JPH0375368A - スパッタリング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、スパッタリング装置に関し、特に連続的に
移送される基板上に連続的にスパッタリングを行い薄膜
を形成するスパッタリング装置に関するものである。

〔従来技術〕

近年、光磁気記録媒体はレーザー光による書き込み、読
み出しが可能な光磁気ディスクとして大容量のデータフ
ァイル等に広く利用されている。

前記光磁気ディスクは、ガラスやプラスチック等の透明
基体上に形成された誘電体層、記録層及び保護層等から
成る多層構造で構成されている。例えば、光磁気効果を
示す前記記録層は、希土類金属（以下ＲＥと称す）と遷
移金属（以下ＴＭと称す）の混合膜或いは積層膜とから
戒っており、このような薄膜を形成する薄膜形成法とし
てスパッタ法がある。

前記スパッタ法とは、低圧雰囲気中においてＡｒガス等
の不活性ガスを導入してグロー放電を発生せしめ、プラ
ズマ中のイオンを陰極ターゲットに照射してターゲット
材料表面から構造原子、分子を叩き出すことにより、該
ターゲットに対向するように配置された陽極基体ホルダ
ー上の基体表面に薄膜を付着形成する薄膜形成方法であ
り、広く工業的に利用されている。

なかでも、前記ターゲット上に該ターゲットと概ね平行
な磁場成分を形成し、電界と磁界をほぼ直交させるマグ
ネトロンスパッタ法は、成膜速度が速く、被スパツタリ
ング基体の温度上昇が抑えられる等の効果があり、非常
に有効な薄膜形成方法として半導体や磁気記録媒体の製
造工程等で広く利用されている。

次に、従来の光磁気記録媒体の記録層の製造装置につい
て説明する。

従来の製造装置にはその一つに回転成膜方式と呼ばれて
いるマグネトロン型スパッタリング装置があり、この基
本的構造はスパッタ室内において、室内上方に回転する
ホルダーが設置され、このホルダーに成膜用基板を装着
するように構成され、更に、スパッタ室内の低部に、例
えば２つのマグネトロンスパッタカソードがそれぞれ成
膜材料であるＲＥ金金属ＴＭ金金属から威る円形のター
ゲットを有し、マグネトロン放電を可能にするために各
ターゲット裏面側には永久磁石を備えた構成にて所定の
間隔をあけて配置されている。

前記回転成膜方式の装置には、前記マグネトロンスパッ
タカソードに対向するように設けられた前記ホルダーに
は、単に公転する構造のものと、自公転（遊星ギア等を
有した構成）する構造のものとがある。公転型の場合は
膜圧分布を均一にするために膜厚分布修正板が配置され
ており、自公転型のもは前記膜厚分布修正板が無くとも
膜厚分布の均一化が良好にできる。

このような回転成膜方式の成膜装置によれば、前記ＲＥ
金属層とＴＭ金属層の積層構造を自由に変えることがで
きるので、記録層の磁化量、保磁力、光磁気効果（カー
効果）等の優れた特性を有する高品質な光磁気記録媒体
が得られる。更に、記録層の積層構造変化は前記基板ホ
ルダーの公転成いは自転の回転数と前記両ターゲットに
印加するスパッタパワー比とでコントロールできるため
に、比較的制御性が良い。

しかしながら従来装置によれば、膜厚の均一性を図るた
めに前記膜厚分布修正板や自公転機構等の機械的動作構
造に多く依存しているので、前記スパッタ室内の清浄性
の点から望ましくなく、例えば前記膜厚分布修正板に付
着したスパッタ粒子に起因したダストが薄膜を形成する
基板上に付着して薄膜のピンホールを発生する。

また、前記自公転式の成膜装置においては、前記基板を
自公転機構に取り付ける作業は複雑で自動化しにくく生
産性が低い。また、駆動機構が複雑で設備コストが高い
だけでなく、メンテナンス性においても問題がある。

更に、上記回転成膜方式の成膜装置においては、前記基
板上への誘電体層、保護層、記録層等の各層の成膜がそ
れぞれ独立したスパッタ室で行われるため、スパッタ室
の開放は一回のスパッタリング毎に必要になることは当
然のことながら、前記基板ホルダーは前記各スパッタ室
間の移送や前記各スパッタ室内の回転軸への取付けの際
にチャッキングが必要になる。このため、前記基板ホル
ダーのセツティング時間が大きくなり、生産性が上がら
ないと言う問題がある。

そこで、前記生産性の向上のために、第９図に示した様
な通過成膜方式の連続スパッタ装置がある。

前記通過成膜方式の連続スパッタ装置は、それぞれ独立
した排気系を持つ複数の真空室を有しており、そのうち
連続して設けられたスパッタ室１２６゜１２７．１２８
では連続してスパッタが行われる。前記スパッタ室１２
６．１２７．１２８はゲートバルブ１３１により連通し
て分けられている。そして、搬送経路を形成した搬送ロ
ール１２０に案内された複数の基板ホルダー１２１は、
前記スパッタ室１２６．１２７．１２８内に連続して一
定速度で移送されるように構成されている。また、前記
基板ホルダー１２１は、その移送方向に対して水平直交
方向に並んだ複数のプラスチック基板１２５を保持して
いる。

そして、例えば前記スパッタ室１２７内には、底部にマ
グネトロンスパッタカソード１２２が成膜材料であるＲ
Ｅ金金属ＴＭ金金属ら成る角型の合金ターゲット１２３
を有し、マグネトロン放電を可能にするために永久磁石
１２４を備え、配置されている。また、前記プラスチッ
ク基板１２５上の成膜層の成膜時間を調整するために、
前記合金ターゲット１２３の上方にはシャッター１２９
が配置されている。

前記合金ターゲット１２３は、ターゲット電源１３０が
繋げられており、該合金ターゲット１２３に適したスパ
ッタパワーを与え、所望の合金薄膜が形成出来るように
なされている。更に、前記合金ターゲラ）１２３は、前
記基板ホルダー１２１の移送方向に対して水平直交方向
に延びる矩形状に形成されており、該合金ターゲット１
２３の長手方向の長さは通常、前記基板ホルダー１２１
に並設された前記プラスチック基板１２５の直径の合計
長に対して約１．６〜２．０倍程度に設定される。

そこで、前記通過成膜方式の連続スパッタ装置では、前
記基板ホルダー１２１に並設された複数の前記プラスチ
ック基板１２５が連続移送されながらスパッタを行われ
同時成膜されるので、生産性が大幅に向上する。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、前記通過成膜方式の連続スパッタ装置で
は、前記基板ホルダー１２１の中央部分に設置されたプ
ラスチック基板１２５上に形成された薄膜の膜厚分布は
均一化することができるが、前記基板ホルダー１２１の
移送方向両側端部分に設置されたプラスチック基板１２
５上に形成された薄膜の膜厚分布は不均一になると云っ
た問題、更には、両端のプラスチック基板１２５の膜厚
が中央のものに比べて小さ（なるといった所謂取付は位
置による膜厚差が生じる問題があった。これは、前記基
板ホルダー１２１の移送方向に対して直交方向に延びる
前記合金ターゲット１２３の長手方向の長さを十分に長
くすることにより解決されることは分かっていたが、前
記合金ターゲット１２３の長手方向の長さを長くすると
ターゲット材料の基板への付着効率が減少し、製造コス
トが増加するという問題を生じた。また、前記シャッタ
ーの如き可動部材により成膜時間を調節することは清浄
性の点から望ましくない。

即ち、本発明の目的は上記課題を解消することにあり、
生産性が良く、膜厚分布がターゲットを搬送方向に対し
て直角方向に長くしなくとも均一で高品質な薄膜を形成
することができるスパッタリング装置を提供するもので
ある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の上記目的は、スパッタ室内に連続的に移送され
る基板上に薄膜を形成するため、前記基板に対向して配
設されたターゲットによって連続的にスパッタリングを
行うスパッタリング装置において、前記ターゲットが前
記基板の移送方向に対して直交方向に延びる一平面上に
並んだ複数枚に分離され、且つ前記ターゲットの裏面側
にはターゲット表面の近傍にて該表面に沿った磁界を形
成する磁界発生手段が前記ターゲットの枚数に対応して
設けられており、前記各ターゲットにはそれぞれ独立し
たスパッタ電圧を印加できるように構成されたことを特
徴とするスパッタリング装置により達成される。

以下、本発明の実施態様について詳細に説明する。

〔実施態様〕

第１図は、本発明に基づくスパッタリング装置の要部概
略図を示し、第２図はターゲットと基板の位置関係を示
すための概略平面図である。

第１図及び第２図に示すように、本発明に基づくスパッ
タリング装置は、それぞれ独立した排気系１７を持つ複
数の真空室を有しており、そのうち連続して設けられた
スパッタ室１４，１５．１６では連続してスパッタが行
われる。前記スパッタ室１４．１５゜１６はゲートバル
ブ１８により連通して分けられている。そして、搬送経
路を形成した搬送ロール１１に案内された複数の基板ホ
ルダー７は、前記スパッタ室１４．１５．１６内に連続
して一定速度で移送されるように構成されている。また
、前記基板ホルダー７の本体の下方側に、それぞれ円形
のプラスチソク基板Ａ、Ｂ、Ｃを保持した回転自在なタ
ーンテーブル６を備えている。前記ターンテーブル６は
、その中心に回転軸８を有しており、該回転軸８が前記
基板ホルダー７の本体を貫通して上方に延びており、該
回転軸８の上方端寄りにビニオン９が設けられている。

前記ピニオン９は前記スパッタ室１４．１５．１６に固
定されているラック１０に係合し、前記基板ホルダー７
が前記搬送ロール１１に沿って移動することにより、前
記ターンテーブル６をそれぞれ所定方向に回転させるこ
とができる。

そして、例えば前記スパッタ室１５内には、底部にマグ
ネトロンスパッタカソード３が成膜材料であるＲＥ金金
属ＴＭ金金属から成る角型の合金ターゲット１を有し、
マグネトロン放電を可能にするために前記合金ターゲッ
ト１の裏面側に永久磁石２が配置されている。

前記合金ターゲット１は、水平に配設されており且つ前
記基板ホルダー７の移送方向に対して直交方向に延びる
矩形状に形成されており、中央ターゲラ１−１ｂと両端
の端部ターゲラ）ｌａ、ｌｃとの三つの部分に分割され
た構成であり、かつ電気的に絶縁されている。そして、
前記各ターゲラ）１ａ、ｌｂ、ｌｃはそれぞれが別々の
ターゲット電源４（第１図では一つのみ図示）が繋げら
れており、前記各ターゲットｌａ、ｌｂ、ｌｃには固有
のスパッタパワー（電力）を加えるが、少なくとも前記
中央ターゲラ）ｌｂよりも前記両端部ターゲットｌａ、
ｌｃに加えるスパッタパワーが大きく出来るように構成
され、所望の薄膜が形成出来るようになされている。

前記合金ターゲット１の裏面側に配置された前記永久磁
石２は、第３図に示すように中央ブロック２ｂと両端ブ
ロック２ａ及び２ｂの３ブロツクに分けられている。前
記各ブロック２ａ、２ｂ２ｃは各ブロック中央に矩形の
Ｓ極（磁極は図中斜線にて示す）が位置され、且つ該Ｓ
極の回りを囲むように方形環状の間隙５を空けて方形環
状のＮ極が形成されている。そして、前記各ブロック２
ａ、２ｂ、２ｃは前記各ターゲットｌａ、ｌｂ、ｌｃに
対応している。なお、第４図には前記間隙５が長円形及
び円形に構成された永久磁石２を図示している。

そこで、上記のように構成されたスパッタリング装置の
スパッタ室１５にアルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガス
をガス導入口１９から導入し、且つ前記合金ターゲット
１に適宜スパッタパワーを付加させた状態にしておき、
前記基板ホルダー７に予め誘電体層が形成された前記プ
ラスチック基板ＡＢ、Ｃを連続して次々に装着する。

前記基板ホルダー７は連続して前記スパッタ室１５に移
送されて行き、前記ターンテーブル６がスパッタ室内に
て回転しながら前記プラスチック基板Ａ、Ｂ、Ｃ上に薄
膜が形成される。

このように、本発明によれば、複数の前記プラスチック
基板Ａ、Ｂ、Ｃは前記基板ホルダー７に保持されて連続
的に移送されながらスパッタリングされるので、生産性
を向上させることができる。また、前記プラスチック基
板Ａ、Ｂ、Ｃは前記スパッタリング室１５内においてそ
れぞれ回転しながら移送される。また、前記両端部ター
ゲット１ａ、ｌｃに加える電力（スパッタパワー）は同
じにして前記中央ターゲット１ｂに加える電力よりも大
きく設定する。これにより前記各ターゲットｌａ、Ｉｂ
、ｌｃの表面に各々形成されるターゲット放電中におけ
る各プラズマ密度は、前記各ターゲラ）ｌａ及び１ｃが
前記中央ターゲット１ｂに比較して高い状態になってい
る。即ち、前記合金ターゲット１の長手方向両端部分に
おいて、上方に向かって飛散するスパッタ粒子が多くな
る。

従って、前記プラスチック基板Ａ、Ｂ、Ｃに付着するス
パッタ粒子は、従来のように前記スパッタ室１５の中央
置部に位置して移動される前記プラスチック基板Ｂが多
くなることが避けられ、前記プラスチック基板Ａ、Ｃの
ごとくスパッタ室両端部分を通過する基板にも前記プラ
スチック基板Ｂと同量のスパッタ粒子を付着させること
ができるので、前記プラスチック基板の取付は位置によ
る成膜速度のばらつきが解消され、基板間の膜厚分布が
均一にでき、当然、一つの基板内における膜厚分布の均
一性も向上し動特性の良好な光磁気ディスクを提供する
ことができる。

前記実施態様においては、前記合金ターゲット１及び前
記永久磁石２を３つのブロックに分けたが、本発明の装
置はこれに限るものではなく４つ以上でもよく、また、
磁石の構成は第５図および第６図に示すように２つの分
離構造であってもよい。

なお、第５図及び第６図に示す磁石２０は、２つのブロ
ック２０ａ　、　２０ｂからなり、前記実施態様と同様
に前記基板ホルダー７の移送方向に対して直角方向に長
い矩形の部分された合金ターゲットに対応して配置され
ている。第５図には異極間が矩形環状の間隙２５によっ
て分離された前記磁石２０を示し、第６図には最外周輪
郭が長円形である共に異極間の間隙２５が長円環状に構
成された前記磁石２０が示されている。この装置の場合
は、スパッタパワーは左右同じだけ加えるようにするが
、前記実施態様と同様に、スパッタ粒子の飛散状態がス
バタ室の搬送中央ライン（基板ホルダーの移送方向に対
し直角方向の中央）に集中することが実質的に回避でき
、従来のようにスパッタ室の中央野郎に位置して移動さ
れる前記プラスチック基板Ｂが多くなることが避けられ
、前記プラスチック基板Ａ、Ｃのごとくスパッタ室両端
部分を通過する基板にも前記プラスチック基板Ｂと同様
にスパッタ粒子を付着させることができる。

尚、前記実施態様においてはＲＥ金金属ＴＭ金金属から
成る合金ターゲットを用いたが、本発明はこれに限るも
のではなく、他のターゲット材料を用いても良い。

また、前記実施態様では、前記基板ホルダー７のそれぞ
れのターンテーブル６に一枚の前記プラスチック基板を
対応させて計３枚装着して自転させながら移送する例を
示したが、本発明はこれに限るものではなく、基板ホル
ダーに複数の基板を装着して該基板を公転成いは自公転
させながら移送して成膜を行っても充分な効果が期待で
きることは言うまでもない。

前記各実施態様においてはターゲット裏面の磁石の極性
は、隣合うブロック間にて同極が隣接するように配置し
たが、本発明はこれに限るものではな（異極を隣接する
ように構成してもよい。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明のスパッタリング装置は、ス
パッタ室内に連続的に移送される基板上に薄膜を形成す
る連続的にスパッタリングを行う構成であるので、基板
ホルダーのセツティングに要する時間中も連続してスパ
ッタリングを行うことができて生産性が向上するだけで
なく、前記ターゲットが前記基板の移送方向に対して直
交方向に延びる一平面上に並んだ複数枚に分離され、且
つ前記ターゲットの裏面側の磁石が設けられており、前
記各ターゲットにはそれぞれ独立したスパッタ電圧を印
加できるように構成されたことにより、前記ターゲット
に長手方向両端部におけるスパッタ粒子の蒸発量を高め
ることができるので、基板ホルダーに保持された複数の
基板に均一な膜厚の薄膜を成膜するために従来のように
ターゲット長手方向にターゲット材料を大きくしなくて
も基板の基板ホルダーへの装着位置による膜厚差が回避
できるので、製品の品質のバラ付きを無くすことができ
るだけでなく、該ターゲット材料の節約でき極めて高い
生産効率を得ることができる。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明の効果を更に明確にすること
ができる。

実施目上 第１図〜第３図に示す本発明のスパッタリング装置を用
いて試料光磁気ディスクを作製した。

合金ターゲット１はスパッタ室１５内に、幅：１３０ｍ
ｍ、長さ：３００ｎｕａ、厚さ：５ｍｍの大きさのＴｂ
ｚ＊　Ｆｅｙｏ　Ｃｏ７材料の中央ターゲット１ｂと、
幅：１３０閣、長さ：１５０ａｍ、厚さ：５ＩＩＩＩｌ
の大きさのＴｂｚ、　Ｆｅ、。Ｃｏ、材料の両端部ター
ゲットｌａ、ｌｃが一平面を構成するように水平に配置
されており、その長手方向が基板の移送方向に対して直
交方向に延びるように組み込まれている。

また、厚さ：１．２鵬、直径：１３０Ｍのプラスチック
基板Ａ、Ｂ、Ｃは、それぞれ中心距離１５０ＩＩＩ１１
で基板ホルダー７に装着し、前記合金ターゲット１と前
記プラスチック基板Ａ、Ｂ、Ｃとの垂直距離は１００閤
とした。

そして、前記スパッタ室１５内の圧力を５Ｘ１０−’Ｔ
　ｏｒｒまで真空排気した後、前記ガス導入口１９から
Ａｒガスを４０３ＣＣＭ導入しガス圧を２．０ｍ　Ｔ　
ｏｒｒとした。次に、前記中央ターゲット１ｂに２．０
ｋＷの放電パワー（ＤＣ電力）を印加し、かつ前記両端
部ターゲラ）Ｉａ、ｌｃに３．０ｋＷの放電パワー（Ｄ
Ｃ電力）を印加してスパッタ放電を維持した後、前記基
板ホルダー７は前記プラスチック基板Ａ、Ｂ、Ｃをそれ
ぞれ２ｒｐｍで回転させながら１５０　ａｒｍ　／　ｍ
ｉｎの搬送速度で移送させ、前記プラスチック基板Ａ、
Ｂ、Ｃ上に磁性膜を形成した。このときの前記スパッタ
室１５の左右方向（基板搬送方向とは直角水平方向）の
基板位置における膜厚比を第７図に示す。また、成膜後
、前記各基板に付着したＴｂ２．　Ｆｅ、。Ｃｏ−１膜
の膜厚を段差計により測定した。その結果を表１に示す
。

（以下余白） 表１ 表１より明らかなように、膜厚のバラ付きは±２．０％
以内と極めて良好な結果が得られた。

実事自粗え 第１図および第２図に示す本発明のスパッタリング装置
とほぼ同じ構成の装置であるが、カソード部分を第５図
に示すように２つのブロックに構成した装置を用いて試
料光磁気ディスクを作製した。

合金ターゲットｌはスパッタ室Ｉ５内に、幅：１３０ｎ
ｎｍ、長さ：３００＋ｍ＋＋、厚さ：５ｆｆＩＩ１１ノ
大きさのＴｂ１３　Ｆｅ、。Ｃｏ、材料の２つの合金タ
ーゲットが一平面を構成するように電気的に絶縁されて
水平に配置されており、その長手方向が基板の移送方向
に対して直交方向に延びるように組み込まれている。ま
た、厚さ：１．２Ｍ、直径：１３０ｍのプラスチック基
板Ａ、Ｂ、Ｃは、それぞれ中心距離１５０ｍで基板ホル
ダー７に装着し、前記合金ターゲット１と前記プラスチ
ック基板Ａ、Ｂ、Ｃとの垂直距離は１００ｍｍとした。

そして、前記スパッタ室１５内の圧力を５Ｘ１０−’Ｔ
　ｏｒｒまで真空排気した後、前記ガス導入口１９から
Ａｒガスを４０３ＣＣＭ導入しガス圧を２．０ｍＴｏｒ
ｒとした。次に、前記両合金ターゲットには各々４．０
ｋＷの放電パワー（ＤＣ電力）を印加してスパッタ放電
を維持した後、前記基板ホルダー７は前記プラスチック
基板Ａ、Ｂ、Ｃをそれぞれ２ｒｐｍで回転させながら１
５０ｍｍ／剛ｉｎの搬送速度で移送させ、前記プラスチ
ック基板Ａ。

Ｂ、Ｃ上に磁性膜を形成した。このときの前記スパッタ
室１５の左右方向（基板搬送方向とは直角水平方向）の
基板位置における膜厚比を第８図に示す。また、成膜後
、前記各基板に付着したＴｂｔ、Ｆ８？。Ｃｏ７膜の膜
厚を段差計により測定した。

その結果を表２に示す。

表２ 表２より明らかなように、膜厚のバラ付きは±２．０％
以内と極めて良好な結果が得られた。

且」動差 次に、上記実施例１．２に対する比較として、第９図に
示すような従来のスパッタリング装置を用いた。

合金ターゲット１２３はスパッタ室１２７内に、幅：１
２７ｍｍ、長さ：６１０ｍｍ、厚さ：５ｍｎ＋の大きさ
の一枚のＴｂｚｓ　Ｆｅ７゜Ｃｏｄ材料の矩形の構成で
あり、その長手方向が基板の移送方向に対して直交方向
に延びるように組み込まれている。また、厚さ：１，２
肺、直径；１３０ｍｍのプラスチック基板Ａ、Ｂ、Ｃは
、それぞれ中心距離１５０Ｍで基板ホルダー１２１に装
着し、前記合金ターゲット１２３と前記プラスチック基
板Ａ、Ｂ、Ｃとの垂直距離は１００順とした。

そして、前記スパッタ室１５内の圧力を５Ｘ１０−’Ｔ
　ａｒｔまで真空排気した後、前記ガス導入口１９から
Ａｒガスを４０３ＣＣＭ導入しガス圧を２．　０ｍＴｏ
ｒｒとした。次に、前記合金ターゲット１２３に８．０
ｋＷの放電パワー（ＤＣ電力）を印加してスパッタ放電
を維持した後、前記基板ホルダー７は前記プラスチック
基板Ａ、Ｂ、Ｃをそれぞれ２ｒｐｍで回転させながら１
５０　ｍｍ／ｌｌｌ１ｎの搬送速度で移送させ、前記プ
ラスチック基板Ａ、　Ｂ。

Ｃ上に磁性膜を形成した。このときの前記スパッタ室１
２７の左右方向（基板搬送方向とは直角水平方向）の基
板位置における膜厚比を第１０図に示す。また、成膜後
、前記各基板に付着したＴ　ｂ　ｚ　：ｌＦｅ７゜Ｃｏ
２膜の膜厚を段差針により測定した。その結果を表３に
示す。

表３ 表１〜表３並びに第７図、第８図及び第１０図から判る
ように、従来の場合に置いては膜厚のバラ付きは±４．
０％程度となり、本発明の実施例においてはバラ付きが
±２．０％以内となりはるかに良好な結果が得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に基づくスパッタリング装置の要部概
略図、第２図はターゲットと基板の位置関係を示すため
の概略平面図、第３図及び第４図は陰極が３分割に構成
されたときの磁極形状を示す平面図、第５図及び第６図
は陰極が２分割に構成されたときの磁極形状を示す平面
図、第７図及び第８図は本発明の実施例におけるスパッ
タ室左右方向（基板搬送方向とは直角水平方向）の基板
位置と膜厚比との関係を示す分布図、第９図は従来の通
過成膜方式の連続スパッタリング装置、第１０図は従来
の装置におけるスパッタ室左右方向（基板搬送方向とは
直角水平方向）の基板位置と膜厚比との関係を示す分布
図である。 （図中の符号） ■・・・合金ターゲット、　２・・・永久磁石、３・・
・マグネトロンスパッタカソード、４・・・ターゲット
電源、　　６・・・ターンテーブル、７・・・基板ホル
ダー　　　８・・・回転軸、９・・・ピニオン、　　　
　１０・・・ラック、１１・・・搬送ロール、 １４．１５．１６・・・スパッタ室、 １７・・・排気系、　　　　１８・・・ゲートパルプ、
１９・・・ガス導入口、 １２０・・・搬送ロール、　１２１・・・基板ホルダ、
１２２・・・マグネトロンスパッタカソード、１２３・
・・合金ターゲット、 １２４・・・永久磁石、　　１２５・・・プラスチック
基板、１２６、１２７．１２８・・・スパッタ室、１２
９・・・シャッター　　１３０・・・スパ゛ツタ電源、
１３１・・・ゲートバルブ。 （ばか３名） 第 ７ 図 第 図 第 図 箇 ０ 図 オ嗅ｄ＾Ａ１置 （−） 手続補正書 平成１年１０月ｙ日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）．スパッタ室内に連続的に移送される基板上に薄
   膜を形成するため、前記基板に対向して配設されたター
   ゲットによって連続的にスパッタリングを行うスパッタ
   リング装置において、前記ターゲットが前記基板の移送
   方向に対して直交方向に延びる一平面上に並んだ複数枚
   に分離され、且つ前記ターゲットの裏面側にはターゲッ
   ト表面の近傍にて該表面に沿った磁界を形成する磁界発
   生手段が前記ターゲットの枚数に対応して設けられてお
   り、前記各ターゲットにはそれぞれ独立したスパッタ電
   圧を印加できるように構成されたことを特徴とするスパ
   ッタリング装置。