KR100239114B1 - 고속증착용 스퍼터링 시스템 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기존의 스퍼터링 장치가 갖는 증착률, 다층박막형성, 다상박막형성 등에 대한 문제점을 해결한 스퍼터링 장치에 관한 것이다. 본 발명의 스퍼터링장치는 스퍼터링장치에 설치되는 캐소드의 2면이상, 바람직하게는 4면 전체를 타겟으로 이용하며, 이를 고진공영역에서 회전시키는 것을 특징으로 한다.

Description

고속증착용 스퍼터링 시스템

제1도는 스퍼터링 발생원리의 모식도,

제2도는 평면이극 스퍼터링 시스템의 개략도,

제3도는 자성스퍼터링 타겟의 구조도,

제4도는 수평형 연속 진공 스퍼터링 시스템의 개략도,

제5도는 본 발명의 고속증착용 스퍼터링 시스템,

제6도는 본 발명의 고속증착용 스퍼터링 시스템 캐소드의 구조도,

제7도는 기존의 평형자석계와 본 발명의 비평형자석계의 부식범위의 차이를 나타내는 설명도,

제8도는 본 발명의 고속증착용 스퍼터링 시스템의 캐소드에 회전피드스루를 설치한 단면도,

제9도는 일반 스퍼터링 시스템과 본 발명의 고속 스퍼터링 시스템의 증착률 비교 그래프이다.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

1 : 캐소드 1' : 타겟

1'-A, 1'-B,1'-C, 1'-D : 서로 다른 종류의 물질로 된 타겟

2 : 아르곤가스 3 : 스퍼터된 입자

4 : 애노드 또는 기판 5 : 플라즈마

6 : 진공챔버 7 : 게이트 밸브

8 : 장입 및 토출 챔버 9 : 플라즈마 보호막

10 : 영구자석 11 : 냉각수라인

12 : 가스주입구 13 : 전원공급장치

14 : 진공배기펌프 15 : 전자

16 : 자성유체를 이용한 회전피드스루

본 발명은 증착률을 현저히 향상시킬 수 있음과 동시에 다층박막형성, 다상박막형성이 가능한 고속증착용 스퍼터링 시스템에 관한 것이다.

내식, 내마모, 윤활성 향상을 위한 물질, 전도성 및 비전도성 물질을 피복시키 위한 제조기술인 스퍼터링 증착 기술은 이온화된 불활성 기체가 타겟 표면 충돌 현상에 의해 증착물질을 직접 기화시키는 것으로서, 이러한 스퍼터링 발생원리를 제1도에 나타내었다. 불활성기체의 이온화 작용은 비평형방전(Abnormal Glow Dis-charge)영역에서 이루어지며, 이온화된 기체는 전기장의 영향에 의해 음극 표면을 가격하게 된다. 따라서, 스퍼터링법에서는 타겟을 음극으로 사용하고 있으며 진공용기나 모재를 양극으로 사용하고 있다.

가장 간단한 평명이극 스퍼터링(Diode Planar Sputtering)법을 제2도에 나타내었는데, 음극으로 사용되고 있는 타겟과 양극사이에 저압방전을 발생시킨다. 일반적으로 사용되고 있는 불활성기체의 압력은 방전현상을 유지시켜 주기 위해 5×10^-3토르 이상이어야 하며, 작업 압력 범위는 2×10^-1토르 범위 내이다. 음극에 적용시키는 전압은 수백 볼트에서 수천 볼트까지 변화시킬 수 있으며 음극과 모재의 거리는 약 5cm 정도로 매우 가까운 편이다. 증착속도는 약 10mm/min으로 입사되는 이온의 에너지와 수에 의해 결정된다. 즉, 전압을 증가시키므로써 증착속도는 증가되나 이온화단면(Ionization Cross Section)의 감소에 의해 제한을 받는다.

그러나, 이온전류는 비활성기체의 압력증가에 따라 증가시킬 수 있으나 증착속도는 기체분산효과에 의해 오히려 감소되어질 수도 있다. 따라서 증착속도에 대한 최적조건은 반복실험에 의해 결정되어질 수 밖에 없다.

스퍼터링 기술의 원리를 살펴보면 진공용기내에 존재하는 타겟에 일정한 알압력과 전압을 공급하여 주면 타겟 주위에 플라즈마가 발생되고 방전영역에 존재하고 있던 양이온들이 전기적인 힘에 의해 타겟표면을 가격하게 된다. 이때 가격하는 양이온의 운종에너지가 타겟표면에 존재하는 원자들에게 전달되며 이 에너지가 가격당하는 원자들의 결합에너지보다 크면 타겟원자들은 타겟으로부터 방출되어 나온다. 그러나 스퍼터링 기술의 가장 큰 단점은 이극법을 사용하였을 경우 피막형성 속도가 매우 낮아 생산성이 떨어진다는 점이었다. 이를 보완한 것이 삼극법(Triode Sputtering)인데 이것은 이극법에 열전자 방출원과 방출된 열전자의 흐름을 조정할 수 있는 제3의 극이 존재하는 시스템으로서 열정자 방출원으로는 텅스텐 필라멘트가 사용되고 있다. 삼극법을 사용하면 증착속도를 높일 수 있는데 그 이유는 열전자 방출에 의해 플라즈마 밀도를 높일 수 있기 때문이다. 열전자 방출원을 통해 플라즈마 내에 전자밀도를 높여주면 전자들의 활발한 활동에 의해 이온화 확률도 높아지고 따라서 타겟을 가격하는 이온의 수도 증가되어 증착속도를 높이게 된다.

또한, 전자를 공급하여 플라즈마 밀도를 증가시키는 방법외에 자기력을 이용하는 전자들의 운동을 제어하여 이온화 확률을 높일 수도 있다. 이러한 자기력을 이용하는 스퍼터링법은 타겟 뒤쪽에 N극과 S극을 형성시켜 전자들의 운동을 직선운동에서 나선운동으로 변형시킨다.

따라서, 동일압력조건에서 전자들이 중성원자 등을 가격할 확률은 전자들의 이동거리를 증가시킴에 따라 증가되고, 이온화 확률을 높이므로써 빠른 증착속도를 얻을 수 있다. 제3도는 자성 스퍼터링의 타겟구조를 나타낸 것으로, 자력선과 자력선이 수직으로 교차되는 지점에서 최대 이온화 확률을 보이며 고밀도 플라즈마 띠를 형성함으로써 국부적인 스퍼터링 현상이 발생됨을 보여주고 있다.

제4도는 기존에 가장 일반적으로 사용되고 있는 수평형 연속진공 자성 스퍼터링 시스템의 내부 단면도를 나타낸 것이다.

이상과 같은 기존의 스퍼터링 시스템의 문제점을 살펴보면, 첫째, 스퍼터링 캐소드의 한면만 사용함으로 인하여 플라즈마 발생원을 더 이상 증대시킬 수 있다. 둘째, 제4도에서와 같이 2개 이상의 캐소드를 설치한다고 하여도, 각각의 캐소드의 한면만 사용함으로 인하여 전체 캐소드 면적의 최대 1/4 밖에 사용하지 못한다는 단점을 지니고 있다. 셋째, 2개 이상의 캐소드를 설치한 후 동일한 물성을 갖는 타겟을 설치하였을 경우 한 종류의 박막 형성이외에는 다른 종류의 박막 물질을 형성할 수 없다.

상기와 같은 문제점으로 인하여 일반적인 스퍼터링 시스템을 이용한 제품생산에서는 한 종류의 제품에만 국한되는 전용 스퍼터링 시스템을 설치하여 제품을 생산하고 있다.

본 발명은 상기한 바와 같은 기존의 스퍼터링 장치가 지니는 문제점을 완전히 해결한 스퍼터링 시스템에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 스퍼터링 시스템은 스퍼터링 장치의 진공챔버(6)내에 장착되는 1개 이상의 각각의 캐소드(1)의 2면 이상, 바람직하게는 4면 전체를 플라즈마 발생원으로 사용하며, 이들 캐소드(1)는 진공챔버(6)내 또는 외부에 설치된 구동시스템(제8도 참조)에 의해 회전되는 것을 특징으로 한다.

제5도에는 4면 전체가 플라즈마 발생원으로 사용되는 캐소드를 포함하는 본 발명에 따른 고속증착용 스퍼터링 장치의 일예가 예시되어 있으며, 제6도는 본 발명의 스퍼터링 장치에 사용되는 캐소드의 단면을 나타낸 것이다.

본 발명의 스퍼터링 장치에 있어서, 캐소드(1)의 4면 전체에 동일한 물성의 타겟을 설치할 수도 있고, 또는 제6도에 도시된 바와 같이, 4면 각각에 다른 물성을 갖는 타겟을 설치할 수도 있다.

그리고, 본 발명에서 사용되는 캐소드에는 플라즈마 발생에 의한 사용하지 않는 삼면의 타겟의 오염을 최소화하기 위한 전도성 플라즈마 보호막(9)이 캐소드(1)의 각 모서리를 따라 설치된다. 플라즈마 보호막(9)의 두께 및 높이는 전체 장비의 규모에 따라 적절히 설정될 수가 있는데, 평균적으로 플라즈마보호막(9)의 두께는 5mm 내외, 높이는 5cm내외 정도가 적당하다. 플라즈마 보호막(9)은 주로 금소계, 예로서 스테인레스스틸이나 알루미늄으로 제조되며, 나사식 등의 방법으로 캐소드에 설치된다.

제6도에 도시된 바와 같이, 캐소드(1)의 4면 모두에 타겟을 설치할 경우, 각각의 타겟의 뒤쪽에 자석이 설치되는데, 본 발명에서는 플라즈마의 안정화 및 타겟 부식면을 증대시키기 위하여 네오디뮴(Nd)계 또는 페라이드(Ferrite)계의 비평형 영구자석(10)을 이용한다. 기존의 자성스퍼터링 시스템에 있어서는 제7-1도에 나타낸 바와 같은 평형자석계가 이용되었으나, 본 발명에서는 제7-2도에 나타낸 바와 같은 비평형자석계를 이용하는 것도 하나의 특징이다. 비평형자석계에서는 영구자석의 분포가 다름으로 인하여 자장의 분포도가 넓어지고, 이에 따라 타겟 부식의 효과가 증대된다.

또한 캐소드(1)의 설치된 타겟(1')표면에서의 플라즈마 안정화를 위해 각각의 타겟 뒤쪽에 냉각수라인(11)을 타겟 면적의 50% 이상이 냉각수의 면적이 되도록 하여 설치한다. 이와같이 기존의 스퍼터링 시스템의 경우보다 냉각수가 타겟에 접촉되는 면적을 증대시킴으로써, 플라즈마 발생시 생기는 열을 보다 효과적으로 냉각시켜 타겟의 열화를 현저히 감소시킬 수 있다.

제8도는 본 발명의 스퍼터링 시스템에 있어서, 캐소드를 회전시키기 위한 구동시스템의 일예로서 자성유체를 이용한 회전피드수루를 캐소드에 연결, 설치한 단면도를 나타낸 것이다.

본 발명에 따른 스퍼터링 시스템은 기존의 스퍼터링 시스템에 비해서 다음과 같은 특성을 갖는다.

첫째, 각각의 캐소드의 2면 이상에 동일한 조성의 타겟을 설치하고, 캐소드를 회전시켜 동시에 스퍼터링함으로서 증착률을 현저히 향상시킬 수 있고, 둘째, 캐소드의 각면에 다른 조성의 타겟을 설치하고 회전에 의해 4면의 위치를 조절함으로써 박막을 형성하고자 하는 여로 종류의 물질을 동시에 증착할 수 있다. 예로서, 캐소드 A면에 니켈, 캐소드의 B면에 구리, 캐소드의 C면에 크롬, 캐소드의 D면에 타이타늄을 설치하고, 1번 캐소드는 A면, 2번 캐소드는 B면, 3번 캐소드는 C면, 4번 캐소드는 D면의 방향으로 캐소드를 회전한 후 스퍼터링을 할 경우 4층의 다층 박막을 형성할 수 있다. 셋째, 고속 증착을 하면서도 다수의 타겟을 설치할 수 있으므로 다목적 박막을 형성할 수 있으며, 넷째 캐소드의 각 모서리를 따라 플라즈마 보호막을 설치함으로써 사용하지 않는 타겟만의 오염영향을 최소화할 수 있다. 다섯째, 각각의 타겟 뒤쪽에 비평형 영구자석계와 냉각수라인을 설치함으로서 플라즈마의 안정화를 극대화시킬 수 있다.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 상세하게 설명한다.

[실시예]

제6도에 나타낸 바와 같은 구조의 캐소드가 4개 설치된 스퍼터링 장치를 이용하여 고속증착을 실시하였다. 사용된 캐소드의 크기는 길이 70cm, 폭 20cm, 두께 20cm이었다. 고진공내에서 캐소드를 회전하기 위한 구동시스템으로서 자성유체를 이용한 회전 피드스루를 설치하였다. 전력의 균일한 공급을 위하여 냉각수라인의 면적이 100㎠이 되도록 제작하였다.

본 발명에 따른 스퍼터링장치의 효과를 입증하기 위하여 캐소드의 일면에만 타겟이 설치된 기존의 자성 스퍼터링 장치를 사용하여 동일하게 고속증착을 실시하였다. 증착결과는 제9도에 나타내었다.

제7도에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 스퍼터링 장치를 이용한 경우(A) 기존의 스퍼터링 장치를 이용한 경우(B) 보다 증착률이 3.5배 이상 향상되었다.

Claims (4)

1. 플라즈마를 이용하는 진공 스퍼터링 장치에 있어서, 2면 이상에 타켓(1')이 설치되며 각각의 타겟(1')뒤쪽에 비평형 영구자석(10)과 면적이 타겟면적의 50%이상인 냉각수라인을 포함하고, 각 모서리를 따라 전도성 플라즈마 보호막(9)이 설치되어 있으며, 구동시스템에 의해 회전가능한 캐소드(1)를 1개 이상 구비하는 것을 특징으로 하는 고속증착용 스퍼터링 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 각 캐소드(1)는 4면에 동일한 물질의 타겟이 설치된 것임을 특징으로 하는 고속증착용 스퍼터링 장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 각 캐소드(1)는 4면에 각각 다른 물질의 타겟이 설치된 것임을 특징으로 하는 고속증착용 스퍼터링 장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 비평형 영구자석을 네오디뮴(Nd)계 또는 페라이트(Ferrite)계인 것을 특징으로 하는 고속증착용 스퍼터링 장치.