TW200823307A - Plasma film deposition system and method for producing film - Google Patents

Description

200823307 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關電漿成膜裝置，特別是關於使電漿射束 偏向而引入至蒸發材料上的型態之電漿成膜裝置。 【先前技術】 LCD(液晶顯示裝置 Liquid Crystal Display)、PDP(電 漿顯示器裝置Plasma Display Panel)及其他大畫面的顯示 器裝置用的大面積基板之透明導電膜ITO、前面板電極保 護層（例如MgO氧化鎂）及其他的薄膜形成，近年來生產 量増加。並且，隨著對面板的高精細化的要求増大，就作 爲取代電子射束（EB)蒸鍍法或濺射法的成膜法而言，離子 蒸鍍法受到注目。離子蒸鍍法不僅可以實現高成膜速率、 高密度的膜質形成、大製程範圍（process margin)，而且 還能以磁場控制電漿射束，藉此成膜於大面積基板。 在具備如此優點的離子蒸鍍法中，特別是空心陰極式 離子蒸鍍法作爲顯示器用的大面積基板之成膜用受到期 待。在空心陰極式離子蒸鍍法的成膜裝置中，是在具備空 心陰極（hoi low-cathode)及複數個電極的電漿槍中導入 Ar 氣體而產生高密度的電漿，利用磁場來使電漿射束的形 狀、軌道變化而引導至成膜室。在電漿槍所生成的電漿射 束是延伸於對電漿射束的照射方向正交的方向，通過藉由 對向彼此平行配置的永久磁石所構成的磁石來形成的磁場 中。 -5- 200823307 在此，所謂電漿射束的照射方向，是意指在圖1中， 通過電漿槍的中心，對蒸發材料接受碟的上面平行的箭號 Z的方向’電漿射束受偏向之前從電漿槍發射時的照射方 向。藉此’通過磁場的電漿射束是形成扁平擴大的薄板狀 的電漿射束。如此，可使用引入磁石在蒸發材料接受碟上 的蒸發材料（例如Mgo)的廣範圍照射電漿射束。又，藉此 可使廣範圍的蒸發材料加熱、蒸發，成膜至寬廣的基板上 (參照日本特開平9-7 823 0號公報）。 近年來，作爲取代以往的陰極射線管方式之薄型且大 畫面的顯示器裝置，LCD或PDP的需求急速増大，其生 產性的提升是當務之急。爲了對該等大畫面的顯示器裝置 用的大面積基板形成薄膜，而使用上述空心陰極式離子蒸 鍍法時，爲了提高成膜速度，而使投入蒸發源之電漿射束 的功率増加。 【發明內容】 (發明所欲解決的課題） 然而，一旦使電漿射束的投入功率増加，則所謂飛濺 (splash)的液滴狀或微細的固狀飛散物（蒸發材料）會突發 性地從電漿射束所照射的蒸發材料發生。 飛濺是在爲了提高成膜速度而使投入功率増加時其發 生量越顯著，使増大後的電漿射束的能量會集中於蒸發材 料的照射部份，所以可想像是因爲在該部份引起沸騰那樣 的現象而發生。因此，在以往的電漿成膜裝置中，一旦如 -6 - 200823307 此的飛濺所產生的飛散物附著於成膜中的基板表面，則會 堆積於已經被形成的穴、溝及其他的圖案上，成爲空孔及 其他的配線不良的原因。其結果，會有使作爲顯示器裝置 的品質顯著降低之虞。 (用以解決課題的手段） 本發明是有鑑於上述課題而硏發者，其目的是在於不 B 使成膜速度降低防止飛濺的發生。 爲了達成上述目的，本發明的電漿成膜裝置，係具. 有： • 電漿槍，其係照射電漿射束；及 • 磁石，其係將磁場適用於從該電漿槍所照射的電漿射 束，而使該電漿射束的射束剖面變形成大略長方形或橢圓 形狀， 其特徵爲： # 具備複數個引入磁石單元，其係使上述射束剖面被變 形的電漿射束偏向，而使該偏向的電漿射束照射於被照射 體， 在上述引入磁石單元配置有：被配置於上述被照射體 的背面側的第1磁石、及與上述第1磁石同磁極的第2磁 石，且上述第1磁石與上述第2磁石會在互相分開的狀態 下並置。 又，本發明的電漿成膜裝置中，上述第1磁石與上述 第2磁石係沿著上述電漿射束的照射方向而並置。 200823307 又，本發明的電漿成膜裝置中，上述第1磁石與上述 第2磁石係隔著軛而並置。 又，本發明的電漿成膜裝置中，上述第1磁石及上述 第2磁石係隔著配置於上述被照射體的背面側之與上述第 1磁石及上述第2磁石相異磁極的第3磁石來並置。 又，本發明的電漿成膜裝置中，上述第1磁石或上述 第2磁石中，配置於離上述電漿槍最遠的位置之磁石會使 產生最強的磁場。 又，本發明的電漿成膜裝置中，上述第1磁石〜第3 磁石係具有四角柱的形狀。 又，本發明之膜的製法，係用以成膜於基板之膜的製 法，其特徵爲： 針對配置於可真空排氣的成膜室內的蒸發材料接受碟 中所被收容的被照射體之蒸發材料照射如申請專利範圍第 1項所記載的電漿成膜裝置所產生的電漿，而使上述蒸發 材料蒸發， 在上述成膜室內對上述蒸發材料接受碟取所定的間 隔，而成膜於在對向於上述蒸發材料接受碟的位置所配置 的基板。 若利用本發明的電漿成膜裝置，則可沿著電漿射束的 照射方向來彼此分開配置用以使電漿射束偏向的複數個磁 石，且在被照射體側形成同磁極。 其結果’可使照射於蒸發材料的電漿射束分散於廣範 圍’使電漿射束的蒸發材料上的照射面積増大。更可一面 -8- 200823307 使電漿射束的功率增大來提高成膜速度，一面使照射於每 個蒸發材料的單位面積的電漿射束的能量密度降低，藉此 可提供一種不使成膜速度降低而能夠防止飛濺的發生之電 獎成膜裝置。 本發明的其他特徴及優點，可由參照圖面之以下的説 明明確得知。另外，在圖面中，對相同或同樣的構成賦予 相同的號碼。 【實施方式】 以下，參照圖1〜圖3A-D來詳細説明本發明的實施 形態。圖1是表示本發明的實施形態之電漿成膜裝置的槪 略構成平面圖，圖2是表示本發明的實施形態之電漿成膜 裝置的槪略構成側面圖。圖3 A是表示本發明的實施形態 的引入磁石單元的槪略構成側面圖。 圖3 B是表示其他實施形態的引入磁石單元的槪略構 φ 成側面圖、圖3 C是表示另外別的實施形態的引入磁石單 元的槪略構成側面圖、及圖3D是表示其他另外別的實施 形態的引入磁石單元的槪略構成側面圖。 此實施形態的電漿成膜裝置1 〇是使電漿射束28偏向 而引入至蒸發材料3 1上的型態之電漿成膜裝置，該電漿 射束28是藉由磁石27、29來使電漿射束25的剖面變形 成大略長方形或橢圓形狀者。用以將電漿射束28引入至 蒸發材料31上的引入磁石單元33是被配置於蒸發材料接 受碟32(被照射體）的背面側，具備複數個引入磁石（第1 200823307 磁石34、第2磁石35)，其係以能夠沿著電漿射束的 方向（箭號Z方向）來互相離間的方式並置，藉由此構 可一面防止飛濺的發生，一面實現生產性的提升。 如圖1及圖2所示，本實施形態的電漿成膜裝霍 是具備：電漿槍20、及用以從電漿槍20引出電漿射 成膜室30內的收束線圈26、及用以使被引出的電漿 變形成大略長方形或橢圓形狀的磁石27、29、及收 入磁石單元3 3、保持蒸發材料3 1的蒸發材料接受碟 和基板3 9的成膜室3 0。有關各個的構件會在以下詳 明。 電漿槍20是具備：空心陰極21、電極磁石22、 極線圈23。電極磁石22及電極線圈23是在中空圓 的空心陰極2 1的軸上，依序配置於成膜室3 〇側，電 圈23是被結合於從成膜室30延設的電漿通過部30a 且，在電漿槍20的陰極2 1 a連接直流電源V 1的負側 電極磁石22、電極線圈23經由電阻Rl、R2來連接 電源V1的正側。在此構成中，一旦使直流電源v 作，則會在電漿槍20內產生圓柱狀的電漿射束。本 形態中，電漿槍20是配置於成膜室3 0的外部，但亦 置於成膜室30內。又，本實施形態中，雖是顯示搭 座電漿槍20的電漿成膜裝置〗〇，但例如在成膜室3 搭載複數座的電漿槍的電漿成膜裝置亦可適用本發明 在比電漿槍20的電極線圈23更靠成膜室30側 能夠圍繞成膜室30的電漿通過部30a之方式，配置 照射 成， ! 10 束至 射束 容引 32、 細説 及電 筒狀 極線 。並 ，在 直流 1動 實施 可設 載一 丨〇內 〇 ，以 有收 -10- 200823307 束線圈（空芯線圈）2 6。此收束線圈2 6是配置於與空心陰 極2 1同軸上。藉由在此收束線圈2 6施加來自外部電源 (未圖示）的直流電流，在電漿槍20所產生後的電漿射束 會被引出至成膜室3 〇內。此電漿射束25.是被引出至空心 陰極2 1及收束線圈2 6的軸的延長線（Z方向）上，行進於 成膜室30內。 在成膜室3 0內，亦即在電漿射束25的照射方向下游 側，從上游側（電漿槍20側）依序配置有磁石29、27。該 等的磁石2 7、2 9是延伸於對電漿射束2 5的照射方向正交 的方向之板狀的永久磁石，彼此平行對向配置。從電漿槍 20引出至成膜室30內的電漿射束25是形成在通過藉由 該等磁石2 7、2 9所形成的磁場中的期間，擴大於與照射 方向（Z方向）正交的方向（X方向）的射束剖面會變形成大 略長方形或橢圓形狀之電漿射束2 8。另外，本實施形態 中是配置2組的磁石27、29，但磁石亦可爲1組，或配 置3組以上的磁石。又，磁石27、29亦可配置於成膜室 3 〇的外部。 在排氣可能的成膜室3 0內收容有：將蒸發材料（例如 MgO、透明導電性膜ITO)31收容保持於內部的蒸發材料 接受碟32、及被成膜處理的基板39(例如、顯示器用大型 基板）°基板39是藉由基板夾具（未圖示）來予以保持，以 能夠和保持於蒸發材料接受碟32的蒸發材料3 1成彼此對 向的方式來配置。基板39是隔著按照所被要求的規格而 定的間隔來與蒸發材料3 1對向配置，連續搬送於與照射 -11 - 200823307 方向（Z方向）平行（朝向圖2的Z方向的箭號43)。 如圖2所示，在成膜室30內的蒸發材料接受碟32的 背面側，引入磁石單元3 3會在與電漿射束2 5的照射方向 (Z方向）正交的方向（X方向）配置複數個。圖3 A所詳示的 引入磁石單元33是從電漿槍20側，亦即沿著電漿射束 25的照射方向來依序配置具有相同四角柱的形狀（照射方 向的長度a)之引入磁石34(第1磁石）、引入磁石35(第2 磁石），在引入磁石34與引入磁石35之間配置軛36。 引入磁石34、3 5是配置成例如皆對蒸發材料接受碟 3 2而言相同的磁極例如S極會對向。通常，引入磁石 34、35，例如可使用釤·鈷系磁石（Sm · Co)或鈸系磁石（Nd • F e · B )來形成。 又，引入磁石34、35的Z方向的寬度a，在本實施 形態是設定於1 0mm〜30mm之間，但並無特別加以限 定，可在考量所使用的引入磁石單元的材質或必要的電漿 射束的偏向方向之下自由選擇。 藉由以上的構成，行進於成膜室3 0內的電漿射束2 8 會藉由引入磁石34、35所形成的磁場來偏向而引入至蒸 發材料接受碟32上的蒸發材料31上。藉此，蒸發材料 31會被加熱而蒸發，在對向於蒸發材料31的基板39上 形成膜。在本實施形態中，藉由軛3 6來分開配置引入磁 石34與引入磁石35 ’因此引入磁石34的磁場與引入磁 石3 5的磁場會分別被形成。藉由利用引入磁石3 4、3 5所 形成的磁場來使電漿射束28的偏向方向分散於電漿射束 •12- 200823307 28的照射方向（Z方向），可使電漿射束28照射於蒸發材 料31的更廣範圍。藉此，爲了成膜速度的提升等生產性 提升，即使令電漿射束25的功率増大，還是可在蒸發材 料3 1上擴大電漿射束28的照射面積，且抑止能量密度局 部地急増，所以可防止飛濺的發生。 相對的，引入磁石僅爲一個來使對蒸發材料接受碟 3 2的面積増加時，雖可增強該引入磁石所形成的磁場， n 但因爲所被形成的磁場是僅一個引入磁石所產生者，所以 ‘ 無法使電漿射束2 8分散。因此，可想像即使令電漿射束 2 5的功率増大，電漿射束2 8的能量密度還是會局部地急 増而發生飛濺。 並且，在上述引入磁石單元33中是在引入磁石34與 引入磁石3 5之間配置軛3 6，但亦可取而代之，使用如圖 3B所示在二個引入磁石134、135 (第1磁石、第2磁石） 之間配置磁石136(第3磁石）的引入磁石單元133。 Φ 此引入磁石單元133是從電漿槍20側起，以蒸發材 料接受碟3 2側能夠S極的方式，依序配置和引入磁石 34、35相同的四角柱形狀（Z方向的寬度a)、相同的材料 所構成的引入磁石134、135，更在引入磁石134與引入 磁石1 3 5之間，以蒸發材料接受碟3 2側能夠形成N極（與 引入磁石134、135相異的磁極）的方式，配置磁石136(第 3磁石）。磁石1 3 6，例如可使用釤·鈷系磁石或鈸系等的 磁石來形成。引入磁石134、135及磁石136是固定配置 於長板狀的軛1 3 7上。 -13- 200823307 在如此構成的引入磁石單元1 3 3中，藉由磁石1 3 6來 分開配置引入磁石134及引入磁石135，因此引入磁石 134的磁場與引入磁石135的磁場會分別被形成。藉由利 用引入磁石1 3 4、1 3 5所形成的磁場來使電漿射束2 8的偏 向方向分散，可使電漿射束2 8分散於蒸發材料3 1的更廣 範圍。藉此，爲了成膜速度的提升等生產性提升，即使令 電漿射束25的功率増大，還是可在蒸發材料3 1上擴大電 漿射束28的照射面積，且抑止能量密度局部地急増，所 以可防止飛濺的發生。 此外，即使取代上述軛3 6或磁石1 3 6，隔著空隙來 使二個引入磁石分開，照樣兩方的引入磁石的磁場會被分 別形成，因此可使電漿射束28的偏向方向分散，可使電 漿射束28分散於蒸發材料3 1的更廣範圍。 並且，在上述引入磁石單元33是以同一形狀的磁石 來構成引入磁石34、35。若使位於較遠位置的引入磁石 3 5所形成的磁場要比位於較接近電漿槍2 〇的位置的引入 磁石3 4所形成的磁場更大，則引入磁石3 5的磁場會容易 及於電漿槍20側的更廣範圍，可使電漿射束28更確實地 分政，因此較爲理想。追例如可使用衫·銘系磁石（S m · C 〇) 來形成引入磁石3 4，另一方可使用比釤·鈷系磁石更能夠 形成強力磁場的鈸系磁石（Nd.F^B)來形成引入磁石35， 藉此使引入磁石35的磁場比引入磁石34的磁場形成更 大，而得以實現。 又，如圖3C所示的引入磁石單元23 3那樣，亦可將 -14 - 200823307 引入磁石23 5 (照射方向的長度b)的體積形成比電漿槍20 側的引入磁石234(照射方向的長度a)的體積（b>a)更大， 藉此可使引入磁石23 5 (第2磁石）所形成的磁場比引入磁 石2 34 (第1磁石）更大。此引入磁石單元23 3是在引入磁 石23 4、23 5 (第1磁石、第2磁石）之間配置磁石2 3 6(第3 磁石），引入磁石234、23 5及磁石23 6是配置於長板狀的 軛2 37上。引入磁石234、23 5及磁石23 6，例如可使用 釤·鈷系磁石（Sm.Co)或鈸系磁石（Nd.Fe.B))來形成。又， 亦可取代磁石236而配置軛，或空隙。 又，如圖3 D所示的引入磁石單元3 3 3那樣，亦可使 引入磁石3 3 5 (第2磁石）的S極的前端面比電漿槍20側的 引入磁石334(第1磁石）更接近蒸發材料接受碟32側（Y 方向）的狀態下配置。 一旦如此配置，則從引入磁石3 3 4、3 3 5接受電漿射 束2 8的磁場中，可增大引入磁石3 3 5所發生的磁場比 例。藉此可使電漿射束28更確實地分散，較爲理想。此 引入石單兀3 3 3是從電漿槍2 0側依序配置具有長度方 向正交剖面爲同一四角柱形狀的引入磁石3 3 4、3 3 5 (第1 磁石、第2磁石），且在引入磁石334與引入磁石335之 間配置軛3 3 6者。引入磁石3 3 4、3 3 5，例如可使用釤·鈷 系磁石（Sm.Co)或鈸系磁石（Nd.Fe.B))來形成。在此，引 入磁石335的N極的前端面可配置於與引入磁石334的N 極的前端面大略同一位置，但亦可將引入磁石3 3 4及引入 磁石3 3 5設爲同一形狀，使引入磁石3 3 5比引入磁石3 3 4 -15- 200823307 更接近蒸發材料接受碟32側的狀態下配置。 若複數的引入磁石爲分開配置，則可沿著電漿射束 28的照射方向來配置3個以上。此情況，當然可將引入 磁石予以一個一個地分開配置，或亦可爲使隣接配置的引 入磁石的區塊互相分開配置的形態。又，亦可在引入磁石 之間配置軛、及與引入磁石呈磁極逆向的磁石之雙方。 又，若可彼此分開配置，使電漿射束2 8的偏向方向分 散，則複數的引入磁石亦可並置於電漿射束2 5的正下 方。 以下，說明有關使用本實施形態的電漿成膜裝置1 0 之往基板3 9的成膜方法（膜的製法）。 首先’如圖1及圖2所示，在真空排氣可能的成膜室 內的蒸發材料接受碟3 2中配置蒸發材料3 1，將被成膜處 理的基板3 9設定於基板夾具（未圖示）。 其次，爲了使成膜室3 0內部形成按照成膜規格所定 的真空度，而進行排氣（箭號42)，且將反應氣體供給至成 膜室30內（箭號41)。 在此狀態下，將電漿射束發生用氣體（例如氬（Α〇)導 入電漿槍20的空心陰極21內（箭號40)。使直流電源VI 動作來產生於電漿槍20的電漿射束25會藉由收束線圈 2 6所形成的磁場而被收束。所被收束的電漿射束2 5是一 邊擴大成具有藉由往收束線圈2 6的施加電流所定的直徑 之圓柱狀，一邊引出至成膜室3 0內。所被引出的電漿射 束25會分別通過磁石27、29所各形成的磁場中，形成藉 -16 - 200823307 由各個的磁場而變形成大略長方形或橢圓形狀之扁平薄板 狀的電漿射束28。 電漿射束28會往基板39及蒸發材料31所挾持的空 間行進，藉由在蒸發材料接受碟3 2的背面側以S極能夠 朝向蒸發材料3 1側的方式配置的引入磁石34、3 5所形成 的磁場來偏向成可引入至蒸發材料3 1上。蒸發材料3 1是 藉由電漿射束2 8所被加熱的部份會蒸發，到達藉由基板 夾具（未圖示）來移動於離開電漿槍20的方向（箭號43)的 基板39，在基板39的表面形成膜（例如M gO)。 在上述實施形態的成膜裝置，使用以下的條件來進行 氧化鎂的成膜實驗。 比較用的引入磁石單元是使用和圖3 B所示構成同等 者。作爲以往的引入磁石之例，爲使用在蒸發材料接受碟 3 2的背面側僅一個朝向S極的引入磁石。另外，蒸發材 料接受碟32與各個引入磁石134、135等的距離爲共通 8 0 m m，各個引入磁石1 3 4、1 3 5等的形狀亦使用同一形狀 者。 氧化鎂的蒸鍍條件是如以下所述。 •放電電力···〇.16Pa • ΑΓ^ΐίΜ··*11δ〇οιη •電力· · · 26· 1 Kw •集束線圈電流· · ·45Α 在本發明的實施形態的成膜裝置使用上述成膜條件在 基板3 9上進行氧化鎂的成膜後，測定形成於蒸發材料接 -17- 200823307 受碟3 2的電漿射束2 8的照射痕（照射面積）。 與引入磁石爲一個的以往情況時相較之下，可確認出 使用圖3 B所構成的磁石單元1 3 3時，照射面積在電漿射 束25的照射方向（圖1、圖3的Z方向）擴大約1 .5倍。並 且，此成膜條件是在引入磁石爲一個時實現17〇A/sec的 高成膜速度，但另一方面卻發生飛濺的條件，但若使用引 入磁石單元1 3 3，則可確認出不發生飛濺來維持高成膜速 度。 有關本發明雖是參照上述實施形態來説明，但本發明 並非限於上述實施形態，可在本發明的技術思想範圍內進 行改良或變更。 本發明並非限於上述實施形態，只要不脫離本發明的 精神及範圍，亦可實施各種的變更及變形。 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明的實施形態的電漿成膜裝置的槪略 構成平面圖。 圖2是表示本發明的實施形態的電漿成膜裝置的槪略 構成側面圖。 圖3 A是表示本發明的實施形態的引入磁石單元的槪 略構成側面圖。 圖3 B是表示其他實施形態的引入磁石單元的槪略構 成側面圖。 圖3 C是表示另外別的實施形態的引入磁石單元的槪 -18- 200823307 略構成側面圖。 圖3 D是表示其他另外別的實施形態的引入磁石單元 的槪略構成側面圖。 【主要元件符號說明】 10 :電漿成膜裝置 20 :電漿槍 2 1 :空心陰極 2 1 a :陰極 2 2 :電極磁石 2 3 :電極線圈 2 5 :電漿射束 2 6 :收束線圈（空芯線圈） 2 7、29:磁石 2 8 :電漿射束 3 0 :成膜室 30a :電漿通過部 31 :蒸發材料 32 :蒸發材料接受碟 3 3 :磁石單元 3 4 :第1磁石 3 5 :第2磁石 36 :軛 3 9 :基板 -19- 200823307 4 0〜4 3 :箭號 133 : 134 ： 135 ： 136 ： 137 : 23 3 ：

23 5 ： 23 6 ： 23 7 ： 3 3 3 ： 3 3 4 ： 3 3 5 ： 3 3 6 ：

R1 、 磁石單元 磁石（第1磁石） 磁石（第2磁石） 磁石（第3磁石） 軛 磁石單兀 磁石（第1磁石） 磁石（第2磁石） 磁石（第3磁石） 轭 磁石單元 磁石（第1磁石） 磁石（第2磁石） 軛 直流電源 R2 :電阻 -20

Claims (1)

1. 200823307 十、申請專利範圍 1. 一種電漿成膜裝置，係具有： 電漿槍，其係照射電漿射束；及 磁石’其係將磁場適用於從該電漿槍所照射的電漿射 束’而使該電漿射束的射束剖面變形成大略長方形或橢圓 形狀， 其特徵爲： 具備複數個引入磁石單元，其係使上述射束剖面被變 形的電漿射束偏向，而使該偏向的電漿射束照射於被照射 體， 在上述引入磁石單元配置有：被配置於上述被照射體 的背面側的第1磁石、及與上述第1磁石同磁極的第2磁 石，且上述第1磁石與上述第2磁石會在互相分開的狀態 下並置。 2 ·如申請專利範圍第1項之電漿成膜裝置，其中，上 述第1磁石與上述第2磁石係沿著上述電漿射束的照射方 向而並置。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之電漿成膜裝置，其 中，上述第1磁石與上述第2磁石係隔著軛而並置。 4.如申請專利範圍第1或2項之電漿成膜裝置，其 中，上述第1磁石及上述第2磁石係隔著配置於上述被照 射體的背面側之與上述第1磁石及上述第2磁石相異磁極 的第3磁石來並置。 5 ·如申請專利範圍第1或2項之電漿成膜裝置，其 -21 - 200823307 中，上述第1磁石或上述第2磁石中，配置於離上述電漿 槍最遠的位置之磁石會使產生最強的磁場。 6.如申請專利範圍第4項之電漿成膜裝置，其中，上 述第1磁石、上述第2磁石及上述第3磁石係具有四角柱 的形狀。 7 · —種膜的製法，係用以成膜於基板之膜的製法，其 特徵爲I 針對配置於可真空排氣的成膜室內的蒸發材料接受碟 中所被收容的被照射體之蒸發材料照射如申請專利範圍第 1項所記載的電漿成膜裝置所產生的電漿，而使上述蒸發 材料蒸發， 在上述成膜室內對上述蒸發材料接受碟設置所定的間 隔，而成膜於在對向於上述蒸發材料接受碟的位置所配置 的基板。 -22-