CN209555351U - 一种镀膜设备沉积腔室和镀膜设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种镀膜设备沉积腔室，在所述底板上设置有N排非金属蒸发源，每排非金属蒸发源包括M个沿第一预设方向设置的非金属蒸发源；在第一预设方向上，所述N排非金属中至少包括一排非金属蒸发源的首端、末端的非金属蒸发源较其他排的首端、末端错位预设距离；其中，M为大于等于8小于等于15的整数，N为大于等于2的整数；每排中的相邻两个非金属蒸发源之间的间距为一定值。本方案，使得通过镀膜设备沉积腔室在衬底表面形成的CIGS膜厚度均匀，性能良好，从而使得形成的包括CIGS膜的太阳能电池具有较高的发电效率，有效满足用电需求。

Description

一种镀膜设备沉积腔室和镀膜设备

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池衬底镀膜设备领域，尤其涉及一种镀膜设备沉积腔室和镀膜设备。

背景技术

在基板上附着CIGS(CuIn_xGa_(1-x)Se₂的简写，主要组成有Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒))膜，以形成太阳能电池，方可使太阳能电池具有将太阳能转化为电能的功能。

现有技术方案中主要采用磁控溅射的方法在基板上形成CIGS膜，以形成太阳能电池的方法，该方法主要是利用气体放电产生的正离子在电场的作用下高速运动进而轰击作为阴极的靶，使作为阴极的靶中的原子或分子从原有物质中逃逸出来进而沉淀到基板的表面，以在基板上形成可将太阳能转化为电能的薄膜。采用该磁控溅射方法形成的薄膜与基板有较好的附着性，且形成的薄膜的密度较高。

然而，磁控溅射方法是采用环状磁场控制下的辉光放电，其成膜速率差且磁控溅射的设备需要高压装置，导致设备复杂昂贵，不利于大规模生产太阳能电池。除此之外，通过磁控溅射形成的CIGS薄膜厚度不均匀，质量较差，由此导致太阳能电池的性能较差，发电效率较低。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种镀膜设备沉积腔室和镀膜设备，以解决现有技术中缺少一种形成的CIGS膜厚度均匀、具有高发电效率的镀膜设备沉积腔室的技术问题。

根据本使用新型实施例提供的一种镀膜设备沉积腔室，在所述底板上设置有N排非金属蒸发源，每排非金属蒸发源包括M个沿第一预设方向设置的非金属蒸发源；在第一预设方向上，所述N排非金属中至少包括一排非金属蒸发源的首端、末端的非金属蒸发源较其他排的首端、末端错位预设距离；其中，M为大于等于8小于等于15的整数，N为大于等于2的整数；每排中的相邻两个非金属蒸发源之间的间距为一定值。从而使得所述非金属蒸发源在底板上占据更大的面积，从而可在衬底上形成的CIGS膜的厚度及面积可以得到有效的保证，从而有效保证了CIGS膜的性能及发电效率。而每排中非金属蒸发源之间的间距相同，使得非金属蒸发源在底板上的排布显得较为整齐，这在很大程度上为后期对沉积腔室的维护提供的便利。

在一个实施例中，沿所述底板的长度方向设置N排非金属蒸发源；若N大于3，则在所述底板上设置的N排非金属蒸发源中：相邻两排非金属蒸发源中，在第一预设方向上，位于一排的首端、末端的所述非金属蒸发源较另一排的首端、末端的所述非金属蒸发源均错位预设距离；间隔一排非金属蒸发源的两排非金属蒸发源中：沿底板的宽度方向一一对齐设置。在有效保证非沉积腔室在底板上占据的面积的同时，使的非金属蒸发源在底板上的布置显得较为整齐。

在一个实施例中，所述N排非金属蒸发源中，沿宽度方向，一侧的相邻的三排非金属蒸发源为一组，在底板的长度方向上：每组中的第二排非金属蒸发源的首端、末端相对于该组中的第一排非金属蒸发源的首端、末端均错位预设距离；在第一预设方向的反方向上，每组中的第三排非金属蒸发源的首端、末端相对于该组中的第一排非金属蒸发源的首端、末端均错位预设距离；其中，不足三排的按一组计算。如此设置，可有效保证形成的CIGS膜均匀，可有效保证太阳能电池的高发电效率。

在一个实施例中，当N大于等于4时，沿底板的长度方向设置的N排非金属蒸发源中，至少包括两排相邻且在宽度方向上一一对齐设置的非金属蒸发源。

在一个实施例中，所述金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底部的直线之间的角度均为20-45度。每种所述金属蒸发源与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度可以设置为相同也可以设置为不同，当其相同时，可以是朝着相同的方向倾斜，也可以是朝着不同的方向倾斜；进一步地每个所述金属蒸发源与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度可以设置为相同也可以设置为不同，同样，当倾斜的角度相同时，可以是朝着相同的方向倾斜，也可以是朝着不同的方向倾斜。如此设置，可有效保证金属蒸发源中的金属的扩散性，可有效保障在衬底上形成的薄膜厚度均匀。

在一个实施例中，所述非金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底部的直线之间的角度均为0-60度。在底板上设的非金属蒸发源与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度可以相同，也可以不同；当在底板上设置的非金属蒸发源与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度相同时，其可以是朝相同的方向倾斜，也可以是朝不同的方向进行倾斜；而当底板上的非金属蒸发源与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度不同时，可以是某几个非金属蒸发源与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度相同，而该某几个非金属蒸发源与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度与其他非金属蒸发源与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度不同；或者是每个非金属蒸发源与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度与其他非金属蒸发源与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度均不同，在此对其不做具体限定。如此设置，可有效保证非金属蒸发源中非金属的扩散性，可有效保障在衬底上形成的非金属薄膜厚度均匀。

在一个实施例中，所述非金属蒸发源包括Se蒸发源。为形成CIGS膜提供Se物质。

在一个实施例中，所述N排非金属蒸发源中，相邻两排非金属蒸发源间隔排布。有效避免了相邻两排非金属蒸发源之间相互干扰的现象。

在一个实施例中，在非金属蒸发源的两侧沿所述底板的长度方向分别设置有一排金属蒸发源，设置在非金属蒸发源一侧的一排金属蒸发源与设置在非金属蒸发源另一侧的金属蒸发源对称设置。有效保证了在基板上的对称区域形成的膜层的物质及厚度相同。

在一个实施例中，所述金属蒸发源包括Cu蒸发源、In蒸发源和Ga蒸发源，所述Cu蒸发源、In蒸发源与Ga蒸发源的总数量为P对，其中P为大于等于8小于等于15的整数。为形成CIGS膜提供Cu、In及Ga金属物质。

本实用新型实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：

本实用新型实施例提供的镀膜设备沉积腔室，在所述底板上设置有N排非金属蒸发源，每排非金属蒸发源包括M个沿第一预设方向设置的非金属蒸发源；在第一预设方向上，所述N排非金属中至少包括一排非金属蒸发源的首端、末端的非金属蒸发源较其他排的首端、末端错位预设距离；通过本方案，使得通过该镀膜设备沉积腔室在沉底表面形成的CIGS膜厚度均匀，性能较好，从而使得形成的太阳能电池具有较高的发电效率，有效满足用电需求。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型实施例中非金属蒸发源及金属蒸发源的布置位置的示意图；

图2为本实用新型实施例中提供的镀膜设备沉积腔室的结构示意图；

图3为本实用新型一实施例提供的包括多排非金属蒸发源且相邻排的金属蒸发源交错设置、间隔一排的非金属蒸发源对齐设置的镀膜设备沉积腔室的示意图；

图4为本实用新型另一实施例提供的包括多排非金属蒸发源且多排非金属蒸发源中包括向相反方向偏移的非金属蒸发源的镀膜设备沉积腔室的示意图；

图5a为本实用新型再一实施例提供的包括多排非金属蒸发源、且前两排非金属蒸发源对齐设置的沉积腔室的示意图；

图5b为本实用新型再一实施例提供的包括多排非金属蒸发源、且后两排非金属蒸发源对齐设置的沉积腔室的示意图；

图5c为本实用新型再一实施例提供的包括多排非金属蒸发源、且前两排非金属蒸发源与后两排非金属蒸发源均对齐设置的沉积腔室的示意图；

图5d为本实用新型再一实施例提供的包括多排非金属蒸发源、且前三排非金属蒸发源对齐设置的沉积腔室的示意图；

图6为本实用新型再一实施例提供的包括多排非金属蒸发源、且非金属蒸发源与垂直于底板的直线呈某一倾斜角度设置在底板的镀膜设备沉积腔室的示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型具体实施例及相应的附图对本实用新型技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

以下结合附图，详细说明本实用新型各实施例提供的技术方案。

参加图1所示，本实用新型提供的一种镀膜设备沉积腔室，包括金属蒸发源11和非金属蒸发源12，其中，所述金属蒸发源11设置在沉积腔室底部的侧壁上，非金属蒸发源12设置在沉积腔室的底板1上。

参见图2所示，在所述底板上设置有N排非金属蒸发源，每排非金属蒸发源包括M个沿第一预设方向设置的非金属蒸发源12；在第一预设方向上，所述N排非金属中至少包括一排非金属蒸发源的首端、末端的非金属蒸发源较其他排的首端、末端错位预设距离L；

其中，M为大于等于8小于等于15的整数，N为大于等于2的整数；每排中的相邻两个非金属蒸发源之间的间距为一定值。

其中，第一预设方向可为底板的长度方向，也可为其他方向，本实用新型以长度方向为例进行阐述，并非是对第一预设方向的具体限定。

在本使用新型实施例中，在沉积腔室的底板上设置有至少两排非金属蒸发源，该至少两排非金属蒸发源中至少有一排非金属蒸发源的首端、末端的非金属蒸发源较其他排的首端、末端错位预设距离L，从而使得所述非金属蒸发源在底板上占据更大的面积，从而可在衬底上形成的CIGS膜的厚度及面积可以得到有效的保证，从而有效保证了CIGS膜的性能及发电效率。

在本实用新型实施例中，每排的相邻两个非金属蒸发源之间的间距为一定值，使得非金属蒸发源在底板上的排布显得较为整齐，这在很大程度上为后期对沉积腔室的维护提供的便利。

在此指出，相邻两个非金属蒸发源的间距可以依据具体的需求而进行设定，可以为半个间距、三分之一个间距等，在此对其不做具体限定。其中，此处的间距指代的是每排中相邻两个非金属蒸发源之间的距离。

作为本实用新型的一种实施方式，沿所述底板的长度方向设置N排非金属蒸发源；若N大于3，则在所述底板上设置的N排非金属蒸发源中：

相邻两排非金属蒸发源中，在第一预设方向上，位于一排的首端、末端的所述非金属蒸发源较另一排的首端、末端的所述非金属蒸发源均错位预设距离；间隔一排非金属蒸发源的两排非金属蒸发源中：沿底板的宽度方向一一对齐设置

作为本实施方式的一个具体实施例，参见图3所示，沿所述底板的长度方向，在沉积腔室的N排非金属蒸发源中，第一排非金属蒸发源与第三排非金属蒸发源在宽度方向上一一对齐设置，第二排非金属蒸发源与第四排非金属蒸发源在宽度方向上一一对齐设置；在底板的宽度方向上，第三排非金属蒸发源的首端、末端较第第一排的首端、末端的所述非金属蒸发源均错位预设距离L、第四排非金属蒸发源的首端、末端较第第二排的首端、末端的所述非金属蒸发源均错位预设距离L。

在本实用新型中，采用上述布置方式，在有效保证非沉积腔室在底板上占据的面积的同时，使的非金属蒸发源在底板上的布置显得较为整齐。

在此指出，图中仅以四排非金属蒸发有为例进行展示，并非是对非金属蒸发源的排数的具体限定，如非金属蒸发源可为5排或者6排等。

作为本实用新型的再一种实施方式，所述沉积腔室中的N排非金属蒸发源中，沿宽度方向，一侧的相邻的三排非金属蒸发源为一组，在底板的长度方向上：

每组中的第二排非金属蒸发源的首端、末端相对于该组中的第一排非金属蒸发源的首端、末端均错位预设距离；在第一预设方向的反方向上，每组中的第三排非金属蒸发源的首端、末端相对于该组中的第一排非金属蒸发源的首端、末端均错位预设距离；其中，不足三排的按一组计算。

作为本实施方式的一个具体实施例，参见图4所示，在宽度方向上，对该沉积腔室中的非金属蒸发源进行分组，其中，三排为一组，不足三排的按照一组计算，如当包括4排非金属蒸发源时，则前三排为第一组，第四排为第二组，而当包括5排非金属蒸发源时，前三排为第一组，后两排为第二组。图中仅以5排为例进行展示。

当把非金属蒸发源分组之后，在长度方向上，每组中的第二排非金属蒸发源的首端、末端相对于该组中的第一排非金属蒸发源的首端、末端均错位预设距离，而每组中的第三排非金属蒸发源的首端、末端相对于该组中的第一排非金属蒸发源朝向所述长度方向的反方向错位预设距离L，即每组中的第二排非金属蒸发源与第三排非金属蒸发源分别朝相反的方向错位预设距离L，从而有效保证非金属蒸发源在底板上密度，可有效保证形成的CIGS膜厚度均匀、性能良好且面积满足要求，可有效保证太阳能电池的高发电效率。

作为本实用新型的再一种实施方式，当N大于等于4时，沿底板的长度方向设置的N排非金属蒸发源中，至少包括两排相邻且在宽度方向上一一对齐设置的非金属蒸发源。

在本实用新型中，当在底板的长度方向设置的非金属蒸发源的排数不少于四排时，该N排非金属蒸发中至少包括两排相邻且在宽度方向上一一对齐设置的非金属蒸发源，可以为前两排，也可以为后两排，具体参见图5a、图5b所示。

而当N为5时，可以是前两排与后两排均在宽度方向上一一对齐设置，参见图5c所示，或者是前三排在宽度方向上一一对齐设置，具体参见图5d所示，或者是中间的两排在宽度方向上一一对齐设置等。

作为本实用新型的一种实施方式，参见图6所示，所述非金属蒸发源12的中心线与垂直于所述沉积腔室2的底部的直线16的倾斜角度α均为0-60度，如0度、10度、20度、30度、35度、40度、50度或60度。优选非金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度为0设置，即非金属蒸发源的中心线与沉积腔室的底部垂直设置。在此指出，在底板上设的非金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度可以相同，也可以不同；当在底板上设置的非金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度相同时，其可以是朝相同的方向倾斜，也可以是朝不同的方向进行倾斜；而当底板上的非金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度不同时，可以是某几个非金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度相同，而该某几个非金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度与其他非金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度不同；或者是每个非金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度与其他非金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度均不同，在此对其不做具体限定。如此设置，可有效保证非金属蒸发源中非金属的扩散性，可有效保障在衬底上形成的非金属薄膜厚度均匀。

在本实用新型中，金属蒸发源11的中心线与垂直于所述沉积腔室底部的直线14的倾斜角度β为20-45度，如20度、30度、35度、42度或45度，如此设置，可有效保障在衬底上形成的非金属薄膜厚度均匀。在此指出，在底板1上设的金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度可以相同，也可以不同；当在底板上设置的金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度相同时，其可以是朝相同的方向倾斜，也可以是朝不同的方向进行倾斜；而当底板上的金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度不同时，可以是某几个金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度相同，而该某几个金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度与其他金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度不同；或者是每个金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度与其他金属蒸发源的中心线与垂直于沉积腔室底部的直线的倾斜角度均不同，在此对其不做具体限定。

在本实用新型中，所述非金属蒸发源包括Se蒸发源，通过沉积工艺使非金属蒸发源中的Se粉末气化成Se蒸汽沉积到基板的表面，以为形成为CIGS薄膜提供非金属物质。

在本实用新型中，所述N排非金属蒸发源中，相邻两排非金属蒸发源间隔排布。以避免相邻两排非金属蒸发源之间相互干扰。

作为本实用新型的一种实施方式，相邻两排非金属蒸发源并非紧密贴合在一起，而是间隔一定的距离，从而避免相邻两排非金属蒸发源之间相互干扰的现象，该沉积腔室底板上沿其长度方向设置的N排非金属蒸发源中可以是相邻两排非金属蒸发源之间的间距为第一定值。

作为另一种实施方式，在沉积腔室的底板上沿其长度方向设置的N排非金属蒸发源中相邻两排之间的间距可以不为一个定值，如第一排非金属蒸发源与第二排非金属蒸发源之间的排间距为n1，第二排与第三排非金属蒸发源之间的排间距为n2等，其中n2不等于n1。

在此指出，当N大于时，可以是设置相邻两排之间的排间距为一定值，或者是其中若干排中的相邻两排之间的排间距为一定值，而其他排中相邻两排之间的排间距不为一定值，或者说每相邻两排之间的排间距均不为一定值，在此对其不做具体的限定。

在本实用新型实施例中，在底板上设置的多排非金属蒸发源中相邻练两排之间的间距可以为一定值或者不为一定值，使得非金属蒸发源的排布密度可以依据需求而进行设定，因此，可有效保证在基板上沉积的CIGS膜的面积及均匀性。

在本实用新型实施例中，金属蒸发源设置在非金属蒸发源的两侧，设置在两侧的一排蒸发源的相对应位置上的蒸发源相同，如设置在非金属蒸发源一侧的一排金属蒸发源中的左边第一个金属蒸发源为Cu蒸发源，而设置在非金属蒸发源的另一侧的一排金属蒸发源中的左边第一个金属蒸发源也为Cu蒸发源；设置在非金属蒸发源一侧的一排金属蒸发源中的左边第三个金属蒸发源为In蒸发源，而设置在非金属蒸发源的另一侧的一排金属蒸发源中的左边第三个金属蒸发源也为In蒸发源等。以为形成CIGS膜提供金属物质。

作为本实用新型的一种实施方式，所述金属蒸发源包括Cu蒸发源、In蒸发源和Ga蒸发源，所述Cu蒸发源、In蒸发源与Ga蒸发源的总数量为P对，其中P为大于等于8小于等于15的整数。如设置的金属蒸发源的数量为8对、9对、10对、12对或15对，Cu蒸发源中的Cu、In蒸发源中的In及和、Ga蒸发源中的Ga通过沉积工艺沉积在衬底的表面，为形成CIGS膜提供Cu、Ga及In物质基础。

本实用新型实施例提供的镀膜设备沉积腔室，在所述底板上设置有N排非金属蒸发源，每排非金属蒸发源包括M个沿第一预设方向设置的非金属蒸发源；在第一预设方向上，所述N排非金属中至少包括一排非金属蒸发源的首端、末端的非金属蒸发源较其他排的首端、末端错位预设距离；其中，M为大于等于8小于等于15的整数，N为大于等于2的整数；每排中的相邻两个非金属蒸发源之间的间距为一定值，使得通过该镀膜设备沉积腔室形成的CIGS膜厚度均匀，且具有较高的发电效率，有效保障了太阳能电池的发电效率，同时有效保障了通过镀膜设备沉积腔室沉积而形成太阳能电池产品的良率。

本实用新型提供一种镀膜设备，包括上述任一项所述的镀膜腔室，通过该镀膜设备可在衬底的表面形成厚度均匀、性能良好且面积满足要求的太阳能发电薄膜，从而有效保障了太阳能电池的高发电效率。

还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅为本实用新型的实施例而已，并不用于限制本实用新型。对于本领域技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种镀膜设备沉积腔室，在所述沉积腔室的底板上设置有金属蒸发源和非金属蒸发源，其特征在于，在所述底板上设置有N排非金属蒸发源，每排非金属蒸发源包括M个沿第一预设方向设置的非金属蒸发源；

在第一预设方向上，所述N排非金属中至少包括一排非金属蒸发源的首端、末端的非金属蒸发源较其他排的首端、末端错位预设距离；

其中，M为大于等于8小于等于15的整数，N为大于等于2的整数；每排中的相邻两个非金属蒸发源之间的间距为一定值。

2.根据权利要求1所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，沿所述底板的长度方向设置N排非金属蒸发源；

若N大于3，则在所述底板上设置的N排非金属蒸发源中：

相邻两排非金属蒸发源中，在第一预设方向上，位于一排的首端、末端的所述非金属蒸发源较另一排的首端、末端的所述非金属蒸发源均错位预设距离；

间隔一排非金属蒸发源的两排非金属蒸发源中：沿底板的宽度方向一一对齐设置。

3.根据权利要求2所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述N排非金属蒸发源中，沿宽度方向，一侧的相邻的三排非金属蒸发源为一组，在底板的长度方向上：

每组中的第二排非金属蒸发源的首端、末端相对于该组中的第一排非金属蒸发源的首端、末端均错位预设距离；

在第一预设方向的反方向上，每组中的第三排非金属蒸发源的首端、末端相对于该组中的第一排非金属蒸发源的首端、末端均错位预设距离；其中，不足三排的按一组计算。

4.根据权利要求1所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，当N大于等于4时，沿底板的长度方向设置的N排非金属蒸发源中，至少包括两排相邻且在宽度方向上一一对齐设置的非金属蒸发源。

5.根据权利要求1所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度均为20-45度。

6.根据权利要求1所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述非金属蒸发源的中心线与垂直于所述沉积腔室的底部的直线的倾斜角度均为0-60度。

7.根据权利要求1-6任一项所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述非金属蒸发源包括Se蒸发源。

8.根据权利要求1-6任一项所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述N排非金属蒸发源中，相邻两排非金属蒸发源间隔排布。

9.根据权利要求1-6任一项所述的镀膜设备沉积腔室，其特征在于，所述金属蒸发源包括Cu蒸发源、In蒸发源和Ga蒸发源，所述Cu蒸发源、In蒸发源与Ga蒸发源的总数量为P对，其中P为大于等于8小于等于15的整数。

10.一种镀膜设备，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的镀膜设备沉积腔室。