JPH10330930A

JPH10330930A - スパッタ装置及びこれを用いた磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JPH10330930A
Application number: JP15439397A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Izeki; 隆之井関
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1997-05-28
Filing date: 1997-05-28
Publication date: 1998-12-15

Abstract

(57)【要約】【課題】平面部分のみならず、斜め溝部分に形成され
る成膜の膜質も向上させることができるスパッタ装置を
提供する。【解決手段】真空容器１３内に、一対のターゲット１
４，１５を平行に向かい合わせて配置し、このターゲッ
トの裏面側に、前記ターゲット間にプラズマ封じ込め用
の磁界を形成する永久磁石１６，１７を設け、前記ター
ゲット間の下方に配置した基板ホルダ１９上に載置され
た基板に成膜を施すスパッタ装置において、前記ターゲ
ットは、鉛直方向に位置ずれさせて配置されており、且
つ前記基板ホルダの載置面は、前記ターゲットの位置ず
れ方向に対して傾斜させている。これにより、平面部の
みならず、斜め溝の壁面部分における成膜の膜質を向上
させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜を形成するた
めのスパッタ装置及びこれを用いた例えばＭＩＧ型の磁
気ヘッドの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、薄膜の形成法には真空蒸着法、ス
パッタリング法があり、これらは一般的に平面の基板上
に膜を形成することを目的としている。従って、例えば
溝を持った基板上にこれらの方法で膜を形成する場合、
平面上には良好な膜が形成されても溝の壁面には質の悪
い例えば、柱状晶の発達したような膜、或いはステップ
カバレジの悪い膜が形成されてしまう。ステップカバレ
ッジが良く、しかも溝の壁面にも均質な膜を成膜する方
法として、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などがある。

【０００３】また、軟磁性膜を用いた電子部品、例えば
ＭＩＧ型の磁気ヘッドなどは、トラック幅規制溝の加工
されたフェライト基板に軟磁性膜を形成し、ギャップを
介して対となるコアをガラス溶着によりボンディングし
てヘッドチップを製造する方法が採られるが、その軟磁
性膜の形成には一般的にスパッタリング法、真空蒸着法
等が用いられる。軟磁性膜の形成にＣＶＤ法を用いない
理由は、ＣＶＤ法では金属膜、特に合金膜を成膜するこ
とが現時点では技術的に困難だからである。

【０００４】ここで図１６を参照して磁気ヘッドの従来
の製造方法について説明する。図１６（Ａ）に示すよう
に例えばフェライトよりなる直方体状の第１及び第２の
２つのハーフコアバー１、２を用意し、それぞれのハー
フコアバー１、２の接合面であるコア接合面３、４にト
ラック幅を規定するためのＶ字状のトラック幅規定溝
５、６を形成する。また、一方の、ここでは第２のハー
フコアバー２の接合面４には、その長手方向に沿って磁
路形成溝７が形成されている。尚、その磁路形成溝７
は、一方のみならず、両方のハーフコアバーに形成する
ようにしてもよい。

【０００５】次に、図１６（Ｂ）に示すようにスパッタ
装置等を用いて上記第１及び第２のハーフコアバー１、
２のコア接合面３、４、トラック幅規定溝５、６の溝面
及び磁路形成溝７の溝面に一様に軟磁性膜８、９を成膜
する。そして、図１６（Ｃ）に示すように、両方の、或
いはいずれか一方のハーフコアバーのコア接合面の一
部、図示例においては第２のハーフコアバー２のコア接
合面４の上端、すなわち磁気ギャップを形成する部分
に、ＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃等よりなる非磁性材料を成膜
することにより、ギャップ膜１０を形成する。

【０００６】次に、図１６（Ｄ）に示すように第１及び
第２のハーフコアバー１、２を、それぞれのコア接合面
３、４側を向き合わせた状態でガラス１１により溶着し
てこれらを一体化する。そして、この一体物をトラック
幅規定溝５、６の略中央にて例えば図１６（Ｄ）中のＸ
−Ｘ線、Ｙ−Ｙ線、Ｚ−Ｚ線に沿って切断することによ
り、図１６（Ｅ）に示すような一枚毎のコアチップ２３
を形成する。このように形成されたコアチップ２３の上
面図は図１７に示されており、ギャップ膜１０の部分が
磁気ギャップ１２となる。このようなコアチップ２３に
摺動面加工が行われて磁気ヘッドが形成されることにな
る。図１８は別形状の磁気ヘッドを示す拡大斜視図であ
り、この場合には両方のハーフコアバーに磁路形成溝７
を形成した構造を示している。

【０００７】上述のようにハーフコアバー１、２のコア
接合面３、４に軟磁性膜８、９を形成するには、一般的
にはスパッタリング法や真空蒸着法を用いる。スパッタ
装置としては、基板、すなわちここでは成膜対象物であ
るハーフコアバーとターゲットを対向させて配置してマ
グネトロンを用いてスパッタを行なう平板マグネトロン
スパッタ装置や図１９に示すような対向ターゲット型の
スパッタ装置が用いられる。この対向ターゲット型のス
パッタ装置は、真空容器１３内に一対のターゲット１
４、１５を対向させて配置し、且つ両ターゲット１４、
１５の裏面側に極性を異ならせた永久磁石１６、１７を
配置して両ターゲット１４、１５間に水平方向に平行な
プラズマ封じ込め用の磁界１８を生ぜしめている。

【０００８】そして、両ターゲット１４、１５間の下方
に、基板Ｗを載置する基板ホルダ１９を水平に設け、こ
の基板ホルダ１９と両ターゲット１４、１５間に高圧直
流源２０から高い直流電圧を印加する。これによって、
グロー放電が生じて発生したプラズマが磁界１８に閉じ
込められ、そして、導入された例えばアルゴン等のガス
イオンがターゲット１４、１５に衝突してそこからスパ
ッタされる粒子が基板Ｗ上に堆積して成膜されることに
なる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、スパッタ法
や真空蒸着法は成膜される材料がほぼ直進的に基板上に
成膜されるため、平面上に形成される膜質は特性が良好
であるが、例えば溝を有するような基板の溝壁面にはス
パッタ粒子の入射角が強くなり、例えば柱状晶が発達し
たように表面がガサガサに荒れた膜が形成されてしま
う。そのため、例えば、前述したようにＭＩＧ型の磁気
ヘッドのハーフコアバーに軟磁性膜を形成する場合、コ
ア接合面３、４の平面部に形成された膜質は良くても、
斜めの溝６、７の溝壁面に形成された膜の磁気特性は大
幅に劣化してしまう。従って、溝６、７の両側の壁面と
も良質な膜を形成することはなおさら困難である。

【００１０】溝５、６の壁面に柱状晶の膜を形成させな
い手段として、図２０に示すように基板ホルダ１９の中
央に位置させた基板Ｗを自転させたり、或いは図２１に
示すように基板ホルダ１９の偏心させた位置に基板Ｗを
設けることによって、これを公転させたりしながら成膜
する方法がある。これによれば、溝の壁面にスパッタ粒
子を色々な角度から入射させることによって膜の成長が
一方向とならず、結果的に溝の壁面の膜が滑らかにな
り、ステップカバレッジも良好になる。しかしながら、
この方法では、膜質がスパッタ粒子の入射角に大きく影
響する材料の場合、良好な特性を得ることが困難とな
り、また基板の自転や公転により、平面上の膜質にも悪
影響を与える場合がある。更に、平面部と溝部との角
（エッジ）が丸みを帯びてしまい、トラック幅の精度が
要求される場合には、非常に不利である。

【００１１】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に創案されたものであり、その目的は平面部
分のみならず、斜め溝部分に形成される成膜の膜質も向
上させることができるスパッタ装置及びこれを用いた磁
気ヘッドの製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、真空容器内に、一対のターゲットを平
行に向かい合わせて配置し、このターゲットの裏面側
に、前記ターゲット間にプラズマ封じ込め用の磁界を形
成する永久磁石を設け、前記ターゲット間の下方に配置
した基板ホルダ上の基板に成膜を施すスパッタ装置にお
いて、前記ターゲットは、鉛直方向に位置ずれさせて配
置されており、前記基板ホルダの載置面は、前記ターゲ
ットの位置ずれ方向に対して傾斜されるように構成され
たものである。

【００１３】これにより、基板ホルダ上に、例えば磁気
ヘッド用のハーフコアバーなどの基板を載置してスパッ
タ成膜を行なうことにより、基板の平面部のみならず、
溝の斜めの壁面に対しても表面が滑らかな膜質の良好な
成膜を行なうことが可能となる。この場合、前記ターゲ
ットは、これらのターゲット面の鉛直方向における長さ
が異なって形成されており、前記基板ホルダの載置面は
前記ターゲット面の小さい方のターゲットに向けて上向
き傾斜されているように構成してもよいし、或いは、前
記ターゲットは、これらのターゲット面が鉛直方向から
所定の角度だけ傾斜させて形成され、前記基板ホルダの
載置面は水平になされるように構成してもよい。

【００１４】このように構成されたスパッタ装置を用い
て、基板としてハーフコアバーを採用し、このコア接合
面上とトラック幅規制溝の壁面上に軟磁性膜を成膜する
と、全面に亘って表面が滑らかで、しかも膜質の良好な
軟磁性膜を得ることが可能となる。従って、磁気特性の
良好な磁気ヘッドを得ることが可能となる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るスパッタ装
置及びこれを用いた磁気ヘッドの製造方法の一実施例を
添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明の第１実施
例のスパッタ装置を示す概略構成図である。尚、図１９
に示す構成部分と同一部分については同一符号を付して
説明する。図示するように、このスパッタ装置は、内部
が真空引き可能になされた例えばアルミニウム製の真空
容器１３を有しており、この内部の上方には、一対のタ
ーゲット１４、１５が所定の間隔Ｌ１を隔てて対向させ
て配置されている。

【００１６】ここで各ターゲット１４、１５は、ターゲ
ット面１４Ａ、１５Ａが鉛直方向に沿って起立した状態
で配置されるが、図１９に示した構成とは異なり、いず
れか一方のターゲット、図１中においては右側のターゲ
ット１５を所定の間隔Ｌ２だけ上方へ（鉛直方向）位置
ずれさせて配置している。そして、各ターゲット１４、
１５の裏面側には、極性を異ならせた永久磁石１６、１
７を配置して両ターゲット１４、１５間に斜め方向に向
かうプラズマ封じ込め用の磁界１８を形成するようにな
っている。尚、ターゲット１４、１５のターゲット面１
４Ａ、１５Ａの形状は、円形や方形状等でよく、その形
状は問わない。

【００１７】そして、両ターゲット１４、１５間の下方
には、スパッタ成膜を行なうための基板Ｗを載置して保
持するための、加熱ヒータ内蔵の基板ホルダ１９が設け
られている。特に、この基板ホルダ１９の載置面１９Ａ
は、図１９に示す構成とは異なってターゲット１５の位
置ずれ方向に例えば角度θだけ傾斜させて設けられてい
る。この場合、磁界１８の方向に対して載置面１９Ａの
傾斜方向を平行に設定するとは限らず、角度θを所定の
角度の範囲内の一定値となるように設定する。すなわ
ち、基板Ｗの傾斜角度θは、実際には膜厚の分布や斜め
溝の壁面への膜形成状態によって所定の角度の範囲内で
ある程度任意に選択できるようにする。一例として、タ
ーゲット１４、１５間の距離Ｌ１を１００ｍｍ、ターゲ
ット１４、１５の上下間の位置ずれの距離Ｌ２を２０ｍ
ｍとすると、角度θは、２４度〜２８度の範囲内に設定
するのがよい。また、基板ホルダ１９と両ターゲット１
４、１５間には、例えば２キロボルト程度の高圧直流源
２０が接続されており、これらの間に高い直流電圧を印
加できるようになっている。尚、真空容器１３内には、
スパッタガスとして不活性ガス、例えばＡｒガスが導入
される。

【００１８】次に、以上のように構成されたスパッタ装
置を用いて、表面に金属膜を成膜する場合について説明
する。図２は表面にＶ字溝が形成された基板に成膜を形
成する時の状態を示す図、図３はＶ字溝が形成された基
板を示す断面図である。尚、図２中において基板は断面
状態を示している。

【００１９】この基板Ｗとしては、図１６を参照して前
述したような第１及び第２のハーフコアバー１、２が用
いられ、ここでは第１のハーフコアバー１を例にとって
説明する。まず、第１のハーフコアバー１は、図３にも
示すように、一辺の長さＬ４が例えば２５ｍｍ程度の直
方体形状に形成されており、そのコア接合面３には、複
数の断面Ｖ字形のトラック幅規制溝５が多数形成されて
いる。図３においては一例として３つの溝５が示されて
いる。図示例ではトラック幅規制溝５の壁面５Ａ、５Ｂ
の水平方向に対する角度及び壁面５Ａ、５Ｂ間の角度は
共に６０°程度となるように設定されている。隣接する
トラック幅規制溝５、５間の平面部２１がトラック幅Ｌ
３に対応し、このトラック幅Ｌ３は、例えば１４μｍ程
度に設定されている。

【００２０】さて、このように形成されている基板とし
ての第１のハーフコアバー１を、コア接合面３が上に向
けられた状態で図１及び図２に示すように基板ホルダ１
９の載置面１９Ａ上に載置する。この際、トラック幅規
制溝５の溝方向（図２及び図３中において紙面垂直方
向）がターゲット面１４Ａ、１５Ａと平行となるように
ハーフコアバー１を方向付けする。このようにハーフコ
アバーを載置した状態でスパッタ成膜処理を開始する。
この時、プラズマは図１及び図２において両ターゲット
１４、１５間に挟まれた断面平行四辺形の領域に形成さ
れることになる。

【００２１】成膜状況は、図４に示すように、トラック
幅規制溝５の両側の壁面５Ａ、５Ｂの部分にはそれぞれ
向かい合う一方のターゲット１４、１５から飛来するス
パッタ粒子が主に成膜に寄与する。そして、壁面５Ａ及
び５Ｂと互いに反対側の位置関係となるターゲット１
５、１４からの入射角の強いスパッタ粒子は、平面部２
１がシールドの役目を果たしてほとんど反対側の壁面５
Ａ、５Ｂに到達せず、成膜に寄与しない。すなわち、膜
の特性劣化が激しくなる様な鋭角で入射するスパッタ粒
子膜は壁面５Ａ、５Ｂにほとんど付着しなくなる。ま
た、平面部２１には、両者のターゲット１４、１５から
のスパッタ粒子が略同等に堆積して成膜される。そのた
め、本スパッタ装置を用いればステップカバレジのよ
い、また平面部２１は勿論のこと、溝５の壁面部分にも
質のよい、すなわち表面が平坦で特性が良好な金属溝膜
を得ることが出来る。

【００２２】上記したスパッタ装置を用いて磁気ヘッド
を形成する場合には、先の図１６（Ｂ）において示した
軟磁性膜８、９を形成する際に、上記したスパッタ装置
を用い、図５に示すように第１及び第２のハーフコアバ
ー１、２を基板ホルダ１９の斜めの載置面１９Ａ上に載
置してスパッタ成膜を行なう。この場合、前述のように
トラック幅規制溝５、６の溝方向２２が両ターゲット面
１４Ａ、１５Ａと平行となるように各ハーフコアバー
１、２を方向付けして配置して、各溝５、６の壁面が対
応するターゲットに対向して向かい合うようにする。

【００２３】このようにして軟磁性膜８、９をコア接合
面３、４や溝の壁面等に形成したならば、以後の工程
は、図１６（Ｃ）〜図１６（Ｅ）に参照して前述した通
りに行なえばよい。このようにして形成された磁気ヘッ
ドの摺動面は、図６に示すようになる。図中、２２は第
２のハーフコアバー２の平面部、６Ａ、６Ｂは壁面であ
る。これにより、平面部は勿論のこと、壁面部に形成さ
れた膜は柱状晶にならずに滑らかで、且つ特性の良好な
軟磁性膜を得ることができるので、磁気ヘッドの磁気特
性を大幅に向上させて、この性能及び信頼性を改善する
ことができる。このようにして形成されるＭＩＧ型の磁
気ヘッドは、図６に示すような形状に限定されず、図７
に示すような、いわゆるＴＳＳ型のＭＩＧ磁気ヘッド及
び図８に示すような、いわゆるＸ型のＭＩＧ磁気ヘッド
にも適用できるのは勿論である。

【００２４】尚、上記実施例においては、同一形状の２
つのターゲット１４、１５の内、いずれか一方のターゲ
ット、例えば図１中において右側のターゲット１５を上
方へ位置ずれさせて斜め方向に磁界１８を形成する場合
を例にとって説明したが、これに限定されず、２つのタ
ーゲット１４、１５の鉛直方向における長さを変えるよ
うにしてもよい。例えば図９においては左側のターゲッ
ト１４のサイズを大きくしてターゲット面１４Ａの鉛直
方向における大きさを拡大している。そして、両ターゲ
ット１４、１５を、これらの鉛直方向における中心位置
が同一水平レベルに位置するように設置する。そして、
基板ホルダ１９の載置面１９Ａを、サイズの小さい方の
ターゲット１５に向けて上向き傾斜させる。このように
載置面１９Ａが、いずれか一方向に上向き傾斜される点
は、図１に示す構造の場合と同じである。

【００２５】このように形成することにより、図２に示
すようにサイズの異なるターゲット面１４Ａ、１５Ａ間
に、断面台形状のプラズマ封じ込め用磁界１８が発生す
ることになり、従って、図１に示した場合と同様に、表
面が滑らかな、膜質の良好な軟磁性膜（金属薄膜）の成
膜を行なうことができる。また、図１０に示すように一
対のターゲット１４、１５の両ターゲット面１４Ａ、１
５Ａを、鉛直方向からいずれか一方に、図１０において
は右側方向に所定の角度θ１だけ傾斜させるようにし、
基板ホルダ１９の載置面１９Ａを傾けることなく水平方
向に設定するようにしてもよい。この場合には、断面平
行四辺形のプラズマ封じ込め用磁界１８が形成でき、図
１に示した場合と同様に、表面が滑らかな、膜質の良好
な軟磁性膜（金属薄膜）の成膜を行なうことができる。

【００２６】次に、図１に示すスパッタ装置を用いて断
面Ｖ字形状の溝を有する基板に実際に成膜した時の実施
例の結果を説明する。尚、従来装置により成膜をした時
の膜形成状態も併せて記す。図１１は成膜実験を行なっ
た時のスパッタ装置のパラメータを示す概略図である。
基板には、断面Ｖ字状のトラック幅規定溝の加工された
ＭＩＧ型の磁気ヘッド用フェライトブロックを用いた。
この基板上に軟磁性膜を図１に示すスパッタ装置を用い
て成膜し、ギャップボンディングした後、摺動面部を鏡
面加工して平面部および溝部分の斜めの壁面の膜の形成
状態を観察した。基板の寸法（諸元）、形状は図３に示
した通りである。

【００２７】本発明のスパッタ装置による軟磁性膜とし
ては、ＦｅＮ膜を用いた。その成膜条件の一例を以下に
示す。ターゲット間距離：Ｌ１ 100mm １対のターゲットずれ量：Ｌ２ 30mm ターゲット大きさ：ｄ 100mmφ ターゲット中心から基板最下端までの距離：ｈ１，ｈ２ 80mm及び110mm 基板テーパ角度：θ 25° スパッタガス圧３mTorr Ar/N₂ ガス流量 20ccm/3.2ccm 基板加熱温度約200℃ 膜厚２〜３μｍギャップボンディング（熱処理） 550℃ 1時間 N₂ガス中保持

【００２８】図１２乃至図１５に各種スパッタ法による
軟磁性膜の形成状態のＳＥＭ写真を示す。図１２は従来
の平板マグネトロン（基板固定）スパッタ装置による成
膜のＳＥＭ写真、図１３は従来の平板マグネトロン（基
板公転）スパッタ装置（図２１参照）による成膜のＳＥ
Ｍ写真、図１４は従来の対向ターゲット型のスパッタ装
置（図１９参照）による成膜のＳＥＭ写真、図１５は本
発明のスパッタ装置（図１参照）による成膜のＳＥＭ写
真をそれぞれ示す。基板内で膜厚分布や入射角分布があ
るので、基板ブロック内の両端及び中央のＶ溝部分を観
察した。図１２から図１５において、各図中の図１２
（Ａ）〜図１５（Ａ）は、基板左端のＶ溝部分を、図１
２（Ｂ）〜図１５（Ｂ）は基板中央のＶ溝部分を、図１
２（Ｃ）〜図１５（Ｃ）は基端右端のＶ溝部分をそれぞ
れ示す。

【００２９】図１２に示す従来の平板マグネトロンスパ
ッタ装置、図１４に示す従来の対向ターゲット型スパッ
タ装置による膜は、いずれも溝の壁面に形成された膜は
柱状成長して表面に微小な凹凸が発生しており、またそ
の発生状況は基板の場所によりかなり異なっている。図
１３に示す従来の平板マグネトロンスパッタ装置による
膜に関しては、溝に形成された膜は、膜質の表面が滑ら
かになっており、柱状成長していない。これは、基板を
公転移動させながら成膜することによって膜の入射角が
連続的に変わって行き、一方向に柱状成長しないためで
ある。しかしながら、この方法では平面部、壁面部があ
るゆる角度から膜（スパッタ粒子）が入射するため、膜
（スパッタ粒子）の入射角依存性が大きい軟磁性膜の場
合は良好な特性を得ることが困難となる。また、トラッ
クエッジが丸みを帯びてしまっているので好ましくな
い。特に、高精度のトラック幅を要求される場合やエッ
ジのだれによる磁束のフリンジングがノイズなどの悪影
響として現れる場合はこの方法を用いることは難しい。

【００３０】これに対して、図１５に示す本発明のスパ
ッタ装置による膜に関しては、溝に形成された膜は滑ら
かであり、柱状成長していない。また、両側のトラック
エッジの少なくとも一方はシャープに現れており、トラ
ック幅も精度よく確保でき、且つ磁束のフリンジングも
低減できる。勿論、ターゲット−基板間距離などのスパ
ッタ条件の最適値を見いだせば両側のトラックエッジと
もシャープにすることは十分可能である。

【００３１】尚、以上の各実施例では、スパッタ装置を
用いて磁気ヘッドの軟磁性膜を形成する場合を例にとっ
て説明したが、これに限定されず、金属薄膜を成膜する
ことが求められる全ての電子部品に対して、本発明のス
パッタ装置を用いることができるのは勿論である。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のスパッタ
装置及びこれを用いた磁気ヘッドの製造方法によれば次
のように優れた作用効果を発揮することができる。一対
のターゲットを上下方向に位置ずれさせて配置すると共
に基板ホルダの載置面をターゲットの位置ずれ方向に傾
斜させることにより、断面Ｖ字状の溝が形成されている
基板に対しても、ステップカパレジが良好な、しかも、
溝の壁面に対して柱状晶が成長しない表面が滑らかな成
膜を施すことができる。一対のターゲット面の鉛直方向
における長さを異ならせて、且つ基板ホルダの載置面を
ターゲット面が小さい方に上向き傾斜させることによ
り、断面Ｖ字状の溝が形成されている基板に対しても、
ステップカパレジが良好な、しかも、溝の壁面に対して
柱状晶が成長しない表面が滑らかな成膜を施すことがで
きる。

【００３３】一対のターゲット面を鉛直方向から所定の
角度だけ傾斜させて、且つ基板ホルダの載置面を水平に
することにより、断面Ｖ字状の溝が形成されている基板
に対しても、ステップカパレジが良好な、しかも、溝の
壁面に対して柱状晶が成長しない表面が滑らかな成膜を
施すことができる。また、上記した成膜方法を、磁気ヘ
ッドの軟磁性膜の形成に適用することにより、トラック
幅規制溝の壁面にも表面が滑らかな膜質の良好な成膜を
施すことができるので、磁気ヘッドの特性を大幅に向上
させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例のスパッタ装置を示す概略
構成図である。

【図２】表面にＶ字溝が形成された基板に成膜を形成す
る時の状態を示す図である。

【図３】Ｖ字溝が形成された基板を示す断面図である。

【図４】トラック幅規制溝の壁面にスパッタ粒子が堆積
する状態を示す図である。

【図５】スパッタ装置によりハーフコアバーに成膜する
状態を示す模式図である。

【図６】磁気ヘッドの摺動面を示す拡大平面図である。

【図７】他の形式の磁気ヘッドの摺動面を示す拡大平面
図である。

【図８】更に他の形式の磁気ヘッドの摺動面を示す拡大
平面図である。

【図９】本発明の第２実施例のスパッタ装置を示す概略
構成図である。

【図１０】本発明の第３実施例のスパッタ装置を示す概
略構成図である。

【図１１】成膜実験を行なった時のスパッタ装置のパラ
メータを示す概略図である。

【図１２】従来の平板マグネトロン（基板固定）スパッ
タ装置による成膜のＳＥＭ写真である。

【図１３】従来の平板マグネトロン（基板公転）スパッ
タ装置による成膜のＳＥＭ写真である。

【図１４】従来の対向ターゲット型のスパッタ装置によ
る成膜のＳＥＭ写真である。

【図１５】本発明のスパッタ装置による成膜のＳＥＭ写
真である。

【図１６】磁気ヘッドの一般的な製造方法を説明するた
めの工程図である。

【図１７】磁気ヘッドの摺動面を示す拡大図である。

【図１８】他の形式の磁気ヘッドを示す拡大図である。

【図１９】従来のスパッタ装置を示す概略構成図であ
る。

【図２０】従来の他のスパッタ装置を示す概略構成図で
ある。

【図２１】従来の更に他のスパッタ装置を示す概略構成
図である。

【符号の説明】

１…第１のハーフコアバー、２…第２のハーフコアバ
ー、３，４…コア接合面、５，６…トラック幅規制溝、
５Ａ，５Ｂ，６Ａ，６Ｂ…壁面、８，９…軟磁性膜、１
０…ギャップ膜、１１…ガラス、１２…磁気ギャップ、
１３…真空容器、１４，１５…ターゲット、１４Ａ，１
５Ａ…ターゲット面、１６，１７…永久磁石、１８…プ
ラズマ封じ込め用磁界、１９…基板ホルダ、１９Ａ…載
置面、２１…平面部、２２…溝方向、Ｗ…基板。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空容器内に、一対のターゲットを平行
に向かい合わせて配置し、このターゲットの裏面側に、
前記ターゲット間にプラズマ封じ込め用の磁界を形成す
る永久磁石を設け、前記ターゲット間の下方に配置した
基板ホルダ上に載置された基板に成膜を施すスパッタ装
置において、前記ターゲットは、鉛直方向に位置ずれさ
せて配置されており、且つ前記基板ホルダの載置面は、
前記ターゲットの位置ずれ方向に対して傾斜されている
ことを特徴とするスパッタ装置。
【請求項２】真空容器内に、一対のターゲットを平行
に向かい合わせて配置し、このターゲットの裏面側に、
前記ターゲット間にプラズマ封じ込め用の磁界を形成す
る永久磁石を設け、前記ターゲット間の下方に配置した
基板ホルダ上に載置された基板に成膜を施すスパッタ装
置において、前記ターゲットは、これらのターゲット面
の鉛直方向における長さが異なって形成されており、前
記基板ホルダの載置面は前記ターゲット面の小さい方の
ターゲットに向けて上向き傾斜されていることを特徴と
するスパッタ装置。
【請求項３】真空容器内に、一対のターゲットを平行
に向かい合わせて配置し、このターゲットの裏面側に、
前記ターゲット間にプラズマ封じ込め用の磁界を形成す
る永久磁石を設け、前記ターゲット間の下方に配置した
基板ホルダ上に載置された基板に成膜を施すスパッタ装
置において、前記ターゲットは、これらのターゲット面
が鉛直方向から所定の角度だけ傾斜させて形成され、前
記基板ホルダの載置面は水平になされていることを特徴
とするスパッタ装置。
【請求項４】第１及び第２のハーフコアバーのコア接
合面にＶ字状のトラック幅規制溝を形成する工程と、請
求項１乃至３に規定されるスパッタ装置の基板ホルダ上
に、前記トラック幅規制溝の溝方向が前記ターゲット面
と平行となるように前記第１及び第２のハーフコアバー
を配置して前記コア接合面上及び前記溝の壁面上に軟磁
性膜を成膜する工程と、前記コア接合面の軟磁性膜上に
ギャップ幅相当になる非磁性材料を成膜してギャップ膜
を形成する工程と、前記第１及び第２のハーフコアバー
を突き合わせてガラスにて接合する工程と、接合された
前記第１及び第２のハーフコアバーを１枚毎のコアチッ
プに切断する工程とよりなることを特徴とする磁気ヘッ
ドの製造方法。