JP4493999B2 - プラズマ成膜装置及び該装置を用いた膜形成方法 - Google Patents
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Description
第1図は、固体ソースECRプラズマ成膜装置の概略構造を示したものである。同図において、プラズマ生成室1と試料室2とは大気から隔離された密閉空間となっており、プラズマ引出し窓3を介して繋がっている。試料台4に置かれた試料基板5上に薄膜を形成するには、まず、プラズマ生成室1と試料室2を、排気路6を通して真空ポンプにより真空排気した後、ガス導入口(A)7または(B)8からガスを導入し所定の圧力に保持する。次いで、プラズマ生成室1の周囲に置かれた2つの磁気コイル9に電流を流して磁界を発生させた後、矩形導波管10に導かれたマイクロ波11をプラズマ生成室下部のマイクロ波導入窓12を通して真空側に導入する。これにより、プラズマ生成室1内で電子サイクロトロン共鳴が生じ、ECRプラズマが発生する。プラズマ生成室1で発生したプラズマは、発散磁界に沿ってプラズマ引出し窓3から試料基板5へプラズマ流13として流れ込む。この状態でスパッタ電源14を投入してターゲット15に電圧を印加すると、ECRプラズマ中のイオンがターゲット15に向かって加速を受け、そのイオン衝撃によってターゲット構成原子が真空中に放出される。ターゲット15から飛び出した粒子はあらゆる方向に進み、試料基板5上に薄膜を形成する。
(実施例1)
円筒型ターゲットと試料基板との間に遮蔽板を設置することによって、試料基板上に形成される膜厚分布を均一化した実施例を第2図に示す。同図のターゲット15は、内径100mm、高さ40mmの円筒状をなし、その上下面は、ターゲットと電気的に真空絶縁された金属シールド16によってカバーされている。またターゲットの外周面は、バッキングチューブ17と呼ばれる金属製の裏板を介して水冷される構造となっている。このため、ターゲット原子がスパッタされて飛び出す領域はターゲット内周面のみである。試料基板は、中心位置を円筒ターゲットの中心に一致させて、ターゲット上端からおよそ200mm離れた上方に置かれている。このような配置関係の装置において、ターゲット上端から12mmの距離に様々な内径Dを有するリング状の遮蔽板18を設置した。ターゲットは電気的に周囲から絶縁されており、ECRプラズマを発生させた後に、ターゲットにRFパワーを印加することによりターゲット元素がスパッタされて飛び出すことになる。
第2の実施例では、遮蔽リング(材質:高純度アルミナ(純度99.99%))を設置した第2図と同様な装置構造を用いてTiO2膜を形成した。第7図は、遮蔽リングの内径Dを従来の100mmから80mmまで変化させたときの基板上のTiO2膜厚分布を示している。遮蔽リングとターゲットとの距離Hは12mmに固定し、圧力約0.03Paのもとでアルゴン流量を7SCCMとしたうえで、マイクロ波パワー、RFパワーとも600Wに設定して成膜した。膜厚分布の結果は第1の実施例と同様な傾向が得られているが、最適な均一性はリング内径Dを84mmとした場合である。
互いに対向するターゲットに傾斜を設けることによって、試料基板上の膜厚分布を均一化した実施例を第11図に示す。同図は、第1の実施例を示す第2図において遮蔽リング18を用いる代わりに、傾斜ターゲット19を利用したものである。ターゲットの内径や高さなどの寸法は第1の実施例と同一である。また、成膜の条件も実施例1と同じである。このような配置において、試料基板上に形成される薄膜の膜厚分布をシミュレーションした結果を第12図に示す。傾斜ターゲットの角度は、傾斜が無い場合を0度とし、最大15度まで可変した。この結果によれば、円筒状ターゲットの傾斜を10度としたときが最も均一な分布が得られることが分かる。これは、第11図からも理解されるように、傾斜無しのターゲット表面から飛び出す例えば破線に示すような方向成分は、傾斜を付けることによって実線のように傾斜分だけ試料基板の外周方向に向くことになり、基板中央部の膜厚が減少して高均一化される。
2 試料室
3 プラズマ引出し窓
4 試料台
5 試料基板
6 排気路
7 ガス導入口(A)
8 ガス導入口(B)
9 磁気コイル
10 矩形導波管
11 マイクロ波
12 マイクロ波導入窓
13 プラズマ流
14 スパッタ電源
15 ターゲット
16 シールド
17 バッキングチューブ
18 遮蔽リング
19 傾斜ターゲット
Claims (3)
- マイクロ波と磁界の相互作用による電子サイクロトロン共鳴放電を利用して減圧下においてプラズマを生成するように構成されたプラズマ生成室と、薄膜を形成すべき試料基板を設置するための試料台を備えた試料室と、前記プラズマ生成室と前記試料室との間に配置され、生成されたプラズマのプラズマ流を前記試料室に引き出すためのプラズマ引き出し窓と、前記プラズマ生成室から前記試料室に向けて磁界強度が所定の勾配で弱くなる発散磁界の磁界分布を持つ磁界発生手段と、前記プラズマ引き出し窓と前記試料台との間に前記プラズマ流を取り囲み、中心軸が前記試料基板の中心を通るように配置されたターゲットからなり、前記プラズマ流の一部のイオンにより、前記ターゲットをスパッタし、スパッタ粒子を前記プラズマ流に取り込んで前記試料基板にまで輸送して入射させ、前記試料基板上に前記ターゲット材料を含む薄膜を形成するようにしたプラズマ成膜装置であって、前記試料基板と前記ターゲットとの間の空間に、スパッタ粒子の少なくとも一部が前記試料基板の中央部分に到達しないように阻止するためのリング状の開口を有する遮蔽板を配置し、その遮蔽板とターゲットとの距離または前記遮蔽板の開口部の平均直径を可変可能となっていることを特徴とするプラズマ成膜装置。
- マイクロ波と磁界の相互作用による電子サイクロトロン共鳴放電を利用して減圧下においてプラズマを生成するように構成されたプラズマ生成室と、薄膜を形成すべき試料基板を設置するための試料台を備えた試料室と、前記プラズマ生成室と前記試料室との間に配置され、生成されたプラズマのプラズマ流を前記試料室に引き出すためのプラズマ引き出し窓と、前記プラズマ生成室から前記試料室に向けて磁界強度が所定の勾配で弱くなる発散磁界の磁界分布を持つ磁界発生手段と、前記プラズマ引き出し窓と前記試料台との間に前記プラズマ流を取り囲み、中心軸が前記試料基板の中心を通るように配置されたターゲットからなり、前記プラズマ流の一部のイオンにより、前記ターゲットをスパッタし、スパッタ粒子を前記プラズマ流に取り込んで前記試料基板にまで輸送して入射させ、前記試料基板上に前記ターゲット材料を含む薄膜を形成するようにしたプラズマ成膜装置を用い、前記試料基板と前記ターゲットとの間の空間に、スパッタ粒子の少なくとも一部が前記試料基板の中央部分に到達しないように阻止するためのリング状の開口を有する遮蔽板を配置し、その遮蔽板とターゲットとの距離または遮蔽板の開口部の平均直径を可変することによって、前記基板上に形成する薄膜の膜厚のバラツキを最小に抑えることを特徴とする薄膜の形成方法。
- 減圧に維持できる容器内に、少なくとも、試料基板を設置するための試料台と、試料台から一定の間隔をおいて配置された、貫通溝を有するターゲットまたは1組以上の互いに相対向して配置されたターゲットと、ターゲットから試料基板に飛来する粒子分布を制御する機構とを有するプラズマ成膜装置であって、前記試料基板に飛来する粒子分布を制御する機構が、貫通溝の内面またはターゲットの相対向した面に傾斜を設けたターゲットであり、この傾斜は、貫通溝の面または対向した面が試料基板に近い側から、試料基板から最も離れた側に向けて離れるような傾斜であることを特徴とするプラズマ成膜装置。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6050167A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマ付着装置 |
JP2002339061A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-27 | Canon Inc | 薄膜形成方法 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6050167A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマ付着装置 |
JP2002339061A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-27 | Canon Inc | 薄膜形成方法 |
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