JP4506382B2 - Ecrスパッタ装置 - Google Patents
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Description
ところで、上述したような反応性スパッタ成膜の場合には、スパッタ粒子(ターゲット粒子)と反応ガスとの比率を化学反応に対応した所定の関係に保持しないと、適切な薄膜が得られない。すなわち、反応ガスの流量を適切に保持するだけでなく、スパッタ粒子の量も一定となるようにしなければならない。
従来、成膜を終了するタイミングは時間によって判定していた。すなわち、要求される膜厚を設定成膜条件における成膜レート(単位時間当たりの膜厚)で除算して得られる時間を成膜時間とし、成膜開始から成膜時間が経過したならば成膜を終了するようにしていた。しかし、成膜条件の変化より成膜レートが変化する場合には、このような時間制御では膜厚がばらついてしまうというおそれがある。また、近年ナノテクノロジーの進歩に伴って、厳密な膜厚制御が要求されてきており、従来の時間制御ではクリアできないような厳しい再現性が求められている。
フィードバック制御ナシ: 再現性 ±2.5%前後
フィードバック+時間停止: 再現性 ±0.7%
フィードバック+積分値停止: 再現性 ±0.2%
2 プラズマ室
3 空芯磁場コイル
4 反応室
5 ターゲット
6 基板
10 マイクロ波電源
11 DC電源
12 制御装置
Claims (1)
- 磁場を形成した空洞内にマイクロ波発生部からマイクロ波を導入して電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを形成し、そのプラズマ中のイオンでターゲットをスパッタしてスパッタ成膜を行うECRスパッタ装置において、
前記ターゲットに一定の電圧を印加するターゲット電源と、
前記ターゲットのターゲット電流値の変化に応じて前記マイクロ波発生部のマイクロ波電力を変化させることにより、前記ターゲット電流値が一定となるように制御する制御部と、
前記ターゲット電流値を積分する演算手段と、
前記演算手段による積分値が予め設定された所定値に達したとき成膜を終了する判定手段とを設けたことを特徴とするECRスパッタ装置。
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JP2004279997A JP4506382B2 (ja) | 2004-09-27 | 2004-09-27 | Ecrスパッタ装置 |
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JP2004169127A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Shimadzu Corp | Ecrスパッタ装置および多層膜形成方法 |
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