JP3685670B2 - Dcスパッタリング装置 - Google Patents
Dcスパッタリング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3685670B2 JP3685670B2 JP34463199A JP34463199A JP3685670B2 JP 3685670 B2 JP3685670 B2 JP 3685670B2 JP 34463199 A JP34463199 A JP 34463199A JP 34463199 A JP34463199 A JP 34463199A JP 3685670 B2 JP3685670 B2 JP 3685670B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- anode
- gas
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、直流(DC)プラズマ放電を用いた反応性スパッタリングにより、特に絶縁膜を成膜するのに適したDCスパッタリング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
スパッタリングによる薄膜の形成法は、基板上へ所定の材料物質からなる薄膜を蒸着するために広く用いられる技術である。直流スパッタリング(DCスパッタリング)装置は、原理的には一対のカソードとアノードからなるグロー放電管構造で構成されている。
【0003】
最近の直流スパッタリング装置は、マグネトロンスパッタリング方式を採用しているものが多い。図3に従来から使用されているマグネトロンスパッタリング装置の一例を示し、これの構造とスパッタリング膜形成工程について説明する。1は真空に排気する事ができるチャンバー(真空容器)であり、チャンバー1内には薄膜を形成すべき基板9が、ウエハリフト10により保持されている。一方、基板9に対向してスパッタされる薄膜材料物質から構成されたターゲット5が設置されている。
【0004】
まず、真空ポンプ2を用いてチャンバー1内の余分な大気を排気した後、スパッタリングガス源3より導入されるアルゴンガスにより、チャンバ1内を数mTorrのアルゴン雰囲気に保つ。アノードとして作用するアースシールド8と、カソードとして作用するターゲット5およびターゲットホルダー7間に、数kVの直流電圧をDC電源12により印加すると、アルゴンガスのグロー放電が発生する。なお、アースシールド8とターゲットホルダー7は、絶縁スペーサー11により電気的に絶縁されている。このグロー放電により、アースシールド8とターゲット5およびそれを支持するターゲットホルダー7との間に電場が生じる。さらにターゲット5の裏面には、永久磁石6が配置されているので、ターゲット5表面に電場と概ね直交する方向に直行磁界が発生する。この電場と磁界の中で浮遊電子がサイクロイド運動をして加速され、アルゴンに衝突してチャンバ1内で十分に低い圧力に保たれたアルゴンガスをイオン化し、プラズマ放電を形成する。
【0005】
このプラスマ中のアルゴン正イオンが、カソードであるターゲット5近傍の陰極電位降下で加速されてターゲット5表面に衝突し、ターゲット5表面をスパッタしターゲット材料原子を蒸発させる。この原子はターゲット5表面からあらゆる方向に放射される。これらの原子はほぼ中性であることと質量が電子に比べて非常に大きいことのため、その進路は直線であり、電場や磁場による影響を受けない。これらは、図3のようにターゲット5と対向して基板9が設置されている場合はほとんどが直線的にいかなる基板9表面にも入射蒸着し被覆する。
【0006】
放出された原子のうちあるものは基板9表面に沈着して、ターゲット材料物質からなる薄膜が形成される。ガス状の、ターゲット材料以外の他の化学種を、反応性ガス源4よりスパッタリングチャンバ1内に導入することにより、ターゲット物質と他の化学種との結合物の蒸着膜を基板9上につくることができる。こうした過程は、反応性スパッタリングとして知られている。ターゲット物質と反応性ガス種との化学結合物はチャンバ1の内壁面や、もしくはターゲット周辺の治具表面においても、基板9の表面よりは遙かに少ないが堆積される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
所望の薄膜が金属酸化膜のような電気的絶縁物質の場合、例えば、タンタルターゲットからタンタルをスパッタさせ、チャンバ1内にアルゴンとともに導入した酸素と反応させ、所望の組成のタンタルオキサイド膜を基板9上に形成する場合、スパッタリング装置内部の基板9以外の他の部分への当該物質の蓄積が起こる問題が、従来技術において認識されている。特に、図3におけるターゲット5周辺に配置されたアノードであるアースシールド8への絶縁膜の蓄積は、アースシールド近傍のプラズマ電荷量をほぼ定常状態に保つため、すなわち電荷のバランスを維持するために必要な、アースシールド8のプラズマからの電子除去能力に対して障害となる。
【0008】
このことは、プラズマを不安定にし、成膜工程の制御に対しても障害となる。そのため、絶縁膜を成膜する際には、従来から高周波スパッタリング(RFスパッタリング)が用いられている。しかし、RFスパッタリングは、DCスパッタリングに比べて基板上への成長速度など成膜効率が低く、膜厚・膜質の制御性が悪く、またチャンバ構造が複雑になる上、より高価な電源も必要となっていた。
【0009】
この発明は、DCスパッタリングにおける上記の課題を解決し、RFスパッタリングに比べて、簡単なチャンバ及び安価な電源の使用が可能で、しかもより高速で、膜厚・膜質の制御性が良く成膜が可能なDCスパッタリングの利点を活かすことのできる、絶縁膜のスパッタリング蒸着に適したDCスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明のDCスパッタリング装置は、減圧可能なチャンバー内に、カソードとして作用するターゲットおよびアノードが配置され、チャンバー内にガスを導入して、ターゲットおよびアノード間にDC電圧を印加することにより、導入したガスのプラズマを発生させ、チャンバー内に配置した基板上にターゲットの材料からなる膜を堆積するように構成したDCスパッタリング装置であって、アノードが、プラズマに暴露される面に溝部を有する。
【0011】
上記構成のように、アノードに溝部を設ければ、この溝部の内部にはスパッタリングによって形成される膜が非常に堆積しにくくなり、特に絶縁膜がアノードにほとんど付着しなくなる。このことにより、アノード部の導電性表面が確保され、プラズマから十分な量の電子を誘引する能力を保つので、プラズマの電荷バランスを維持することができる。
【0012】
上記の構成のDCスパッタリング装置を、ターゲットの周辺にアノードを配置したマグネトロン型とすることができる。
【0013】
導入するガスとして、ターゲットをスパッタリングするスパッタリング用ガスと、ターゲットを構成する材料物質と結合して絶縁物質を形成することができるガスとを含むことことができる。
【0014】
上記構成におけるアノードの溝部は、その内部に拡張された空間部を有することが望ましい。それにより、アノードに対する絶縁膜の付着を抑制する効果を更に向上させることができる。
【0015】
上記の構成において、好ましくは、アノードの溝部は、ターゲットに対向するアノードの表面に略垂直に形成された垂直部を有し、拡張された空間部が、垂直部の奥において垂直部に略直交する方向に形成されている構成とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面と共に説明する。図1は本発明によるマグネトロン方式のDCスパッタリング装置の断面概略図である。本装置は、アノードとして用いられるアースシールド8’の形状が異なることを除いて、図3に示した従来例のスパッタリング装置と同様な構造となっている。
【0017】
DCスパッタリングチャンバ1は、真空排気可能な密封構造となっており、真空ポンプ2を用いて減圧される。スパッタリングガスは、スパッタリングガス源3よりチャンバ1内に導入される。スパッタリングガスは、通常アルゴンのような不活性ガスである。そして反応性スパッタリングで絶縁物などを形成する場合、反応性ガスが、反応性ガス源4よりチャンバ1内に導入される。
【0018】
チャンバ1内には、アルゴンガスなどのスパッタリング用ガスでスパッタされる材料からなるターゲット5と、それを支持するターゲットホルダー7が設置され、ターゲット5裏面には磁場を発生させる永久磁石6が配置される。ターゲットホルダー7とアースシールド8’との間は、絶縁スペーサー11で互いに電気絶縁され、気密性が保持される。DC電源12はターゲットホルダー7を負電位に維持する。
【0019】
また、9は薄膜をその表面に形成すべき基板であり、基板9はウエハリフト10に保持される。基板9とターゲット5は対向しており、その間隔は通常1cm〜10cm程度である。
【0020】
本発明のスパッタリング装置においては、アースシールド8’の表面に溝8’aが形成されていることが特徴である。スパッタリング用アルゴンと共に反応性の酸素ガスをチャンバー1内に導入して絶縁膜を形成する場合、ターゲット5表面からスパッタされた原子が酸素と結合して絶縁化合物となり、ほとんどは直線的に基板9に入射する。
【0021】
しかし、スパッタされたターゲット構成原子はアルゴンガス自体と衝突して散乱される確率があるので、原子と酸素との反応物質は基板9に到達せず、ターゲット5周囲に設置されたアースシールド8’上にも付着し、絶縁物膜が堆積する。しかしアースシールド8’には溝8’aが形成されているので、反応物質は溝8’aの内部、特にその底部まで到達することは困難となる。すなわち、溝8’aの内部には絶縁物膜がほとんど堆積せず、導電性のアースシールド表面が絶縁物膜スパッタリングを繰り返した後も維持される。
【0022】
このようにして、スパッタリング用アルゴンプラズマが連続的に発生していても、アースシールド8’に絶縁物膜による電荷蓄積(帯電)が起こらず、効果的に電子電荷を吸収するので、安定したプラズマが維持される。これにより、薄膜堆積工程の制御が、DCスパッタリングを用いた場合でも可能となる。実際には、多少アースシールド8’の溝8’a内部にも絶縁物膜は堆積されるが、膜厚が非常に薄く、また溝付近でプラズマの電位勾配も存在するので充分電流はシールドへ流れる。
【0023】
図1に示したアースシールド8’の溝8’aは単純な溝形状であるが、これに限ることはない。図2に、様々なアースシールドの断面形状を示す。図2(a)は図1のものと同一であるが、単純な溝ではなくさらに溝の底部を拡張した(b)に示す溝8’b、(c)に示す溝8’cの様な空間部を有する形状としてもよい。特に(b)、(c)の溝にすると、内部が広がっているので、(a)の場合よりもさらに溝へ入射する絶縁物質は内面に付着し難くなる。
【0024】
以上のような形状のアースシールド8’を用いることにより、絶縁被膜の蒸着を防ぎ、または蒸着量をプラズマが不安定となるような量以下に低減し、プラズマの電荷バランスを維持することができる。
【0025】
【発明の効果】
本発明によれば、マグネトロン型DCスパッタリング装置のターゲット近傍にアノードであるアースシールドを設ける場合において、アースシールド面に溝部を形成することにより、絶縁膜が付着しない部分をチャンバ内に確保することができる。したがって、アノードの電子吸収力を低下させることなくプラズマを安定に維持することが可能となる。それにより反応性ガスを用いる反応性DCスパッタリングが可能となり、簡単かつ安価な装置により所望の絶縁膜を、成膜効率が高く、膜厚・膜質の制御性が良く基板上に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態におけるDCスパッタ装置の断面概略図
【図2】 図1の装置に用いられるアースシールドの形状を示す断面図
【図3】 従来例のDCスパッタ装置の断面概略図
【符号の説明】
1 チャンバ
2 ポンプ
3 スパッタリングガス源
4 反応性ガス源
5 ターゲット
6 永久磁石
7 ターゲットホルダー
8 アースシールド
8’アースシールド
8’a、8’b、8’c 溝
9 基板
10 ウエハリフト
11 絶縁スペーサー
12 DC電源
Claims (5)
- 減圧可能なチャンバー内に、カソードとして作用するターゲットおよびアノードを配置し、前記チャンバー内にガスを導入して、前記ターゲットおよびアノード間にDC電圧を印加することにより、前記ガスのプラズマを発生させ、前記チャンバー内に配置した基板上に前記ターゲットの材料からなる膜を堆積するように構成したDCスパッタリング装置において、前記アノードが、前記プラズマに暴露される面に溝部を有することを特徴とするDCスパッタリング装置。
- 前記DCスパッタリング装置は、前記ターゲットの周辺に前記アノードを配置したマグネトロン型であることを特徴とする請求項1に記載のDCスパッタリング装置。
- 前記ガスとして、前記ターゲットをスパッタリングするスパッタリング用ガスと、前記ターゲットを構成する材料物質と結合して絶縁物質を形成することができるガスとを含むことを特徴とする請求項1または2に記載のDCスパッタリング装置。
- 前記アノードの溝部はその内部に拡張された空間部を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のDCスパッタリング装置。
- 前記アノードの溝部は、前記ターゲットに対向する前記アノードの表面に略垂直に形成された垂直部を有し、前記拡張された空間部が、前記垂直部の奥において前記垂直部に略直交する方向に形成されていることを特徴とする請求項4に記載のDCスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34463199A JP3685670B2 (ja) | 1999-12-03 | 1999-12-03 | Dcスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34463199A JP3685670B2 (ja) | 1999-12-03 | 1999-12-03 | Dcスパッタリング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001164360A JP2001164360A (ja) | 2001-06-19 |
JP3685670B2 true JP3685670B2 (ja) | 2005-08-24 |
Family
ID=18370765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34463199A Expired - Fee Related JP3685670B2 (ja) | 1999-12-03 | 1999-12-03 | Dcスパッタリング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3685670B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101310912B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-09-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시소자 및 그의 구동 방법 |
WO2008059701A1 (ja) * | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Panasonic Corporation | 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法 |
KR20100094492A (ko) | 2007-11-01 | 2010-08-26 | 오를리콘 트레이딩 아크티엔게젤샤프트, 트뤼프바흐 | 처리된 표면의 제조방법 및 진공 플라즈마 소스 |
CN103403219A (zh) * | 2011-02-25 | 2013-11-20 | 东丽株式会社 | 等离子体处理用磁控管电极 |
JP2012193410A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Japan Steel Works Ltd:The | スパッタ装置 |
JP7326106B2 (ja) | 2019-10-16 | 2023-08-15 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
-
1999
- 1999-12-03 JP JP34463199A patent/JP3685670B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001164360A (ja) | 2001-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA1321772C (en) | Apparatus for the application of thin layers to a substrate by means of cathode sputtering | |
US20110220491A1 (en) | Electron-assisted deposition | |
JP2002530531A (ja) | イオン化物理蒸着のための方法および装置 | |
US5126033A (en) | Process and apparatus for reactively coating a substrate | |
KR20110118622A (ko) | 자체 세정 애노드를 포함하는 폐쇄 드리프트 자계 이온 소스 장치와 이 장치를 사용하여 기판을 개질하는 방법 | |
US4716340A (en) | Pre-ionization aided sputter gun | |
CA1204700A (en) | Magnetron reactive bias sputtering method and apparatus | |
JP3685670B2 (ja) | Dcスパッタリング装置 | |
US5427668A (en) | Thin film deposition system | |
JP2003221666A (ja) | イオン化成膜方法及び装置 | |
JPS6176673A (ja) | スパツタリング方法 | |
JP2849771B2 (ja) | スパッタ型イオン源 | |
JP2552701B2 (ja) | イオン源 | |
JP3562595B2 (ja) | スパッタ装置 | |
JP2005281726A (ja) | プラズマ成膜方法及びその装置 | |
JPH10158830A (ja) | スパッタリング成膜方法 | |
JP2552697B2 (ja) | イオン源 | |
JP2874548B2 (ja) | アーク放電プラズマによる被膜の形成方法 | |
JPS5992995A (ja) | 高融点金属シリサイド膜の形成方法 | |
JP2602267B2 (ja) | プラズマ生成装置およびプラズマを利用した薄膜形成装置 | |
JPS63213664A (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
JP2000080470A (ja) | 偏向器を有するスパッタリング装置 | |
JPH0428867A (ja) | バイアススパッタリング方法および装置 | |
JP2001262338A (ja) | スパッタ製膜装置 | |
EP0790328A1 (en) | Thin film deposition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050516 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050526 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050531 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080610 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090610 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100610 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100610 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110610 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |