버의 하 방향으로 향하는 평면을 포함하는 성막 장치.
  17. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 시트 마그네트는 직육면체 형상을 가지는 성막 장치.
  18. 제13 항에 있어서,
    상기 제2 시트 마그네트는 직육면체 형상을 가지는 성막 장치.
  19. 제13 항에 있어서,
    상기 진공챔버의 평면 방향에서, 상기 제1 시트 마그네트는,
    상기 플라즈마 빔의 조사 방향의 거리(S1)가 이에 교차하는 방향의 거리(S2)보다 크게 형성되는 성막 장치.
  20. 제13 항에 있어서,
    상기 진공챔버의 평면 방향에서, 상기 제2 시트 마그네트는,
    상기 플라즈마 빔의 조사 방향의 거리(S3)가 이에 교차하는 방향의 거리(S4)보다 크게 형성되는 성막 장치.
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