JP2004084007A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004084007A JP2004084007A JP2002247216A JP2002247216A JP2004084007A JP 2004084007 A JP2004084007 A JP 2004084007A JP 2002247216 A JP2002247216 A JP 2002247216A JP 2002247216 A JP2002247216 A JP 2002247216A JP 2004084007 A JP2004084007 A JP 2004084007A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering apparatus
- semiconductor wafer
- foreign matter
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】真空室内に高電圧を印加してアルゴンガスをイオン化しターゲット背面側に設置した磁石の磁界によってプラズマを発生させ、イオンをターゲットに衝突させてターゲット表面から飛散するスパッタ材を半導体ウエハ上に被着させて薄膜を形成するスパッタ装置において、半導体ウエハに対向するターゲット15表面におけるプラズマ密度の低い外周部近傍7に凹部16を形成し、異常放電の原因となる異物9をこの凹部16内に取り込んでターゲット15表面から突出させないようにした。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハに薄膜を形成する際に使用するスパッタ装置に関し、特に、マグネトロンスパッタ装置におけるターゲットの改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のスパッタ装置の一例について、図3の構成図を用いて説明する。すなわち、アルゴンなどの不活性ガスの供給口11と真空排気系に接続された排気口12を有する真空室1を備え、この真空室1内にはスパッタ処理を行なう半導体ウエハ5を載置するステージ10と、半導体ウエハ5に対向して配置されたターゲット4と、冷却機構(図示せず)を具備しターゲット4を取り付けるバッキングプレート13と、バッキングプレート13に取り付けられターゲット4を囲むターゲットシールド8と、バッキングプレート13の背面側に設置された磁石2と、ターゲット4及び半導体ウエハ5の間に高電圧を印加する直流電源14から構成されている。
【0003】
このようなスパッタ装置を使用して半導体ウエハ5上に薄膜を形成する場合には、まず、真空排気系を動作させて真空室1内を排気した後、供給口11よりアルゴンガスを供給し、直流電源14により半導体ウエハ5を陽極にし、ターゲット4を陰極となるようにして高電圧を印加する。その結果、両極間に放電が発生してアルゴンガスは陽イオンと電子に電離し、この陽イオンがターゲット4に衝突し、そこからスパッタされるターゲット材料の放出粒子6が対向して配置された半導体ウエハ5上に堆積する。この現象を利用して半導体ウエハ上に薄膜を形成している。
【0004】
しかしながら、マグネトロンスパッタ装置においては、磁石2による磁界3がターゲット4の上方に形成されてここでプラズマが発生する。このプラズマによってアルゴンガスの陽イオン化が促進され、イオン化率の高い陽イオンがターゲット4に衝突する。これにより、ターゲット4からスパッタされる放出粒子6が陽極である半導体ウエハ5上に堆積される。
【0005】
この際、ターゲット4からスパッタされた放出粒子6の全てが半導体ウエハ5上に堆積するわけではなく、一部はターゲット4に堆積されるものもある。すなわち、ターゲット4の表面は、イオンの衝突により削られて凹部が形成される状態にある部分▲1▼と、この凹部からスパッタされる放出粒子6が析出物となって再付着し堆積する状態にある部分▲2▼との二つの状態下にある。
【0006】
一方、ターゲット4の外周部近傍7は、プラズマ密度が低いため上記した▲1▼よりも▲2▼の方が進行し易い状態にあることと、ターゲットシールド8に堆積した成膜が剥がれて付着し易いことから、ターゲット4の外周部表面上には、再付着した放出粒子6による析出物や剥離した成膜物質が異物9として付着し、突起が発生する。
【0007】
この突起が発生したことによって、突起とターゲットシールド8との間に異常放電が発生し、異常放電によって突起が飛散し、パーティクルとなって半導体ウエハ5上に付着する。これにより、半導体ウエハ上に形成される薄膜に悪影響を及ぼし、製品の製造歩留りが低下する原因となっている。
【0008】
また、ターゲット4の形状は、通常は厚さが均一の平板状であるが、ターゲット4の中央部付近はプラズマ密度が高いため、この部分は放出粒子6のスパッタが激しくなって消耗量が多くなる。一方、ターゲット4の外周部近傍7はプラズマ密度が低いため消耗量が少ない。その結果、ターゲット4の厚さが不均一となってターゲット4の消費効率が悪くなり、ターゲット4の寿命が短くなるという問題もある。特に、ターゲット4の裏面側(バッキングプレート13側)に凹部を設けた構造(例えば、特開平6−108241号公報など)の場合には、さらに消費効率を悪くしている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、マグネトロンスパッタ装置においては、電界と磁界の位置関係でプラズマ密度の濃淡が決まるため、特にターゲット外周部近傍ではプラズマ密度が低くなる。そのため、ターゲットの外周部表面領域は定常的に異物が付着しやすい状態となっている。この異物付着によって形成された突起とターゲットシールドとの間に異常放電が発生し、この異常放電が真空室内でのパーティクル発生の原因となっている。また、同時に、ターゲットには消耗量の差による厚さの不均一性が生じ、寿命を短くしている。
【0010】
本発明は、真空室内での異常放電の発生を抑制することによってパーティクルの発生を無くし、半導体ウエハ上に形成される製品の製造歩留りの向上を図るとともに、ターゲットの消費効率を向上させて装置の稼働率向上を図ることを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、真空室内に高電圧を印加してアルゴンガスをイオン化しターゲットの背面側に設置した磁石の磁界によってプラズマを発生させ、イオンをターゲットに衝突させてターゲット表面から飛散するスパッタ材を半導体ウエハ上に被着させて薄膜を形成するスパッタ装置において、半導体ウエハに対向するターゲット表面の外周部近傍に凹部を形成した構成としている。
【0012】
また、本発明において、ターゲット表面の凹部を形成する部分はプラズマ密度の低い部分であり、このプラズマ密度の低い部分に堆積し易い異物を、ターゲットに形成した凹部内に付着させるようにしている。
【0013】
また、本発明において、凹部内への異物の付着によって生じた突起はターゲット表面から突出しないようにし、このターゲット表面からの異物の突出を無くすることによって、ターゲットとこのターゲットを囲んで設けられたターゲットシールドとの間の異常放電を抑制するようにしている。
【0014】
また、本発明において、前記凹部は、ターゲット外周部近傍に沿って形成されたリング状溝を構成している。
【0015】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は一実施の形態を示すスパッタ装置の構成図、図2はターゲットの拡大断面図である。なお、図3の従来技術と同じ部分は同じ符号で説明する。
【0016】
本発明のスパッタ装置は、図1に示すように、アルゴンなどの不活性ガスの供給口11と真空排気系に接続された排気口12を有する真空室1を備え、この真空室1内にはスパッタ処理を行なう半導体ウエハ5を載置するステージ10と、半導体ウエハ5に対向して配置されたターゲット15と、冷却機構(図示せず)を具備しターゲット15を取り付けるバッキングプレート13と、バッキングプレート13に取り付けられターゲット15を囲むターゲットシールド8と、バッキングプレート13の背面側に設置された磁石2と、ターゲット15及び半導体ウエハ5の間に高電圧を印加する直流電源14から構成されている。
【0017】
ここで、本発明の特徴は、ターゲット15の構造を図2に示すような構造としたことにある。すなわち、平板状のターゲット15の表面外周部近傍7に凹部16を設けている。この凹部16は、幅a、深さbのリング状溝であり、1例として、a=2mm、b=1mm程度とする。この外周部近傍7は、プラズマ密度が低い領域であり、定常的に異物が付着する領域に一致している。
【0018】
次に、本発明のスパッタ装置の動作について説明する。まず、半導体ウエハ5を真空室1内のウエハステージ10上にセットする。次いで、真空排気系を動作させて真空室1内を排気した後、供給口11よりアルゴンガスを所定の減圧状態まで供給し、直流電源14により半導体ウエハ5を陽極とし、ターゲット15を陰極として高電圧を印加する。その結果、両極間に放電が発生してアルゴンガスは陽イオンと電子に電離し、この陽イオンがターゲット15に衝突し、そこからスパッタされるターゲット材料の放出粒子6が対向して配置された半導体ウエハ5上に堆積し、薄膜が形成される。
【0019】
この際、ターゲット15からスパッタされた放出粒子6の全てが半導体ウエハ5上に堆積するわけではなく、一部はターゲット15の表面に堆積されて行く。すなわち、ターゲット15の表面は、中央部付近ではプラズマ密度が高いためイオンの衝突により削られて凹部が形成されつつあり、一方、ターゲット15の外周部近傍7はプラズマ密度が低いため、中央部付近から飛散した放出粒子6が析出物となって再付着し始める。さらに、ターゲットシールド8に堆積した成膜が剥がれて付着し易いことから、ターゲット15の外周部表面上には、再付着した放出粒子6の析出物や剥離した成膜物質が異物9として付着し突起が発生する。
【0020】
しかし、本発明のターゲット15によれば、外周部周辺7に凹部16が形成されているため、本来はターゲット15の表面に付着するはずの異物9が凹部16内に取り込まれ、突起が発生してもターゲット15の表面から突出することが無くなる。すなわち、異物9は凹部16内に付着するためターゲット15の表面高さには変化が無く、異物9による突起とターゲットシールド8との間の異常放電の発生を抑えることができる。
【0021】
この異常放電が発生しなくなったことによって真空室1内での異物9の飛散が抑制され、パーティクルとなって半導体ウエハ5上に付着することがなくなる。これにより、半導体ウエハ5上に形成される薄膜の品質が向上し、製品の製造歩留り向上が得られる。
【0022】
また、本発明は、ターゲット15の外周部近傍7にあらかじめ凹部16を設けたことによって、プラズマ密度の高いターゲット15の表面中央部と、プラズマ密度の低い外周部近傍7との消耗量のバランスが取れ、ターゲットの消費効率が向上し交換頻度を減らすことができる。
【0023】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、ターゲットの外周部近傍に凹部を設けたことによって、従来はターゲットの表面に付着していた異物を凹部内に取り込むことができ、異物が付着してもターゲット全体から見た表面高さには変化が無いので、真空室内での異常放電の発生を抑制することができる。これによってパーティクルの発生を無くし、半導体ウエハ上に形成される製品の製造歩留りの向上を図るとともに、ターゲットの消費効率を向上させ装置の稼働率向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態を示すスパッタ装置の構成図である。
【図2】本発明に用いるターゲットの拡大断面図である。
【図3】従来のスパッタ装置の構成図である。
【符号の説明】
1 真空室
2 磁石
3 磁界
4 ターゲット
5 半導体ウエハ
6 放出粒子
7 外周部近傍
8 ターゲットシールド
9 異物
10 ステージ
11 供給口
12 排気口
13 バッキングプレート
14 直流電源
15 ターゲット
16 凹部
Claims (6)
- 真空室内に高電圧を印加してアルゴンガスをイオン化しターゲットの背面側に設置した磁石の磁界によってプラズマを発生させ、イオンをターゲットに衝突させてターゲット表面から飛散するスパッタ材を半導体ウエハ上に被着させて薄膜を形成するスパッタ装置において、半導体ウエハに対向するターゲット表面の外周部近傍に凹部を形成したことを特徴とするスパッタ装置。
- 前記ターゲット表面の凹部を形成する部分はプラズマ密度の低い部分であることを特徴とする請求項1記載のスパッタ装置。
- 前記ターゲット表面のプラズマ密度の低い部分に堆積し易い異物を、前記ターゲットに形成した凹部内に付着させることを特徴とする請求項1記載のスパッタ装置。
- 前記凹部内への異物の付着によって生じた突起がターゲット表面から突出していないことを特徴とする請求項1記載のスパッタ装置。
- 前記ターゲット表面からの異物の突出を無くすることによって、ターゲットとこのターゲットを囲んで設けられたターゲットシールドとの間の異常放電を抑制することを特徴とする請求項1記載のスパッタ装置。
- 前記ターゲットに形成された凹部は、ターゲット外周部近傍に沿って形成されたリング状溝であることを特徴とする請求項1記載のスパッタ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002247216A JP2004084007A (ja) | 2002-08-27 | 2002-08-27 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002247216A JP2004084007A (ja) | 2002-08-27 | 2002-08-27 | スパッタ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004084007A true JP2004084007A (ja) | 2004-03-18 |
Family
ID=32054917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002247216A Pending JP2004084007A (ja) | 2002-08-27 | 2002-08-27 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004084007A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006054409A1 (ja) * | 2004-11-17 | 2006-05-26 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット-バッキングプレート組立体及び成膜装置 |
US8398833B2 (en) | 2008-04-21 | 2013-03-19 | Honeywell International Inc. | Use of DC magnetron sputtering systems |
JP2016216786A (ja) * | 2015-05-21 | 2016-12-22 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
KR20180110109A (ko) | 2016-03-09 | 2018-10-08 | 제이엑스금속주식회사 | 이그니션을 안정화하는 것이 가능한 스퍼터링 타깃 |
TWI681069B (zh) * | 2014-06-06 | 2020-01-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於改良的金屬離子過濾的方法及設備 |
KR20200129190A (ko) | 2015-05-21 | 2020-11-17 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타깃 |
US11244815B2 (en) | 2017-04-20 | 2022-02-08 | Honeywell International Inc. | Profiled sputtering target and method of making the same |
-
2002
- 2002-08-27 JP JP2002247216A patent/JP2004084007A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9685307B2 (en) | 2004-11-17 | 2017-06-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target, sputtering target-backing plate assembly and deposition system |
JPWO2006054409A1 (ja) * | 2004-11-17 | 2008-08-07 | 日鉱金属株式会社 | スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体及び成膜装置 |
KR100876573B1 (ko) | 2004-11-17 | 2008-12-31 | 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟 - 백킹 플레이트 조립체 및 막 형성 장치 |
EP2236644A2 (en) | 2004-11-17 | 2010-10-06 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sputtering target backing plate assembly and film deposition system |
JP4629051B2 (ja) * | 2004-11-17 | 2011-02-09 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体及び成膜装置 |
WO2006054409A1 (ja) * | 2004-11-17 | 2006-05-26 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット-バッキングプレート組立体及び成膜装置 |
US8398833B2 (en) | 2008-04-21 | 2013-03-19 | Honeywell International Inc. | Use of DC magnetron sputtering systems |
TWI681069B (zh) * | 2014-06-06 | 2020-01-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於改良的金屬離子過濾的方法及設備 |
JP2016216786A (ja) * | 2015-05-21 | 2016-12-22 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
KR20200129190A (ko) | 2015-05-21 | 2020-11-17 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타깃 |
US10984992B2 (en) | 2015-05-21 | 2021-04-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target |
KR20180110109A (ko) | 2016-03-09 | 2018-10-08 | 제이엑스금속주식회사 | 이그니션을 안정화하는 것이 가능한 스퍼터링 타깃 |
US11193199B2 (en) | 2016-03-09 | 2021-12-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target capable of stabilizing ignition |
US11244815B2 (en) | 2017-04-20 | 2022-02-08 | Honeywell International Inc. | Profiled sputtering target and method of making the same |
US20220139685A1 (en) * | 2017-04-20 | 2022-05-05 | Honeywell International Inc. | Profiled sputtering target and method of making the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2000144399A (ja) | スパッタリング装置 | |
JP2006083408A (ja) | 真空成膜装置 | |
TWI758284B (zh) | 用於與介電沉積使用的非消失的陽極 | |
CN112501577B (zh) | 一种晶圆固定环及其制备方法与应用 | |
JP2004084007A (ja) | スパッタ装置 | |
KR20120130335A (ko) | 스퍼터링 장치 | |
TWM592875U (zh) | Pvd濺射沉積腔室中的傾斜磁控管 | |
KR101330651B1 (ko) | 타깃 조립체 및 이 타깃 조립체를 구비한 스퍼터링 장치 | |
US20090205950A1 (en) | Film deposition apparatus and film deposition method | |
JP2000178730A (ja) | 高周波スパッタリング装置及びそれを利用した薄膜形成方法 | |
JPH11158621A (ja) | 半導体装置製造方法および製造装置 | |
KR200155046Y1 (ko) | 반도체 소자 제조공정용 스퍼터링 시스템의 자기장 조절구조 | |
TWI801632B (zh) | 用於電漿處理腔室的處理套件、用於rfpvd腔室的處理套件、及pvd腔室 | |
US20170178875A1 (en) | Insulator target | |
JPH10204614A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
JPH0360916B2 (ja) | ||
JPH05339726A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
KR20010002579A (ko) | 스퍼터 장비의 타겟 효율 향상용 마그네트 | |
JPH11350123A (ja) | 薄膜製造装置および液晶表示基板の製造方法 | |
KR101293129B1 (ko) | 스퍼터링장치 | |
JPS63247366A (ja) | マグネトロンスパツタ装置 | |
JP3414667B2 (ja) | マグネトロンスパッタ方法 | |
JPH0681146A (ja) | マグネトロン型スパッタ装置 | |
JP2580149B2 (ja) | スパツタ装置 | |
JP3824443B2 (ja) | スパッタ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Effective date: 20040109 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Effective date: 20050516 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050615 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Effective date: 20070703 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080527 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090203 |