KR100396456B1 - 절단된 코니칼 스퍼터링 타겟용 고 타겟 이용 자기 장치 - Google Patents

절단된 코니칼 스퍼터링 타겟용 고 타겟 이용 자기 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100396456B1
KR100396456B1 KR10-2001-7008832A KR20017008832A KR100396456B1 KR 100396456 B1 KR100396456 B1 KR 100396456B1 KR 20017008832 A KR20017008832 A KR 20017008832A KR 100396456 B1 KR100396456 B1 KR 100396456B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pole
magnetic
target
magnetic ring
ring
Prior art date
Application number
KR10-2001-7008832A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010093257A (ko
Inventor
러셀더렉앤드류
Original Assignee
도쿄 엘렉트론 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄 엘렉트론 리미티드 filed Critical 도쿄 엘렉트론 리미티드
Priority claimed from PCT/US2000/030793 external-priority patent/WO2001036701A1/en
Publication of KR20010093257A publication Critical patent/KR20010093257A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100396456B1 publication Critical patent/KR100396456B1/ko

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/354Introduction of auxiliary energy into the plasma
    • C23C14/358Inductive energy
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3435Applying energy to the substrate during sputtering
    • C23C14/345Applying energy to the substrate during sputtering using substrate bias
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458Vessel
    • H01J37/32477Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405Magnetron sputtering
    • H01J37/3408Planar magnetron sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3426Material
    • H01J37/3429Plural materials

Abstract

마그네트론 스퍼터 코팅 시스템은 원뿔형 자석 조립체(30)를 가진 프루스토-코니칼 타겟(25)을 포함하는 마그네트론 음극(20)을 가지는데, 상기 자석 조립체는 타겟(25)이 침식되지 않을 시에 타겟(25)의 중간 반경 또는 중심선에서의 주 자기 터널 밑에서 침식율이 최고가 되도록 하고, 타겟이 침식할 시에는 최고 침식율의 위치가 점진적으로 2개의 영역으로 시프트하고, 상기 2개의 영역 중의 하나는 타겟 중심선의 반경보다 작은 반경에 있는 내부 영역이고, 다른 하나는 타겟 중심선의 반경보다 큰 반경에 있는 외부 영역이다. 결과적으로, 타겟 침식은 타겟(25)의 라이프 동안에 타겟 영역에 걸쳐 등화되는 경향이 있어, 타겟 이용을 향상시킨다. 자석 조립체(30)는 요크(36)에 의해 자기적으로 접속된 극을 가지고, 주 자기 터널을 형성하는 내부 링(31) 및 외부 링(33)과, 주 자기 터널을 생성시키는 극의 방향과 대향한 자기장을 생성시키도록 지향된 중간 자석 링(32)을 포함한다.

Description

절단된 코니칼 스퍼터링 타겟용 고 타겟 이용 자기 장치{HIGH TARGET UTILIZATION MAGNETIC ARRANGEMENT FOR A TRUNCATED CONICAL SPUTTERING TARGET}
마그네트론 스퍼터링, 또는 자기적으로 향상된 스퍼터링은 챔버(chamber)내의 기판상에 진공의 기상 증착을 위한 코팅 물질을 제공하는 스퍼터링 타겟의 사용을 포함한다. 스퍼터링 시에, 스퍼터링 타겟은, 글로우(glow) 방전 시스템내에서 음극 작용을 하는 부 전위로 에너자이즈된다. 마그네트론 스퍼터링 시에는, 자석은 스퍼터링 타겟의 표면 위에서 폐쇄 루프 자기 터널형의 자기장을 발생시킨다. 이런 자기 터널은 상기 타겟의 표면 근처에 전자를 한정(confine)한다. 이런 전자를 한정함으로써, 주어진 처리 압력에 대해 상당한 저 점화 및 소멸 전압과, 주어진 음극 전압에 대해 상당한 저 점화 및 소멸 압력을 가진 플라즈마가 형성된다.
종래의 자기 터널은 타겟 표면 근처에 열 전자 및 2차 전자 양자 모두를 한정한다. 열 전자는 근원(origin)이 2차 전자와 다른데, 이는 전자에 상이한 특성을제공한다. 열 전자는 다른 전자를 가진 원자 또는 이온의 이온화 충돌을 통해 생성된다. 열 전자는 수가 2차 전자보다 많지만, 에너지는 매우 낮다. 2차 전자는 이온에 의해 타겟의 충격과 동시에 타겟으로부터 방출된다.
단면내의 침식되지 않은 타겟 표면과 평행한 자기장의 성분의 영향으로 인해 터널은 자기 터널의 길이를 따라 2차 전자를 반원형 궤도내로 진입시킨다. 침식되지 않은 타겟 표면과 수직인 자기장의 성분은 터널의 축과 평행하게 이동하는 2차 전자를 터널의 자기 중심선을 향한 단면내에서 횡으로 이동시키는데, 상기 중심선은 침식되지 않은 타겟 표면과 수직인 자기장이 0인 타겟의 표면상의 선이다. 다른 한편, 열 전자는 터널의 단면내에서 앞뒤로 이동하여, 자속의 선을 따라 나선형 궤도를 형성한다. 자속의 선과 수직인 저 이동도 때문에, 열 전자는 음극의 영역으로 한정된다. 자속선과 수직인 열 전자의 저 이동도로 열 전자가 자속선 주위에서 나선형 궤도로 이동됨에 따라, 자기 터널의 가장 자리에서 자속선을 수렴함으로써 생성된 자기 미러(mirror)는 열 전자를 측면에서 측면으로 반사시킨다. 이런 미러 효과는 자기 터널의 가장 자리에서 가장 강하고, 터널의 자기 중심선 위에서 소실됨으로써, 열 전자는 터널의 자기 중심선에서 중심이 되는 1차원 전위 웰(well)내로 수평 이동한다.
마그네트론 스퍼터링의 전자 한정 특성은 타겟 표면 근처에서 플라즈마 밀도를 증진시킬 시에 효과적이고, 종래의 다이오드 스퍼터링 보다 더 실제적으로 스퍼터링을 자기적으로 증진시킨다. 그러나, 종래의 자기 터널은 타겟 이용도가 낮았는데, 그 이유는 터널의 자기 중심선 근처의 전자의 농도에 의해 플라즈마 밀도가 비슷하게 농축되어, 이런 영역내에서 침식율(erosion rate)이 가장 높게 되기 때문이다. 더욱이, 타겟이 침식될 시에, 중심선에 인접한 영역내의 타겟 표면은 침식을 농도를 촉진시키는 더욱 강한 자기장으로 침식된다. 게다가, 농축 침식으로, 2차 전자를 대향벽에서 침식 홈의 중심으로 재지향시키고, 또한 거기에 플라즈마를 농축시키는 V-형 프로파일이 생성된다. 통상적으로, 균일한 두께의 타겟의 이용률은 대략 25%이다. 소모 타겟의 수 및 미사용 타겟 재료의 양을 증가시킬 뿐만 아니라 타겟 변경에 요구된 머신 다운타임도 증가시킴으로써 부족한 타겟 이용은 박막 증착의 경제성을 해친다. 자기 터널의 가장 자리 근처에서는 타겟의 영역이 침식되지 않는 경향이 있다. 그런 영역이 존재하는 곳에서, 이들은 기판의 입자 오염물을 생성시키도록 처리실내로 플레이크 오프(flake off)시키는 재증착 물질을 축적시키는 경향이 있다.
침식 프로파일을 조작하도록 타겟에 대해 회전되는 비대칭형을 가진 자기 터널이 사용되어 왔다. 그런 회전은, 기판 상의 막 균일도를 향상시키고, 고 타겟 이용을 달성하며, 또한 자기 터널이 정적인 경우에 침식되지 않은 타겟 상의 포인트를 침식시키는데에 유용하다. 이런 회전 장치는 단지 둥근 평면 타겟에 편리하다. 장방형 및 고리형 타겟에 대해서는 정적 자기 장치만이 실제적이다.
타겟의 중심에 위치된 다른 시스템 구성 요소를 가진 프루스토-코니칼(frusto-conical) 타겟 및 다른 고리형 또는 링형 타겟에 대해, 종래 기술의 마그네트론 장치는 고 타겟 이용을 제공하지 않았다. 자기적으로 향상된 스퍼터링이 박막 증착을 위해 실용적이고 경제적인 바이어블(viable) 기술을 스퍼터링하지만, 그의 전체 경제적 포텐셜은 정적 자기 장치의 경우에는 실현되지 않는다.
따라서, 프루스토-코니칼 및 다른 고리형 타겟으로 고 타겟 이용을 생성시키는 자석 설계를 제공할 필요성이 있다.
본 출원은 1999년 11월 18일자로 출원되고, 여기서 참조로 포함되는 미국 특허원 제09/442,600호의 연속 출원이다.
본 발명은 마그네트론 스퍼터링에 관한 것으로서, 특히, 스퍼터링 타겟의 효율적인 이용을 위한 마그네트론 자석 설계에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 원리를 실시한 이온화 물리적 증착 장치의 개략도이다.
도 2는 도 1의 음극 조립체를 통한 확대 단면도이다.
도 3은 도 1 및 2의 마그네트론 자석 조립체의 사시도이다.
본 발명의 목적은 마그네트론 스퍼터링 장치에서 프루스토-코니칼 타겟의 전면 침식 및 이용을 향상시키기 위한 것이다. 본 발명의 특정 목적은, 예컨대 ICP 소스와 같은 다른 하드웨어를 위해 사용할 타겟의 중심내의 개구내에서 볼륨(volume)의 가용도를 제한하지 않고 고리형 타겟의 이용을 향상시키기 위한 것이다.
본 발명의 원리에 따르면, 프루스토-코니칼 및 유사한 고리형 스퍼터링 타겟을 포함하는 스퍼터링 장치는에는, 타겟이 침식할 시에, 타겟의 침식이 타겟 고리형부의 중심에서 내부 및 외부 영역으로 이동하도록 하는 마그네트론 자석 조립체가 제공된다. 자석 조립체는 타겟 뒤에 배치되어, 타겟 중심부에서의 개구를 둘러싸는 고리형 타겟의 표면 상에서 고리형 터널의 형태의 타겟에 걸쳐 플라즈마 한정 자기장을 생성시킨다. 타겟의 벽은 중심 개구면으로, 예컨대 약 350경사지는 절단된 원뿔을 형성한다.
본 발명의 일 실시예에서는 3개의 영구 자석 링이 3개의 자기 터널을 생성시킨다. 이런 3개의 터널의 상대 기여로, 타겟의 표면과 평행한 자속선의 효과가 생성된다. 엷은 타겟에 대해, 두꺼운 타겟의 라이브(lives)를 통한 어떤 포인트 파트 웨이(point part way)로서, 내부 자기 터널 및 외부 자기는 주 중심 자기 터널과 상호 작용하여, 결과적으로 침식되지 않은 타겟의 표면과 평행하게 자속을 생성시킨다. 그런 두꺼운 타겟에 의해, 주 중심 터널은 초기에 타겟의 라이프(life)내에서 도미네이트(dominate)하여, 타겟 중심선을 따라 고리형 타겟의 평균 반경을 침식시키고, 내부 및 외부 터널은 나중에 타겟의 라이프내에서 도미네이트하여, 타겟 고리형부의 내부 및 외부 림(rim)에 인접한 영역을 침식시켜, 자속이 타겟의 라이프를 통해 내내 침식되지 않은 타겟 표면과 평행하게 되는 것 처럼 타겟 중심선의 내향 및 외향으로 침식 홈을 퍼지게 한다.
양호한 실시예에서, 스퍼터링 장치는, 이온화 물리적 증착 장치로서, 진공 처리실, 처리를 위해 기판을 지지하는 상기 처리실내의 기판 지지대, 중심 개구 및 상기 중심 개구내의 유전 윈도우 뒤의 유도 결합 플라즈마 소스를 가진 고리형 마그네트론 음극 조립체를 포함한다. 이런 마그네트론 음극 조립체는 내부 가장 자리 보다 기판 지지대에 더 근접한 타겟의 외부 가장 자리와 기판 지지대를 마주한 내부 코니칼 스퍼터링 표면을 가진 프루스토-코니칼 스퍼터링 타겟을 포함한다. 프루스토-코니칼 자석 조립체는 스퍼터링 타겟 뒤와 그와 평행하게 배치된다. 자석 조립체는, 스퍼터링 표면의 주요부를 스팬(span)하고, 스퍼터링 표면의 중심선을 스트래들(straddle)하는 자기장 선을 가진 주 자기 터널, 타겟 내부 가장 자리와 중심선 사이로 연장하는 자기장 선을 가진 내부 자기 터널 및, 타겟의 외부 가장 자리와 중심선 사이로 주로 연장하는 자기장 선을 가진 외부 자기 터널을 생성시키도록 구성된다. 3개의 터널의 자기장은 비교적 타겟 표면과 평행한 합성 자속을 생성시키는 식으로 상호 작용한다. 두꺼운 타겟에 대하여, 이런 합성 자속은 초기에 타겟의 라이프에서 타겟 중심선에 걸쳐 아크(arc)를 이루는 경향이 있고, 플래터(flatter)를 타겟 라이프내로 파트 웨이(part way)하게 되며, 점진적으로 2개의 터널의 형태, 즉 타겟 중심선의 한 내측 및 타겟 중심선의 한 외측의 형태를 취한다. 이런 식으로, 타겟의 침식이 타겟의 라이프의 시점에서의 중심선에서 더욱 큰 율로 진행하는 곳에, 보상 침식은 타겟 이용이 타겟의 전 라이프에 걸쳐 균일하도록 나중의 타겟 라이프에서 타겟의 내부 및 외부 가장 자리를 향해 일어난다.
자기장의 상대 세기는 이에 의해 형태를 이룬 자속에 의해 한정된 플라즈마가 타겟이 침식되지 않을 시에는 타겟의 내부 및 외부 영역에서 보다 중심선에서 더 큰 타겟 침식율을 생성시키고, 타겟이 침식할 시에는 타겟의 내부 및 외부 영역에서 보다 중심선에서 더 작은 타겟 침식율로 계속 점진적으로 변화시키도록 한다. 이런 효과는 두꺼운 타겟에서 더욱 크다. 타겟의 라이프에서의 어떤 포인트에서, 자속은 타겟이 침식되기 전에 타겟의 표면인 것과 평행하다. 매우 얇은 타겟에 대해서, 이런 자속 형태는 타겟의 라이프에 걸쳐 존재할 수 있다. 얇은 타겟 및 두꺼운 타겟에 대해, 자속의 평평한 형태 또는 자속의 점진적 플래트닝(flattening)은 3개의 자기 터널을 생성시키는 자기 링의 상대 기여도의 결과이다.
양호하게도, 자기 링의 구성 및 세기는 특정 타겟에 대해 최적화된다. 예컨대. 타겟이 매우 얇은 곳에서, 주 터널과 내부 및 외부 터널의 상대 기여도는 합성 자속선이 타겟 표면과 평행하도록 조정된다. 두꺼운 타겟에 대해, 주 터널과 내부및 외부 터널의 상대 기여도를 조정함으로써, 합성 자속선이 타겟 라이프의 시점에서 종래의 자기 장치의 타겟 표면과 유사한 타겟 표면에서 터널을 형성하지만, 타겟이 침식할 시에 자속선의 형태가 플라즈마를 핀치(pinch)하지 않도록 하기 위해 평평하게 된다. 타겟이 더욱 침식할 시에, 내부 및 외부 터널은 타겟 표면이 이런 터널내로 들어감에 따라 플라즈마로 노출되어, 결과적으로 고리형 코니칼 타겟의 내부 및 외부 가장 자리 근처에서 플라즈마 밀도가 더욱 높게 된다.
프루스토-코니칼 자석 조립체는 양호하게도 제 1 극성의 내부 극 및 제 2 극성의 외부 극을 포함하는데, 이는 내부 극과 외부 극 사이로 연장하는 제 1 자기장에 의해 제 1 자기 터널을 생성시킨다. 이런 자석 조립체는 양호하게도 제 2 극성의 내부-중심 극 및 제 1 극성의 외부-중심 극을 포함하는데, 이는 타겟의 중심선 상에서 제 1 자기장과 대향하는 역 자기장을 생성시킴으로써, 제 1 및 역 자기장의 합성 세기가 스퍼터링 표면이 타겟으로 침식함에 따라 중심선 상에서 감소한다. 양호하게도, 내부 극 및 내부-중심 극은, 고리형 내부 영역에 걸쳐 주 자기 터널 밑에 있는 내부 극과 내부-중심 극 사이로 연장하는 자기장 선으로 형성된 내부 자기 터널을 생성시키는 반면에, 외부 극 및 외부-중심 극은, 고리형 외부 영역에 걸쳐 주 자기 터널 밑에 있는 외부 극과 외부-중심 극 사이로 연장하는 자기장 선으로 형성된 외부 자기 터널을 생성시킨다.
양호한 자석 조립체는, 양호하게도 코니칼 스퍼터링 타겟 뒤와 그와 평행한 원뿔형으로 배치된 다수의 3개의 원형 자기 링의 형의 영구 자석으로 형성된다. 이런 링은 양호하게도 프루스토-코니칼 형태로 배치된 개별적인 사각형 자석으로 구성되고, 상기 링의 극축은 상기 링의 원주와 수직으로 연장한다. 이런 3개의 링은 내부, 외부 및 중간 자기 링을 포함한다. 내부 및 중간 링의 자석의 극축은 원뿔형과 평행하게 지향되고, 외부 링의 것은 원뿔형과 수직이다. 자기 투과성 물질의 요크(yoke)는 원뿔형 뒤에 위치하여, 내부 및 외부 자기 링을 자기적으로 상호 접속시킨다.
본 발명은 이전의 약 25%에서 50-60%의 범위로 프루스토-코니칼 타겟의 이용을 향상시킨 것이다. 타겟의 스퍼터링 표면의 전 영역에 걸쳐 코니칼 타겟의 침식이 유지되어, 스퍼터링 챔버의 특정 오염의 생성을 방지한다.
본 발명의 상기 및 다른 목적과 잇점은 아래의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해진다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 스퍼터 코팅 장치, 특히 이온화 물리적 증착(iPVD) 장치(10)를 설명한 것이다. IPVD 장치(10)는 챔버벽(12)으로 바운드된 진공 챔버(11)를 포함한다. 이런 챔버(11)에는, 증기 형의 코팅 물질을 스퍼터링 챔버(11)의 볼륨내에 공급하여, 스퍼터링 물질의 증기를 이온화하기 위한 이온화 물리적 증착(IPVD) 소스(13)가 제공된다. 이런 챔버(11)는 소스(13)의 중심을 통해연장하는 중심축(15)을 갖고 있다. 웨이퍼 지지대(17)는 또한 챔버(11)내에서, 소스(13)에 대향하고, 축(15) 상에서 중심을 이룬 챔버(11)의 단부에 제공되어, 축(15) 상에서 중심을 이루고, 처리 동안에 iPVD 소스(13)에 마주하는 기판 웨이퍼(18)를 지지하기 위한 것이다. iPVD 장치(10)의 다른 부품은 특히 상술한 미국 특허원 제09/442,500호에 기술되어 있다. 소스(13)의 일반적인 개념은 미국 특허 제6,080,287호에 기술되어 있고, 이는 여기서 참조로 포함된다.
IPVD 소스(13)는 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체(20)를 포함하는데, 이는 고리형이고, 축(15)과 동심인 그의 중심내의 개구(21)를 가지고 있다. RF 소스 조입체(22)는 축(15) 상의 개구(21)내에서 중심을 이루고, 챔버(11)내의 고 밀도의 유도 결합 플라즈마(ICP)를 에너자이즈한다. 음극 조립체(20)는 또한 프루스토-코니칼 또는 절단된 원뿔형의 스퍼터링 타겟(25)을 포함하는데, 이는 지지대(17) 상의 기판에 마주 대하고, 축(15)을 향해 경사진 그의 내부 상의 코니칼 스퍼터링 표면(26)을 가지고 있다.
스퍼터 코팅 공정 시에, 타겟(25)을 제조하는 코팅 물질은, 챔버(11)내에서 아르곤과 같은 공정 가스에 형성되고, 부압 또는 진공 압력, 통상적으로 100 mtorr로 유지되는 주 스퍼터링 플라즈마로부터 정 이온과의 충격으로 기화된다. iPVD 시스템에서, 이온 충격으로 타겟(25)에서 이탈되는 물질의 원자 또는 미소 입자는 2차 플라즈마 또는 ICP에 의해 이온화된다.
음극 조립체(20)는 도 2 및 3에서 더욱 상세히 설명되는 마그네트론 자석 조립체(30)를 포함하는데, 이는 양호하게도 원뿔(35)내에 배치된 다수의 3개의 자석링(31-33)을 포함하고, 이런 원뿔(35)은 그의 외부 또는 뒤의 타겟(20)과 평행하게 위치해 있다. 자석 조립체(30)는 주 스퍼터링 플라즈마를 유지하도록 타겟(25)의 표면(26)과 근접하여 전자를 트랩(trap)하는 자기 터널을 생성시킨다. 자석 조립체 또는 팩(30)은 연강 또는 다른 고 자기 투과성 물질의 요크(36)를 포함한다. 자석 링(31-33)은 양호하게도 제각기 이산 제곱(discrete square) 자석 부품의 시리즈 또는 어레이(array)로 형성된 링 자석의 원형 어레이인데, 상기 부품은 각 링내에서 프루스토-코니칼 형태로 배치되고, 그들의 극 및 극축은 각 링 주변의 원뿔의 방사축의 평면내에서 동일한 방향으로 지향된다. 작은 이산 자석은 자석 조립체에 대한 구조적 골격 역할을 하고, 원뿔(35)의 형태를 형성할 수 있는 요크(36)에 고정될 수 있다.
내부 링(31)의 자석의 극축은 타겟 표면(26)과 평행하게 지향된다. 설명에서 남극(S)인 내부 링(31)의 자석의 전체 자극면이 요크(36)와 물리적 접촉 또는 근접해 있는 자기 접촉해 있도록 요크(36)는 형태를 이룬다. 설명에서, 링(33)의 자석의 북극(N) 및 남극(S)을 통한 선인 외부 링(33)의 자석의 극축은 타겟 표면(26)과 직각으로 지향되고, 외부 링(33)의 자석의 전체 자극면은 요크(36)와 자기 접촉해 있다. 자석 링(31,33) 간의 자속선(51)은 주 자기 터널(41)을 형성한다.
중심 자석 링(32)은 내부 자석 링(31)의 가장 내부 또는 N 극과 외부 자석 링(33)의 중심 간의 거의 중간에 위치되고, 이는 주 자기 터널(41)이 중심선(40)의 유효 위치를 형성한다. 필요치는 않지만, 중심 링(32)의 자석은 요크(36)와 직접 물리적 또는 실질적인 자기 접촉해 있을 수 있다. 중심 링(32)의 자석의 극축은 주로 타겟(26)과 평행하게 지향된다. 중심 링(32)의 자석의 자극면의 어느 것도 요크(36)과 접촉해 있지 않다. 중심 링(32)의 자석 극축은 도 2에 도시된 바와 같이 내부 링(31)의 극축의 방향과 대향해 있고, 중심 링(32)의 S 극은 내부 링(31)의 S 극과 마주 대하고 있다. 그와 같이, 내부 행(row)(31)과 중심 행(32) 간의 자속선(52)은 주 자기 터널(41)을 형성하는 자속선(51) 밑에 내부 소 자기 터널(42)을 형성한다. 내부 소 터널(42)은 타겟 표면(26)의 내부 고리형 영역(46)에 걸쳐 타겟(25)의 라이프의 끝으로 타겟의 침식에 영향을 미친다. 자속선 또는 자기장선은 도 2에 도시된 바와 같이 축(15)을 포함하는 방사면내에 있다.
중심 링(32)과 외부 링(31) 간의 자속선(53)은 주 터널(41)을 형성하는 자속선(51) 밑에 외부 소 자기 터널(43)을 형성한다. 외부 소 터널(43)은 타겟 표면(26)의 외부 고리형 영역(47)에 걸쳐 타겟(25)의 라이프의 끝으로 타겟의 침식에 영향을 미친다. 중심 링(32)의 극 간의 자속선(54)은 타겟(25)이 침식할 시에 주 터널(41)의 효과를 감소시키도록 주 터널(41)을 형성하는 자속선(51)에 대향한다. 중심선(40)을 따라 타겟(25)내에 주 터널을 생성시키는 자속선(51)의 연속 점진적인 플래트닝은, 소 터널(42,43)을 제각기 영역(46,47)에서의 타겟(25)내에 생성시키는 자속선(52,53)의 기여의 연속 점진적 증가로 인해 유발된다. 자기 링(31-33)으로부터의 대향하는 자기장선이 상쇄되는 영점(null point)은 자석 조립체(40)로부터의 합성 자기장에 존재할 수 있다. 이런 영점은 중심 자석 링(32)에 근접한 중심선(40) 근처에 위치된다. 이런 영점은 타겟 라이프에 걸쳐 타겟 표면(26) 뒤에 있다.
타겟(25)의 표면(26)과 평행한 자석의 내부 링(31)의 방향(orientation)은 내부 자기 터널(52)의 형성을 강화시켜, 주어진 타겟 폭에 대한 자기장 형태를 더욱 어그레시브(aggressive)하게 한다. 게다가, 타겟 표면(26)과 평행한 내부 링(31)의 극축의 방향은 타겟(25)의 내부 직경 근처에서 타겟을 더욱 침식시킨다. 이는 소스(13)의 중심 개구(21)에서의 스페이스 제한을 완화시킨다. 결과적으로, 이런 잇점은, 내부 링(31)의 자석이 타겟 표면과 평행하게 지향됨으로써, 내부 링 자석의 가장 내부 극으로부터의 내부 자기 터널의 자속선의 형성이 이들 극이 자석에서 나타날 시에 대향극으로 이미 컬링 백(curling back)하여, 이들 내부 자석의 극이 타겟 표면과 수직으로 지향되는 경우 보다 더욱 작은 스페이스내에서 내부 터널이 생성되도록 하지만, 타겟의 내부 가장 자리에서 더욱 더 침식을 촉진시켜, 입자 생성을 최소화시킨다. 외부 링의 자석은 자속선 스큐(skew)를 방지하도록 타겟 표면에 수직으로 지향되고, 전단면(full-faced)을 침식시키도록 타겟의 외부 가장 자리를 오버핸드(overhand)함으로써, 타겟 외부 가장 자리에 부가적인 스페이스를 차지한다. 본 발명은 타겟 내부 가장 자리에 부가적인 스페이스를 필요로 하지 않고 바람직한 침식을 달성한다.
내부 자석 링(31)과 외부 자석 링(33) 간의 자기장 선에 의해 생성되는 주 터널(41)은 타겟 라이프의 시점에서 타겟 침식에 영향을 미친다. 두꺼운 타겟에 대해, 플라즈마는, 고리형 타겟(25)의 중간 반경에서의 타겟 표면(26) 상에서 원형 중심선(40)상의 타겟(25)의 표면(26)을 따른 침식 홈으로 한정된다. 그런 두꺼운 타겟의 나중 타겟 라이프에서, 표면(26)이 침식하여, 중심선(40)을 따라 타겟(25)의 중심내에 들어감에 따라, 중심 자석 링(32)의 대향 자기장의 효과 및, 주 자기 터널 형태 상의 내부 및 외부 터널의 효과로 인해 터널(41)을 형성하는 자기장 선은 중심선(40)을 따라 점진적으로 플래튼(flatten)된다. 자기 터널의 침식 프로파일의 상대 영향은, 각 터널에 의해 한정된 플라즈마가 두꺼운 타겟(25)이 침식되지 않을 시에 내부 및 외부 영역(46,47)에서 보다 중심선(40)에서 더 큰 타겟 침식율을 발생시키도록 한다. 이런 비율은 타겟이 침식할 시에 내부 및 외부 영역(46,47)에서 보다 중심선(40)에서 더 작은 타겟 침식율로 계속 점진적으로 변화시킨다. 내부 및 외부 자기 터널(52,53)은 제각기 타겟 라이프의 끝을 향해 타겟 고리형의 내부 및 외부 림(rim)으로 타겟 침식을 분산시킨다. 이에 의해 침식 홈은 타겟이 침식할 시에 넓어져, 타겟 침식을 더욱 균일하게 함으로써, 타겟 물질 이용을 증진시킨다.
자석 팩은 물 및 DC 전력에 대한 피드스루(feedthroughs)를 타겟(25)으로 운반(carry)하는 축(15)과 평행하게 뚫린 (도시되지 않은) 다수의 구멍을 포함한다. 자석(30)의 조립체는 폴리우레탄과 같은 하드 폴리머 코팅으로 코팅되거나, 자석 팩(30)에 접착되는 비자기, 금속 또는 플라스틱 클래딩(cladding) 피스내에 밀봉된다. 이런 코팅은 링(31-33)의 자석 및 요크(36)가 공기 중에 산화되지 않게 하고, 또한 소결 구성(sintered construction)으로 이루어질 수 있는 링(31-33)의 자석이 오염 입자 소스가 되지 않게 한다. 타겟(25)으로의 냉각수는 요크(36)를 통해 (도시되지 않은) 스터브(stub) 조립체를 통과할 수 있다.
상기 설명 및 첨부한 도면이 본 발명의 각종 실시예를 설명하지만, 본 기술 분야의 숙련자는 본 발명의 원리내에서 부가 및 변경을 행할 수 있다.

Claims (20)

  1. 진공 처리실,
    처리를 위해 기판을 지지하는 상기 처리실내의 기판 지지대,
    마그네트론 스퍼터링 음극 조립체를 구비하는데, 상기 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체는,
    기판 지지대를 마주 대한 내부 코니칼 스퍼터링 표면, 내부 가장 자리, 내부 가장 자리 보다 기판 지지대에 더 근접한 타겟의 외부 가장 자리 및, 상기 타겟의 내부 및 외부 가장 자리 간의 중심선을 가진 프루스토-코니칼 스퍼터링 타겟 및,
    상기 스퍼터링 타겟 뒤와 그와 평행하게 배치된 프루스토-코니칼 자석 조립체를 포함하고, 상기 자석 조립체는,
    방사면을 따라 연장하고, 상기 스퍼터링 표면의 중심선에 걸쳐 상기 스퍼터링 표면의 주요부를 스팬하는 제 1 자기장 선을 가진 제 1 자기 터널,
    상기 방사면을 따라 연장하고, 상기 스퍼터링 표면의 내부 영역에 걸친 타겟의 내부 가장 자리와 중심선 사이에 상기 스퍼터링 표면의 고리형 내부 영역에 걸친 상기 제 1 자기장 선을 지지하도록 지향된 제 2 자기장 선을 가진 제 2 자기 터널 및,
    상기 방사면을 따라 연장하고, 상기 스퍼터링 표면의 외부 영역에 걸친 타겟의 외부 가장 자리와 중심선 사이에 상기 스퍼터링 표면의 고리형 외부 영역에 걸친 상기 제 1 자기장 선을 지지하도록 지향된 제 3 자기장 선을 가진 제 3 자기 터널을 생성시키도록 구성되며,
    자기장은 이에 의해 한정된 플라즈마가 타겟이 침식되지 않을 시에는 내부 및 외부 영역에서 보다 중심선에서 더 큰 타겟 침식율을 생성시키고, 타겟이 침식할 시에는 내부 및 외부 영역에서 보다 중심선에서 더 작은 타겟 침식율로 계속 점진적으로 변화시키도록 하는, 스퍼터링 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 프루스토-코니칼 자석 조립체는 제 1 극성의 내부 극 및 제 2 극성의 외부 극을 포함하는데, 상기 내부 극 및 외부 극은 상기 내부 극과 상기 외부 극 사이로 연장하는 제 1 자기장에 의해 상기 제 1 자기 터널을 생성시키는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 프루스토-코니칼 자석 조립체는 제 2 극성의 내부-중심 극 및 제 1 극성의 외부-중심 극을 더 포함하는데, 상기 내부-중심 극 및 상기 외부-중심 극은 상기 타겟의 중심선 상에서 상기 제 1 자기장과 대향하는 역 자기장을 생성시킴으로써, 상기 제 1 및 역 자기장에 의해 생성된 합성 자속은 상기 스퍼터링 표면이 타겟으로 침식할 시에 중심선 상에서 플래튼하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 내부 극 및 상기 내부-중심 극은, 내부 가장 자리와 중심선 사이에서 상기 스퍼터링 표면의 고리형 내부 영역에 걸쳐 상기 제 1 자기 터널 밑에 있는 상기 내부 극과 상기 내부-중심 극 사이로 연장하는 제 2 자기장 선으로 형성된 제 2 자기 터널을 생성시키고,
    상기 외부 극 및 상기 외부-중심 극은, 외부 가장 자리와 중심선 사이에서 상기 스퍼터링 표면의 고리형 외부 영역에 걸쳐 상기 제 1 자기 터널 밑에 있는 상기 외부 극과 상기 외부-중심 극 사이로 연장하는 제 3 자기장 선으로 형성된 제 3 자기 터널을 생성시키는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 자석 조립체는,
    상기 코니칼 스퍼터링 타겟 뒤와 그와 평행한 원뿔형으로 배치된 다수의 원형 자기 링을 더 포함하는데, 상기 링의 각각은 상기 원뿔형의 중심 및 상기 타겟의 중심을 통하는 원주, 직경 및 공통 중심축을 가지고, 상기 자기 링의 각각은 제 1 및 2 자기극과, 상기 극 사이로 연장하고, 상기 링의 원주와 수직으로 연장하는 극축을 가지며, 상기 다수의 자기 링은 제 1 극을 형성하는 내부 극을 가진 내부 자기 링, 제 2 극을 형성하는 외부 극을 가진 외부 자기 링 과, 상기 제 1 극을 형성하는 외부-중심 극 및, 상기 제 2 극을 형성하는 내부-중심 극을 가진 중간 자기 링을 포함하고, 상기 내부 자기 링의 직경은 상기 외부 자기 링의 직경보다 작은상기 중간 자기 링의 직경보다 작으며,
    상기 자기 링의 극축은,
    상기 제 2 극보다 상기 축에 더 가까운 제 1 극을 가진 상기 내부 자기 링에 대한 원뿔과 평행하고,
    상기 제 1 극보다 상기 축에 더 가까운 제 2 극을 가진 상기 중간 자기 링에 대한 원뿔과 평행하며,
    상기 제 1 극보다 상기 축에 더 가까운 제 2 극을 가진 상기 외부 자기 링에 대한 원뿔과 수직으로 더 지향되며,
    상기 자석 조립체는,
    상기 내부 자기 링의 제 2 극과 상기 외부 자기 링의 제 1 극을 자기적으로 상호 접속하는 상기 원뿔 뒤의 자기 투과성 물질의 요크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  6. 제 4 항의 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체에 있어서,
    상기 자석 조립체는,
    상기 코니칼 스퍼터링 타겟 뒤와 그와 평행한 원뿔형으로 배치된 다수의 원형 자기 링을 더 포함하는데, 상기 링의 각각은 상기 원뿔형의 중심 및 상기 타겟의 중심을 통하는 원주, 직경 및 공통 중심축을 가지고, 상기 자기 링의 각각은 제 1 및 2 자기극과, 상기 극 사이로 연장하고, 상기 링의 원주와 수직으로 연장하는 극축을 가지며, 상기 다수의 자기 링은 제 1 극을 형성하는 내부 극을 가진 내부자기 링, 제 2 극을 형성하는 외부 극을 가진 외부 자기 링 과, 상기 제 1 극을 형성하는 외부-중심 극 및, 상기 제 2 극을 형성하는 내부-중심 극을 가진 중간 자기 링을 포함하고, 상기 내부 자기 링의 직경은 상기 외부 자기 링의 직경보다 작은 상기 중간 자기 링의 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체.
  7. 제 4 항의 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체에 있어서,
    상기 자석 조립체는,
    상기 코니칼 스퍼터링 타겟 뒤와 그와 평행한 원뿔형으로 배치된 다수의 원형 자기 링을 더 포함하는데, 상기 링의 각각은 상기 원뿔형의 중심 및 상기 타겟의 중심을 통하는 원주, 직경 및 공통 중심축을 가지고, 상기 자기 링의 각각은 제 1 및 2 자기극과, 상기 극 사이로 연장하고, 상기 링의 원주와 수직으로 연장하는 극축을 가지며,
    상기 자기 링의 극축은,
    상기 제 2 극보다 상기 축에 더 가까운 제 1 극을 가진 상기 내부 자기 링에 대한 원뿔과 평행하고,
    상기 제 1 극보다 상기 축에 더 가까운 제 2 극을 가진 상기 중간 자기 링에 대한 원뿔과 평행하며,
    상기 제 1 극보다 상기 축에 더 가까운 제 2 극을 가진 상기 외부 자기 링에 대한 원뿔과 수직으로 더 지향되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 음극조립체.
  8. 제 4 항의 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체에 있어서,
    상기 자석 조립체는,
    상기 코니칼 스퍼터링 타겟 뒤와 그와 평행한 원뿔형으로 배치된 다수의 원형 자기 링으로서, 상기 링의 각각은 상기 원뿔형의 중심 및 상기 타겟의 중심을 통하는 원주, 직경 및 공통 중심축을 가지고, 상기 자기 링의 각각은 제 1 및 2 자기극과, 상기 극 사이로 연장하고, 상기 링의 원주와 수직으로 연장하는 극축을 가지는 다수의 원형 자기 링 및,
    상기 내부 자기 링의 제 2 극과 상기 외부 자기 링의 제 1 극을 자기적으로 상호 접속하는 상기 원뿔 뒤의 자기 투과성 물질의 요크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 자석 조립체는,
    상기 코니칼 스퍼터링 타겟 뒤와 그와 평행한 원뿔형으로 배치된 다수의 원형 자기 링을 더 포함하는데, 상기 링의 각각은 상기 원뿔형의 중심 및 상기 타겟의 중심을 통하는 원주, 직경 및 공통 중심축을 가지고, 상기 자기 링의 각각은 제 1 및 2 자기극과, 상기 극 사이로 연장하고, 상기 링의 원주와 수직으로 연장하는 극축을 가지며, 상기 다수의 자기 링은 내부 자기 링, 외부 자기 링 및 중간 자기링을 포함하고, 상기 내부 자기 링의 직경은 상기 외부 자기 링의 직경보다 작은 상기 중간 자기 링의 직경보다 작으며,
    상기 자기 링의 극축은,
    상기 제 2 극보다 상기 축에 더 가까운 제 1 극을 가진 상기 내부 자기 링에 대한 원뿔과 평행하고,
    상기 제 1 극보다 상기 축에 더 가까운 제 2 극을 가진 상기 중간 자기 링에 대한 원뿔과 평행하며,
    상기 제 1 극보다 상기 축에 더 가까운 제 2 극을 가진 상기 외부 자기 링에 대한 원뿔과 수직으로 더 지향되며,
    상기 자석 조립체는,
    상기 내부 자기 링의 제 2 극과 상기 외부 자기 링의 제 1 극을 자기적으로 상호 접속하는 상기 원뿔 뒤의 자기 투과성 물질의 요크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  10. 제 1 항의 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체에 있어서,
    상기 자석 조립체는,
    상기 코니칼 스퍼터링 타겟 뒤와 그와 평행한 원뿔형으로 배치된 다수의 원형 자기 링을 더 포함하는데, 상기 링의 각각은 상기 원뿔형의 중심 및 상기 타겟의 중심을 통하는 원주, 직경 및 공통 중심축을 가지고, 상기 자기 링의 각각은 제 1 및 2 자기극과, 상기 극 사이로 연장하고, 상기 링의 원주와 수직으로 연장하는극축을 가지며, 상기 다수의 자기 링은 내부 자기 링, 외부 자기 링 및 중간 자기 링을 포함하고, 상기 내부 자기 링의 직경은 상기 외부 자기 링의 직경보다 작은 상기 중간 자기 링의 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체.
  11. 제 1 항의 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체에 있어서,
    상기 자석 조립체는,
    상기 코니칼 스퍼터링 타겟 뒤와 그와 평행한 원뿔형으로 배치된 다수의 원형 자기 링을 더 포함하는데, 상기 링의 각각은 상기 원뿔형의 중심 및 상기 타겟의 중심을 통하는 원주, 직경 및 공통 중심축을 가지고, 상기 자기 링의 각각은 제 1 및 2 자기극과, 상기 극 사이로 연장하고, 상기 링의 원주와 수직으로 연장하는 극축을 가지며,
    상기 자기 링의 극축은,
    상기 제 2 극보다 상기 축에 더 가까운 제 1 극을 가진 상기 내부 자기 링에 대한 원뿔과 평행하고,
    상기 제 1 극보다 상기 축에 더 가까운 제 2 극을 가진 상기 중간 자기 링에 대한 원뿔과 평행하며,
    상기 제 1 극보다 상기 축에 더 가까운 제 2 극을 가진 상기 외부 자기 링에 대한 원뿔과 수직으로 더 지향되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체.
  12. 제 1 항의 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체에 있어서,
    상기 자석 조립체는,
    상기 코니칼 스퍼터링 타겟 뒤와 그와 평행한 원뿔형으로 배치된 다수의 원형 자기 링으로서, 상기 링의 각각은 상기 원뿔형의 중심 및 상기 타겟의 중심을 통하는 원주, 직경 및 공통 중심축을 가지고, 상기 자기 링의 각각은 제 1 및 2 자기극과, 상기 극 사이로 연장하고, 상기 링의 원주와 수직으로 연장하는 극축을 가지는 다수의 원형 자기 링 및,
    상기 내부 자기 링의 제 2 극과 상기 외부 자기 링의 제 1 극을 자기적으로 상호 접속하는 상기 원뿔 뒤의 자기 투과성 물질의 요크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체.
  13. 내부 코니칼 스퍼터링 표면, 원형 내부 가장 자리, 원형 외부 가장 자리 및, 상기 내부 및 외부 가장 자리 간의 원형 침식 중심선을 가진 프루스토-코니칼 스퍼터링 타겟 및,
    상기 스퍼터링 타겟 뒤와 그와 평행하게 배치된 프루스토-코니칼 자석 조립체를 구비하는데, 상기 자석 조립체는,
    제 1 극성의 내부 극과 제 2 극성의 외부 극 사이로 연장하는 제 1 자기장으로 형성된 제 1 자기 터널을 생성시키는 제 1 극성의 내부 극 및 제 2 극성의 외부 극,
    상기 타겟의 중심선 상에서 상기 제 1 자기장과 대향하는 역 자기장을 생성시킴으로써, 상기 제 1 및 역 자기장의 합성 자속은 상기 스퍼터링 표면이 타겟으로 침식할 시에 중심선 상에서 플래튼하도록 하는 제 2 극성의 내부-중심 극 및 제 1 극성의 외부-중심 극,
    상기 내부 가장 자리와 중심선 사이에서 상기 스퍼터링 표면의 고리형 내부 영역에 걸쳐 상기 제 1 자기 터널 밑에 있는 상기 내부 극과 상기 내부-중심 극 사이로 연장하는 제 2 자기장 선으로 형성된 제 2 자기 터널을 생성시키는 상기 내부 극 및 상기 내부-중심 극 및,
    상기 외부 가장 자리와 중심선 사이에서 상기 스퍼터링 표면의 고리형 외부 영역에 걸쳐 상기 제 1 자기 터널 밑에 있는 상기 외부 극과 상기 외부-중심 극 사이로 연장하는 제 3 자기장 선으로 형성된 제 3 자기 터널을 생성시키는 상기 외부 극 및 상기 외부-중심 극을 가짐으로써,
    상기 자기 터널의 상대 기여는 한정된 플라즈마가 타겟이 침식되지 않을 시에는 내부 및 외부 영역에서 보다 중심선에서 더 큰 타겟 침식율을 생성시키고, 타겟이 침식할 시에는 내부 및 외부 영역에서 보다 중심선에서 더 작은 타겟 침식율로 계속 점진적으로 변화시키도록 하는, 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 자석 조립체는,
    상기 코니칼 스퍼터링 타겟 뒤와 그와 평행한 원뿔형으로 배치된 다수의 원형 자기 링을 더 포함하는데, 상기 링의 각각은 상기 원뿔형의 중심 및 상기 타겟의 중심을 통하는 원주, 직경 및 공통 중심축을 가지고, 상기 자기 링의 각각은 제 1 및 2 자기극과, 상기 극 사이로 연장하고, 상기 링의 원주와 수직으로 연장하는 극축을 가지며, 상기 다수의 자기 링은 제 1 극을 형성하는 내부 극을 가진 내부 자기 링, 제 2 극을 형성하는 외부 극을 가진 외부 자기 링 과, 상기 제 1 극을 형성하는 외부-중심 극 및, 상기 제 2 극을 형성하는 내부-중심 극을 가진 중간 자기 링을 포함하고, 상기 내부 자기 링의 직경은 상기 외부 자기 링의 직경보다 작은 상기 중간 자기 링의 직경보다 작으며,
    상기 자기 링의 극축은,
    상기 제 2 극보다 상기 축에 더 가까운 제 1 극을 가진 상기 내부 자기 링에 대한 원뿔과 평행하고,
    상기 제 1 극보다 상기 축에 더 가까운 제 2 극을 가진 상기 중간 자기 링에 대한 원뿔과 평행하며,
    상기 제 1 극보다 상기 축에 더 가까운 제 2 극을 가진 상기 외부 자기 링에 대한 원뿔과 수직으로 더 지향되며,
    상기 자석 조립체는,
    상기 내부 자기 링의 제 2 극과 상기 외부 자기 링의 제 1 극을 자기적으로 상호 접속하는 상기 원뿔 뒤의 자기 투과성 물질의 요크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 자석 조립체는,
    상기 코니칼 스퍼터링 타겟 뒤와 그와 평행한 원뿔형으로 배치된 다수의 원형 자기 링을 더 포함하는데, 상기 링의 각각은 상기 원뿔형의 중심 및 상기 타겟의 중심을 통하는 원주, 직경 및 공통 중심축을 가지고, 상기 자기 링의 각각은 제 1 및 2 자기극과, 상기 극 사이로 연장하고, 상기 링의 원주와 수직으로 연장하는 극축을 가지며, 상기 다수의 자기 링은 제 1 극을 형성하는 내부 극을 가진 내부 자기 링, 제 2 극을 형성하는 외부 극을 가진 외부 자기 링 과, 상기 제 1 극을 형성하는 외부-중심 극 및, 상기 제 2 극을 형성하는 내부-중심 극을 가진 중간 자기 링을 포함하고, 상기 내부 자기 링의 직경은 상기 외부 자기 링의 직경보다 작은 상기 중간 자기 링의 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 자석 조립체는,
    상기 코니칼 스퍼터링 타겟 뒤와 그와 평행한 원뿔형으로 배치된 다수의 원형 자기 링을 더 포함하는데, 상기 링의 각각은 상기 원뿔형의 중심 및 상기 타겟의 중심을 통하는 원주, 직경 및 공통 중심축을 가지고, 상기 자기 링의 각각은 제 1 및 2 자기극과, 상기 극 사이로 연장하고, 상기 링의 원주와 수직으로 연장하는 극축을 가지며,
    상기 자기 링의 극축은,
    상기 제 2 극보다 상기 축에 더 가까운 제 1 극을 가진 상기 내부 자기 링에 대한 원뿔과 평행하고,
    상기 제 1 극보다 상기 축에 더 가까운 제 2 극을 가진 상기 중간 자기 링에 대한 원뿔과 평행하며,
    상기 제 1 극보다 상기 축에 더 가까운 제 2 극을 가진 상기 외부 자기 링에 대한 원뿔과 수직으로 더 지향되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 자석 조립체는,
    상기 코니칼 스퍼터링 타겟 뒤와 그와 평행한 원뿔형으로 배치된 다수의 원형 자기 링으로서, 상기 링의 각각은 상기 원뿔형의 중심 및 상기 타겟의 중심을 통하는 원주, 직경 및 공통 중심축을 가지고, 상기 자기 링의 각각은 제 1 및 2 자기극과, 상기 극 사이로 연장하고, 상기 링의 원주와 수직으로 연장하는 극축을 가지는 다수의 원형 자기 링 및,
    상기 내부 자기 링의 제 2 극과 상기 외부 자기 링의 제 1 극을 자기적으로 상호 접속하는 상기 원뿔 뒤의 자기 투과성 물질의 요크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체.
  18. 원형 내부 가장 자리 및 원형 외부 가장 자리에 의해 바운드된 내부 코니칼 스퍼터링 표면을 가진 코니칼 스퍼터링 타겟 및, 상기 내부 및 외부 가장 자리 간의 스퍼터링 표면 상의 원형 중심선을 가지는 마그네트론 스퍼터링 음극 조립체를 위한 자석 조립체로서,
    상기 코니칼 스퍼터링 타겟 뒤와 그와 평행하게 위치될 원뿔형으로 배치된 다수의 원형 자기 링을 포함하는데, 상기 링의 각각은 공통 중심축, 원주 및 직경을 가지고, 상기 자기 링은 각각의 상기 극 사이로 연장하고, 각각의 상기 원주와 수직으로 연장하는 극축과 제 1 및 2 자기극을 가지며, 상기 다수의 자기 링은 내부 자기 링, 외부 자기 링 및 중간 자기 링을 포함하고, 상기 내부 자기 링의 직경은 상기 외부 자기 링의 직경보다 작은 상기 중간 자기 링의 직경보다 작으며,
    상기 자기 링의 극축은,
    상기 제 2 극보다 상기 축에 더 가까운 제 1 극을 가진 상기 내부 자기 링에 대한 원뿔과 평행하고,
    상기 제 1 극보다 상기 축에 더 가까운 제 2 극을 가진 상기 중간 자기 링에 대한 원뿔과 평행하며,
    상기 제 1 극보다 상기 축에 더 가까운 제 2 극을 가진 상기 외부 자기 링에 대한 원뿔과 수직으로 더 지향되며,
    상기 자석 조립체는,
    상기 내부 자기 링의 제 2 극과 상기 외부 자기 링의 제 1 극을 자기적으로 상호 접속하는 상기 원뿔 뒤의 자기 투과성 물질의 요크를 더 포함하는, 자석 조립체.
  19. 처리실내에서 진공 상태로 기판을 지지대내에 지지하는 단계,
    스퍼터링 표면의 고리형 외부 영역에 의해 둘러싸인 상기 스퍼터링 표면의 고리형 내부 영역을 둘러싼 중심선을 가진 내부 코니칼 스퍼터링 표면으로부터 플라즈마 및 상기 플라즈마를 가진 스퍼터링 물질을 형성하도록 프루스토-코니칼 스퍼터링 타겟을 에너자이즈하는 단계,
    상기 스퍼터링 타겟 뒤에 프루스토-코니칼 자석 조립체를 제공하는 단계 와,
    방사면을 따라 연장하고, 상기 스퍼터링 표면의 주요부를 스팬하는 제 1 자기장 선을 가진 제 1 자기 터널, 상기 방사면을 따라 연장하고, 상기 스퍼터링 표면의 고리형 내부 영역에 걸쳐 상기 제 1 자기장 선을 지지하도록 지향된 제 2 자기장 선을 가진 제 2 자기 터널 및, 상기 방사면을 따라 연장하고, 상기 스퍼터링 표면의 상기 고리형 외부 영역에 걸쳐 상기 제 1 자기장 선을 지지하도록 지향된 제 3 자기장 선을 가진 제 3 자기 터널을 생성시키는 단계를 포함함으로써,
    유효 플랫 자속은 상기 코니칼 스퍼터링 타겟의 표면에 걸친 방사 단면에 생성되는, 스퍼터링 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 타겟이 침식할 시에, 중심선에 걸친 타겟의 침식 표면에서의 제 1 자속은 플래튼되지만, 제 2 및 3 자기 터널은 제각기 스퍼터링 표면의 내부 및 외부 영역에 나타나고, 플라즈마는 상기 자기 터널에 의해 한정되어, 상기 내부 및 외부 영역에서 보다 중심선에서 초기에 더 크고, 상기 내부 및 외부 영역에서 보다 중심선에서 계속 점진적으로 더 작아지는 타겟 침식율을 생성시키는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 방법.
KR10-2001-7008832A 1999-11-18 2000-11-10 절단된 코니칼 스퍼터링 타겟용 고 타겟 이용 자기 장치 KR100396456B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/442,600 1999-11-18
US09/442,600 US6287435B1 (en) 1998-05-06 1999-11-18 Method and apparatus for ionized physical vapor deposition
US09/688,709 US6458252B1 (en) 1999-11-18 2000-10-17 High target utilization magnetic arrangement for a truncated conical sputtering target
US09/688,709 2000-10-17
PCT/US2000/030793 WO2001036701A1 (en) 1999-11-18 2000-11-10 High target utilization magnetic arrangement for a truncated conical sputtering target

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010093257A KR20010093257A (ko) 2001-10-27
KR100396456B1 true KR100396456B1 (ko) 2003-09-02

Family

ID=23757416

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-7008832A KR100396456B1 (ko) 1999-11-18 2000-11-10 절단된 코니칼 스퍼터링 타겟용 고 타겟 이용 자기 장치

Country Status (8)

Country Link
US (3) US6287435B1 (ko)
EP (1) EP1243016B1 (ko)
JP (1) JP3959273B2 (ko)
KR (1) KR100396456B1 (ko)
CN (1) CN1425187B (ko)
AU (1) AU1660601A (ko)
TW (1) TW480529B (ko)
WO (1) WO2001037310A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100480357B1 (ko) * 2002-07-10 2005-03-30 아이티엠 주식회사 동기화된 이온 빔 소스와 듀얼 마그네트론 스퍼터를가지는 박막 형성 장치

Families Citing this family (411)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010032498A (ko) * 1997-11-26 2001-04-25 조셉 제이. 스위니 손상없는 스컵쳐 코팅 증착
US20060137821A1 (en) * 2004-12-28 2006-06-29 Lam Research Coporation Window protector for sputter etching of metal layers
WO1999053120A1 (en) * 1998-04-13 1999-10-21 Tokyo Electron Limited Reduced impedance chamber
US6287435B1 (en) * 1998-05-06 2001-09-11 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized physical vapor deposition
US6720261B1 (en) * 1999-06-02 2004-04-13 Agere Systems Inc. Method and system for eliminating extrusions in semiconductor vias
US6733513B2 (en) 1999-11-04 2004-05-11 Advanced Bioprosthetic Surfaces, Ltd. Balloon catheter having metal balloon and method of making same
US6936066B2 (en) * 1999-11-19 2005-08-30 Advanced Bio Prosthetic Surfaces, Ltd. Complaint implantable medical devices and methods of making same
US8458879B2 (en) 2001-07-03 2013-06-11 Advanced Bio Prosthetic Surfaces, Ltd., A Wholly Owned Subsidiary Of Palmaz Scientific, Inc. Method of fabricating an implantable medical device
US6531030B1 (en) * 2000-03-31 2003-03-11 Lam Research Corp. Inductively coupled plasma etching apparatus
US6417626B1 (en) * 2001-03-01 2002-07-09 Tokyo Electron Limited Immersed inductively—coupled plasma source
US7744735B2 (en) * 2001-05-04 2010-06-29 Tokyo Electron Limited Ionized PVD with sequential deposition and etching
DE10134513A1 (de) * 2001-07-16 2003-01-30 Unaxis Balzers Ag Hebe-und Stützvorichtung
US6620736B2 (en) * 2001-07-24 2003-09-16 Tokyo Electron Limited Electrostatic control of deposition of, and etching by, ionized materials in semiconductor processing
US6666982B2 (en) 2001-10-22 2003-12-23 Tokyo Electron Limited Protection of dielectric window in inductively coupled plasma generation
CH695807A5 (de) * 2001-11-20 2006-08-31 Unaxis Balzers Ag Quelle für Vakuumbehandlungsprozess.
US6984574B2 (en) * 2002-01-23 2006-01-10 Mosel Vitelic, Inc. Cobalt silicide fabrication using protective titanium
US6946054B2 (en) * 2002-02-22 2005-09-20 Tokyo Electron Limited Modified transfer function deposition baffles and high density plasma ignition therewith in semiconductor processing
US6730174B2 (en) 2002-03-06 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Unitary removable shield assembly
US7901545B2 (en) * 2004-03-26 2011-03-08 Tokyo Electron Limited Ionized physical vapor deposition (iPVD) process
JP2005525471A (ja) * 2002-05-14 2005-08-25 東京エレクトロン株式会社 スパッタリングカソードアダプタアセンブリおよび方法
US20040060582A1 (en) * 2002-09-18 2004-04-01 Dainippon Screen Mfg.Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP4995420B2 (ja) 2002-09-26 2012-08-08 アドヴァンスド バイオ プロスセティック サーフェシーズ リミテッド 高強度の真空堆積されたニチノール合金フィルム、医療用薄膜グラフト材料、およびそれを作製する方法。
JP4443819B2 (ja) * 2002-10-02 2010-03-31 パナソニック株式会社 プラズマドーピング方法
US20040129221A1 (en) * 2003-01-08 2004-07-08 Jozef Brcka Cooled deposition baffle in high density plasma semiconductor processing
CN101005812A (zh) 2003-05-07 2007-07-25 先进生物假体表面有限公司 可植入性金属移植物及其制造方法
US6929720B2 (en) * 2003-06-09 2005-08-16 Tokyo Electron Limited Sputtering source for ionized physical vapor deposition of metals
US7001491B2 (en) * 2003-06-26 2006-02-21 Tokyo Electron Limited Vacuum-processing chamber-shield and multi-chamber pumping method
US7182816B2 (en) * 2003-08-18 2007-02-27 Tokyo Electron Limited Particulate reduction using temperature-controlled chamber shield
KR101001743B1 (ko) * 2003-11-17 2010-12-15 삼성전자주식회사 헬리컬 자기-공진 코일을 이용한 이온화 물리적 기상 증착장치
US7273533B2 (en) * 2003-11-19 2007-09-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing system with locally-efficient inductive plasma coupling
JP4541014B2 (ja) * 2004-01-13 2010-09-08 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ支援スパッタ成膜装置
US7240981B2 (en) 2004-02-27 2007-07-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Wide array fluid ejection device
US7084573B2 (en) * 2004-03-05 2006-08-01 Tokyo Electron Limited Magnetically enhanced capacitive plasma source for ionized physical vapor deposition
US20090321247A1 (en) * 2004-03-05 2009-12-31 Tokyo Electron Limited IONIZED PHYSICAL VAPOR DEPOSITION (iPVD) PROCESS
US7700474B2 (en) * 2006-04-07 2010-04-20 Tokyo Electron Limited Barrier deposition using ionized physical vapor deposition (iPVD)
US7892406B2 (en) * 2005-03-28 2011-02-22 Tokyo Electron Limited Ionized physical vapor deposition (iPVD) process
US7628864B2 (en) * 2004-04-28 2009-12-08 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus and method
US7556718B2 (en) * 2004-06-22 2009-07-07 Tokyo Electron Limited Highly ionized PVD with moving magnetic field envelope for uniform coverage of feature structure and wafer
US7691243B2 (en) * 2004-06-22 2010-04-06 Tokyo Electron Limited Internal antennae for plasma processing with metal plasma
US20060054494A1 (en) * 2004-09-16 2006-03-16 Veeco Instruments Inc. Physical vapor deposition apparatus for depositing thin multilayer films and methods of depositing such films
US7534301B2 (en) * 2004-09-21 2009-05-19 Applied Materials, Inc. RF grounding of cathode in process chamber
US7268076B2 (en) * 2004-10-05 2007-09-11 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for metal plasma vapor deposition and re-sputter with source and bias power frequencies applied through the workpiece
US7214619B2 (en) * 2004-10-05 2007-05-08 Applied Materials, Inc. Method for forming a barrier layer in an integrated circuit in a plasma with source and bias power frequencies applied through the workpiece
US7399943B2 (en) * 2004-10-05 2008-07-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for metal plasma vapor deposition and re-sputter with source and bias power frequencies applied through the workpiece
US7279421B2 (en) * 2004-11-23 2007-10-09 Tokyo Electron Limited Method and deposition system for increasing deposition rates of metal layers from metal-carbonyl precursors
US7959984B2 (en) 2004-12-22 2011-06-14 Lam Research Corporation Methods and arrangement for the reduction of byproduct deposition in a plasma processing system
FR2880633B1 (fr) * 2005-01-13 2007-04-13 Anelva Corp Systeme de depot par pulverisation cathodique aide par plasma
US7820020B2 (en) * 2005-02-03 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Apparatus for plasma-enhanced physical vapor deposition of copper with RF source power applied through the workpiece with a lighter-than-copper carrier gas
KR101239776B1 (ko) * 2005-02-03 2013-03-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 타깃에 인가되는 rf 소스 파워에 의한 물리 기상 증착플라즈마 반응기
US20080314320A1 (en) * 2005-02-04 2008-12-25 Component Re-Engineering Company, Inc. Chamber Mount for High Temperature Application of AIN Heaters
US7922881B2 (en) * 2005-02-28 2011-04-12 Tosoh Smd, Inc. Sputtering target with an insulating ring and a gap between the ring and the target
US8974868B2 (en) * 2005-03-21 2015-03-10 Tokyo Electron Limited Post deposition plasma cleaning system and method
US20060218680A1 (en) * 2005-03-28 2006-09-28 Bailey Andrew D Iii Apparatus for servicing a plasma processing system with a robot
US7319316B2 (en) 2005-06-29 2008-01-15 Lam Research Corporation Apparatus for measuring a set of electrical characteristics in a plasma
US20070029193A1 (en) * 2005-08-03 2007-02-08 Tokyo Electron Limited Segmented biased peripheral electrode in plasma processing method and apparatus
US20070042628A1 (en) * 2005-08-17 2007-02-22 Daniel Lyon Sanitary, live loaded, pass through fitting apparatus
US20070068795A1 (en) * 2005-09-26 2007-03-29 Jozef Brcka Hollow body plasma uniformity adjustment device and method
US7713876B2 (en) * 2005-09-28 2010-05-11 Tokyo Electron Limited Method for integrating a ruthenium layer with bulk copper in copper metallization
US20070069383A1 (en) * 2005-09-28 2007-03-29 Tokyo Electron Limited Semiconductor device containing a ruthenium diffusion barrier and method of forming
US7700484B2 (en) * 2005-09-30 2010-04-20 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for a metallic dry-filling process
US20070074968A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Mirko Vukovic ICP source for iPVD for uniform plasma in combination high pressure deposition and low pressure etch process
US7348266B2 (en) * 2005-09-30 2008-03-25 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for a metallic dry-filling process
DE112006003218T5 (de) * 2005-12-07 2008-10-23 Ulvac Corp., Chigasaki Filmherstellvorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Films
US7591935B2 (en) * 2005-12-14 2009-09-22 Tokyo Electron Limited Enhanced reliability deposition baffle for iPVD
US8454749B2 (en) * 2005-12-19 2013-06-04 Tokyo Electron Limited Method and system for sealing a first assembly to a second assembly of a processing system
KR100753493B1 (ko) * 2006-01-21 2007-08-31 서강대학교산학협력단 세정장치
US20070169703A1 (en) * 2006-01-23 2007-07-26 Brent Elliot Advanced ceramic heater for substrate processing
US7618888B2 (en) * 2006-03-24 2009-11-17 Tokyo Electron Limited Temperature-controlled metallic dry-fill process
US7432195B2 (en) * 2006-03-29 2008-10-07 Tokyo Electron Limited Method for integrating a conformal ruthenium layer into copper metallization of high aspect ratio features
US7892358B2 (en) * 2006-03-29 2011-02-22 Tokyo Electron Limited System for introducing a precursor gas to a vapor deposition system
US20070231489A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Tokyo Electron Limited Method for introducing a precursor gas to a vapor deposition system
US7588667B2 (en) * 2006-04-07 2009-09-15 Tokyo Electron Limited Depositing rhuthenium films using ionized physical vapor deposition (IPVD)
US20070235319A1 (en) * 2006-04-07 2007-10-11 Tokyo Electron Limited Multi-processing using an ionized physical vapor deposition (ipvd) system
US7569491B2 (en) * 2006-08-30 2009-08-04 Tokyo Electron Limited Method for enlarging a nano-structure
US7771790B2 (en) * 2006-08-30 2010-08-10 Tokyo Electron Limited Method and system for fabricating a nano-structure
US20080067058A1 (en) * 2006-09-15 2008-03-20 Stimson Bradley O Monolithic target for flat panel application
US7473634B2 (en) * 2006-09-28 2009-01-06 Tokyo Electron Limited Method for integrated substrate processing in copper metallization
JP5013400B2 (ja) * 2006-09-29 2012-08-29 国立大学法人東北大学 塗布膜コーティング装置
US7749398B2 (en) * 2006-09-29 2010-07-06 Tokyo Electron Limited Selective-redeposition sources for calibrating a plasma process
US7776748B2 (en) * 2006-09-29 2010-08-17 Tokyo Electron Limited Selective-redeposition structures for calibrating a plasma process
US7959775B2 (en) * 2006-09-29 2011-06-14 Tokyo Electron Limited Thermal stress-failure-resistant dielectric windows in vacuum processing systems
US7942112B2 (en) * 2006-12-04 2011-05-17 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for preventing the formation of a plasma-inhibiting substance
US20080197015A1 (en) * 2007-02-16 2008-08-21 Terry Bluck Multiple-magnetron sputtering source with plasma confinement
US7767023B2 (en) * 2007-03-26 2010-08-03 Tokyo Electron Limited Device for containing catastrophic failure of a turbomolecular pump
US20080237860A1 (en) * 2007-03-27 2008-10-02 Tokyo Electron Limited Interconnect structures containing a ruthenium barrier film and method of forming
US20080242088A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Tokyo Electron Limited Method of forming low resistivity copper film structures
DE102007016222B3 (de) * 2007-04-04 2008-11-06 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung sowie Verfahren zur Herstellung desselben
US7704879B2 (en) * 2007-09-27 2010-04-27 Tokyo Electron Limited Method of forming low-resistivity recessed features in copper metallization
US7884012B2 (en) * 2007-09-28 2011-02-08 Tokyo Electron Limited Void-free copper filling of recessed features for semiconductor devices
JP4405588B2 (ja) * 2007-12-28 2010-01-27 パナソニック株式会社 プラズマドーピング装置及び方法並びに半導体装置の製造方法
US7776740B2 (en) 2008-01-22 2010-08-17 Tokyo Electron Limited Method for integrating selective low-temperature ruthenium deposition into copper metallization of a semiconductor device
JP2009173975A (ja) * 2008-01-22 2009-08-06 Canon Anelva Corp 金属微粒子の生成方法、金属含有ペーストの製造方法及び金属薄膜配線の形成方法
SG188140A1 (en) 2008-02-08 2013-03-28 Lam Res Corp Adjustable gap capacitively coupled rf plasma reactor including lateral bellows and non-contact particle seal
EP2103709A1 (en) * 2008-02-28 2009-09-23 Applied Materials, Inc. Backside coating prevention device and method.
EP2096192A1 (en) * 2008-02-28 2009-09-02 Applied Materials, Inc. Backside coating prevention device.
US8247030B2 (en) * 2008-03-07 2012-08-21 Tokyo Electron Limited Void-free copper filling of recessed features using a smooth non-agglomerated copper seed layer
US20090242385A1 (en) * 2008-03-28 2009-10-01 Tokyo Electron Limited Method of depositing metal-containing films by inductively coupled physical vapor deposition
US20090242383A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for rf grounding of ipvd table
US20090242396A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Tokyo Electron Limited Adjustable magnet pack for semiconductor wafer processing
KR101007711B1 (ko) * 2008-05-19 2011-01-13 주식회사 에스에프에이 플라즈마 처리장치
TWI398196B (zh) * 2008-07-04 2013-06-01 Au Optronics Corp 防電弧保護裝置以及其組裝方法
US8194384B2 (en) * 2008-07-23 2012-06-05 Tokyo Electron Limited High temperature electrostatic chuck and method of using
US7871929B2 (en) * 2008-07-30 2011-01-18 Tel Epion Inc. Method of forming semiconductor devices containing metal cap layers
US8299391B2 (en) * 2008-07-30 2012-10-30 Applied Materials, Inc. Field enhanced inductively coupled plasma (Fe-ICP) reactor
US7776743B2 (en) * 2008-07-30 2010-08-17 Tel Epion Inc. Method of forming semiconductor devices containing metal cap layers
US20100078312A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Tango Systems, Inc. Sputtering Chamber Having ICP Coil and Targets on Top Wall
JP2010148632A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Sharp Corp 洗浄装置
JP5014324B2 (ja) * 2008-12-26 2012-08-29 信越化学工業株式会社 固体合成用高周波熱プラズマトーチ
US20100177454A1 (en) * 2009-01-09 2010-07-15 Component Re-Engineering Company, Inc. Electrostatic chuck with dielectric inserts
US8361334B2 (en) * 2009-03-18 2013-01-29 Medtronic, Inc. Plasma deposition to increase adhesion
US8524097B2 (en) * 2009-03-18 2013-09-03 Medtronic, Inc. Plasma deposition to increase adhesion
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
JP5398358B2 (ja) * 2009-05-29 2014-01-29 三菱重工業株式会社 基板支持台の構造及びプラズマ処理装置
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
AU2010303358B2 (en) * 2009-10-08 2016-04-21 Perkinelmer U.S. Llc Coupling devices and methods of using them
US9502222B2 (en) 2010-04-16 2016-11-22 Viavi Solutions Inc. Integrated anode and activated reactive gas source for use in magnetron sputtering device
JP5619666B2 (ja) 2010-04-16 2014-11-05 ジェイディーエス ユニフェイズ コーポレーションJDS Uniphase Corporation マグネトロン・スパッタリング・デバイスで使用するためのリング・カソード
US20110278260A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Applied Materials, Inc. Inductive plasma source with metallic shower head using b-field concentrator
CN101881636B (zh) * 2010-06-03 2012-12-05 北京中电科电子装备有限公司 一种半导体专用设备的弹性传感装置
CN108359957A (zh) * 2010-10-29 2018-08-03 应用材料公司 用于物理气相沉积腔室的沉积环及静电夹盘
US8859422B2 (en) 2011-01-27 2014-10-14 Tokyo Electron Limited Method of forming copper wiring and method and system for forming copper film
US8399353B2 (en) 2011-01-27 2013-03-19 Tokyo Electron Limited Methods of forming copper wiring and copper film, and film forming system
US11171008B2 (en) 2011-03-01 2021-11-09 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration
WO2012118897A2 (en) 2011-03-01 2012-09-07 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a dual loadlock configuration
CN203205393U (zh) 2011-03-01 2013-09-18 应用材料公司 用于转移基板及限制自由基的箍组件
WO2012133400A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 東京エレクトロン株式会社 Cu配線の形成方法
CN103477721B (zh) * 2011-04-04 2016-05-18 佳能安内华股份有限公司 处理装置
JP5870568B2 (ja) 2011-05-12 2016-03-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、プラズマ処理装置、成膜方法及び記憶媒体
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9966236B2 (en) 2011-06-15 2018-05-08 Lam Research Corporation Powered grid for plasma chamber
KR101988391B1 (ko) 2011-06-27 2019-06-12 솔레라스 리미티드 스퍼터링 타겟
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5644719B2 (ja) * 2011-08-24 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置及びプラズマ発生装置
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10573500B2 (en) 2011-12-09 2020-02-25 Seagate Technology Llc Interchangeable magnet pack
US9347129B2 (en) 2011-12-09 2016-05-24 Seagate Technology Llc Interchangeable magnet pack
CN103184421A (zh) * 2011-12-30 2013-07-03 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 真空溅射靶磁芯
USD665491S1 (en) * 2012-01-25 2012-08-14 Applied Materials, Inc. Deposition chamber cover ring
CN104137248B (zh) 2012-02-29 2017-03-22 应用材料公司 配置中的除污及剥除处理腔室
US8647485B2 (en) * 2012-03-30 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Process kit shield for plasma enhanced processing chamber
JP2014017345A (ja) * 2012-07-09 2014-01-30 Tokyo Electron Ltd Cu配線の形成方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20140248718A1 (en) * 2013-03-04 2014-09-04 Jisoo Kim Patterning of magnetic tunnel junction (mtj) film stacks
CN104051210B (zh) * 2013-03-12 2016-05-11 中微半导体设备(上海)有限公司 一种减少门效应的等离子体处理装置
US9620339B2 (en) * 2013-03-15 2017-04-11 Applied Materials, Inc. Sputter source for semiconductor process chambers
KR101449450B1 (ko) 2013-03-15 2014-10-14 주식회사 선익시스템 유기 발광 다이오드 제조공정용 금속재료 공급장치
CN104112640B (zh) * 2013-04-16 2016-12-28 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种磁控溅射设备及磁控溅射方法
CN104131251A (zh) * 2013-05-02 2014-11-05 上海和辉光电有限公司 电磁蒸镀装置
JP6135455B2 (ja) * 2013-10-25 2017-05-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN103663997B (zh) * 2013-11-20 2017-03-01 中国南玻集团股份有限公司 玻璃镀膜装置及其底板模组
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
CN104073774B (zh) * 2014-03-28 2017-06-30 能源X控股有限公司 一种制备纳米多孔结构薄膜的装置及其应用
CN105206558B (zh) * 2014-05-27 2018-09-18 北京北方华创微电子装备有限公司 晶片边缘的保护机构、反应腔室及半导体加工设备
US9450330B2 (en) 2014-06-30 2016-09-20 Agilent Technologies, Inc. Connector assembly for an inductively coupled plasma source
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10883168B2 (en) * 2014-09-11 2021-01-05 Massachusetts Institute Of Technology Processing system for small substrates
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6609425B2 (ja) * 2015-06-17 2019-11-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
CN105420679B (zh) * 2015-11-16 2018-04-03 江苏中腾石英材料科技有限公司 一种孪生对靶磁控溅射制备覆铜陶瓷基板的装置及方法
CN106920732B (zh) * 2015-12-25 2018-10-16 中微半导体设备(上海)有限公司 一种电极结构及icp刻蚀机
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10373804B2 (en) * 2017-02-03 2019-08-06 Applied Materials, Inc. System for tunable workpiece biasing in a plasma reactor
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) * 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
US10847371B2 (en) 2018-03-27 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TW202013553A (zh) 2018-06-04 2020-04-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
WO2020210240A1 (en) * 2019-04-08 2020-10-15 Lam Research Corporation Cooling for a plasma-based reactor
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TW202121506A (zh) 2019-07-19 2021-06-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) * 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
CN112853286A (zh) * 2019-11-12 2021-05-28 应用材料公司 压电膜的物理气相沉积
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN110952063B (zh) * 2019-12-01 2022-02-08 广东金辉铝板幕墙有限公司 一种用于铝板加工防偏转多弧离子复合镀膜机
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US20210391150A1 (en) * 2020-06-10 2021-12-16 Plasma-Therm Llc Plasma Source Configuration
CN113808898B (zh) * 2020-06-16 2023-12-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 耐等离子体腐蚀零部件和反应装置及复合涂层形成方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11846013B2 (en) * 2020-07-31 2023-12-19 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for extended chamber for through silicon via deposition
CN114078680B (zh) * 2020-08-20 2023-09-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
KR20230142334A (ko) * 2021-02-10 2023-10-11 램 리써치 코포레이션 Tcp 윈도우들을 위한 하이브리드 액체/공기 냉각 시스템
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
US20230033058A1 (en) * 2021-07-29 2023-02-02 Applied Materials, Inc. Reactor with inductively coupled plasma source
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN113928872A (zh) * 2021-09-27 2022-01-14 中国电子科技集团公司第十一研究所 用于分子束外延设备的料渣收集装置

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4461688A (en) * 1980-06-23 1984-07-24 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetically enhanced sputtering device having a plurality of magnetic field sources including improved plasma trapping device and method
US4431901A (en) * 1982-07-02 1984-02-14 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Induction plasma tube
US4657654A (en) * 1984-05-17 1987-04-14 Varian Associates, Inc. Targets for magnetron sputter device having separate confining magnetic fields to separate targets subject to separate discharges
DE3566194D1 (en) 1984-08-31 1988-12-15 Hitachi Ltd Microwave assisting sputtering
JPS61190070A (ja) 1985-02-20 1986-08-23 Hitachi Ltd スパツタ装置
GB8629634D0 (en) 1986-12-11 1987-01-21 Dobson C D Reactive ion & sputter etching
US4795879A (en) * 1987-04-13 1989-01-03 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method of processing materials using an inductively coupled plasma
US4834860A (en) 1987-07-01 1989-05-30 The Boc Group, Inc. Magnetron sputtering targets
US4911814A (en) 1988-02-08 1990-03-27 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Thin film forming apparatus and ion source utilizing sputtering with microwave plasma
US4990229A (en) 1989-06-13 1991-02-05 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US5078851A (en) * 1989-07-26 1992-01-07 Kouji Nishihata Low-temperature plasma processor
US4948458A (en) 1989-08-14 1990-08-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma
US5069770A (en) 1990-07-23 1991-12-03 Eastman Kodak Company Sputtering process employing an enclosed sputtering target
US5178739A (en) 1990-10-31 1993-01-12 International Business Machines Corporation Apparatus for depositing material into high aspect ratio holes
US5171415A (en) * 1990-12-21 1992-12-15 Novellus Systems, Inc. Cooling method and apparatus for magnetron sputtering
US6063233A (en) * 1991-06-27 2000-05-16 Applied Materials, Inc. Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna
DE4125110C2 (de) 1991-07-30 1999-09-09 Leybold Ag Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen
US5262028A (en) 1992-06-01 1993-11-16 Sierra Applied Sciences, Inc. Planar magnetron sputtering magnet assembly
DE4235064A1 (de) 1992-10-17 1994-04-21 Leybold Ag Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas mittels Kathodenzerstäubung
US5433812A (en) 1993-01-19 1995-07-18 International Business Machines Corporation Apparatus for enhanced inductive coupling to plasmas with reduced sputter contamination
US5524908A (en) * 1994-09-14 1996-06-11 W. L. Gore & Associates Multi-layer EMI/RFI gasket shield
US5569363A (en) * 1994-10-25 1996-10-29 Sony Corporation Inductively coupled plasma sputter chamber with conductive material sputtering capabilities
US5653812A (en) * 1995-09-26 1997-08-05 Monsanto Company Method and apparatus for deposition of diamond-like carbon coatings on drills
US5763851A (en) * 1995-11-27 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Slotted RF coil shield for plasma deposition system
JPH09228038A (ja) 1996-02-23 1997-09-02 Balzers Prozes Syst Gmbh 中空のターゲットを備えた、陰極スパッタによりサブストレートを被覆するための装置
TW327236B (en) 1996-03-12 1998-02-21 Varian Associates Inductively coupled plasma reactor with faraday-sputter shield
DE19635136A1 (de) * 1996-08-30 1998-03-05 Galvano T Electroforming Plati HF-durchlässiges Vakuumgefäß mit integriertem Faraday-Schirm
US6254737B1 (en) 1996-10-08 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Active shield for generating a plasma for sputtering
US6367410B1 (en) * 1996-12-16 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Closed-loop dome thermal control apparatus for a semiconductor wafer processing system
WO1998048444A1 (en) 1997-04-21 1998-10-29 Tokyo Electron Arizona, Inc. Method and apparatus for ionized sputtering of materials
US5800688A (en) 1997-04-21 1998-09-01 Tokyo Electron Limited Apparatus for ionized sputtering
US5855745A (en) 1997-04-23 1999-01-05 Sierra Applied Sciences, Inc. Plasma processing system utilizing combined anode/ ion source
US6083363A (en) * 1997-07-02 2000-07-04 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for uniform, low-damage anisotropic plasma processing
US6051122A (en) * 1997-08-21 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Deposition shield assembly for a semiconductor wafer processing system
US6565717B1 (en) 1997-09-15 2003-05-20 Applied Materials, Inc. Apparatus for sputtering ionized material in a medium to high density plasma
EP0908921A1 (en) 1997-10-10 1999-04-14 European Community Process chamber for plasma enhanced chemical vapour deposition and apparatus employing said process chamber
US6448492B1 (en) * 1997-12-24 2002-09-10 Gunze Limited Transparent member for shielding electromagnetic waves and method of producing the same
US6287435B1 (en) * 1998-05-06 2001-09-11 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized physical vapor deposition
US6080287A (en) * 1998-05-06 2000-06-27 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized physical vapor deposition
US6197165B1 (en) * 1998-05-06 2001-03-06 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized physical vapor deposition
US6254745B1 (en) * 1999-02-19 2001-07-03 Tokyo Electron Limited Ionized physical vapor deposition method and apparatus with magnetic bucket and concentric plasma and material source
US6523493B1 (en) * 2000-08-01 2003-02-25 Tokyo Electron Limited Ring-shaped high-density plasma source and method
US6398929B1 (en) * 1999-10-08 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Plasma reactor and shields generating self-ionized plasma for sputtering
US6446572B1 (en) * 2000-08-18 2002-09-10 Tokyo Electron Limited Embedded plasma source for plasma density improvement

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100480357B1 (ko) * 2002-07-10 2005-03-30 아이티엠 주식회사 동기화된 이온 빔 소스와 듀얼 마그네트론 스퍼터를가지는 박막 형성 장치

Also Published As

Publication number Publication date
WO2001037310A3 (en) 2002-04-11
US20020104751A1 (en) 2002-08-08
WO2001037310A2 (en) 2001-05-25
CN1425187A (zh) 2003-06-18
US6719886B2 (en) 2004-04-13
TW480529B (en) 2002-03-21
KR20010093257A (ko) 2001-10-27
EP1243016B1 (en) 2011-08-17
JP3959273B2 (ja) 2007-08-15
EP1243016A2 (en) 2002-09-25
US6458252B1 (en) 2002-10-01
AU1660601A (en) 2001-05-30
CN1425187B (zh) 2010-10-13
JP2003514126A (ja) 2003-04-15
US6287435B1 (en) 2001-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100396456B1 (ko) 절단된 코니칼 스퍼터링 타겟용 고 타겟 이용 자기 장치
US5174880A (en) Magnetron sputter gun target assembly with distributed magnetic field
JP4339597B2 (ja) ダイポールイオン源
JP2556637B2 (ja) マグネトロン陰極による基板への成膜装置
US6497803B2 (en) Unbalanced plasma generating apparatus having cylindrical symmetry
CA2326202C (en) Method and apparatus for deposition of biaxially textured coatings
JP3730867B2 (ja) プラズマ蒸着法並びに磁気バケットおよび同心プラズマおよび材料源を備える装置
US7932678B2 (en) Magnetic mirror plasma source and method using same
US4810347A (en) Penning type cathode for sputter coating
JPH07507360A (ja) プレーナ型マグネトロン・スパッタ用磁石構造体の改良
WO1990005793A1 (en) Improved magnetron sputtering cathode
US6432285B1 (en) Planar magnetron sputtering apparatus
EP1144713B1 (en) High target utilization magnetic arrangement for a truncated conical sputtering target
US20050205412A1 (en) Sputtering device for manufacturing thin films
US20040135485A1 (en) Dipole ion source
US6066242A (en) Conical sputtering target
US6235170B1 (en) Conical sputtering target
US6432286B1 (en) Conical sputtering target
WO2001092595A1 (en) Unbalanced plasma generating apparatus having cylindrical symmetry
JP3766569B2 (ja) マグネトロンスパッタ装置
JPS61204371A (ja) 陰極スパツタリング用磁気回路装置
JPH0734244A (ja) マグネトロン型スパッタカソード
JPH0313575A (ja) 対向ターゲツトスパツタ装置
JP2006118052A (ja) マグネトロンスパッタ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120802

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130801

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150716

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160721

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170720

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee