JPH03243763A - スパッタリング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、スパッタリング装置及び方法に関し、特に連
続的に移送される基板上に連続的にスパッタリングを行
い薄膜を形成するスパッタリング装置及び方法に関する
ものである。

（従来の技術） 近年、光磁気記録媒体は、レーザー光による書き込み、
読み出し可能な光磁気ディスクとして大容量データーフ
ァイル等に利用されている。この光磁気ディスクはガラ
ス、プラスティック等の透明基板上にスパッタリング法
により誘電体層、記録層、保護層等の層構造を有してい
る。光磁気効果を示す前記記録層は、希土類金属（以下
ｒＲＥ金属」と称する）と遷移金属（以下ｒＴＭ金属」
と称する）の混合或いは積層状の薄膜より成る。

次に、薄膜を形成するためのスバ・フタ法について簡単
に説明する。スパッタリング技術は低圧雰囲気中におい
てＡｒガス等の不活性ガスによるグロー放電を発生せし
め、プラズマ中のイオンを陰極ターゲットに衝突させて
、ターゲ・ント材料から原子をたたき出し前記ターゲッ
トに対向するように配置された基板に薄膜を付着形成す
る技術であり、広く工業的に利用されている。特に、タ
ーゲット上にターゲットと概ね平行な磁場成分を形成し
、電界と磁界を直交させることを特徴とするマグネトロ
ンスパッタリング法は、成膜速度が高く、また被スパツ
タリング基板の温度上昇を抑えるなどの効果があり、非
常に有益な方法として磁気記録媒体や半導体の製造工程
の中で広く利用されている。

本発明者らは基板通過型のスパッタリング装置に関して
、中央のスパッタリングターゲットを挟み込むように配
置された両端のスパッタリングターゲットが互いに向き
合うように傾斜させた構造の装置を提案した（特願昭６
３−３２８７３９号）。この装置により、両端のスパッ
タリングターゲットの傾斜角度や各ターゲットのサイズ
並びにターゲットと基板との距離関係を適切に設定する
ことにより、膜厚及び底膜組成比等が均一にする薄膜形
成技術を高めることが出来た。

本発明者ら前記発明を踏まえ更にターゲットの利用効率
及びスパッタ粒子の付着効率を高めるべく、併設された
ターゲット同志の間隔を近づける方法を検討した。これ
により両端のターゲットの傾斜角度を小さくでき、かつ
基板とターゲットとの距離を短く設定でき、スパッタ粒
子の飛散空間を狭くできることから、スパッタ粒子の基
板への付着率を従来に比較して８％程度向上できる。

然し、併設するターゲット同志を近づけることにより、
新たな問題が発生する。この問題は、第６図に示すよう
に、例えば、裏面側に磁石が配置された長方形の３つの
ターゲラ）７１．７２．７３を非常に接近させた状態で
設置した場合、両側のターゲット７１．７３の表面に形
成されるエロージョン領域（斜線にて示す）のうち、タ
ーゲットが隣合う側のエロージョン部分５２．５５と隣
合わない所謂端部側のエロージョン部分５１．５６とで
は、エロージョン領域の形成幅Ｗが異なると言う現象が
生じていた。第６図に示す場合は、中央のターゲット７
２上に形成される磁界の影響によって、両端のターゲラ
）７１．７３の中央ターゲット寄りに形成される磁力線
３２．３７（第５図参照）が横方向から押し潰されるよ
うに上方に高（伸びたループを描く結果、前記エロージ
ョン部分５２．５５の幅Ｗが前記エロージョン部分５１
．５６よりも狭く形成されてしまう。

このようにターゲットが隣合う側の前記エロージョン部
分５２．５５の方が幅Ｗが小さく形成されるような所謂
エロージョン領域の非対称性が発生すると、膜厚分布や
膜組成の均一性に大きな影響を与える。つまり、例えば
第６図に示すターゲット７１と７３とを３０’程度傾斜
させて向き合わせてスパッタリングすると、これらのタ
ーゲットから飛び出したスパッタ粒子の飛散分布は、そ
の望ましい分布曲線として第８図にしめず（２）の曲線
のようになだらかな線にならず、第７図に示すように特
異なピーク点を有した形状の分布曲線が現れる。この結
果、膜厚分布および組成比が不均一になる。又、ターゲ
ットの消耗も均一に行われない為にターゲットの利用効
率の低下を招くものであった。

一方、前述の場合とは逆に隣合うターゲットが有る側の
エロージョン領域の方が無い側のエロージョン領域の幅
Ｗよりも広くなる場合がある。これは、例えば、特公昭
６３−６５７５４号公報に開示されている。これは、隣
合うターゲット上にて形成されるエロージョン領域にて
形成される電子のドリフト運動が互いに同方向に成るよ
うにして、基板及び形成薄膜の温度上昇を抑えることを
目的としたものであるが、この場合、隣合うターゲット
が有る側のエロージョン領域の方が隣合うターゲットが
無い側のエロージョン領域の幅Ｗよりも広くなり、やは
りエロージョン領域の非対称性の問題は発生していた。

このように、何れの場合においても、複数のターゲット
を接近させて設けた構成、即ち特定の磁力線が他の磁力
線により影響を受けるような複数カソードの併設型のマ
グネトロン型のスパッタリング装置においては、各ター
ゲットが独立して設けられた場合のように、ターゲット
下方に配置された磁石の形状に対応した所望する対称形
状とはならない。

この問題は、ターゲット同志の間隔を狭くするだけでも
発生するが、この接近に加えて隣合うターゲットが互い
に向き合うように傾斜した場合にさらに発生し易く、ま
た、特にターゲット材料が常磁性体と強磁性体の組合せ
の場合に、ターゲット表面上に形成される磁力線のルー
プ形状に大きい格差が生じ易いことから、最も顕著にあ
られれる。

（発明の目的） 本発明の目的は、形成された少なくとも記録層が均一な
膜厚分布および均一な組成比を持ち、ターゲット利用効
率も良く、また高い成膜速度で形成することができるス
パッタリング装置を提供することにある。

（発明の構成） 本発明のかかる目的は、板状に構成した複数のスパッタ
リングターゲットを、被成膜体である基板の移送方向に
対して直交方向に長形に延ばして対向させ、該基板上に
少なくとも２つ以上のターゲット材料からなる薄膜を形
成する基板通過型のスパッタリング装置において、前記
ターゲットの表面近傍に電界と略直交する成分を有した
磁界によってエロージョン領域を形成するようにターゲ
ット裏面側に磁石が配設されており、前記ターゲットの
表面側にて前記電界と直交する磁界成分を変更可能な磁
界鋼整手段が前記ターゲットの近傍に設けられ、前記磁
界鋼整手段により少なくとも前記各ターゲット同志が隣
接する側に形成されたエロージョン領域と隣接しない側
に形成されるエロージョン領域との分布を均等化するよ
うに構成されたことを特徴とするスパッタリング装置に
より達成することができる。

以下、図面に例示した本発明の実施態様について詳細に
説明する。

〔実施態様〕

第１図は、本発明の一実施態様であるスパッタリング装
置の概略図を示す。

本実施態様のスパッタリング装置は、それぞれ独立した
排気系１７を持つ複数の真空室がゲートバルブ１８によ
り連通可能に仕切られており、そのうち連続したスパッ
タ室１９．２０．２１において、所望の薄膜を形成でき
るようになっている。

そして、搬送経路を形成した搬送ロール１４に案内され
た複数の基板ホルダー３７は、例えば横に３個の基板Ａ
、Ｂ、Ｃを保持して、前記スパッタ室１９．２０．２１
内に連続して一定速度で移送されるように構成されてい
る。又、前記基板Ａ。

Ｂ、Ｃの大きさは数十ｍｍｋ〜３００ｍｍ程度のものが
用いられる。

前記スパッタ室２０の底部側には、中央部カソード３と
該中央部カソード３の両側の両端部カソード４ａ、４ｂ
が設置されており、例えば、ＲＥ金金属ら威る矩型の第
１スパツタリングターゲツトｌをはさむ位置に、ＴＭ金
金属らなる同じく矩型の第２スパツタリングターゲツト
２ａ、２ｂが基板走行方向に沿って並設されている。前
記第１スパツタリングターゲツトｌ並びに２つの前記第
２スパツタリングターゲツト２ａ、２ｂの裏面側には、
各ターゲット表面に漏れ磁界を発生させる永久磁石５．
６ａ、６ｂが設置されている。また、アースシールド１
５．１６も両ターゲット間及びターゲット周囲で異常放
電が発生しないように適所に設置さている。又、前記各
ターゲット１．２ａ、２ｂは熱伝導率の良い銅製のバッ
キングプレート３８に支持されており、基板搬送方向に
対して横方向に細長い長方形に権威されている。

さらに、前記両端部カソード４ａ、４ｂは、互いに向い
合うように傾斜して位置されており、前記第１スパツタ
リングターゲツト１のスパッタ平面と前記第２スパツタ
リングターゲツト２ａ、２ｂのそれぞれのスパッタ平面
との間のなす角度αが、任意の角度に固定保持できるよ
うに権威されている。尚、前記両端部カソード４ａ、４
ｂの保持構造は、例えばボルト締め等の周知の構造であ
るので第１図において省略する。

前記各ターゲット１．２ａ、２ｂの表面側にて形成され
る漏れ磁界は、基板とターゲット間との路上下方向の電
界と直交する磁界成分を有しており、この磁界成分を変
更可能な磁界鋼整手段が設けられている。すなわち、こ
の磁界鋼整手段の権威は、前記磁石６ａ、６ｂをターゲ
ットの裏面側に対向する磁極端がほぼ同一平面上に位置
するように保持部材３９に夫々一体固定されており、前
記保持部材３９が回転軸４０を中心にして回動可能に支
持されている。

前記ターゲラ１−２ａ、２ｂに対して前記保持部材３９
とが前記回転軸４０を支点にして傾斜自在になされてい
る。これにより、前記磁石６ａ、６ｂの磁極端は、前記
回転軸４０を挟んで両側においてターゲット裏面との距
離が前記保持部材の回動に伴って変更することができる
。

このように権威されたカソードによれば、前記磁界鋼整
手段の保持部材３９の位置調節を行うことにより、前記
ターゲット２ａ、２ｂの表側に形成される漏れ磁界の強
さ並びに形状を調整できる。

従って、エロージョン領域の幅Ｗに大きく関与している
磁界成分（電界に対して略直交する磁界成分）をコント
ロールできるので、第２図に示すように、前記ターゲラ
）１．２ａ、２ｂにおいて、その長辺が隣接する側に形
成されたエロージョン領域６０ｂと６１ａおよび６１ｂ
と６２ｂの場合のように、エロージョン領域を形成する
独立した磁界域同志が相互に影響し合う場合と、影響を
受けない箇所に形成されるエロージョン領域６０ａ。

６２ａとの形状の均衡（エロージョン領域６０ａ。

６０ｂ、６２ａ、６２ｂの幅Ｗが同じになる）をはかる
ことができる、なお、ここでは前記ターゲット１に形成
された前記エロージョン領域６１ａ。

６１ｂに関しては、両側の磁界の影響力が同じならば、
幅Ｗは同じになり非対称形にはならない。

なお、前記永久磁石５．６ａ、６ｂの内方には、ターゲ
ットの冷却を行う冷却水路７．８ａ、８ｂが形成されて
おり、また前記各矩型スパッタリングターゲット１．２
ａ、２ｂにはそれぞれスパッタ電源９．１０ａ、１０ｂ
が接続されている。

また、前記ターゲット１の上方には、前記各ターゲラ）
１．２ａ、２ｂから蒸発するスパッタ粒子の前記基板Ａ
、Ｂ、Ｃへの入射角度を規制するためのスリットを権威
する規制部材４２．４３が配設されている。前記規制部
材４２．４３、は、それぞれターゲット長手方向に沿っ
て延びる板状に形成されている。尚、前記規制部材４２
．４３の高さ位置は、前記ターゲット１からの距離が最
も遠くなる所、即ち前記基板Ａ、Ｂ、Ｃに近接した高さ
に位置することが望ましい。

上記のように権威されたスパッタリング装置の前記スパ
ッタ室２０にアルゴン（Ａ　ｒ　）ガス等の不活性ガス
をガス導入口４９から導入し、且つ前記各ターゲット１
．２　ａ　ｓ　２　ｂに適宜スパッタパワーを付加させ
た状態にしておき、前記基板ホルダー３７に前記基板Ａ
、Ｂ、Ｃを装着する。そして、前記基板Ａ、Ｂ、Ｃが装
着された複数の前記基板ホルダー３７は、連続して前記
スパッタ室２０に移送されて行き前記基板Ａ、Ｂ、Ｃ上
に薄膜が形成される。

このように、複数の前記基板Ａ、Ｂ、Ｃは前記基板ホル
ダー３７に保持されて連続的に移送されながらスパッタ
リングされるので、生産性を向上させることができる、
また、前記スパッタリング室２０内において、上述した
ように各ターゲット毎におけるエロージョン領域の形状
が対称形に保たれ、そして全体としてのエロージョン領
域の対称性も確保できるので、前記基板Ａ、Ｂ、Ｃはス
パッタ粒子の飛散状態にムラがない所を通過することに
より、各基板Ａ、Ｂ、Ｃに形成された磁性薄膜はその膜
厚にムラがないだけでなく、組成の点においても極めて
均一な薄膜を形成することができる。更に、各ターゲッ
ト毎におけるエロージョン領域の形状が対称形に保たれ
ることにより、ターゲットの消耗を均一にできて、該タ
ーゲットを無駄なく効率良く使用することができる。

本発明の装置は前記実施態様に限られるものではなく、
例えば、前記基板ホルダー３７の搬送構造は種々変更で
きることは勿論、前記永久磁石５．６ａ、６ｂは電磁石
に変更することにより磁界強度を自在に制御することが
できる。

さらに、前記第１スパツタリングターゲツト１は７Ｍ金
属とし、前記第２スパツタリングターゲツト２ａ、２ｂ
をＲＥ金金属ら構成することもできる。

尚、上記実施態様では、前記基板ホルダー３７に前基板
を３枚固定するように装着したが、ターンテーブルを備
えた基板回転構造であってもよいことは言うまでもない
。

本発明における前記磁界鋼整手段は、前記実施ＪＬＱ様
に前記保持部材３９を回転軸４０にて回動可能にした構
造に限るものではなく、第３図に示すように、前記各タ
ーゲット１．２ａ、２ｂのうち隣合うターゲットが無い
側面に沿って補助磁石５０をカソード中央に向くように
互いに向き合うように配置した構造にすることができる
。前記補助磁石５０の磁力は特に限定するものでは無く
、その設置位置やターゲラ）２ａ、２ｂの裏面（′ｒ１
磁石６ａ、６ｂとの兼ね合いにより設定することができ
る。また、前記補助磁石５０は固定構造に限らず適宜移
動できるように構成することもできる。

また、本発明における前記磁界鋼整手段は、前記磁石６
ａ、６ｂそのものが磁界調整機能を有するようにしても
よい、すなわち、第４図に示すように、前記各実施態様
におけるターゲラ）２ａ。

２ｂの少なくとも長辺に沿った部分の磁石の磁力強度を
変えるべく、例えば図中において右半分７０と左半分７
１というように、外側の磁石を長手方向の中心線の左右
に分割した構成にすることができる。従って、例えば、
前記各ターゲットのうち隣合うターゲットがある側より
も無い側の磁石の強度を強くするように磁気特性の異な
った磁石により前記エロージョン領域の形状を所望にす
ることができる。

本発明は前記実施態様を適宜組み合わせた構成であって
もよいことは勿論である。

さらに、本発明は、光磁気記録媒体に限るものではなく
、その他例えば光ディスク、超格子薄膜等の積層構造の
薄膜の底膜にも応用できるものである。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明のスパッタリング装置は、タ
ーゲットの表面近傍に電界と略直交する成分を有した磁
界によってエロージョン領域を形成するようにターゲッ
ト裏面側に磁石が配設されており、前記ターゲットの表
面側にて前記電界と直交する磁界成分を変更可能な磁界
鋼整手段が前記ターゲットの近傍に設けられたので、前
記磁界鋼整手段により少なくとも前記各ターゲット同志
が隣接する側に形成されたエロージョン領域と隣接しな
い側に形成されるエロージョン領域との分布を不均等化
を回避でき、さらに、スパッタ粒子の飛散レベルを全体
として平均且つ安定に常に保つことができるようになり
、均一な膜厚分布及び均一な組成比にでき、又、併設し
たターゲット間の間隔を狭くできるので、スパッタ粒子
の飛散空間を狭くでき、該スパッタ粒子の基板への付着
率を高めることができる。

また、本発明によれば、エロージョン領域がターゲット
毎に均一に分布するので、ターゲットの消耗を均一にで
きて、該ターゲットを無駄なく効率良く使用することが
できる。

以下、実施例により本発明の効果をさらに明確にするこ
とができる。

裏簾班上。

第１図のスパッタリング装置において、第１スパツタリ
ングターゲツト１にＲＥ金属ターゲットとしてＴｂ（幅
１００ｍＸ長さ６１０ｓＸ厚み５ａｍ）を銅製のバッキ
ングプレートを介して装着し、両側の第２スパツタリン
グターゲツト２ａ、２ｂに７Ｍ金属ターゲットとしてＦ
ｅｓ。、Ｃｏ、。。

（輻１００ｗ＋ｘ長さ６１０ａａＸ厚み４ｍ）を同じく
バッキングプレーとを介して装着した。各ターゲット間
の距離は仮に傾斜角度を零として中央のターゲットの平
面状に展開して距離を測った場合に、隣合うターゲット
の中心距離は１３０ｍｍであった。ターゲット・基板間
距離（Ｌｔｓ）は１２０ｍ＋ａに設定し、又、スパッタ
室のアルゴンガス圧は３．　ＯＸ　１０−’Ｔｏｒｒ　
とした。

各ターゲットの裏面側には、マグネトロンスパッタリン
グを可能にする磁石５．６ａ、６ｂが設けられている。

そして、カソード全体を第１図のように組み立てるとき
に、各々のカソードの組立段階において、保持部材３９
の回動調節を行い、ターゲット表面の磁場強度の測定を
実施して磁界強度の調整を行った。

先ず、中央のカソードに関しては、前記ターゲツト１長
手方向のエロージョン領域において、ターゲット表面か
ら３ｍｍの地点における該ターゲットと平行な磁界成分
の最大値を３００ガウスとした。そして、傾斜した両端
のカソードについては、前記ターゲット２ａ、２ｂの長
手方向のエロージョン領域のうち、他のターゲットに隣
接しない側のエロージョン領域において、ターゲット表
面から３ｍｍの地点におけるターゲットと平行な磁場成
分の最大値は４５０ガウスとするように前記保持部材３
９を回動して、磁石とターゲットとの距ｊｌ！（裏面側
におけるギャップ）を変えるように調整した。

前記第２スパツタリングターゲツ）２ａ、２ｂの傾斜角
度（α）は３０°に設定した。前記各ターゲットはそれ
ぞれＤＣ電源であるターゲット電ｆｉ９．１０ａ、１０
ｂにより電力が供給されるが、前記第２スパツタリング
ターゲツト２ａ、２ｂに供給した電力は夫々４２０ボル
ト、放電電流が２゜４アンベヤであり、中央の第１スパ
ツタリングターゲツト１に供給した電力は３８０ボルト
、放電ｔｉが２．６アンペヤであり、約３０分間スパッ
タリングを行いエロージョン領域の形成状態を観察した
。この結果エロージョン領域の形状は第２図に示す如く
両端の第２スパツタリングターゲツト２ａ、２ｂにおい
て長辺部分の各エロージョン幅が１８ｍｍと全く同じに
形成された。また、第１スパツタリングターゲツトｌの
長辺部分の各エロージョン幅は各２２ｍｍに形成された
。

更に、膜厚分布の測定を実施した。これは、基板Ａ、Ｂ
、Ｃが移動するすべての位置での基板移動ライン上に一
様にプラスチック素材の基板を複数偏置いた状態でスパ
ッタリングを行なった結果、形成された膜厚を測定した
。この結果、基板に形成された膜厚は酸膜領域において
その厚み分布がゆるやかな曲線を描くように形成されて
おり、第８図に示すようにスパッタ粒子の飛散状態に以
上の良好な状態によって形成されたことが容易に推定で
きた。また、このことから第８図に示すスパッタリング
のデータから、放膜組成比を推定することができ、これ
らの結果から成膜速度の向上に加えて膜厚分布ならびに
組成比の均等化の促進ができることが判った。

裏益班り。

第３図に示すように補助磁石５０が設けられたカソード
を備えたスパッタリング装置において、実施例１と同様
に第１スパツタリングターゲツト１にＲＥ金属ターゲッ
トとしてＴｂ（幅１００ｍ×長さ６１０閣×厚み５ｍｍ
）を銅製のバッキングプレートを介して装着し、両側の
第２スパツタリングターゲツト２ａ、２ｂに７Ｍ金属タ
ーゲットとしてＦｅｔｅ、　Ｃｏ！１１１　　（幅１０
０ｍｏ＋Ｘ長さ６１０閣×厚み４■）を同じくバッキン
グブレーとを介して装着した。各ターゲット間の距離は
仮に傾斜角度を零として中央のターゲットの平面状に展
開して距離を測った場合に、隣合うターゲットの中心距
離は１３０ｍ−であった。ターゲット・基板間距離（Ｌ
ｔｓ）は１２０ｍ＋ａに設定し、又、スパッタ室のアル
ゴンガス圧は３．　ＯＸ　１０−３Ｔｏｒｒとした。

中央並びに両端のスパッタリングカソードの全てのエロ
ージョン領域において、ターゲット表面から３ｍｍの地
点におけるターゲットと平行な磁場成分の最大値を３０
０ガウスとした。そして、前記補助磁石５０は前記各タ
ーゲットの端縁からｌＱｍｍ左右に離れた位置で、前記
ターゲット２ａ、２ｂのターゲット表面の延長面から２
ｍｍ上方の所に、隣接する磁石６ａ、６ｂと同極が接近
するように設置されている。前記補助磁石５０の強度は
、ターゲット２ａ、２ｂに面した面からターゲット方向
に３ｍｍの距離の所にて１００ガウスとした。

前記第２スパツタリングターゲツト２ａ、２ｂの傾斜角
度（α）は３０°に設定とし、前記各ターゲットはそれ
ぞれＤＣ電源であるターゲ・ント電源９．１０ａ、１０
ｂにより電力が供給されるが、前記第２スパツタリング
ターゲ・ント２ａ、２ｂに供給した電力は夫々４２０ボ
ルト、放電電流が２゜４アンベヤであり、中央の第１ス
パツタリングターゲツ）１に供給した電力は３８０ボル
ト、放電電流が２．６アンペヤであり、約３０分間スパ
ッタリングを行いエロージョン領域の形成状態を観察し
た。この結果、エロージョン領域の形状は第２スパツタ
リングターゲツト２ａ、２ｂにおいて長辺部分の各エロ
ージョン幅が１６ｍｍと全く同じに形成された。また、
第１スパツタリングターゲツトｌの長辺部分の各エロー
ジョン幅は各２０ｍｍであった。

更に、膜厚分布に関しては、実施例１と同様に基板Ａ、
Ｂ、Ｃが移動するすべての位置での基板移動ライン上に
一様にプラスチック素材の基板を複数偏置いた状態でス
パッタリングを行なった。

この結果、実施例１と同様に基板に形成された膜厚は成
膜領域においてその厚み分布がゆるやかな曲線を描くよ
うに形成されており、第８図に示すようにスパッタ粒子
の飛散状態よりも良い状態によって形成されたことが容
易に推定でき、このことから第８図に示すこの種のスパ
ッタリングの基礎データから、組成化が良いことを推定
することができた。

裏腹桝１ 本実施例が実施例１と異なる点は、第１図に示すスパッ
タリング装置における磁石回動構造を無くして保持部材
の固定型にし、その代わりに磁気特性の異なった磁石を
第４図に示すように配置した。すなわち、併設された前
記各ターゲットのうち隣合うターゲットがある側よりも
無い側の磁石の強度を強くするように磁気特性の異なっ
た磁石により前記エロージョン領域を形成し、前記磁石
そのものが前記磁界鋼整手段として構成した。これ以外
は実施例１と全く同じ条件にてスパッタリングを行った
。なお、カソード全体を第１図のように組み立てる前に
、各々のカソードの組立段階において、ターゲット表面
の磁場強度の測定を実施して磁界強度の調整を行った。

そして、エロージョン領域の形成状態を観察した結果、
エロージョン領域の形状は第２図に示す如く両端の第２
スパッタリングターゲツ１−２ａ。

２ｂにおいて長辺部分の各エロージョン幅が１８ｍｍと
全く同じに形成された。また、第１スパツタリングター
ゲツト１の長辺部分の各エロージョン幅は各２２ｍｍに
形成された。この結果から、前記各実施例と同様に基板
に形成された膜厚は成膜領域においてその厚み分布がゆ
るやかな曲線を描くように形成されており、膜厚分布の
均一化のみならずＲＥ金金属７Ｍ金属との組成化を良好
なものにでき、しかも、成膜速度の向上も行うことがで
きることが判る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のスパッタリング装置における一実施
態様の概略側面図、第２図は第１図におけるターゲット
のエロージョン領域を示すための概略平面図、第３図は
本発明の他の実施Ｂ樟におけるスパッタリング装置の概
略側面図、第４図は本発明における磁石の配置形態を示
した要部の概略平面図、第５図は従来のスパッタリング
装置におけるカソードの磁石の磁界の変化を示すための
概略図、第６図は第５図のような磁界変化が生じたたと
きのエロージョン領域の状態を示すためのターゲット部
分の概略平面図、第７図はスパッタ室内における傾斜し
て向き合ったターゲットによる基板走行方向に沿った基
板位置における膜厚変化を示すグラフ、第８図は傾斜角
αを３０度に一定にしたときのスパッタ室内において基
板走行方向に沿った基板位置における中央のＲＥ金金属
両端の７Ｍ金属の膜厚変化を示すグラフである。 （図中符号） ｌ−・第１スパツタリングターゲツト、２ａ、２ｂ−第
２スパツタリングターゲツト、３・・・中央部カソード
、４ａ、４ｂ−両端部カソードミ５．６ａ、６ｂ・・−
磁石、 ７．８ａ、８ｂ−・−冷却水路、 ９．１０ａ、１０ｂ・−スパッタ電源、１４・・−搬送
ロール、 １５．１６・−アースシールド、 １７−・排気系、　　１８−・−ゲートバルブ、１９．
２０．２１−スパッタ室。 ７−・・基板ホルダー　　３９−・・保持部材、Ｏ−・
−回転軸、　４２．４３−規制部材、Ｏ・・・補助磁石
、 ０．６１．６１・・・エロージョン領域。 第 ２ 図 第 図 第 図 第 図 第７図 １４Ａ斗＃ｔｘ−ｊｏ（ｄｏｇ）　　ｔ−ｔｓ−ｔｏｏ
ｒｍ−）手続補正書

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）板状に構成した複数のスパッタリングターゲットを
   、被成膜体である基板の移送方向に対して直交方向に長
   形に延ばして対向させ、該基板上に少なくとも２つ以上
   のターゲット材料からなる薄膜を形成する基板通過型の
   スパッタリング装置において、前記ターゲットの表面近
   傍に電界と略直交する成分を有した磁界によってエロー
   ジョン領域を形成するようにターゲット裏面側に磁石が
   配設されており、前記ターゲットの表面側にて前記電界
   と直交する磁界成分を変更可能な磁界調整手段が前記タ
   ーゲットの近傍に設けられ、前記磁界調整手段により少
   なくとも前記各ターゲット同志が隣接する側に形成され
   たエロージョン領域と隣接しない側に形成されるエロー
   ジョン領域との分布を均等化するように構成されたこと
   を特徴とするスパッタリング装置。 ２）前記磁石は前記各ターゲットの裏面側に対向する磁
   極端がほぼ同一平面上に位置するように保持部材に夫々
   一体固定されており、前記磁界調整手段は前記保持部材
   が回転軸を中心にして回動可能に支持されて、前記ター
   ゲットに対して前記保持部材が傾斜自在になされ前記磁
   極端とターゲット裏面との距離が前記保持部材の回動に
   伴って変更するように構成された請求項１に記載のスパ
   ッタリング装置。 ３）前記磁界調整手段は、前記各ターゲットのうち隣合
   うターゲットが無い側面に向き合うように配置した補助
   磁石にて構成された請求項１のスパッタリング装置。 ４）併設された前記各ターゲットのうち隣合うターゲッ
   トがある側よりも無い側の磁石の強度を強くするように
   磁気特性の異なった磁石により前記エロージョン領域を
   形成し、前記磁石そのものが前記磁界鋼整手段として構
   成された請求項１のスパッタリング装置。