发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种TCO透明导电膜的低温沉积装置,该装置可实现在常温下沉积出高质量的TCO透明导电膜。
本发明的另一目的在于提供一种通过上述装置实现的TCO透明导电膜的低温沉积工艺。
本发明的技术方案为:一种TCO透明导电膜的低温沉积装置,包括至少一对设于真空镀膜室内的阴极组,各对阴极组分布于基片的一侧或者两侧,每对阴极组独立配置一个中频交流电源或者双极脉冲电源;各对阴极组分别包括两个溅射阴极,各溅射阴极分别包括靶材、阴极体和磁铁,靶材固定在阴极体上,阴极体设于基片的侧面,在阴极体内设置多个并排分布的磁铁,各磁铁的两极端面分别与靶材和阴极体内的导磁块垂直连接;相邻两个磁铁之间磁极性相反。
其中,每对阴极组有两种排列形式:
(1)所述阴极组的两个溅射阴极为对向结构形式,即两个溅射阴极正对向分布;两个溅射阴极中的磁铁一一对应,而相对应的两个磁铁中,磁极性相反。
所述各对阴极组并排分布于基片运行通道的侧面,各对阴极组中的两个溅射阴极分别对称位于基片运行通道的两侧;而布置在同一侧相邻的两个溅射阴极内的磁铁磁极相反。该结构的阴极组适用于对基片的双面同时沉积镀膜或两个并排行进的基片同时进行单面沉积镀膜。
(2)所述阴极组中的两个溅射阴极为孪生排列结构,即两个溅射阴极并排设于基片运行通道的同一侧;两个阴极体中的磁铁并排分布,但相邻两个位于不同溅射阴极内的磁铁之间的磁极相反。
所述各阴极组分布于基片运行通道的同一侧,相邻的两对阴极组间,相邻两个溅射阴极的阴极体内的磁铁之间的磁极磁性相同。该结构的阴极对适用于基片的单面沉积镀膜。
所述多个阴极组交叉分布于基片运行通道的两侧,即位于基片两侧的多个溅射阴极呈交叉分布;分别位于基片两侧的相邻两个阴极组中,相邻两个位于不同阴极组内且分别位于基片两侧的磁铁之间,与靶材连接的一端磁极磁性相反。该结构的阴极组适用于单个基片的双面同时沉积镀膜或两个基片同时进行单面沉积镀膜。
所述多个阴极组对称分布于基片的两侧,即位于基片两侧的多个溅射阴极一一对应;位于基片同一侧的相邻两个阴极组中,相邻两个位于不同阴极组内的磁铁之间,与靶材连接的一端磁极磁性相同;分别位于基片两侧且相对应的两个溅射阴极中,相对应的两个磁铁之间,与靶材连接的一端磁极磁性相反。该结构的阴极组适用于单个基片的双面同时沉积镀膜或两个基片同时进行单面沉积镀膜。
所述溅射阴极为平面阴极或圆柱旋转阴极。
本发明通过上述装置实现一种TCO透明导电膜的低温沉积工艺,在真空镀膜室内设置至少一个阴极组,每个阴极组独立设置一个中频电源或双极脉冲电源,各阴极组内分别形成等离子区域,等离子区域为交替的震荡电场和磁场;基片送入真空镀膜室后,等离子区域覆盖基片侧面,等离子区域内的电子实现高速震荡运动并不断轰击基片侧面,对基片表面已沉积的膜层进行电子轰击及表面加热处理。
所述基片为刚性片材或柔性卷材。
传统磁控溅射沉积的原理是:首先在溅射阴极上加入一个高压电场,实现了真空放电即辉光放电,由于磁场约束电子运动的影响,使得电子不断与充入镀膜室的工作气体产生碰撞,从而产生电离,形成稳定的等离子放电;等离子体中的离子在电场的吸引下轰击阴极靶材,实现了靶材的溅射沉积。
本TCO透明导电膜的低温沉积工艺是在传统磁控溅射的基础上进行了调整,其原理是:在单个阴极组中,采用一个中频交流电源或双极脉冲电源同时连接两个溅射阴极,使两个溅射阴极互为正负,从而使得电场和磁场形成交变,将等离子体区域范围拉大。另外,加入非平衡磁场使得闭合磁场不再只局限于单个溅射阴极表面,而是多溅射阴极之间的形成一个大区域的闭环空间磁场,从而进一步扩大了等离子区域。由于等离子区覆盖了基片表面,同时因为交变电场和磁场的作用,使得等离子体区域内的电子实现了高速震荡运动,电子会不断轰击基片的表面,从而实现了对沉积上去的膜层进行电子轰击及表面加热处理,改善了膜层的结晶状态,实现了膜层从非晶结构向微晶化和结晶化的转变,因而膜层的导电性和透光率均有明显的提高,实现了在低温下沉积出高性能的TCO薄膜的目的。
本发明相对于现有技术,具有以下有益效果:
本TCO透明导电膜的低温沉积装置及工艺实现在常温下沉积出高质量的TCO透明导电膜,低温沉积无需在设备内增加大量的加热元器件,设备的制造成本大幅度降低。
本TCO透明导电膜的低温沉积工艺由于不需要进行加热处理,可节省大量的能耗,同时也降低了加工成本。另外,还可以在不耐温基片表面(如PET薄膜等)沉积出高性能的透明导电膜膜层。
本TCO透明导电膜的低温沉积装置相对于传统的高温沉积设备,由于设备结构简化,没有加热器件和专门的冷却装置,因此设备故障率更低,设备的维护更加简单。
本TCO透明导电膜的低温沉积装置及工艺既可应用于玻璃基片的单片单面、单片双面或双片单面的间歇式或连续式镀膜,也可应用于柔性卷材的单面、双面的间歇式或连续式镀膜,具有广泛的应用前景。
具体实施方式
下面结合实施例及附图,对本发明作进一步的详细说明,但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
本实施例一种TCO透明导电膜的低温沉积装置,用于单个玻璃基片的双面同时沉积镀膜(如图2所示)或两个玻璃基片同时进行单面沉积镀膜(如图1所示)。
该装置包括多对设于真空镀膜室内的阴极组,各对阴极组分布于基片的两侧,每对阴极组独立配置一个中频交流电源或者双极脉冲电源4;各对阴极组分别包括两个溅射阴极,各溅射阴极分别包括靶材1、阴极体2和磁铁3,靶材固定在阴极体上,阴极体设于基片的侧面,在阴极体内设置多个并排分布的磁铁,各磁铁的两极端面分别与靶材和阴极体内的导磁块垂直连接;相邻两个磁铁之间磁极性相反。
阴极组的两个溅射阴极为对向结构形式,即两个溅射阴极正对向分布,两个溅射阴极分别设于基片5的两侧;两个溅射阴极中的磁铁一一对应,而相对应的两个磁铁中,磁极性相反。
各对阴极组并排分布于基片运行通道的侧面,各对阴极组中的两个溅射阴极分别对称位于基片运行通道的两侧;而布置在同一侧相邻的两个溅射阴极内的磁铁磁极相反。
本实施例的TCO透明导电膜的低温沉积装置中设置两个阴极组,各阴极组内磁极的分布如图1或图2中的N、S标识所示。
本实施例通过上述装置实现一种TCO透明导电膜的低温沉积工艺,在真空镀膜室内设置多个阴极组,每个阴极组独立设置一个中频电源或双极脉冲电源,各阴极组内分别形成等离子区域,等离子区域为交替的震荡电场和磁场;基片送入真空镀膜室后,等离子区域覆盖基片侧面,等离子区域内的电子实现高速震荡运动并不断轰击基片侧面,对基片表面已沉积的膜层进行电子轰击及表面加热处理。
该工艺是在传统磁控溅射的基础上进行了调整,其原理是:在单个阴极组中,采用一个中频交流电源同时连接两个溅射阴极,使两个溅射阴极互为正负,从而使得电场和磁场形成交变(其中,磁场的磁力线如图中的箭头所示),将等离子体区域范围拉大。另外,加入非平衡磁场使得闭合磁场不再只局限于单个溅射阴极表面,而是多溅射阴极之间的形成一个大区域的闭环空间磁场,从而进一步扩大了等离子区域。由于等离子区覆盖了基片表面,同时因为交变电场和磁场的作用,使得等离子体区域内的电子实现了高速震荡运动,电子会不断轰击基片的表面,从而实现了对沉积上去的膜层进行电子轰击及表面加热处理,改善了膜层的结晶状态,实现了膜层从非晶结构向微晶化和结晶化的转变,因而膜层的导电性和透光率均有明显的提高,实现了在低温下沉积出高性能的TCO薄膜的目的。
其中,溅射阴极可为平面阴极,也可为旋转阴极。
实施例2
本实施例一种TCO透明导电膜的低温沉积装置,用于单个玻璃基片的单面沉积镀膜。
如图3所示,该装置包括一对设于真空镀膜室内的阴极组,阴极组分布于基片的一侧,阴极组独立配置一个中频交流电源或者双极脉冲电源4;阴极组分别包括两个溅射阴极,各溅射阴极分别包括靶材1、阴极体2和磁铁3,靶材固定在阴极体上,阴极体设于基片的侧面,在阴极体内设置多个并排分布的磁铁,各磁铁的两极端面分别与靶材和阴极体内的导磁块垂直连接;相邻两个磁铁之间磁极性相反。
阴极组中的两个溅射阴极为孪生排列结构,即两个溅射阴极并排设于基片5的运行通道同一侧;两个阴极体中的磁铁并排分布,但相邻两个位于不同溅射阴极内的磁铁之间的磁极相反。
本实施例的TCO透明导电膜的低温沉积装置中设置单个阴极组,阴极组内磁极的分布如图3中的N、S标识所示。
本实施例通过上述装置实现的TCO透明导电膜的低温沉积工艺及其原理与实施例1相同。
实施例3
本实施例一种TCO透明导电膜的低温沉积装置,用于柔性卷材的单面沉积镀膜。
如图4所示,该装置包括多对设于真空镀膜室内的阴极组,各对阴极组分布于基片的一侧,每对阴极组独立配置一个中频交流电源或者双极脉冲电源4;各对阴极组分别包括两个溅射阴极,各溅射阴极分别包括靶材1、阴极体2和磁铁3,靶材固定在阴极体上,阴极体设于基片的侧面,在阴极体内设置多个并排分布的磁铁,各磁铁的两极端面分别与靶材和阴极体内的导磁块垂直连接;相邻两个磁铁之间磁极性相反。
阴极组中的两个溅射阴极为孪生排列结构,即两个溅射阴极并排设于基片5的运行通道同一侧;两个阴极体中的磁铁并排分布,但相邻两个位于不同溅射阴极内的磁铁之间的磁极相反。
各阴极组分布于基片运行通道的同一侧,相邻的两对阴极组间,相邻两个溅射阴极的阴极体内的磁铁之间的磁极磁性相同。
本实施例的TCO透明导电膜的低温沉积装置中设置两个阴极组,各阴极组内磁极的分布如图4或图5中的N、S标识所示。柔性材料通过水冷辊6进行传送,两个阴极组分布于水冷辊的外周,水冷辊两侧分别设置放卷辊7和收卷辊8。
根据实际需要,上述TCO透明导电膜的低温沉积装置也可调整为:各阴极组分布于基片运行通道的同一侧,相邻的两对阴极组间,相邻两个溅射阴极的阴极体内的磁铁之间的磁极磁性相反,此时各阴极组内磁极的分布如图6或图7中的N、S标识所示。
本实施例通过上述装置实现的TCO透明导电膜的低温沉积工艺及其原理与实施例1相同。
实施例4
本实施例一种TCO透明导电膜的低温沉积装置,用于柔性卷材的双面同时沉积镀膜或两个玻璃基片同时进行单面沉积镀膜。
如图8所示,该装置包括多对设于真空镀膜室内的阴极组,阴极组分布于基片的两侧,每对阴极组独立配置一个中频交流电源或者双极脉冲电源4;各阴极组分别包括两个溅射阴极,各溅射阴极分别包括靶材1、阴极体2和磁铁3,靶材固定在阴极体上,阴极体设于基片的侧面,在阴极体内设置多个并排分布的磁铁,各磁铁的两极端面分别与靶材和阴极体内的导磁块垂直连接;相邻两个磁铁之间磁极性相反。
阴极组中的两个溅射阴极为孪生排列结构,即两个溅射阴极并排设于基片5的运行通道同一侧;两个阴极体中的磁铁并排分布,但相邻两个位于不同溅射阴极内的磁铁之间的磁极相反。
多个阴极组交叉分布于基片运行通道的两侧,即位于基片两侧的多个溅射阴极呈交叉分布;分别位于基片两侧的相邻两个阴极组中,相邻两个位于不同阴极组内且分别位于基片两侧的磁铁之间,与靶材连接的一端磁极磁性相反。
本实施例的TCO透明导电膜的低温沉积装置中设置两个阴极组,各阴极组内磁极的分布如图8或图9中的N、S标识所示。柔性材料通过多个水冷辊6进行传送,两个阴极组分布于水冷辊的两侧,位于水冷辊两侧的溅射阴极交叉分布,多个水冷辊的两外侧分别设置放卷辊7和收卷辊8。
根据实际需要,上述TCO透明导电膜的低温沉积装置也可调整为:多个阴极组对称分布于基片的两侧,即位于基片两侧的多个溅射阴极一一对应;位于基片同一侧的相邻两个阴极组中,相邻两个位于不同阴极组内的磁铁之间,与靶材连接的一端磁极磁性相同;分别位于基片两侧且相对应的两个溅射阴极中,相对应的两个磁铁之间,与靶材连接的一端磁极磁性相反。
本实施例通过上述装置实现的TCO透明导电膜的低温沉积工艺及其原理与实施例1相同。
实施例5
本实施例一种TCO透明导电膜的低温沉积装置,用于柔性卷材的双面同时沉积镀膜或两个玻璃基片同时进行单面沉积镀膜。
如图10所示,该装置包括多对设于真空镀膜室内的阴极组,阴极组分布于基片的两侧,每对阴极组独立配置一个中频交流电源或者双极脉冲电源4;各阴极组分别包括两个溅射阴极,各溅射阴极分别包括靶材1、阴极体2和磁铁3,靶材固定在阴极体上,阴极体设于基片的侧面,在阴极体内设置多个并排分布的磁铁,各磁铁的两极端面分别与靶材和阴极体内的导磁块垂直连接;相邻两个磁铁之间磁极性相反。
阴极组的两个溅射阴极为对向结构形式,即两个溅射阴极正对向分布,两个溅射阴极分别设于基片5的两侧;两个溅射阴极中的磁铁一一对应,而相对应的两个磁铁中,磁极性相反。
各对阴极组并排分布于基片运行通道的侧面,各对阴极组中的两个溅射阴极分别对称位于基片运行通道的两侧;而布置在同一侧相邻的两个溅射阴极内的磁铁磁极相反。
本实施例的TCO透明导电膜的低温沉积装置中设置4个阴极组,各阴极组内磁极的分布如图10或图11的N、S标识所示。柔性材料通过多个导向辊9进行传送,两个阴极组分布于基片的两侧,位于基片两侧的溅射阴极一一对称,多个导向辊的两外侧分别设置放卷辊7和收卷辊8。
根据实际需要,上述TCO透明导电膜的低温沉积装置也可调整为:4个阴极组分为2个单元。同一个单元内,布置在同一侧相邻的两个溅射阴极内的磁铁磁极相反;不同单元之间,布置在同一侧相邻的两个磁铁磁极相同。此时各阴极组内磁极的分布如图12或图13的N、S标识所示。
本实施例通过上述装置实现的TCO透明导电膜的低温沉积工艺及其原理与实施例1相同。
如上所述,便可较好地实现本发明,上述实施例仅为本发明的较佳实施例,并非用来限定本发明的实施范围;即凡依本发明内容所作的均等变化与修饰,都为本发明权利要求所要求保护的范围所涵盖。