KR100583475B1 - 진공플라즈마 스퍼터링장치 - Google Patents

진공플라즈마 스퍼터링장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100583475B1
KR100583475B1 KR1020040051691A KR20040051691A KR100583475B1 KR 100583475 B1 KR100583475 B1 KR 100583475B1 KR 1020040051691 A KR1020040051691 A KR 1020040051691A KR 20040051691 A KR20040051691 A KR 20040051691A KR 100583475 B1 KR100583475 B1 KR 100583475B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
substrate
deposition
vacuum
sputtering
Prior art date
Application number
KR1020040051691A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060002587A (ko
Inventor
조상진
이창희
김영진
강희영
Original Assignee
한국원자력연구소
한국수력원자력 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국원자력연구소, 한국수력원자력 주식회사 filed Critical 한국원자력연구소
Priority to KR1020040051691A priority Critical patent/KR100583475B1/ko
Publication of KR20060002587A publication Critical patent/KR20060002587A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100583475B1 publication Critical patent/KR100583475B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3471—Introduction of auxiliary energy into the plasma
    • C23C14/3478—Introduction of auxiliary energy into the plasma using electrons, e.g. triode sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering

Abstract

본 발명은 냉중성자 유도관의 박막(thin film) 제조및 분광장치 분야에서 광범위하게 사용되어지는 중성자 거울, 단색기, 초거울(Super Mirrors)등의 중성자 광학부품을 개발하기 위한 스퍼터링 장치(sputtering apparatus)에 관한 것이다.
본 발명은, 마그네트론 스퍼터링 건 및/또는 트라이오드 스퍼터링 건들이 선택적으로 장착가능한 직선이송형(Inline) 진공 챔버; 상기 진공 챔버내에서 기판을 상기 기판 장입실로 부터 증착실과 기판 대기실측을 따라서 전,후로 이동시키는 이송 수단; 상기 기판들이 기판 장입실, 증착실과, 기판 대기실에 각각 정확하게 위치되도록 그 위치를 검출하는 검출수단;및 상기 기판들이 선택되어진 마그네트론 스퍼터링 건 및/또는 트라이오드 스퍼터링 건들에 의해서 증착이 이루어지도록 제어하는 콘트롤러;들을 포함한다.
본 발명에 의하면, 하나의 진공 챔버내에서 트라이오드 스퍼터링과 마그네트론 스퍼터링을 선택적으로 실시할 수 있음으로써 박막 두께에 따른 박막 품질을 크게 향상시킬 수 있다. 그리고, 복수개의 기판을 동시에 인라인 방식으로 장착하고, 다수개의 타겟들을 구비함으로써 증착 작업의 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.
플라즈마, 초거울, 마그네트론, 트라이오드, 스퍼터링 장치

Description

진공플라즈마 스퍼터링장치{VACUUM PLASMA SPUTTERING APPARATUS}
제 1도는 종래의 기술에 따른 마그네트론 스퍼터링방식을 설명하기 위한 구성도;
제 2도는 종래의 기술에 따른 트라이오드 스퍼터링방식을 설명하기 위한 구성도;
제 3도는 본 발명에 따른 진공플라즈마 스퍼터링장치를 전체적으로 도시한 측면도;
제 4도는 본 발명에 따른 진공플라즈마 스퍼터링장치를 전체적으로 도시한 평면도;
제 5도는 본 발명에 따른 진공플라즈마 스퍼터링장치를 전체적으로 도시한 측단면도;
제 6도는 본 발명에 따른 진공플라즈마 스퍼터링장치의 증착실 구조를 상부에서 도시한 평면도;
제 7도는 본 발명에 따른 진공플라즈마 스퍼터링장치에 구비된 이송 수단의 베벨기어 쌍들을 도시한 구성도;
제 8도의 a)는 본 발명에 따른 진공플라즈마 스퍼터링장치에 구비된 이송 수단의 이동 블럭 구조를 상세히 도시한 단면도;
제 8도의 b)는 본 발명에 따른 진공플라즈마 스퍼터링장치에 구비된 이송 수단의 받침대 후방구조를 상세히 도시한 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1.... 본 발명에 따른 진공플라즈마 스퍼터링장치
10.... 진공 챔버 12a.... 기판 장입실
12b... 증착실 12c.... 기판 대기실
30.... 진공 형성수단 34.... 저진공 펌프
36.... 고진공 펌프 38.... 알곤 공급구
40.... 마그네트론 스퍼터링 건 42.... 타겟
44.... 영구자석 50.... 트라이오드 스퍼터링 건
54.... 필라멘트 캐쏘드 56.... 애노드 전극
60.... 이송 수단 62.... 볼 스크류축
64.... 회전 모터 66.... 이동블럭
68.... 받침대 70a,70b... 베벨기어
72.... 베어링블럭 76a,76b.... 가이드 레일
78a,78b.... 가이드블럭 90.... 고정대
92.... 누름판 94.... 볼트
100... 검출 수단 102.... 광센서
110... 콘트롤러 120.... 바퀴달린 대차
130... 가열 수단 140.... 관찰창(View Points)
142... 진공측정계기 145.... 고진공 펌프용 압축기
150... 손잡이 160....도어
300.... 진공 챔버 310,412a,412b.... 타겟
320,410.... 기판 400.... 챔버
415.... 음극선관 420.... 애노드 전극
본 발명은 냉중성자 유도관의 박막(thin film) 제조및 분광장치 분야에서 광범위하게 사용되어지는 중성자 거울, 단색기, 초거울(Super Mirrors)등의 중성자 광학부품을 개발하기 위한 스퍼터링 장치(sputtering apparatus)에 관한 것으로, 보다 상세히는 하나의 진공 챔버내에서 트라이오드 스퍼터링과 마그네트론 스퍼터링을 선택적으로 실시할 수 있음으로써 박막 두께에 따른 박막 품질을 크게 향상시킬 수 있고, 복수개의 기판을 동시에 인라인 방식으로 장착하고, 다수개의 타겟들을 구비함으로써 증착 작업의 생산성을 크게 향상시킬 수 있도록 개선된 진공플라즈마 스퍼터링장치에 관한 것이다.
일반적으로 중성자 거울이나 X-선 거울은 중성자와 X-선의 굴절률이 매질에서 1보다 작아 입사각이 임계각보다 적을 때, 전반사하기 때문에 이러한 성질을 이용하기 위해 제작되어진다. 그리고, 이러한 중성자 거울이나 X-선 거울은 원자로의 냉중성자 원으로부터 발생한 냉중성자를 손실없이 실험동내의 실험장치로 보내기 위해 대략 사각단면의 경통으로 이루어지는 중성자 유도관의 기본 소재로 사용된다.
최근, 이와 같은 중성자 유도관은 Ni-단층막을 이용한 유도관 대신 100~1000층 정도의 다층 구조로 코팅을 한 초거울(super-mirror) 유도관으로 대체되고 있다. 박막의 거칠기가 평균적으로 1nm 이하인 고품질(high quality)의 박막을 증착하기 위 해선 일반적으로 PVD(physical vapor deposition)방식을 이용한다.
이러한 PVD 방식중에서 증발(Evaporation), 이온 건 스퍼터링(ion gun sputtering), 트라이오드 스퍼터링(triode sputtering), 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)등의 방식이 중성자 거울이나 X-선 거울의 제작에 이용된다.
상기와 같은 중성자 거울이나 X-선 거울의 제작을 위해서는 대면적의 기판코팅을 위해 대면적 진공챔버를 이용하는데, 박막의 균질도(uniformity) 문제 때문에 기판이동방식들이 각기 다르다. 대부분의 기판이동방식은 인라인(inline) 방식을 선택하며, 또는 회전방식을 이용하는 경우도 있다.
도 1에는 종래의 기술에 따른 직선이송형(Inline) 마그네트론 스퍼터링 방식이 도시되어 있다. 이는 진공 챔버(300)의 내부에 증착하고자 하는 물질로 이루어진 단면이 일자형인 판상의 타겟(310)이 설치되어 있고, 이 타겟(310)은 고정판(312)에 의해 고정되어지며, 타겟(310)의 후방에는 영구자석(315)이 설치되어 타겟(310)에 자계를 형성하도록 되어 있다. 그리고, 상기 타겟(310)에 마주하도록 기판(320)이 형성되고, 상기 기판(320)은 진공 챔버(300)내에서 좌우방향으로 이동가능한 구조이다.
이러한 마그네트론 스퍼터링 장치는 통상 타겟(310)에 음전위가 연결되고, 증착 대상물인 기판(320)에는 양전위가 연결되어 타겟(310)에서 전자가 기판(320)쪽으로 방출되어지며, 이와 같이 방출된 전자와 챔버(300)내에 주입되는 알곤 가스가 반응하여 알곤(Ar) 가스를 이온화시킴으로써 타겟(310) 부근에 플라즈마 지역이 형성되 는 것이다.
따라서, 이러한 플라즈마 지역에서 고에너지화된 알곤 이온이 타겟(310)에 충돌하여 타겟(310) 입자들을 떼어내게 되고, 뜯겨나온 음전하의 입자들이 양전위를 띄는 기판(320)상에 부착됨으로써 증착되어지는 것이다.
그렇지만 이와 같은 마그네트론 스프터링 방식은 증착속도가 빨라서 생산성이 우수한 반면에, 고품질의 얇은 박막, 즉 박막두께가 3nm 이하인 경우에는 효과적이지 못하다.
한편, 고주파(RF) 및 DC, 특히 코일형 필라멘트와 애노드 전극을 사용하는 트라이오드 스퍼터링 증착방식은 그 성형특성과 필름의 접착강도가 우수하다는 것은 주지의 사실이다.
도 2에는 종래의 기술에 따른 상용화된 트라이오드 스퍼터링 증착방식이 도시되어 있다. 이는 고진공으로 유지되는 챔버(400)의 중앙에 회전가능하도록 기판(410)이 장착되고, 상기 기판(410)의 전,후 양측으로는 서로 다른 증착 재료의 타겟(412a)(412b)들, 예를 들면 Si 타겟(412a)이나, FeCo 타겟(412b)들이 배치되고, 상기 타겟(412a)(412b)들에 근접하여 음극선관(415)과 애노드 전극(420)이 배치되어 알곤 프라즈마(Ar Plasma)를 형성하도록 된 구조이다.
따라서, 이러한 트라이오드 스퍼터링 증착방식은 기판(410)을 전,후방향으로 회전시킴으로써 Si 또는 FeCo 입자들을 그 표면에 선택적으로 증착시킬 수 있는 것이다.
그렇지만, 이러한 종래의 트라이오드 스퍼터링 증착방식에 의하면, 높은 생산성을 유지하면서 제조하기가 불가능하다. 그러므로, 10nm 이상의 두께를 갖는 두꺼운 박막제작을 위해서는 생산성이 우수한 마그네트론 스퍼터링 방식을 이용하는 것이다.
따라서, 이와 같은 종래의 마그네트론 스퍼터링및 트라이오드 스퍼터링 방식들은 각각 장점및 단점들을 갖는 것이어서, 이들을 모두 이용하여 높은 생산성으로서 고품질 박막 기판을 제조하거나, 다층 필름을 연속적으로 제조하기는 매우 힘든 문제점이 있다.
본 발명은, 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 그 목적은 하나의 진공 챔버내에서 트라이오드 스퍼터링과 마그네트론 스퍼터링을 선택적으로 실시할 수 있음으로써 박막 두께에 따른 박막 품질을 크게 향상시킬 수 있고, 증착 작업의 생산성을 크게 향상시킬 수 있도록 개선된 진공플라즈마 스퍼터링장치를 제공함에 있는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판의 표면상에 플라즈마 증착을 이루도록 된 스퍼터링 장치에 있어서,
일측에는 기판 장입실이 형성되고, 이에 연통하여 증착실과 기판 대기실이 일렬로 배치되고, 상기 증착실에는 마그네트론 스퍼터링 건 및/또는 트라이오드 스퍼터링 건들이 선택적으로 장착가능한 직선이송형(Inline) 진공 챔버;
상기 진공 챔버내에서 기판을 상기 기판 장입실로 부터 증착실과 기판 대기실측을 따라서 전,후로 이동시키는 이송 수단;
상기 기판들이 기판 장입실, 증착실과, 기판 대기실에 각각 정확하게 위치되도록 그 위치를 검출하는 검출수단;및
상기 기판들이 선택되어진 마그네트론 스퍼터링 건 및/또는 트라이오드 스퍼터링 건들에 의해서 사전에 설정된 증착 프로그램에 따라 상기 기판 장입실, 증착실과, 기판 대기실들을 이동하면서 증착이 이루어지도록 제어하는 콘트롤러;들을 포함하여 상기 진공 챔버내에서 상기 마그네트론 스퍼터링 증착 또는 트라이오드 스퍼터링 증착을 박판의 두께에 따라서 선택적으로 이루는 것을 특징으로 하는 진공플라즈마 스퍼터링장치를 제공함에 의한다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면에 따라서 보다 상세히 설명한다.
도 3및 도 4에는 본 발명에 따른 진공플라즈마 스퍼터링장치(1)가 전체적으로 도시되어 있다. 본 발명에 따른 진공플라즈마 스퍼터링장치(1)는 일측에 기판 장입실(12a)이 형성되고, 이에 연통하여 증착실(12b)과 기판 대기실(12c)이 일렬로 배치된 인라인(inline)형 진공 챔버(10)를 구비한다.
상기 진공 챔버(10)는 견고한 강재 구조물로 이루어진 프레임(15)상에 배치되며, 기판 장입실(12a)과 증착실(12b)및 기판 대기실(12c)을 이루는 커버(17)가 2중 물자켓(water jacket)을 구비하여 진공 챔버(10)내의 고열이 외부로 유출되는 것이 차단되도록 구성되어 있다. 그리고, 상기 기판 장입실(12a)과 증착실(12b)및 기판 대기실(12c)들은 각각 상기 기판(P1)(P2)의 길이및 높이보다 크게 형성되어 상기 기판(P1)(P2)이 이후에 설명되어지는 기판 이송 수단(60)에 의해서 이동되는 경우, 기판(P1)(P2)이 충분하게 위치될 수 있는 장착공간들을 형성한다.
또한, 상기 기판 장입실(12a)과 증착실(12b)및 기판 대기실(12c)들은 일렬로 배치됨으로써 기판(P1)(P2)은 수평적으로 이들 공간들을 차례차례 이동가능한 것이다.
그리고, 본 발명은 상기 기판 장입실(12a)과 증착실(12b)및 기판 대기실(12c)에 각각 적어도 7.5 X 10-8torr 이하의 진공을 걸어주기 위한 진공 형성수단(30)을 구비하는 바, 상기 진공 형성수단(30)은 상기 기판 장입실(12a)과 증착실(12b)및 기판 대기실(12c)에 도관(32)을 통하여 연결되어진 저진공 펌프(34)와 상기 저진공 펌프(34)에 의한 1차 진공 형성 후, 2차적으로 고진공을 형성하기 위한 다수의 고진공 펌프(36)들을 구비한다. 상기 고진공 펌프(36)들은 통상 크라이요 펌프(Cryo Pump)라고 불리우며, 헬륨(He)가스 압축을 이용하여 급속으로 상기 기판 장입실(12a)과 증착실(12b)및 기판 대기실(12c)을 고진공으로 형성한다.
그리고, 상기 증착실(12b)의 상부측 커버(17)에는 그 내부에 알곤(Ar) 가스를 공급하기 위한 알곤 공급구(38)가 형성된다. 따라서, 이러한 알곤 공급구(38)를 통하여 공급된 알곤이 이온화되어 플라즈마를 형성하는 것이다.
또한, 본 발명은 직선이송형(Inline) 진공 챔버(10)의 증착실(12b)에는 마그네트론 스퍼터링 건(40) 및/또는 트라이오드 스퍼터링 건(50)들이 선택적으로 장착가능한 구조이다.
즉, 상기 증착실(12b)내에 영구자석(44)들이 포함된 서로 다른 재료의 다수의 타겟(42)을 포함하여 상기 타겟(42)으로 부터 기판(P1)(P2)상에 플라즈마증착을 이루는 마그네트론 스퍼터링 건(40)들을 포함한다.
상기 마그네트론 스퍼터링 건(40)들은 도 3및 도 4에 도시된 바와 같이, 증착실(12b)의 좌,우측벽에 고정되는 것이며, 도 4및 도 6에서 도시된 바와 같이, 좌,우측벽에 각각 4개씩 서로 대향하여 배치될 수 있다.
그렇지만, 이후에 설명되어지는 트라이오드 스퍼터링 건(50)들과 함께 장착되는 경우, 예를 들면 기판 장입실(12a)에 가까운 측으로 부터 제1번및 제3번에 각각 배치될 수 있다.
한편, 이러한 마그네트론 스퍼터링 건(40)들에 구비된 영구자석(44)을 포함한 타겟(42)들은 각각 증착하고자 하는 다른 재료들, 예를 들면 니켈, 티타늄 또는 규소 또는 여러 합금재료들중의 어느 하나로서 이루어질 수 있다. 또한, 상기 영구자석(44)들은 1000가우스이상의 표면 자기장들을 갖는 것들이다.
이와 같이 장착되는 마그네트론 스퍼터링 건(40)에는 부극성 전원(RF-sputtering 주파수: 10∼150kHz) 또는 극성전류 (DC-sputtering :700~1000V)를 인가하여 스퍼터링 현상이 일어나도록 하는 것이다.
그리고, 본 발명은 상기 증착실(12b)내에 필라멘트 캐쏘드(54)와 애노드 전극(56)을 방전시켜 상기 타겟(42)으로 부터 기판(P1)(P2)상에 플라즈마증착을 이루는 트라이오드 스퍼터링 건(50)을 구비할 수 있다.
상기 트라이오드 스퍼터링 건(50)들은 도 4및 도 6에 도시된 바와 같이, 증착실(12b)의 상부벽에 형성되는 8개의 포트(52)에 장착되어진다.
즉, 상기 트라이오드 스퍼터링 건(50)들은 상기 마그네트론 스퍼터링 건(40)들 대신에 8개가 증착실(12b)의 상부 커버(17)에 마련된 포트(52)에 장착가능하다.
이러한 트라이오드 스퍼터링 건(50)들은 상기 마그네트론 스퍼터링 건(40)들과는 다르게 영구자석(44)이 포함되지 않는 서로 다른 재료의 다수의 타겟(42)들을 포함한다. 이러한 경우, 상기 트라이오드 스퍼터링 건(50)들의 타겟(42)들은 마그네트론 스퍼터링 건(40)들을 증착실(12b)로 부터 제거하고, 그 자리에 영구자석이 포함되지 않은 타겟(42)들을 장착하게 된다.
그리고, 상기 트라이오드 스퍼터링 건(50)들은 마그네트론 스퍼터링 건(40)들과 함께 장착가능하다. 예를 들면, 상기에서 마그네트론 스퍼터링 건(40)들이 각각 기판 장입실(12a)에 가까운 측으로 부터 양측벽상에 제1번및 제3번에 배치된 경우라면, 트라이오드 스퍼터링 건(50)들은 제2번및 제4번에 배치될 수 있다.
이러한 상기 트라이오드 스퍼터링 건(50)들은 진공 챔버(10)를 이루는 증착실(12b)의 상부커버(17)에 도 6에 도시된 바와 같이 8개의 포트(52)들을 형성하고, 상기 포트(52)에 플랜지 결합(미도시)을 통하여 각각 볼트등으로 장착가능하도록 구성된다.
즉, 트라이오드 스퍼터링 건(50)들이 장착되어지는 포트(52)들은 개방되어 장착 가능하지만, 개방되지 않는 포트(52)들은 차폐 플랜지(Blind Flange)를 장착하여 증착실(12b)이 외부와 밀봉상태로 유지되도록 하는 것이다.
한편, 상기 트라이오드 스퍼터링 건(50)들은 증착실(12b)의 내부에서 내장된 필라멘트 캐쏘드(54)와 애노드 전극(56)을 방전시켜 인접한 타겟(42)으로 부터 기판(P1)(P2)상에 플라즈마증착을 이루는 것이다. 이와 같은 트라이오드 스퍼터링 건(50)들이 동작되어 증착을 이루는 타겟(42)들은 상기에서 설명한 바와 같이 영구 자석(44)들이 제거된 것들이다.
이와 같이 본 발명에서는 4개의 마그네트론 스퍼터링 건(40)들과 4개의 트라이오드 스퍼터링 건(50)들이 서로 번갈아서 배치된 구조를 가짐으로써 이후에 설명되는 바와 같이, 서로 다른 재료들의 박막들을 효과적으로 기판(P1)(P2)상에 번갈아서 증착시킬 수 있다.
그리고, 본 발명은 상기 진공 챔버(10)내에서 기판(P1)(P2)을 상기 기판 장입실(12a)로 부터 증착실(12b)과 기판 대기실(12c)측으로 이동시키는 이송 수단(60)을 구비한다. 상기 이송 수단(60)은 도3, 도7및 도8에 도시된 바와 같이, 진공 챔버(10)의 기판 장입실(12a)과 증착실(12b)및 기판 대기실(12c)들의 내측 하부면을 따라서 회전가능하도록 장착된 볼 스크류축(62)과 이를 정,역 회전시키기 위한 회전 모터(64)및 상기 볼 스크류축(62)상에서 나사결합하여 전,후진 이동되어지는 이동블럭(66)들을 포함한다.
그리고, 상기 이동블럭(66)의 상부에서 복수의 기판(P1)(P2)들을 떠받치는 받침대(68)를 구비한다.
상기 이송 수단(60)은 기판 장입실(12a)의 후부 외측에 고정되는 회전 모터(64)의 축(64a)이 상기 기판 장입실(12a)측으로 밀봉가능하게 삽입되고, 기판 장입실(12a)의 내측에서 한쌍의 베벨기어(70a)(70b)들을 통하여 상기 볼 스크류축(62)의 일단에 연결되어진다. 이러한 볼 스크류축(62)은 그 양측단이 복수의 베어링블럭(72)에 의해서 회전가능하도록 지지되는 것으로서, 회전 모터(64)의 작동에 따라서 정,역회전되어지고, 그 나사부분(62a)에는 도 8a)에 도시된 바와 같은 이동블럭(66)이 나사식으로 결합된다.
그리고, 상기 이동블럭(66)의 상부측으로는 복수의 기판(P1)(P2)들을 떠받치는 받침대(68)를 구비하는 바, 상기 받침대(68)는 볼 스크류축(62)과 이동블럭(66)에 의해서 이동하는 과정에서 직진성을 확보하기 위하여 상기 볼 스크류축(62)을 따라서 그 양측에서 연장하는 복수의 가이드 레일(76a)(76b)상에 활주이동가능하도록 끼워지는 가이드블럭(78a)(78b)들을 구비한다.
따라서, 상기 이동블럭(66)과 이에 결합된 받침대(68)들은 상기 볼 스크류축(62)상에서 이동블럭(66)이 전,후진하면, 받침대(68)의 양측에 마련된 가이드블럭(78a)(78b)들이 가이드 레일(76a)(76b)의 〔 〕형 단면들을 따라서 활주이동함으로써 항상 직진성을 유지할 수 있다.
그리고, 상기 받침대(68)는 그 전방 하부측에는 도 8a)에 도시된 바와 같은 이동블럭(66)이 위치되고, 받침대(68)의 후방측으로는 도 8b)에 도시된 바와 같은 이동블럭(66)이 제거된 상태이다. 그렇지만, 상기 받침대(68)는 그 양측에 마련된 가이드블럭(78a)(78b)들이 가이드 레일(76a)(76b)의 〔 〕형 단면들을 따라서 활주이동하는 구조로 이루어진다.
따라서, 이러한 받침대(68)는 볼 스크류축(62)에 나사결합하지 않은 후방측이 상기 볼 스크류축(62)을 회전가능하도록 지지하는 베어링 블럭(72)에 간섭되지 않고 그 위를 통과할 수 있음으로서 상기 받침대(68)는 이동 블럭(66)을 통하여 볼 스크류축(62)을 따라서 전,후로 이동가능한 것이다.
또한, 상기 받침대(68)의 상부에는 복수의 기판(P1)(P2)을 대략 수직및 평행으로 장착가능한 고정대(90)를 구비한다. 상기 고정대(90)는 기판(P1)(P2)의 크기에 맞춘 높이를 갖는 것으로서, 상기 고정대(90)의 하단은 받침대(68)상에 고정되고, 받침대(68)의 상단은 누름판(92)을 볼트(94)로 연결하여, 상기 기판(P1)(P2)의 상부 모서리들을 여러 개소에서 가압함으로써 상기 기판(P1)(P2)들이 각각 고정대(90)상에 직립한 상태로 고정되도록 한다.
이와 같이 고정됨으로써 상기 기판(P1)(P2)들은 증착실(12b)내에서 양측벽에 마주한 타겟(42)들에 대하여 일측면이 마주하여 고정된다.
그리고, 본 발명은 상기 기판(P1)(P2)들이 기판 장입실(12a), 증착실(12b)과, 기판 대기실(12c)을 이동하여 사전에 설정된 위치에 각각 정확하게 위치되도록 그 위치를 검출하는 검출수단(100)을 포함하는 바, 상기 검출 수단(100)은 도3에 도시된 바와 같이, 진공 챔버(10)의 측벽에 장착된 광센서(102)들로 이루어질 수 있고, 이러한 광 센서(102)들은 기판(P1)(P2)을 검출하여 각각 전기적인 신호를 송출하도록 된 것들이다.
또한, 본 발명은 도 3에 도시된 바와 같이 상기 마그네트론 스퍼터링 건(40)과 트라이오드 스퍼터링 건(50)들에 사전에 설정된 전원을 인가하고, 진공 챔버(10)를 원하는 진공으로 유지시키며, 기판(P1)(P2)들을 이동시켜 스퍼터링 증착을 이루는 일관 공정들을 사전에 설정된 프로그램에 따라서 자동제어하는 콘트롤러(110)를 포함한다.
즉, 상기 콘트롤러(110)는 선택되어진 마그네트론 스퍼터링 건(40) 및/또는 트라이오드 스퍼터링 건(50)들에 의해서 상기 기판(P1)P2)들이 사전에 설정된 증착 프로 그램에 따라 상기 기판 장입실(12a), 증착실(12b)과, 기판 대기실(12c)들을 이동하면서 증착이 이루어지도록 제어하는 것이다.
이러한 콘트롤러(110)에 의한 증착 프로그램은 다양하게 작업자들에 의해서 설정가능한 것임은 물론이다.
그리고, 본 발명은 기판(P1)(P2)을 기판 장입실(12a)의 받침대(68)와 고정대(90)상에 장착하기 위하여 기판 장입식의 도어측으로 기판(P1)(P2)을 손쉽게 이동시키기 위한 바퀴달린 대차(120)를 구비하고 있다.
또한, 상기 진공 챔버(10)는 기판 장입실(12a)과 증착실(12b)의 사이에 가열 수단(130)을 추가적으로 구비한다. 상기 가열 수단(130)은 대략 400℃ 까지 가열이 가능한 세라믹 히터(Ceramic Heater)로서, 이는 기판 장입실(12a)로 부터 증착실(12b)로 기판(P1)(P2)이 이송되기 전에 기판(P1)(P2)의 표면상에 존재하는 수분을 증발시켜서 양호한 증착이 이루어지도록 하기 위함이다.
미설명 부호 (140)들은 진공 챔버(10)내에서 진공증착이 이루어지는 상황을 외부에서 관찰할 수 있는 다수의 관찰창(View Points)들이고, (142)는 진공측정계기,(145)는 상기 고진공 펌프용 압축기, (150)들은 관찰창 개폐용 손잡이, (160)는 도어이다.
상기와 같이 구성된 본 발명은, 진공 챔버(10)내에서 상기 마그네트론 스퍼터링 증착 또는 트라이오드 스퍼터링 증착을 박막의 두께에 따라서 선택적으로 이룰 수 있다.
즉, 10nm 이상의 두께를 갖는 두꺼운 박막제작을 위해서는 생산성이 우수한 마그네 트론 스퍼터링 방식을 이용하고, 고품질의 얇은 박막, 즉 박막두께가 3nm 이하인 경우에는 트라이오드 스퍼터링 증착방식을 이용한다.
상기 마그네트론 스퍼터링 증착을 실시하는 경우에는, 예를 들면 증착실(12b)의 측벽에 각각 마련된 복수개의 마그네트론 스퍼터링 건(40)들로 부터 스퍼터링 증착을 이룬다. 상기 마그네트론 스퍼터링 건(40)들은 증착실(12b)의 양측벽에 각각 4개가 장착되거나 혹은 2개씩 장착될 수 있다.
만일, 2개, 예를 들면 제1번과 재3번에 장착되는 경우라면, 상기 복수개의 제1번및 제3번 타겟(42)들에는 서로 다른 재료들, 예를 들면 니켈 또는 티타늄들로 이루어지고, 이러한 타겟(42)들을 이용하여 상기 기판(P1)(P2)상에는 각각 니켈과 티타늄의 박막들을 다층으로 형성할 수 있다.
이하에서는 예를 들어서 이러한 작동에 대하여 설명하기로 한다.
먼저, 기판 장입실(12a)측의 도어(160)로 부터 복수의 기판(P1)(P2)들이 유입되어 고정대(90)와 받침대(68)상에 볼트(94)로써 고정되면, 도어(160)는 닫쳐서 진공 챔버(10)는 폐쇄되어진다. 그리고, 상기 진공 챔버(10)에는 진공이 유지되어 7.5 X 10-8torr 이하의 진공압이 가해진다.
이러한 상태에서 기판(P1)(P2)들은 이송 수단(60)의 회전 모터(64) 작동으로 이동블럭(66)이 볼 스크류축(62)을 따라서 기판 장입실(12a)로 부터 증착실(12b)로 이동되어진다. 이러한 이동은 콘트롤러(110)등을 통하여 작업자가 이동명령을 지령함으로써 상기 회전 모터(64)의 작동으로 기판(P1)(P2)들은 증착실(12b)로 위치 이동 한다. 이러한 이송과정에서 기판(P1)(P2)상의 수분들은 400℃로 유지되어지는 가열 수단(130)을 통하여 그 표면으로 부터 제거되어진다.
한편, 상기 기판(P1)(P2)의 이동중에는 증착실(12b)의 측벽들에 위치된 복수개의 제1번및 제3번 마그네트론 스퍼터링 건(40)중의 어느 하나측으로, 즉 1번 혹은 3번 마그네트론 스퍼터링 건(40)에 (RF-sputtering 주파수: 10∼150kHz) 또는 극성전류 (DC-sputtering :700~1000V)이 인가되어 해당 마그네트론 스퍼터링 건(40)의 타겟(42)에서 스퍼터링 현상이 일어난다. 따라서, 해당 타겟(42)으로 부터 플라즈마 입자들이 기판(P1)(P2)상으로 이동하여 그 표면에 증착이 이루어지고, 상기 기판(P1)(P2)들은 증착이 이루어지면서 증착실(12b)을 정해진 속도로 이동하여 나간다.
이와 같이 본 발명에서는, 기판(P1)(P2)상의 증착이 기판(P1)(P2)들의 이동중에 이루어지며, 일정시간이 지나면 상기 기판(P1)(P2)들은 증착실(12b)을 빠져 나가고 기판 대기실(12c)측으로 이동된다.
그리고, 기판 대기실(12c)에서 기판(P1)(P2)의 이동한계를 나타내는 광센서(102)에 접촉되면, 회전 모터(64)는 그 반대로 작동된다. 동시에 상기 증착실(12b)에 구비된 복수개의 제1번및 제3번 마그네트론 스퍼터링 건(40)중 작동하지 않았던 나머지 마그네트론 스퍼터링 건(40)에 전원이 인가되고, 이미 작동되었던 마그네트론 스퍼터링 건(40)에는 전원이 차단되며, 그에 따라서 새롭게 작동되는 마그네트론 스퍼터링 건(40)의 타겟(42)들로 부터 먼저와는 다른 재료의 플라즈마 입자들이 발생된다.
따라서, 상기 기판(P1)(P2)들은 기판 대기실(12c)로 부터 증착실(12b)로 후진이동하면서 다른 재료, 예를들면 1층 증착이 이루어진 박막위에 다른 재료의 2층 증착이 상기 기판(P1)(P2)의 후진이동중에 이루어진다. 이러한 2층 증착은 상기 기판(P1)(P2)들이 최초의 위치, 즉 기판 장입실(12a)측으로 완전히 후진하여 기판 장입실(12a)에 마련된 광센서(102)들에 의해서 접촉되기까지 이루어진다.
그리고, 이와 같이 상기 기판 장입실(12a)측의 광센서(102)에 의해서 기판 (P1)(P2)의 검지가 이루어지면, 이는 다시 회전 모터(64)의 작동방향을 반대로 역전시키고, 현재 스퍼터링 작동중인 타겟(42)의 마그네트론 스퍼터링 건(40)에는 전원을 차단하고, 작동 중지중인 마그네트론 스퍼터링 건(40)을 구동하여 1층 증착과 동일한 재료의 3층 증착이 상기 2층 증착의 박막위에 형성되도록 한다.
이러한 공정을 통하여 니켈과 티타늄등의 스퍼터링층이 다층으로 형성되어 박막이 복수의 기판(P1)(P2)상에서 동시적으로 이루어지게 되며, 800∼1000층 정도의 다층 박막을 기판(P1)(P2)상에 형성하기 위해서는 대략 400∼500회의 기판 왕복작동이 8내지 10시간에 걸쳐서 이루어진다.
한편, 박막두께가 3nm 이하인 경우에는 트라이오드 스퍼터링 증착방식을 이용한다. 이러한 경우에 본 발명은 증착실(12b)의 측벽에 각각 마련된 복수개의 제1번및 제3번 마그네트론 스퍼터링 건(40)들은 모두 작동 정지시키고, 제2번및 제4번 포트(52)에 장착된 트라이오드 스퍼터링 건(50)들을 통하여 스퍼터링 작동을 실시한다.
이러한 경우, 트라이오드 스퍼터링 건(50)들은 제2번 또는 제4번중의 어느 하나가 먼저 작동되어 양측 기판(P1)(P2)의 전진 이동, 예를들면 기판 장입실(12a)측으로 부터 증착실(12b)을 통과하는 방향으로 이동중에 해당 트라이오드 스퍼터링 건(50)의 타겟(42)으로 부터 기판(P1)(P2)상에 1층 증착이 이루어지고, 기판(P1)(P2)의 후진 이동, 즉 기판 대기실(12c)측으로 부터 후진하여 증착실(12b)로 통과하는 방향으로 이동중에 2층 증착이 이루어지도록 하며, 이러한 과정을 다수회 반복하는 것이다.
이와 같은 과정을 통하여 박막두께가 3nm 이하인 경우에는 트라이오드 스퍼터링 증착방식을 이용하여 고품질의 박막을 기판(P1)(P2)상에 스퍼터링 증착할 수 있는 것이다.
이와 같이 본 발명에 의하면, 타겟(42)의 장착이 다수개, 상기에서는 일측벽에 각각 4개이기 때문에 4개 재료의 다른 타겟(42)들을 장착하게 되면, 마그네트론 스퍼터링방식과 트라이오드 스퍼터링 방식 모두를 이용하여 복합적인 박막구조의 제작이 가능한 것이다.
예를 들면, 중성자 거울의 제작을 위해 이용되는 니켈 및 티탄늄 뿐만 아니라, 결정화 억제 및 산화방지막을 위하여 Si 타겟을 추가로 장착할 수 있다. 또한 3물질이상이 함유된 합금(Alloy)을 제작하여 한 개의 타겟(42)에 장착하기 전, 각 물질의 함유상태에 따른 물성분석을 위해 각각의 순수 물질로 된 타겟(42)을 장착하여 최적 합성 비율(composition ratio)의 측정을 위해 이용될 수 있다.
예를 들면, FeCo와 Si으로 이루어진 편극중성자 거울 제작을 위해, Fe과 Co의 몰비는 89:11로 알려져 있으나, 각 물질의 스퍼터링 비율(sputter rate)의 차이 때문에 정확한 합성 비율을 알기 위해선 Fe타겟(42)과 Co 타겟(42)을 이용한 혼합 층(Mixing layer)을 만들어 합금의 다운 중성자(down-neutron)의 분산길이밀도(scattering length density)(SLD) 가 Si의 SLD와 동일한 점을 발견할 수 있도록 할 수 있다. 또한, 잔류자기편극 중성자 거울의 제작을 위해 이용되는 FeCoV/TiZr 등에서 최적의 합성 비율의 발견을 위해서도 필수적이다.
그리고, 본 발명은 진공 챔버(10)의 전,후면에 기판(P1)(P2)을 각각 설치할수 있음으로 매 공정시 2개의 기판(P1)(P2) 증착이 가능하다. 이는 중성자 초거울의 한번 코팅을 위해서 최소 12시간 이상이 필요하기 때문에, 양산시 시간을 최소화하여 스퍼터링 증착공정 시간을 절반으로 줄일 수 있어 생산성이 매우 높게 된다.
뿐만 아니라, 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)방식과 트라이오드 스퍼터링(Triode sputtering) 방식의 혼용으로 박막의 질을 극대화 할수 있다.
즉, 10nm 이상의 두꺼운 박막제작을 위해선 마그네트론 스퍼터링방식을 이용하고, 3nm 이하의 얇은 박막제조를 위해선 트라이오드 스퍼터링 방식을 이용한다. 이는 타겟(42)이 각각 4개이기 때문에 가능하다. 즉 2개의 타겟(42)은 마그네트론 스퍼터링으로 사용하고, 나머지 2개는 트라이오드 스퍼터링 방식을 이용하여 박막증착을 하면, 마그네트론 스파터링 증착시, 타겟(42)으로부터 방출되는 높은 에너지의 원자들 때문에 얇은 두께의 박막에서 입자들이 혼합(mixing)되는 현상을 저에너지 스파터링 방식인 트라이오드 스퍼터링 방식을 이용하여 억제할 수 있다.
뿐만 아니라, 박막증착시 장시간의 증착에 따른 과열현상을 억제하기 위하여 진공 쳄버의 외피부분을 이중 물 쟈켓(water jacket)으로 구성함으로써 냉각수 처리를 통하여 과열을 방지하는 효과도 얻어지는 것이다.
상기와 같이 본 발명에 의하면, 하나의 진공 챔버(10)내에서 트라이오드 스퍼터링과 마그네트론 스퍼터링을 선택적으로 실시할 수 있음으로써 박막 두께에 따른 박막 품질을 크게 향상시킬 수 있고, 증착 작업의 생산성을 크게 향상시킬 수 있도록 개선된 효과를 얻는다.
또한, 냉중성자 유도관의 제작을 위한 진공증착 뿐만 아니라, 기판 장입실(12a)과 증착실(12b)및 기판 대기실(12c)들이 인라인(inline) 배열로 이루어지기 때문에, 대면적의 X-선 미러 증착이 가능하며 또한 기판(P1)(P2)의 이동중에 증착이 이루어짐으로써 양산시 생산능력도 극대화되는 효과가 얻어지는 것이다.

Claims (13)

  1. 기판(P1)(P2)의 표면상에 플라즈마 증착을 이루도록 된 스퍼터링 장치에 있어서,
    일측에는 기판 장입실(12a)이 형성되고, 이에 연통하여 증착실(12b)과 기판 대기실(12c)이 일렬로 배치되고, 상기 증착실(12b)에는 마그네트론 스퍼터링 건(40) 및 트라이오드 스퍼터링 건(50)들이 장착가능한 직선이송형(Inline) 진공 챔버(10);
    상기 진공 챔버(10)내에서 기판(P1)(P2)을 상기 기판 장입실(12a)로 부터 증착실(12b)과 기판 대기실(12c)측을 따라서 전,후로 이동시키는 이송 수단(60);
    상기 기판(P1)(P2)들이 기판 장입실(12a), 증착실(12b)과, 기판 대기실(12c)에 각각 정확하게 위치되도록 그 위치를 검출하는 검출수단(100);및
    상기 기판(P1)P2)들이 마그네트론 스퍼터링 건(40) 및 트라이오드 스퍼터링 건(50)중의 선택되어진 것에 의해서 사전에 설정된 증착 프로그램에 따라 상기 기판 장입실(12a), 증착실(12b)과, 기판 대기실(12c)들을 이동하면서 증착이 이루어지도록 제어하는 콘트롤러(110);들을 포함하여 상기 진공 챔버(10)내에서 상기 마그네트론 스퍼터링 증착 또는 트라이오드 스퍼터링 증착을 박판의 두께에 따라서 선택적으로 이루는 것을 특징으로 하는 진공플라즈마 스퍼터링장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 진공 챔버(10)는 기판 장입실(12a)과 증착실(12b)및 기판 대기실(12c)을 이루는 커버(17)가 2중 물자켓(water jacket)을 구비하여 증착 시 기판의 가열을 방지하는 것을 특징으로 하는 진공플라즈마 스퍼터링장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 마그네트론 스퍼터링 건(40)들은 증착실(12b)의 좌,우측벽에 서로 대향하여 배치되며, 상기 마그네트론 스퍼터링 건(40)에 구비된 영구자석(44)을 포함한 타겟(42)들은 각각 증착하고자 하는 다른 재료들로 이루어진 것임을 특징으로 하는 진공플라즈마 스퍼터링장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 마그네트론 스퍼터링 건(40)들과 트라이오드 스퍼터링 건(50)들은 증착실(12b)에 장착되는 경우, 서로 번갈아서 배치된 구조를 갖는 것임을 특징으로 하는 진공플라즈마 스퍼터링장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 이송 수단(60)은 진공 챔버(10)의 기판 장입실(12a)과 증착실(12b)및 기판 대기실(12c)들의 내측 하부면을 따라서 회전가능하도록 장착된 볼 스크류축(62)과 이를 정,역 회전시키기 위한 회전 모터(64)및 상기 볼 스크류축(62)상에서 나사결합하여 전,후진 이동되어지는 이동블럭(66)들을 포함하고, 상기 이동블럭(66)의 상부에서 복수의 기판(P1)(P2)들을 떠받치는 받침대(68)를 구비하는 것임을 특징으로 하는 진공플라즈마 스퍼터링장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 받침대(68)는 볼 스크류축(62)과 이동블럭(66)에 의해서 이동하는 과정에서 직진성을 확보하기 위하여 상기 볼 스크류축(62)을 따라서 그 양측에서 연장하는 복수의 가이드 레일(76a)(76b)상에 활주이동가능하도록 끼워지는 가이드블럭(78a)(78b)들을 구비하는 것임을 특징으로 하는 진공플라즈마 스퍼터링장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 받침대(68)는 그 전방 하부측에 이동 블럭(66)이 볼 스크류축(62)에 나사결합하고, 그 후방 하부측은 이동 블럭(66)이 제거됨으로써 상기 볼 스크류축(62)을 회전가능하도록 지지하는 베어링 블럭(72)에 간섭되지 않고 그 위를 통과하도록 구성됨을 특징으로 하는 진공플라즈마 스퍼터링장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 받침대(68)는 그 상부에 복수의 기판(P1)(P2)을 수직및 평행으로 장착가능한 고정대(90)를 구비하고, 상기 고정대(90)는 그 하단이 받침대(68)상에 고정되며, 그 상단은 누름판(92)을 볼트(94)로 연결하여, 상기 기판(P1)(P2)의 상부 모서리들을 여러 개소에서 가압함으로써 상기 기판(P1)(P2)들이 각각 고정대(90)상에 직립한 상태로 고정되는 것임을 특징으로 하는 진공플라즈마 스퍼터링장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 검출 수단(100)은 진공 챔버(10)의 측벽에 장착된 광센서(102)들로 이루어지는 것임을 특징으로 하는 진공플라즈마 스퍼터링장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 진공 챔버(10)는 기판 장입실(12a)과 증착실(12b)의 사 이에 위치되어 기판(P1)(P2)의 표면상에 존재하는 수분을 증발시켜서 양호한 증착이 이루어지도록 하는 가열 수단(130)을 추가 포함하는 것임을 특징으로 하는 진공플라즈마 스퍼터링장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 가열 수단(130)은 세라믹 히터(Ceramic Heater)로 이루어진 것임을 특징으로 하는 진공플라즈마 스퍼터링장치.
  12. 기판(P1)(P2)의 표면상에 플라즈마 증착을 이루도록 된 스퍼터링 장치에 있어서,
    일측에는 기판 장입실(12a)이 형성되고, 이에 연통하여 증착실(12b)과 기판 대기실(12c)이 일렬로 배치되고, 상기 증착실(12b)에는 마그네트론 스퍼터링 건(40)들이 장착가능한 직선이송형(Inline) 진공 챔버(10);
    상기 진공 챔버(10)내에서 기판(P1)(P2)을 상기 기판 장입실(12a)로 부터 증착실(12b)과 기판 대기실(12c)측을 따라서 전,후로 이동시키는 이송 수단(60);
    상기 기판(P1)(P2)들이 기판 장입실(12a), 증착실(12b)과, 기판 대기실(12c)에 각각 정확하게 위치되도록 그 위치를 검출하는 검출수단(100);및
    상기 기판(P1)P2)들이 상기 마그네트론 스퍼터링 건(40)들에 의해서 사전에 설정된 증착 프로그램에 따라 상기 기판 장입실(12a), 증착실(12b)과, 기판 대기실(12c)들을 이동하면서 증착이 이루어지도록 제어하는 콘트롤러(110);들을 포함하여 상기 진공 챔버(10) 내에서 상기 마그네트론 스퍼터링 증착을 이루는 것을 특징으로 하는 진공플라즈마 스퍼터링장치.
  13. 기판(P1)(P2)의 표면상에 플라즈마 증착을 이루도록 된 스퍼터링 장치에 있어서,
    일측에는 기판 장입실(12a)이 형성되고, 이에 연통하여 증착실(12b)과 기판 대기실(12c)이 일렬로 배치되고, 상기 증착실(12b)에는 트라이오드 스퍼터링 건(50)들이 장착가능한 직선이송형(Inline) 진공 챔버(10);
    상기 진공 챔버(10)내에서 기판(P1)(P2)을 상기 기판 장입실(12a)로 부터 증착실(12b)과 기판 대기실(12c)측을 따라서 전,후로 이동시키는 이송 수단(60);
    상기 기판(P1)(P2)들이 기판 장입실(12a), 증착실(12b)과, 기판 대기실(12c)에 각각 정확하게 위치되도록 그 위치를 검출하는 검출수단(100);및
    상기 기판(P1)P2)들이 트라이오드 스퍼터링 건(50)들에 의해서 사전에 설정된 증착 프로그램에 따라 상기 기판 장입실(12a), 증착실(12b)과, 기판 대기실(12c)들을 이동하면서 증착이 이루어지도록 제어하는 콘트롤러(110);들을 포함하여 상기 진공 챔버(10)내에서 상기 트라이오드 스퍼터링 증착을 이루는 것을 특징으로 하는 진공플라즈마 스퍼터링장치.
KR1020040051691A 2004-07-02 2004-07-02 진공플라즈마 스퍼터링장치 KR100583475B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040051691A KR100583475B1 (ko) 2004-07-02 2004-07-02 진공플라즈마 스퍼터링장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040051691A KR100583475B1 (ko) 2004-07-02 2004-07-02 진공플라즈마 스퍼터링장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060002587A KR20060002587A (ko) 2006-01-09
KR100583475B1 true KR100583475B1 (ko) 2006-05-26

Family

ID=37105524

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040051691A KR100583475B1 (ko) 2004-07-02 2004-07-02 진공플라즈마 스퍼터링장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100583475B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100825914B1 (ko) * 2006-11-17 2008-04-28 한국원자력연구원 중성자 단색기 구조를 이용한 중성자 초거울 제작방법
KR100898038B1 (ko) * 2007-10-05 2009-05-19 한국원자력연구원 다층기판홀더 구조의 로드 락 챔버를 이용한 박막증착장치
WO2011031056A2 (ko) * 2009-09-09 2011-03-17 주식회사 티엔텍 기판진동장치가 구비된 스퍼터링 시스템 및 그 제어방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060002587A (ko) 2006-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6641702B2 (en) Sputtering device
US20190249307A1 (en) Method for depositing film
US6103320A (en) Method for forming a thin film of a metal compound by vacuum deposition
JP5048229B2 (ja) マグネトロン・スパッタリング・デバイス
US9365920B2 (en) Method for depositing film
US5328583A (en) Sputtering apparatus and process for forming lamination film employing the apparatus
JP2010511788A (ja) 均質なｐｖｄ被膜を形成するための真空被覆装置
JP2009529608A (ja) スパッタ堆積システム及び使用方法
JP2008069402A (ja) スパッタリング装置及びスパッタリング方法
US9175383B2 (en) Double-coating device with one process chamber
KR100583475B1 (ko) 진공플라즈마 스퍼터링장치
KR101386200B1 (ko) 스퍼터 코팅 장치 및 진공 코팅 장치
CN115466927B (zh) 薄膜沉积装置及薄膜沉积方法
JPH11302841A (ja) スパッタ装置
JP3735462B2 (ja) 金属酸化物光学薄膜の形成方法および成膜装置
US20100264022A1 (en) Sputtering And Ion Beam Deposition
CN114015997A (zh) 一种离子辅助的多靶磁控溅射设备
CN105671508B (zh) 一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置
CN103074586B (zh) 一种低温低损伤多功能复合镀膜的装置和方法
JP2017057487A (ja) イオンビームスパッタ装置
JP2001207260A (ja) 成膜方法および成膜装置
CN217052381U (zh) 一种离子辅助的多靶磁控溅射设备
JPH0375368A (ja) スパッタリング装置
JPH0375369A (ja) スパッタリング装置
JP2023156156A (ja) 成膜方法及び成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120330

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130327

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141230

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170329

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee