JPH0382759A - スパッタリング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は、スパッタリング装置に関し、特に連続的に移
送される基板上に連続的にスパッタリングを行い薄膜を
形成するスパッタリング装置に関する。

〔従来技術〕

近年、光磁気記録媒体はレーザー光による書き込み、読
み出しが可能な光磁気ディスクとして大容量のデータフ
ァイル等に広く利用されている。

この光磁気ディスクは、ガラスやプラスチック等の透明
基板上に形成された誘電体層、記録層及び保護層等から
成る多層構造で構成されている０例えば、光磁気効果を
示す前記記録層は、希土類金属（以下ＲＥと称す）と遷
移金属（以下ＴＭと称す）の混合膜或いは積層膜とから
成っており、このような薄膜を形成する薄膜形成法とし
てスパッタ法がある。

前記スパッタ法とは、低圧雰囲気中においてＡｒガス等
の不活性ガスを導入してグロー放電を発生せしめ、プラ
ズマ中のイオンを陰極ターゲットに照射してターゲット
材料表面から構造原子、分子を叩き出すことにより、該
ターゲットに対向するように配置された陽８ｉ基板ホル
ダー上の基板表面に薄膜を付着形成する薄膜形成方法で
あり、広く工業的に利用されている。

前記薄膜形成方法のなかでも、前記ターゲット上に該タ
ーゲットと概ね平行な磁場成分を形成し、電界と磁界を
ほぼ直交させるマグネトロンスパッタ法は、成膜速度が
速く、被スパツタリング基板の温度上昇が抑えられる等
の効果があり、非常に有効な１ｍ形成方法として半導体
や磁気記録媒体の製造工程等で広く利用されている。

次に、従来の光磁気記録媒体の記録層の製造装置につい
て説明する。

従来の製造装置にはその一つに回転成膜方式と呼ばれて
いるマグネトロン型スパックリング装置があり、この基
本的構造はスパッタ室内において、室内上方に回転する
ホルダーが設置され、このホルダーに成膜用基板を装着
するように構成され、更に、スパッタ室内の低部に、例
えば２つのマグネトロンスパッタカソードがそれぞれ成
膜材料であるＲＥ金金属７Ｍ金属とから戒る円形のター
ゲットを有し、マグネトロン放電を可能にするために各
ターゲット裏面側には永久磁石を備えた構成にて所定の
間隔をあけて配置されている。

前記回転成膜方式の装置には、前記マグネトロンスパッ
クカソードに対向するように設けられた前記ホルダーに
は、単に公転する構造のものと、自公転（遊星ギア等を
有した構成）する構造のものとがある。公転型の場合は
膜厚分布を均一にするために膜厚分布修正板が配置され
ており、自公転型のもは前記ｐａ膜厚分布修正板無くと
も膜厚分布の均一化が良好にできる。

このような回転成膜方式の成膜装置によれば、前記ＲＥ
金属層とＴＭ金属層の積層構造を自由に変えることがで
きるので、記録層の磁化量、保磁力、光磁気効果（カー
効果）等の優れた特性を有する高品質な、光磁気記録媒
体が得られる。更に、記録層の積層構造変化は前記基板
ホルダーの公転成いは自転の回転数と前記両ターゲット
に印加するスパッタパワー比とでコントロールできるた
めに、比較的制御性が良い。

しかしながら従来装置によれば、膜厚の均一性を図るた
めに前記膜厚分布修正板や自公転機構等の機械的動作構
造に多く依存しているので、前記スパッタ室内の清浄性
の点から望ましくなく、例えば前記膜厚分布修正板に付
着したスパッタ粒子に起因したダストが薄膜を形成する
基板上に付着して薄膜のピンホールを発生する。

また、前記自公転式の成膜装置においては、前記基板を
自公転機構に取り付ける作業は複雑で自動化しにくく生
産性が低い、また、駆動機構が複雑で設備コストが高い
だけでなく、メンテナンス性においても問題がある。

更に、上記回転成膜方式の成膜装置においては、前記基
板上への誘電体層、保護層、記録層等の各層の成膜がそ
れぞれ独立したスパッタ室で行われるため、スパッタ室
の開放は一回のスパッタリング毎に必要になることは当
然のことながら、前記基板ホルダーは前記各スパッタ室
内の移送や前記各スパッタ室内の回転軸への取付けの際
にチャッキングが必要になる。このため、前記基板ホル
ダーのセツティング時間が大きくなり、生産性が上がら
ないと言う問題がある。

そこで、前記生産性の向上のために、第６図に示した様
な通過成膜方式の連続スパッタ装置が採用されている。

前記通過成膜方式の連続スパッタ装置は、それぞれ独立
した排気系を持つ複数の真空室を有しており、そのうち
連続して設けられたスパッタ室１２６゜１２７、１２８
では連続してスパッタが行われる。前記スパッタ室１２
６．１２７．１２８はゲートバルブ１３１により連通し
て分けられている。そして、搬送経路を形成した搬送ロ
ール１２０に案内された複数の基板ホルダー１２１は、
前記スパッタ室１２６．１２７．１２８内に連続して一
定速度で移送されるように構成されている。また、前記
基板ホルダー１２１　は、その移送方向に対して直交方
向に並んだ複数のプラスチック基板！２５を保持してい
る。

そして、例えば前記スパッタ室１２７内には、底部にマ
グネトロンスパンタカソード１２２が成膜材料であるＲ
Ｅ金金属７Ｍ金属から成り基Ｆｉ搬送方向に対して直角
方向に延びた長方形の合金ターゲッ目２３を有し、マグ
ネトロン放電を可能にするためにターゲット裏面側には
、例えば第７図に示す如く上方から見て両極が矩形環状
の間隙２７を空けるようにして前記合金ターゲット１２
３の全域に対応する永久磁石１２４を備えている。また
、前記プラスチック基板１２５上に形成される成膜層の
成膜時間を調整するために、前記合金ターゲット１２３
の上方にはシャッター１２９が配置されている。

前記合金ターゲット１２３は、ターゲット電源１３０が
繋げられており、該合金ターゲラ目２３に適したスパン
タバワーを与え、所望の合金薄膜が形成出来るようにな
されている。更に、前記合金ターゲラ［２３は、上記し
たように前記基板ホルダー１２１の移送方向に対して直
交方向に延びる矩形状に形成されており、該合金ターゲ
ット１２３の長手方向の長さは通常、前記基板ホルダー
１２１に並設された前記プラスチック基板１２５の直径
の合計長に対して従来においては実用上から約１．６〜
２．０倍程度に設定されている。

そこで、前記通過成膜方式の連続スパッタ室内では、前
記基板ホルダー１２１に並設された複数の前記プラスチ
ック基板１２５が連続移送されながらスパッタを行われ
同時成膜されるので、生産性が大幅に向上する。

〔発明が解決しようとする課題］ しかしながら、前記通過成膜方式の連続スパッタ装置で
は、前記基板ホルダー１２１の移送直角方向の中央部分
に設置されたプラスチック基板１２５上に形成された薄
膜の平均膜厚と、移送方向両側端部分に設置されたプラ
スチック基板１２５上に形成されたｉ！ＩＩＪ！の平均
Ｍ厚との間に差が生してしまい、両端の前記プラスチッ
ク基板１２５の平均膜厚が中央のものに比べて薄くなる
といった所謂取付は位置によるＶ厚着が生しるといった
問題があった。

これは、第８図に示した長方形のターゲットを使用した
場合の基板ホルダーの移送直角方向における薄膜の膜厚
分布から明らかな様に、スパッタ室両端部分（即ち、長
方形ターゲットの長平方向両端部分）の膜厚が極端に低
くなってしまうためであり、例えば前記長方形ターゲ７
）１２３上の基板ホルダーの移送直角方向に並設された
基板Ａ。

Ｂ、Ｃに形成される薄膜のｌＩ！厚もこれに比して両端
の基板Ｂ、Ｃの膜厚が中央の基板Ａの膜厚よりも薄くな
ってしまう、尚、第８図における規格化膜厚とは、最大
膜厚を１とした時の各測定位置の膜厚の比であり、各測
定位置はスパッタ室内央を座標原点とした際の距離によ
って示した。

そこで、従来においては前記基板ホルダー１２１の移送
方向に対して直交方向に延びる前記合金ターゲット１２
３の長手方向の長さを基板走行ラインの幅に比べて十分
に長くすると云う対策を取っていた。しかし、前記合金
ターゲラ）１２３の長手方向の長さを長くすると、スパ
ッタ室の大型化になるだけでなくターゲット材料の基板
への付着効率が減少し、製造コストが増加するという問
題を生した。

即ち、本発明の目的は上記ＵＩＭを解消することにあり
、生産性が良く、膜厚分布はターゲットを搬送方向に対
して直角方向に長くしなくとも均一で高品質なｙｉ膜を
形成することができるスパッタリング装置を提供するも
のである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の上記目的は、スパッタ室内に連続的に移送され
る基板上に薄膜を形成するため、前記基板に対向して配
設されたターゲットによって連続的にスパッタリングを
行うスパッタリング装置において、前記ターゲットの裏
面側に配置されてターゲット表面の近傍にて電界と略直
交するように該表面に沿った磁界を形成する磁界発生手
段が前記基板の移送方向に対して直交方向に並設された
複数の磁極対を前記ターゲ・ントの裏面全域に対応した
形状で設けられており、前記各磁極対はそれぞれ独立し
た磁界強さを設定できるように構成されていることを特
徴とするスパッタリング装置により遺戒される。

以下、本発明の一実施態様について詳細に説明する。

〔実施態様〕

第１図は、本発明に基づくスパッタリング装置の要部概
略図を示し、第２図はターゲットと基板の位置関係を示
すための概略平面図である。

第１図及び第２図に示すように、本発明に基づくスパッ
タリング装置は、それぞれ独立した排気系１７を持つ複
数の真空室を有しており、そのうち連続して設けられた
スパッタ室１４．１５．１６では連続してスパッタが行
われる。前記スパッタ室１４．１５゜１６はゲートバル
ブ１８により連通して分けられている。そして、搬送経
路を形成した搬送ロール１１に案内された複数の基板ホ
ルダー７は、前記スパッタ室１４．１５．１６内に連続
して一定速度で移送されるように構成されている。また
、前記基板ホルダー７の本体の下方側に、それぞれ円形
のプラスチック基板Ａ、Ｂ、Ｃを保持した回転自在なタ
ーンテブル６を備えている。前記ター・ンテーブル６は
、その中心に回転軸８を有しており、該回転軸８が前記
基板ホルダー７の本体を貫通して上方に延びており、該
回転軸８の上方端寄りにピニオン９が設けられている。

前記ビニオン９は前記スパッタ室１４．１５．１６に固
定されているラック１０に係合し、前記基板ホルダー７
が前記搬送ロール１１に沿って移動することにより、前
記ターンテーブル６をそれぞれ所定方向に回転させるこ
とができる。

そして、前記スパッタ室１５内には、底部にマグネトロ
ンスパッタカソード３が設置されており、該マグネトロ
ンスパッタカソード３が成膜材料であるＲＥ金金属７Ｍ
金属から成る矩形の合金ターゲ・７トＩを有し、前記合
金ターゲット１の裏面側には、マグネトロン放電を可能
にするため各ターゲット表置の近傍にて電界と略直交す
るように該表面に沿った漏れ磁界を発生させる永久磁石
２が配置されている。

前記合金ターゲットｌは、前記プラスチック基板Ａ、Ｂ
、Ｃに対して平行で且つ基板搬送方向に対して直角方向
に延びた長方形に形成されており、該合金ターゲットｌ
にはスパッタ電源４が接続されている。

前記合金ターゲットｌの裏面側に配置された前記永久磁
石２は、第３図に示すようにＳ極とＮ極の組合せであっ
てそれぞれ前記合金ターゲット１の表面に独立したトン
ネル磁場を形成する中央磁極対ブロック２ｂと両端磁極
対ブロック２ａ、２ｃとが基板搬送方向に対して直角方
向に並ぶように構成されている。即ち、前記各中央磁極
対ブロック２ｂ及び両端磁極対ブロック２ａ、２ｃは、
各ブロック中央に矩形のＳ極（ｌ極は図中斜線にて示す
）を配置し、且つ前記Ｓ極の回りに上から見て該Ｓ極を
囲むように方形環状の間隙２０，２１．２２を空けて連
続して形成されたＮ極を有している。従って、それぞれ
独立した磁気回路を形成することができる前記中央磁極
対ブロック２ｂ及び両端磁極対ブロック２ａ、　２ｃの
領域を適宜分割することにより、それぞれのブロックに
おける磁場強度を適宜設定することができるので、前記
合金ターゲット１の表面に形成される前記両端磁極対ブ
ロック２ａ＋２ｃのトンネル磁場の強さを前記中央磁極
対ブロック２ｂのトンネル磁場の強さよりも強めに設定
するか、或いは同じ強さに設定するなど任意に設定する
ことができる。

そこで、上記のように構成されたスパッタリング装置の
スパッタ室１５にアルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガス
をガス導入口１９から導入し、且つ前記水平ターゲット
１ｂ並びに傾斜ターゲットｌａ、　ｌｃに適宜スパッタ
パワーを付加させた状態にしておき、前記基板ホルダー
７に予め誘電体層が形成された前記プラスチック基Ｆｉ
Ａ、Ｂ、Ｃを連続して次々に装着する。

前記基板ホルダー７は連続して前記スパッタ室１５に移
送されて行き、前記プラスチック基板ＡＢ、Ｃはそれぞ
れ前記ターンテーブル６によりスパッタ室内にて回転さ
れながら移送され、各基板表面上に１膜が形成される。

このように、本発明によれば、複数の前記プラスチック
基板Ａ、Ｂ、Ｃは前記基板ホルダー７に保持されて連続
的に移送されながらスパッタリングされるので、生産性
を向上させることができる。

また、前記中央磁極対ブロック２ｂ及び両端磁極対ブロ
ック２ａ　、　２ｃの各領域における前記合金ターゲッ
ト１に加えられる電力（スパッタパワー）は同しである
が、前記各領域におけるターゲット表面に形成される各
プラズマ密度は、前記各プロ・２りにおける磁場強度の
強弱によって変化するので、前記中央磁極対ブロック２
ｂの磁場強度よりも強い磁場強度に設定された前記両端
磁極対ブロフク２ａ。

２ｃの領域におけるターゲット表面のプラズマ密度は、
前記中央磁極対ブロフク２ｂの領域におけるターゲット
表面のプラズマ密度に比較して高い状態になっている。

即ち、前記合金ターゲットｌの長手方向両端部において
は、上方（前記プラスチック基板Ａ、Ｂ、Ｃが移送され
る有効成膜領域の移送方向両端部）に向かって飛散する
スパッタ粒子が多くなる。そこで、成膜率の低い前記有
効成膜領域の移送方向両端部にスパッタ粒子が補われ、
前記有効成膜領域内の成膜率を均一にすることができる
。従って、前記プラスチック基板Ａ、Ｂ。

Ｃに付着するスパッタ粒子は、従来のように前記スパッ
タ室１５の中央部分に位置して移送される前記プラスチ
ックｌ＆ＩｉＢだけが多くなることが効果的に避けられ
、スパッタ室両端部分を通過する前記プラスチック基Ｆ
ｉＡ、Ｃにも前記プラスチ／り基板Ｂと同量のスパッタ
粒子を付着させることができるので、複数の前記プラス
チック基板の取付は位置による成膜厚のばらつきが解消
され、各々の基板間のＭ厚分布が均一にでき、当然、各
基板内における膜厚分布の均一性も向上し動特性の良好
な光磁気ディスクを提供することができる。

また、前記永久磁石２の形状は上記実施態様の形状に限
定するものではなく、例えば第５図に示す永久磁石２３
のように、各中央磁極対ブロック２３ｂ及び両端磁極対
ブロック２３ａ、２３ｃは、各プロ・ンク中央に円形又
は長円形のＳ極（磁極は図中斜線にて示す）を配置し、
且つ前記Ｓ極の回りに上から見て該Ｓ極を囲むように円
環状の間隙２４，２５．２６を空けて連続に形成された
Ｎ極を有している。

上記実施態様においては、前記永久磁石２．２３を３つ
の磁極対ブロックに分けたが、本発明の装置はこれに限
るものではなく、２つ以上であればいくつの磁極対ブロ
ックを構成しても良い。

尚、前記実施Ｂ様においてはＲＥ金金属ＴＭ金金属から
戒る合金ターゲ７）を用いたが、本発明はこれに限るも
のではな（、他のターゲット材料を用いても良い。

また、前記実施ａ様では、前記基板ホルダー７のそれぞ
れのターンテーブル６に一枚の前記プラスチック基板を
対応させて計３枚装着して自転させながら移送する例を
示したが、本発明はこれに限るものではなく、基板が更
に多い場合でもよく、また、基板ホルダーに複数の基板
を装着して該基板を公転成いは自公転させながら移送し
て成膜を行っても充分な効果が期待できることは言うま
でもない。

更に、上記実施態様においては、永久磁石のＮ極が連続
に形成された一体構造の永久磁石を用いたが、各磁極対
ブロック毎にそれぞれ別個の永久磁石を用いても良いこ
とは勿論である。

〔発明の効果］ 以上述べたように、本発明のスパッタリング装置は、ス
パッタ室内に連続的に移送される基板上に薄膜を形成す
るため、前記基板に対向して配設されたターゲットの裏
面側に配置されてターゲット表面の近傍にて電界と略直
交するように該表面に沿った磁界を形成する磁界発生手
段が前記基板の移送方向に対して直交方向に並設された
複数の磁極対を前記ターゲットの裏面全域に対応した形
状で設けられており、前記各磁極対はそれぞれ独立した
磁界強さを設定できるように構成されているので、前記
ターゲット長手方向両端部におけるスパッタ粒子の蒸発
量を高めることができる。

そこで、基板ホルダーのセツティングに要する時間中も
連続してスパッタリングを行うことができて生産性が向
上するだけでなく、この優れた生産性に加え、ターゲッ
ト表面から飛散するスパッタ粒子は複数の前記基板の有
効成膜領域の移送方向両端部に亘って均一に飛散するの
で、前記有効成膜領域内の成膜率を均一にすることがで
きる。

従って、基板ホルダーに保持された複数の基板に均一な
膜厚の薄膜を成膜するために従来のようにターゲット長
手方向にターゲットを大きくしなくても基板の基板ホル
ダーへの装着位置にょる膜厚差が回避でき、スパッタ室
の小型化を促進でき、製品の品質のバラ付きを無くすこ
とかで゛きるだけでなく、該ターゲット材料の節約でき
極めて高い生産効率を得ることができる。

〔実施例］ 以下、実施例により本発明の効果を更に明確にする。

某社ｉｌｌ 第１図〜第３図に示す本発明のスパッタリング装置を用
いて試料光磁気ディスクを作製した。

スバ、７り室内に配設された合金ターゲット１には、輻
：　１３０　ｔｒｍ、長さ：　６００　ｒｍ、　Ｈさ：
５請の大きさのＴｂｚＪｅｙ。Ｃｏ７材料を用いた。ま
た、該合金ターゲット１の裏面側に構成された永久磁石
２の中央磁極対ブロック２ｂの領域を幅：１３０ｍ、長
さ：３００閣、同じく両端磁極対ブロック２ａ、　２ｃ
の領域を幅：１３０篩、長さ４１５０ｍとなるように構
成した。ここで、前記永久磁石２における各磁極対は中
央がＳ極で外周部分がＮ極とし、各磁極対ブロックに対
応したターゲット表面の磁極（Ｎ極）の中心から５Ｉｌ
１１１離れた所におけるターゲツト面に垂直な方向の磁
界強度は、それぞれ中央磁極対ブロック２ｂに対応した
部分にて８００Ｇａｕｓｓ、両端磁極対ブロック２ａ、
　２ｃに対応した部分にて１０００Ｇａｕｓｓであった
。

また、厚さ：１．２＋ｎ＋ａ、直径：１３０＋ｎｍのプ
ラスチック基板Ａ、Ｂ、Ｃは、それぞれ中心距離１５０
　Ｍで基板ホルダー７に装着し、前記水平ターゲット１
ｂと前記プラスチック基板Ａ、Ｂ、Ｃとの垂直距離は１
００ＩＩＩｌｌｌとした。

そして、前記スパッタ室１５内の圧力を５Ｘ１０−’Ｔ
ｏｒｒまで真空排気した後、前記ガス導入口１９からＡ
「ガスを４０ＳＣＣＭ導入しガス圧を２．０　ｍ　Ｔｏ
ｒｒとした。次に、合金ターゲット１に８．ＯｋＷの放
電パワー（ＤＣ電力）を印加してスパッタ放電を維持し
た後、前記基板ホルダー７は前記プラスチック基板Ａ、
Ｂ、Ｃをそれぞれ２ｒｐｍで回転させながら１５０　ｏ
ｎ／ｗｉｎの搬送速度で移送させ、前記プラスチック基
ＦｉＡ、Ｂ、Ｃ上に磁性膜を形成した。このときの前記
スパッタ室１５の左右方向（基板搬送方向に対して直角
方向）の基板位置における規格化膜厚を第４図に示す。

また、成膜後、前記各基板に付着したＴｂ、、Ｆｅ、。

Ｃｏ？膜の膜厚を段差計により複数箇所測定した。その
平均膜厚を表１に示す。

表１ 表１より明らかなように、膜厚のバラツキは±２．０％
以内と極めて良好な結果が得られた。

且」え田 次に、上記実施例１に対する比較として、第６図及び第
７図に示すような従来のスパッタリング装置を用いた。

スパッタ室１２７内に配設された合金ターゲット１２３
には、幅：　１２７　ｒｔａ、長さ：６１０１１Ｉ１１
．厚さ：５飾の大きさの一枚の矩形ＴｂｚｚＦｅｔ。Ｃ
ｏ７材料を用いまた、厚さ：１．２ａｎ、直径：ｌ３０
ｎｎのプラスチック基板Ａ、Ｂ、Ｃは、それぞれ中心距
離１５０　ａｍで基板ホルダー１２１に装着し、前記合
金ターゲット１２３と前記プラスチック基＋ＩｉＡ、Ｂ
、Ｃとの垂直距離は１００　ｍとした。

そして、前記スパッタ室１５内の圧力を５Ｘ１０−’Ｔ
ｏｒｒまで真空排気した後、前記ガス導入口１９からＡ
ｒガスを４０ＳＣＣＭ１人しガス圧を２．０　ｍＴｏｒ
ｒとした。次に、前記合金ターゲット１２３に８ｋＷの
放電パワー（ＤＣ電力）を印加してスパッタ放電を維持
した後、前記基板ホルダー７は前記プラスチック基板Ａ
、　Ｂ、　Ｃをそれぞれ２ｒｐｍで回転させながら１５
０　ａ／＋＊ｉｎの搬送速度で移送させ、前記プラスチ
ック基板Ａ、Ｂ、Ｃ上に磁性膜を形成した。このときの
前記スパッタ室１２７の左右方向（基板搬送方向に対し
て直角方向）の基板位置における規格化膜厚を第８図に
示す。また、成膜後、前記各基板に付着したＴ　ｂ　ｚ
　ｘ　Ｆ　ｅ　？。Ｃｏ、膜の膜厚を段差計により複数
箇所測定した。その平均膜厚を表２に示す。

表２ 表２から判るように、従来のスパッタリング装置によっ
て形成された膜厚のバラツキは±４．０％程度となり、
本発明の実施例に比べて明らかに膜厚分布が劣っている
ことがわかる。

また、第４図と第８図の基板搬送方向に対して直角方向
の基板位置における規格化膜厚の分布を比較すれば明ら
かなように、本実施例のスバ・ンタリング装置において
は規格化膜厚の分布が均一に改善されている。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に基づくスパッタリング装置の要部概
略図、第２図はターゲットと基板の位置関係を示すため
の概略平面図、第３図は本発明の一実施態様に基づくマ
グネトロンスパッタカソードの磁極形状を示す平面図、
第４図は本発明の実施例におけるスパッタ室左右方向（
基板搬送方向に対して直角方向）の基板位置と規格化膜
厚との関係を示す分布図、第５図は本発明の他の実施態
様に基づくマグネトロンスパンタカソードの磁極形状を
示す平面図、第６図は従来の通過成膜方式の連続スパッ
タリング装置の要部概略図、第７図は従来のマグネトロ
ンスパンタカソードの磁極形状を示す平面図、第８図は
従来の装置におけるスパッタ室左右方向（基板搬送方向
に対して水平直角方向）の基板位置と規格化膜厚との関
係を示す分布図である。 （図中の符号） １・・・合金クーゲット、　　　２・・・永久磁石、２
ａ、２ｃ・・・両端磁極対ブロック、２ｂ・・・中央磁
極対ブロック、 ３・・・マグネトロンスパンタカソード、４・・・スパ
ッタ電源、　　　　　６・・・ターンテーブル、７・・
・基板ホルダー　　　　　８・・・回転軸、９・・・ピ
ニオン、１０・・・ランク、１１・・・搬送ロール、　
　　　　　１４，１５．１６・・・スパッタ室、１７・
・・排気系、　　　　　　　１８・・・ゲートバルブ、
１９・・・ガス導入口、　　　　　２０，２１．２２・
・・間隙、２３・・・永久磁石、 ２３ａ　、　２３ｃ・・・両端磁極対ブ０７り、２３ｂ
・・・中央磁極対ブロック、２４，２５．２６．２７・
・・間隙、１２０・・・搬送ロール、１２１・・・基板
ホルダ、１２２・・・マグネトロンスパッタカソード、
１２３・・・合金ターゲット、　　１２４・・・永久磁
石、１２５・・・プラスチック基板、 １２６、１２’ｌ、　１２Ｂ・・・スパッタ室、１２９
・・・シャンク−１３０・・・スパッタ電源、１３１・
・・ゲートバルブ。 第 図 第 ３ 図 第 図 壜榎屑Ａイｉ１ （他、ｌ＃１） 第 図 ？３ 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　スパッタ室内に連続的に移送される基板上に薄膜を形
   成するため、前記基板に対向して配設されたターゲット
   によって連続的にスパッタリングを行うスパッタリング
   装置において、前記ターゲットの裏面側に配置されてタ
   ーゲット表面の近傍にて電界と略直交するように該表面
   に沿った磁界を形成する磁界発生手段が前記基板の移送
   方向に対して直交方向に並設された複数の磁極対を前記
   ターゲットの裏面全域に対応した形状で設けられており
   、前記各磁極対はそれぞれ独立した磁界強さを設定でき
   るように構成されていることを特徴とするスパッタリン
   グ装置。