CN209798075U - 一种镀膜设备沉积腔室 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种镀膜设备沉积腔室，在在所述底板上沿第一预设方向设置的每排非金属蒸发源的个数为M个；在所述沉积腔室的底板上设置的非金属蒸发源的排数为Q排；位于所述Q排的首端的的P个非金属蒸发源构成第一组非金属蒸发源，位于所述Q排的末端的M‑P个非金属蒸发源构成第二组非金属蒸发源；所述第一组蒸发源和/或第二组非金属蒸发源，至少有一排非金属蒸发源的首端、末端相对于首排非金属蒸发源的首端、末端沿第一预设方向错位预设距离。本方案，使得通过镀膜设备沉积腔室在衬底表面形成的大小合适、厚度均匀且性能良好的CIGS膜，从而使得形成的包括CIGS膜的太阳能电池具有较高的发电效率，有效满足用电需求。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池衬底镀膜设备领域，尤其涉及一种镀膜设备沉积腔室。
背景技术
在基板上附着CIGS(CuInxGa(1-x)Se2的简写，主要组成有Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒))膜，以形成太阳能电池，方可使太阳能电池具有将太阳能转化为电能的功能。
现有技术方案中主要采用磁控溅射的方法在基板上形成CIGS膜，以形成太阳能电池的方法，该方法主要是利用气体放电产生的正离子在电场的作用下高速运动进而轰击作为阴极的靶，使作为阴极的靶中的原子或分子从原有物质中逃逸出来进而沉淀到基板的表面，以在基板上形成可将太阳能转化为电能的薄膜。采用该磁控溅射方法形成的薄膜与基板有较好的附着性，且形成的薄膜的密度较高。
然而，磁控溅射方法是采用环状磁场控制下的辉光放电，其成膜速率差且磁控溅射的设备需要高压装置，导致设备复杂昂贵，不利于大规模生产太阳能电池。除此之外，通过磁控溅射形成的CIGS薄膜厚度不均匀，质量较差，由此导致太阳能电池的性能较差，发电效率较低。
综上所述，现有技术方案中缺少一种可形成厚度均匀、质量较高的CIGS薄膜的镀膜设备。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种镀膜设备沉积腔室，以解决现有技术中缺少一种形成的CIGS膜厚度均匀、具有高发电效率的镀膜设备沉积腔室的技术问题。
根据本实用新型提供的一种镀膜设备沉积腔室，在所述底板上沿第一预设方向设置的每排非金属蒸发源的个数为M个；在所述沉积腔室的底板上设置的非金属蒸发源的排数为Q排；位于所述Q排的首端的的P个非金属蒸发源构成第一组非金属蒸发源，位于所述Q排的末端的M-P个非金属蒸发源构成第二组非金属蒸发源；所述第一组蒸发源和/或第二组非金属蒸发源，至少有一排非金属蒸发源的首端、末端相对于首排非金属蒸发源的首端、末端沿第一预设方向错位预设距离，可有效满足在衬底的表面沉积大小合适、厚度均匀且性能良好的CIGS膜的需求，有效保障了太阳能电池的高发电效率及高成成品率。
在一个实施例中，每排非金属蒸发源均沿底板的长度方向设置，在所述第一组非金属蒸发源中：除相对于首排非金属蒸发源错位的非金属蒸发源外的其他排非金属蒸发源，在底板的宽度方向上一一对齐设置；和/或在所述第二组非金属蒸发源中，除对于首排非金属蒸发源错位的非金属蒸发源，在底板的宽度方向上一一对齐设置，可使得非金属蒸发源在底板上的排布相对较为均匀，从而在满足沉积形成的CIGS膜较为均匀的基础上，有效保障非金属蒸发源在底板上的排布较为整齐，便于后期维护。
在一个实施例中，在第一组和/或第二组蒸发源中，每排的相邻两个非金属蒸发源的间距为一定值，可使得非金属蒸发源在底板上的排布相对较为均匀，从而在满足沉积形成的CIGS膜较为均匀的基础上，有效保障非金属蒸发源在底板上的排布较为整齐，便于后期维护。
在一个实施例中，所述第一组中相对于首排非金属蒸发源错位的非金属蒸发源，与所述第二组中相对于首排非金属蒸发源错位的非金属蒸发源位于同一排或不同排。如此，可使得非金属蒸发源在底板上占据更大的面积，从而可在衬底上形成的CIGS膜的面积可以得到有效的保证，从而有效保证了CIGS膜的性能及发电效率。
在一个实施例中，当Q大于等于4时，所述第一组和/或第二组非金属蒸发源中，至少包括两排相邻且在宽度方向上一一对齐设置的非金属蒸发源。在满足生成厚度均匀、性能良好的CIGS膜的前提下有效保障了底板上非金属蒸发源的均匀性，为后期维护提供了很大的便利。
在一个实施例中，所述金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度均为20-45度。每种所述金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度可以设置为相同也可以设置为不同；进一步地每个所述金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度可以设置为相同也可以设置为不同。
在一个实施例中，所述非金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度均为0-60度。可以基于非金属蒸发源中的非金属粉末被加热后形成的非金属气体的密度出发，将非金属沉积至衬底的预设区域，该倾斜的角度可以根据非金属的材质及预设的区域进行调整。
在一个实施例中，所述Q排非金属蒸发源中，相邻两排非金属蒸发源间隔排布。可有效避免相邻排的非金属蒸发源之间相互干扰。
在一个实施例中，所述非金属蒸发源包括Se蒸发源；和/或所述金属蒸发源包括Cu蒸发源、In蒸发源和Ga蒸发源，所述Cu蒸发源、In蒸发源与Ga蒸发源的总数量为P对，其中P为大于等于8小于等于15的整数。
根据本实用新型提供的一种镀膜设备，包括上述任一项所述的镀膜设备沉积腔室。
本实用新型实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：
本实用新型实施例提供的镀膜设备沉积腔室，在所述底板上沿第一预设方向设置的每排非金属蒸发源的个数为M个；在所述沉积腔室的底板上设置的非金属蒸发源的排数为Q排；位于所述Q排的首端的的P个非金属蒸发源构成第一组非金属蒸发源，位于所述Q排的末端的M-P个非金属蒸发源构成第二组非金属蒸发源；所述第一组蒸发源和/或第二组非金属蒸发源，至少有一排非金属蒸发源的首端、末端相对于首排非金属蒸发源的首端、末端沿第一预设方向错位预设距离；其中，M为大于等于8小于等于15的整数，Q为大于等于3小于等于6的整数，P为大于等于1小于等于M-1的整数。本实用新型，使得通过该镀膜设备沉积腔室在衬底表面形成的CIGS膜的面积满足需求、厚度均匀且性能较好，从而使得形成的太阳能电池具有较高的发电效率及高成品率，有效满足用电需求，且可进行量产。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：
图1为本实用新型实施例中提供的沉积腔室的底板上的金属蒸发源和非金属蒸发源的布置结构示意图；
图2为本实用新型实施例中提供的镀膜设备沉积腔室的结构示意图；
图3为本实用新型一实施例提供的包括第一组Q排非金属蒸发源、且该Q排非金属蒸发源中的靠近一个宽度所在的边的P个非金属蒸发源构成第一组非金属蒸发源、靠近一个宽度所在的边的M-P个非金属蒸发源构成的第二组非金属蒸发源中、第一组和/或第二组的非金属蒸发源中除朝第一组与第二组的中心线偏移预设距离的非金属蒸发源之外的其他非金属蒸发源对齐设置的镀膜设备沉积腔室的示意图；
图4a为本实用新型在一实施例中提供的第一组中与第二组中朝向第一组与第二组的中心线的非金属蒸发源位于同一排的镀膜设备沉积腔室的示意图；
图4b为本实用新型在一实施例中提供的第一组中与第二组中朝向第一组与第二组的中心线的非金属蒸发源位于不同排的镀膜设备沉积腔室的示意图；
图5a为本实用新型再一实施例提供的包括四排非金属蒸发源、且该四排非金属蒸发源中的第一组与第二组非金属蒸发源中除朝向其中心线偏移预设距离的非金属蒸发源之外的相邻两排非金属蒸发源对齐设置的一种镀膜设备沉积腔室的示意图；
图5b为本实用新型再一实施例提供的包括四排非金属蒸发源、且该四排非金属蒸发源中的第一组与第二组非金属蒸发源中除朝向其中心线偏移预设距离的非金属蒸发源之外的相邻三排非金属蒸发源对齐设置的一种镀膜设备沉积腔室的示意图；
图5c为本实用新型再一实施例提供的包括五排非金属蒸发源、且该五排非金属蒸发源中的第一组与第二组非金属蒸发源中除朝向其中心线偏移预设距离的非金属蒸发源之外的前两排非金属蒸发源与后两排非金属蒸发源均对齐设置的镀膜设备沉积腔室的示意图；
图5d为本实用新型再一实施例提供的包括五排非金属蒸发源、且该五排非金属蒸发源中的第一组与第二组非金属蒸发源中除朝向其中心线偏移预设距离的非金属蒸发源之外的前三排非金属蒸发源对齐设置的一种镀膜设备沉积腔室的示意图；
图6为本实用新型再一实施例提供的包括一排非金属蒸发源、且该一排非金属蒸发源呈某一倾斜角度设置在底板的镀膜设备沉积腔室的示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型具体实施例及相应的附图对本实用新型技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
以下结合附图，详细说明本实用新型各实施例提供的技术方案。
参见图1所示，本实用新型实施例提供一种镀膜设备沉积腔室2，在沉积腔室2的底板1上设置有金属蒸发源11和非金属蒸发源12。
参见图2所示，本实用新型实施例提供的一种镀膜设备沉积腔室，在所述底板上沿第一预设方向设置的每排非金属蒸发源的个数为M个；在所述沉积腔室的底板上设置的非金属蒸发源的排数为Q排；位于所述Q排的首端的的P个非金属蒸发源构成第一组非金属蒸发源，位于所述Q排的末端的M-P个非金属蒸发源构成第二组非金属蒸发源；所述第一组蒸发源和/或第二组非金属蒸发源，至少有一排非金属蒸发源的首端、末端相对于首排非金属蒸发源的首端、末端沿第一预设方向错位预设距离；其中，M为大于等于8小于等于15的整数，Q为大于等于3小于等于6的整数，P为大于等于1小于等于M-1的整数。
在本实用新型中，第一预设方向可为所述底板的长度方向，本申请以底板的长度方向为例进行阐述，并非是对第一预设方向的具体限定。
在本实用新型实施例中，沿底板1的长度方向，在非金属蒸发源的两侧分别设置有一排金属蒸发源，设置在非金属蒸发源一侧的一排金属蒸发源与设置在非金属蒸发源另一侧的金属蒸发源对称设置。
在本实用新型实施例中，在底板上设置的每排非金属蒸发源的数量为大于等于8小于等于15的整数，可有效满足为不同面积的衬底进行沉积以形成CIGS膜的需求，同时，第一组蒸发源和/或第二组非金属蒸发源，至少有一排非金属蒸发源的首端、末端相对于首排非金属蒸发源的首端、末端沿第一预设方向错位预设距离，可使得第一组非金属蒸发源在底板上占据较大的面积，有效满足形成面积满足要求的CIGS膜的需求。
通过本实用新型实施例提供的镀膜设备沉积腔室，可通过沉积工艺在衬底上形成面积合适、厚度均匀且性能良好的CIGS膜，可有效保障生产出的太阳能电池的发电效率及高发电效率，从而保障了太阳能电池的产品的良率。
作为本实用新型的一种具体实施方式，每排非金属蒸发源均沿底板的长度方向设置，在所述第一组非金属蒸发源中：除相对于首排非金属蒸发源错位的非金属蒸发源外的其他排非金属蒸发源，在底板的宽度方向上一一对齐设置；和/或在所述第二组非金属蒸发源中，除对于首排非金属蒸发源错位的非金属蒸发源，在底板的宽度方向上一一对齐设置。
具体参见图3所示，在沉积腔室的底板上设置的非金属蒸发源的排数为三排，且每排非金属蒸发源均沿底板的长度方向进行设置。该三排非金属蒸发源中的首端(靠近宽度所在的左侧的边)的P个非金属蒸发源为第一组非金属蒸发源，末端(靠近宽度所在的右侧的边)的M-P个非金属蒸发源为第二组非金属蒸发源，而第一组中的第二排非金属蒸发源较第二组第一排非金属蒸发源的首端、末端均在长度方向上错位预设距离L；和/或第二组中的第二排非金属蒸发源的首端、末端较第二组中的第二排非金属蒸发源均在长度方向的反方向上错位预设距离L。
而第一组中除了第二排非金属蒸发源之外，其他非金属蒸发源在宽度方向方向上一一对齐设置，同样，第二组中除了第二排非金属蒸发源之外，其他非金属蒸发源在宽度方向方向上一一对齐设置，如此，可使得非金属蒸发源在底板上的排布相对较为均匀，从而在满足沉积形成的CIGS膜较为均匀的基础上，有效保障非金属蒸发源在底板上的排布较为整齐，便于后期维护。
在一个实施例中，第一组和/或对齐设置的蒸发源中，每排相邻两个非金属蒸发源之间的间距为一定值。有效保障了非金属蒸发源布置的规则性，避免混乱，为后期维护提供了便利条件。
在一个实施例中，第二组的较第一排错位的非金属蒸发源与第一组中较第一排非金属蒸发源错位的非金属蒸发源位于同一排或不同排。
具体的，作为本实用新型的一个具体实施例，参见图4a所示，作为本实用新型的一种具体实施方式，第二组的较第一排错位的非金属蒸发源与第一组中较第一排非金属蒸发源错位的非金属蒸发源位于同一排。
作为本实用新型的一个具体实施例，参见图4b所示，作为本实用新型的一种具体实施方式，二组的较第一排错位的非金属蒸发源与第一组中较第一排非金属蒸发源错位的非金属蒸发源位于不同排，如相邻的两排。在此指出，图中仅以相邻的两排超第一组与第二组错位的方向相反为例进行展示，并非是对偏移的排的具体限定。
如此，可有效根据实际需求设置底板不同区域的非金属蒸发源的布置密度，有效满足生成厚度均匀的CIGS膜的需求。
在一个实施例中，当Q大于等于4时，所述第一组和.或第二组非金属蒸发源中，至少包括两排相邻且对齐设置的非金属蒸发源。
在本实用新型中，当非金属蒸发源的排数不少于四排时，如当N为4时，第一组和/或第二组的Q排非金属蒸发中至少包括两排相邻且在宽度方向上一一对齐设置的非金属蒸发源，可以为相邻的两排，也可以为相邻的三排，具体参见图5a、图5b所示。而当N为5时，可以是第一组和/或第二组非金属蒸发源中的前两排非金属蒸发源与后两排均对齐设置，参见图5c所示，或者是前三排对齐设置，具体参见图5d所示。
本实用新型实施例中，当非金属蒸发源的排数不少于四排时，通过在每组中设置至少量两排相邻且对齐设置的非金属蒸发源，在满足生成厚度均匀、性能良好的CIGS膜的前提下有效保障了底板上非金属蒸发源的均匀性，为后期维护提供了很大的便利。
在本实用新型实施例中，参见图6所示，非金属蒸发源的中心线12与垂直于沉积腔室的底板1的直线16的倾斜角度均α为0-60度，优选非金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度为0设置，即非金属蒸发源与沉积腔室的底部垂直设置。在此指出，在底板上设的非金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度可以相同，也可以不同；当在底板上设置的非金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度相同时，其可以是朝相同的方向倾斜，也可以是朝不同的方向进行倾斜；而当底板上的非金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度不同时，可以是某几个非金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度相同，而该某几个非金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度与其他非金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度不同；或者是每个非金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度与其他非金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度均不同，在此对其不做具体限定。
在本实用新型中，通过将非金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线成0-60的倾斜角设置，可以基于非金属蒸发源中的非金属粉末被加热后形成的非金属气体的密度出发，将非金属沉积至衬底的预设区域，该倾斜的角度可以根据非金属的材质及预设的区域进行调整。
在本实用新型中，金属蒸发源的中心线11与垂直于所述沉积腔室2的底板1的直线14的倾斜角度为20-45度，如20度、30度、35度、42度或45度，如此设置，可有效保障在衬底上形成的非金属薄膜厚度均匀。在此指出，在底板上设的金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度可以相同，也可以不同；当在底板上设置的金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度相同时，其可以是朝相同的方向倾斜，也可以是朝不同的方向进行倾斜；而当底板上的金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度不同时，可以是某几个金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度相同，而该某几个金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度与其他金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度不同；或者是每个金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度与其他金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度均不同，在此对其不做具体限定。
在本实用新型实施中，所述Q排非金属蒸发源中，相邻两排非金属蒸发源间隔排布。有效避免相邻两排非金属蒸发源之间相互干扰。
在本实用新型实施中，所述非金属蒸发源包括Se蒸发源，通过沉积工艺沉积在沉底的表面，为形成CIGS摸提供Se物质；和/或所述镀膜设备沉积腔室的底部设置的金属蒸发源包括Cu蒸发源、In蒸发源和Ga蒸发源，所述Cu蒸发源、In蒸发源和Ga蒸发源的总数量为P对，其中，P为大于等于8小于等于15的整数，如设置的金属蒸发源的数量为8对、9对、10对、12对或15对，Cu蒸发源中的Cu、In蒸发源中的In及和、Ga蒸发源中的Ga通过沉积工艺沉积在衬底的表面，为形成CIGS膜提供Cu、Ga及In物质基础。
本实用新型提供一种镀膜设备，包括上述任一项所述的镀膜腔室，通过该镀膜设备可在玻璃衬底的表面形成厚度均匀、性能良好且面积满足要求的太阳能发电薄膜，从而有效保障了太阳能电池的高发电效率。
进一步地，在本实用新型实施例中，金属蒸发源分两排设置在非金属蒸发源的两侧，设置在两侧的一排蒸发源的相对应位置上的蒸发源相同，如设置在非金属蒸发源一侧的一排金属蒸发源中的左边第一个金属蒸发源为Cu蒸发源，而设置在非金属蒸发源的另一侧的一排金属蒸发源中的左边第一个金属蒸发源也为Cu蒸发源；设置在非金属蒸发源一侧的一排金属蒸发源中的左边第三个金属蒸发源为In蒸发源，而设置在非金属蒸发源的另一侧的一排金属蒸发源中的左边第三个金属蒸发源也为In蒸发源等。
本实用新型实施例提供的镀膜设备沉积腔室，在所述沉积腔室的底板上设置有金属蒸发源和非金属蒸发源，其特征在于，在所述底板上沿第一预设方向设置的每排非金属蒸发源的个数为M个；在所述沉积腔室的底板上设置的非金属蒸发源的排数为Q排；位于所述Q排的首端的的P个非金属蒸发源构成第一组非金属蒸发源，位于所述Q排的末端的M-P个非金属蒸发源构成第二组非金属蒸发源；所述第一组蒸发源和/或第二组非金属蒸发源，至少有一排非金属蒸发源的首端、末端相对于首排非金属蒸发源的首端、末端沿第一预设方向错位预设距离；其中，M为大于等于8小于等于15的整数，Q为大于等于3小于等于6的整数，P为大于等于1小于等于M-1的整数。使得通过该镀膜设备沉积腔室形成的CIGS膜面积适中、厚度均匀且性能良好，从而有效保障了太阳能电池的高发电效率及高成品率，同时有效保障了通过镀膜设备沉积腔室沉积而形成太阳能电池产品的良率。
在此指出，仅对本实用新型所描述的镀膜设备沉积腔室中的非金属蒸发源之间的间距作出改变，而不改变本实用新型的宗旨，依然属于本实用新型所保护的范围。
还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅为本实用新型的实施例而已，并不用于限制本实用新型。对于本领域技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的权利要求范围之内。
Claims (10)
1.一种镀膜设备沉积腔室，在所述沉积腔室的底板上设置有金属蒸发源和非金属蒸发源，其特征在于，在所述底板上沿第一预设方向设置的每排非金属蒸发源的个数为M个；在所述沉积腔室的底板上设置的非金属蒸发源的排数为Q排；
位于所述Q排的首端的P个非金属蒸发源构成第一组非金属蒸发源，位于所述Q排的末端的M-P个非金属蒸发源构成第二组非金属蒸发源；
所述第一组蒸发源和/或第二组非金属蒸发源，至少有一排非金属蒸发源的首端、末端相对于首排非金属蒸发源的首端、末端沿第一预设方向错位预设距离；
其中，M为大于等于8小于等于15的整数，Q为大于等于3小于等于6的整数，P为大于等于1小于等于M-1的整数。
2.根据权利要求1所述的沉积腔室，其特征在于，每排非金属蒸发源均沿底板的长度方向设置，在所述第一组非金属蒸发源中：
除相对于首排非金属蒸发源错位的非金属蒸发源外的其他排非金属蒸发源，在底板的宽度方向上一一对齐设置；和/或
在所述第二组非金属蒸发源中，除对于首排非金属蒸发源错位的非金属蒸发源，在底板的宽度方向上一一对齐设置。
3.根据权利要求2所述的沉积腔室，其特征在于，在第一组和/或第二组蒸发源中，每排的相邻两个非金属蒸发源的间距为一定值。
4.根据权利要求2所述的沉积腔室，其特征在于，所述第一组中相对于首排非金属蒸发源错位的非金属蒸发源，与所述第二组中相对于首排非金属蒸发源错位的非金属蒸发源位于同一排或不同排。
5.根据权利要求2所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，当Q大于等于4时，所述第一组和/或第二组非金属蒸发源中，至少包括两排相邻且在宽度方向上一一对齐设置的非金属蒸发源。
6.根据权利要求1所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度均为20-45度。
7.根据权利要求1所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述非金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度均为0-60度。
8.根据权利要求1-6任一项所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述Q排非金属蒸发源中，相邻两排非金属蒸发源间隔排布。
9.根据权利要求1-7任一项所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述非金属蒸发源包括Se蒸发源；和/或
所述金属蒸发源包括Cu蒸发源、In蒸发源和Ga蒸发源，所述Cu蒸发源、In蒸发源与Ga蒸发源的总数量为N对，其中P为大于等于8小于等于15的整数。
10.一种镀膜设备，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的镀膜设备沉积腔室。
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