CN202205763U - 一种薄膜光伏电池 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种薄膜光伏电池,它包括钠钙玻璃基板和薄膜层,薄膜层电镀在钠钙玻璃基板上,所述薄膜层的上表面设置“p-n结”区域,所述钠钙玻璃基板和薄膜层中间镀有厚钼薄膜,所述薄膜层上面镀有硫化镉;本实用新型采用高温,四元素固态靶材,“硫化”与“四元素溅射”是同步的,既有稳定快速的控制,更有可靠的重复性和节约硫化氢的材料,可保证铜铟镓硒薄膜层在不同深度的“硫”,进而完成铜铟镓硒薄膜层间最优化的分布,具有均衡性,提高转换效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及电池领域,具体涉及一种薄膜光伏电池。
背景技术
较简单的三元复合“铜铟二硒”,有较小的带隙;假如参入镓来取代部分铟便能使“带隙”增加至1.5eV。太阳辐照度高峰大约为2.6eV,所以“带隙”的增加能吸收更大波长范围的阳光,太阳光子传入光伏芯片,使“负电子与空穴”分离,较大的“带隙”能增加开路电压,提高“转换效率”,促进“光能/电能”的转换;但“镓”与“(镓+铟)”的成分,则的比例,却不得超过30%以上,过多“镓”会引起“原子缺陷”的产生,降低电源效率;故,可调的最高“带隙”一般设在1.1eV,并且,过多镓会分离铜铟镓硒薄膜层,影响其均衡性,减低“转换效率”,此状态在传统的“溅射金属后硒化”的工艺下,尤其严重。
实用新型内容
本实用新型要解决的问题是提供均衡性好,转换效率高的一种薄膜光伏电池。
为解决上述问题,本实用新型通过以下方案来实现:一种薄膜光伏电池,它包括钠钙玻璃基板和薄膜层,薄膜层电镀在钠钙玻璃基板上,所述薄膜层的上表面设置“p-n结”区域,所述钠钙玻璃基板和薄膜层中间镀有厚钼薄膜,所述薄膜层上面镀有硫化镉。
所述硫化镉上镀有绝缘层氧化锌,所述绝缘层氧化锌上镀有导电透明的氧化锌参铝,所述氧化锌参铝上表面镀镍。
所述镍上面设有厚铝膜,所述厚铝膜上面镀有保护铝的保护镍,所述保护镍上面镀有钠钙覆盖玻璃。
所述薄膜层为铜铟镓硒薄膜层。
本实用新型采用高温,四元素固态靶材,“硫化”与“四元素溅射”是同步的,既有稳定快速的控制,更有可靠的重复性和节约硫化氢的材料,可保证铜铟镓硒薄膜层在不同深度的“硫”,进而完成铜铟镓硒薄膜层间最优化的分布,具有均衡性,提高转换效率。
附图说明
图1为本实用新型的横截面图;
图2为本实用新型实施例结构示意图。
具体实施方式
参照图1所示,一种薄膜光伏电池,它包括钠钙玻璃基板1和薄膜层3,薄膜层3电镀在钠钙玻璃基板1上,所述薄膜层3的上表面设置“p-n结”区域11,所述钠钙玻璃基板1和薄膜层3中间镀有厚钼薄膜2,所述薄膜层3上面镀有硫化镉4,所述硫化镉4上镀有绝缘层氧化锌5,所述绝缘层氧化锌5上镀有导电透明的氧化锌参铝6,所述氧化锌参铝6上表面镀镍7,所述镍7上面设有厚铝膜8,所述厚铝膜8上面镀有保护铝的保护镍9,所述保护镍9上面镀有钠钙覆盖玻璃10,所述薄膜层3为铜铟镓硒薄膜层。
使用“四元素固态靶材”溅射,使用复合“铜,铟,镓,二硒”材料,在铜铟镓硒薄膜层间,“镓”的浓度是固定的,不能随薄膜层不同的深度而改变,但当我们在溅射“四元素铜铟镓硒薄膜”时,使用硫化氢工艺气体,在薄膜不同深度添加“硫”,将可取得同样效果,这样做能提高我们的工艺可控性,在薄膜层的不同深度,均匀调配最优化的“带隙”,传统的四元素共蒸镀工艺,在最后阶段,方使用硫化氢,只会对“高铜”的铜铟镓硒薄膜起作用,而且也只能改变铜铟镓硒表层的“带隙”;更何况使用共蒸镀后硫化工艺是十分复杂,耗时,难重复的工艺。我们采用高温,四元素固态靶材,在溅射同时“硫化”,“硫化”与“四元素溅射”是同步的,既有稳定快速的控制,更有可靠的重复性和节约硫化氢的材料,是最佳的工艺手段,可保证铜铟镓硒薄膜层在不同深度的“硫”,进而完成铜铟镓硒薄膜层间最优化的“带隙”分布,“镓”与“硫”之所以能增加“带隙”,是因为它们原子“间隔距离”的离子半径较小;这跟温度和气压的作用是类似的,半导体的“带隙能量”随着温度增加而减少;当温度增加时,原子间的振动振幅也会增加,导致较大的原子间距,“带隙能量”也随之下降,同样,像低温一样,高压能降低“晶体点阵”或晶格,进而增加“带隙”,对铜铟镓硒而言,以“镓”取代“铟”,导致较小的离子距离;因此晶格收缩,“带隙”增加,基于以上“离子距离”原理的解释,以增加“镓”来扩大“带隙”,我们同样可以推断比“硒”的“离子距离”更小的“硫”会有同样效应,其中提到,增加“镓”能增加光学“带隙”,任何其他材料,例如“硫”也会有类似的效果。
实施例:如图2所示,使用的“连线”溅射系统设计,其中的工艺溅射炉的左右皆有两个转换炉,转换炉之作用是为匹配前工序与后工序的真空环境,使大气,氩气,硒化氢,或硫化氢,等工艺气体,不相互污染,铜铟镓硒薄膜层本身也需要适当的氩气压力;我们注入“硒化氢”或“硫化氢”一方面为纠正由于过多铜造成的“非化学计量”,并同时调节在“p-n接”附近的“带隙”,此工艺发明同时包括使用“x-光射线荧光”,建立“在线反馈监测系统”;使铜铟镓硒薄膜成型时,通过“可编程逻辑控制”及时反馈铜铟镓硒薄膜层内,不同层深度内的“铜”及“硒”或“硫”的成分,进而随时调整“硒化氢”或“硫化氢”的注入,使用“硫化氢”在溅射过程中控制薄膜性能,混合“硒化氢”,通常以33%的比例,使铜铟镓硒薄膜层中,靠近“p-n接”的区域,有足够的“硫”,以促进“转换效率”,使用脉冲直流电源,使用“越过式”连线溅射,电镀2.0微米的厚度的铜铟镓硒薄膜层,我们只需在铜铟镓硒薄膜的上层,加入0.02到0.67微米以下“硫化区”,则“p-n接”区及“空间电荷”区,以此例计算,我们使用“硫化氢”气体,只限于0.67微米的厚度,而非2.0微米的铜铟镓硒薄膜全层厚度,减小硫化氢有毒气体的使用,此发明也包括使用双靶材,控制不同深度铜铟镓硒层中的“硫”比例。我们建议使用“脉冲直流溅射”用于铜铟镓硒薄膜层,使用“射频溅射”用于“氧化锌”和“硫化镉”薄膜层。
Claims (4)
1.一种薄膜光伏电池,其特征在于:它包括钠钙玻璃基板(1)和薄膜层(3),薄膜层(3)电镀在钠钙玻璃基板(1)上,所述薄膜层(3)的上表面设置“p-n结”区域(11),所述钠钙玻璃基板(1)和薄膜层(3)中间镀有厚钼薄膜(2),所述薄膜层(3)上面镀有硫化镉(4)。
2.根据权利要求1所述的薄膜光伏电池,其特征在于:所述硫化镉(4)上镀有绝缘层氧化锌(5),所述绝缘层氧化锌(5)上镀有导电透明的氧化锌参铝(6),所述氧化锌参铝(6)上表面镀镍(7)。
3.根据权利要求2所述的薄膜光伏电池,其特征在于:所述镍(7)上面设有厚铝膜(8),所述厚铝膜(8)上面镀有保护铝的保护镍(9),所述保护镍(9)上面镀有钠钙覆盖玻璃(10)。
4.根据权利要求1所述的薄膜光伏电池,其特征在于:所述薄膜层(3)为铜铟镓硒薄膜层。
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CN 201120209194 CN202205763U (zh) | 2011-06-20 | 2011-06-20 | 一种薄膜光伏电池 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN104300014A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-01-21 | 徐东 | 一种cigs太阳能电池吸收层的制备设备及其制备方法 |
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2011
- 2011-06-20 CN CN 201120209194 patent/CN202205763U/zh not_active Expired - Fee Related
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