JP2000273629A - 低抵抗金属薄膜の形成方法 - Google Patents
低抵抗金属薄膜の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 広いプロセスウインドウを有し、かつ従
来より低い抵抗値を持つ金属薄膜を形成するスパッタリ
ング法の提供。 【解決手段】 カソード近傍にマグネトロン放電を支援
するＲＦ誘導結合放電用コイルを設けた機構を用い、該
ＲＦ誘導結合放電用コイルに投入するＲＦ電力を制御す
ることにより生成するイオンの量を制御すると共に、基
板に印加するＲＦバイアス電力を制御することにより基
板に入射するイオンのエネルギーを制御して、抵抗値の
低い金属薄膜を形成する。
来より低い抵抗値を持つ金属薄膜を形成するスパッタリ
ング法の提供。 【解決手段】 カソード近傍にマグネトロン放電を支援
するＲＦ誘導結合放電用コイルを設けた機構を用い、該
ＲＦ誘導結合放電用コイルに投入するＲＦ電力を制御す
ることにより生成するイオンの量を制御すると共に、基
板に印加するＲＦバイアス電力を制御することにより基
板に入射するイオンのエネルギーを制御して、抵抗値の
低い金属薄膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、金属薄膜の形成
方法、特に抵抗値の低い金属薄膜の形成方法に関する。
この薄膜は、電気、電子、機械、半導体、ストレージ
（磁気記録）等の分野で利用が可能である。
方法、特に抵抗値の低い金属薄膜の形成方法に関する。
この薄膜は、電気、電子、機械、半導体、ストレージ
（磁気記録）等の分野で利用が可能である。
【０００２】
【従来の技術】金属薄膜の膜質を緻密にし、また抵抗値
を低くするために、基板にＲＦバイアスを印加して行う
スパッタリング法が知られている。かかるスパッタリン
グ法は、例えば、「池田智ら、月刊Semiconductor Worl
d、１９９７．４、ｐ９７〜」に記載されている。この
報文によれば、基板に一定のバイアス電力を印加してロ
ングスロースパッタリング（ＬＴＳ）成膜を行うと（タ
ーゲット−基板間距離：４００ｍｍ、入力：１ｋＷ Ｒ
Ｆ、Ａｒ圧力：６．７×１０-2Ｐａ、基板温度：２７０
℃、膜厚：２５ｎｍ）、ＲＦ基板バイアス電力（Ｗ）と
比抵抗（μΩｃｍ）との間に図１に示すような関係があ
る。この基板バイアス電力には最適値があり、それ以上
の電力を加えると、形成された薄膜がイオン衝撃によっ
てたたかれ、膜表面が荒れ、比抵抗も高くなってしま
う。これは、基板にＲＦバイアス電力を印加して成膜を
行うと、入射粒子のエネルギーが大きくなるため、結晶
粒の核発生数が多くなることによるものと考えられてい
る。
を低くするために、基板にＲＦバイアスを印加して行う
スパッタリング法が知られている。かかるスパッタリン
グ法は、例えば、「池田智ら、月刊Semiconductor Worl
d、１９９７．４、ｐ９７〜」に記載されている。この
報文によれば、基板に一定のバイアス電力を印加してロ
ングスロースパッタリング（ＬＴＳ）成膜を行うと（タ
ーゲット−基板間距離：４００ｍｍ、入力：１ｋＷ Ｒ
Ｆ、Ａｒ圧力：６．７×１０-2Ｐａ、基板温度：２７０
℃、膜厚：２５ｎｍ）、ＲＦ基板バイアス電力（Ｗ）と
比抵抗（μΩｃｍ）との間に図１に示すような関係があ
る。この基板バイアス電力には最適値があり、それ以上
の電力を加えると、形成された薄膜がイオン衝撃によっ
てたたかれ、膜表面が荒れ、比抵抗も高くなってしま
う。これは、基板にＲＦバイアス電力を印加して成膜を
行うと、入射粒子のエネルギーが大きくなるため、結晶
粒の核発生数が多くなることによるものと考えられてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来方法で
は、ターゲット近傍で生成されたイオン及びスパッタ粒
子（中性粒子）の内、イオンをバイアス電力によって加
速することになる。この従来技術では、制御できるパラ
メータがイオンの加速度（ＶDC）だけであるため、最適
値が存在する範囲が狭く、プロセスとしては扱いづらい
ものとなるという問題がある。
は、ターゲット近傍で生成されたイオン及びスパッタ粒
子（中性粒子）の内、イオンをバイアス電力によって加
速することになる。この従来技術では、制御できるパラ
メータがイオンの加速度（ＶDC）だけであるため、最適
値が存在する範囲が狭く、プロセスとしては扱いづらい
ものとなるという問題がある。
【０００４】本発明は、イオンの加速度の制御に加え
て、ターゲット近傍で生成するイオンの量も制御し、適
当な速度のイオンを適当な量入射させることにより、制
御範囲を広げ従来の技術で得られなかった、より低い抵
抗値を持つ金属薄膜を形成する方法を提供することを課
題とする。
て、ターゲット近傍で生成するイオンの量も制御し、適
当な速度のイオンを適当な量入射させることにより、制
御範囲を広げ従来の技術で得られなかった、より低い抵
抗値を持つ金属薄膜を形成する方法を提供することを課
題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の金属薄膜の形成
方法は、スパッタリング法で低い抵抗値を持つ薄膜を形
成する方法において、カソード近傍にマグネトロン放電
を支援するＲＦ誘導結合放電用コイルを設け、基板ステ
ージにはＲＦ基板バイアス電力を印加することができる
ようになった機構を用いる。このＲＦ誘導結合放電によ
りスパッタ粒子のイオン化を促進し、該ＲＦ誘導結合放
電用コイルに投入するＲＦ電力を制御することによって
生成するイオンの量を制御し、同時に、ＲＦ基板バイア
ス電力によって基板に入射するイオンのエネルギーを制
御して、低い抵抗値を有する金属薄膜を形成することが
可能になる。
方法は、スパッタリング法で低い抵抗値を持つ薄膜を形
成する方法において、カソード近傍にマグネトロン放電
を支援するＲＦ誘導結合放電用コイルを設け、基板ステ
ージにはＲＦ基板バイアス電力を印加することができる
ようになった機構を用いる。このＲＦ誘導結合放電によ
りスパッタ粒子のイオン化を促進し、該ＲＦ誘導結合放
電用コイルに投入するＲＦ電力を制御することによって
生成するイオンの量を制御し、同時に、ＲＦ基板バイア
ス電力によって基板に入射するイオンのエネルギーを制
御して、低い抵抗値を有する金属薄膜を形成することが
可能になる。
【０００６】本発明の方法を実施するための装置の一例
を図２に示す。
を図２に示す。
【０００７】一般的なスパッタリング用マグネトロンカ
ソード１にＲＦ誘導結合放電用コイル２を付加し、この
コイルにＲＦ電源３からマッチングボックス４を介して
投入するＲＦ電力とコイル終端に設けられたＬＣＲ回路
(図示せず)を調整することによって、ＮｉＦｅ(パーマ
ロイ)合金あるいはその他の金属からなるターゲット５
（ＤＣ電源１１に接続されている）から図２に示すよう
に飛び出してくるスパッタ粒子のイオン化を促進し、そ
の際のイオン量を制御する。このスパッタ粒子は、マッ
チングボックス６を介してＲＦ電源７からＲＦ基板バイ
アス電力が投入されている基板８に堆積し、薄膜を形成
する。この際、ＲＦ基板バイアス電源からの投入電力に
よって入射イオンの速度(すなわち、イオンエネルギー)
を制御する。
ソード１にＲＦ誘導結合放電用コイル２を付加し、この
コイルにＲＦ電源３からマッチングボックス４を介して
投入するＲＦ電力とコイル終端に設けられたＬＣＲ回路
(図示せず)を調整することによって、ＮｉＦｅ(パーマ
ロイ)合金あるいはその他の金属からなるターゲット５
（ＤＣ電源１１に接続されている）から図２に示すよう
に飛び出してくるスパッタ粒子のイオン化を促進し、そ
の際のイオン量を制御する。このスパッタ粒子は、マッ
チングボックス６を介してＲＦ電源７からＲＦ基板バイ
アス電力が投入されている基板８に堆積し、薄膜を形成
する。この際、ＲＦ基板バイアス電源からの投入電力に
よって入射イオンの速度(すなわち、イオンエネルギー)
を制御する。
【０００８】本発明の方法は基板バイアス電力を用いる
従来のスパッタリング法と比較し、基板に入射するイオ
ンの速度だけでなく、ＲＦ誘導結合放電によってイオン
の量も制御することが可能となるため、従来よりも核発
生量の多い、低い抵抗値を有する薄膜の形成が可能とな
る。
従来のスパッタリング法と比較し、基板に入射するイオ
ンの速度だけでなく、ＲＦ誘導結合放電によってイオン
の量も制御することが可能となるため、従来よりも核発
生量の多い、低い抵抗値を有する薄膜の形成が可能とな
る。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を図２に基づき説明す
る。この装置では、成膜室９がターボ分子ポンプ等の真
空排気系１２に接続され、成膜室９を所定の圧力に設定
できるようになっている。また、成膜室９にはガス導入
系１０を介してＡｒガス等のスパッタリングガスを導入
できるようになっている。さらに、成膜室９には上方に
薄膜を形成するための基板８が配置され、その基板には
マッチングボックス６を介してＲＦ電源７が電気的に接
続されて、ＲＦ基板バイアス電力を印加し得るようにな
っている。基板の下方であって、基板に対向する位置に
φ２" のスパッタリングターゲット５が磁石１３を備え
るマグネトロンカソード１を介して配置される。このカ
ソードにＤＣ電源１１より電力を印加してターゲット５
をスパッタリングする。基板８とターゲット５との間に
はシャッターが設けてある（図示せず）。さらに、カソ
ード１の上方であって、スパッタリングされたターゲッ
ト材料の基板８への影響がない位置に、例えばＣｕ製の
ＲＦ誘導コイル２が設置されている。このような構成の
装置において、カソード１にＤＣ電源１１より電力を印
加してターゲット５をスパッタリングするとともに、Ｒ
Ｆ誘導コイル２にＲＦ誘導コイル用ＲＦ電源３よりマッ
チングボックス４を介して電力を印加してカソードのマ
グネトロン放電を支援し、低圧力の雰囲気においても安
定して放電するようにする。
る。この装置では、成膜室９がターボ分子ポンプ等の真
空排気系１２に接続され、成膜室９を所定の圧力に設定
できるようになっている。また、成膜室９にはガス導入
系１０を介してＡｒガス等のスパッタリングガスを導入
できるようになっている。さらに、成膜室９には上方に
薄膜を形成するための基板８が配置され、その基板には
マッチングボックス６を介してＲＦ電源７が電気的に接
続されて、ＲＦ基板バイアス電力を印加し得るようにな
っている。基板の下方であって、基板に対向する位置に
φ２" のスパッタリングターゲット５が磁石１３を備え
るマグネトロンカソード１を介して配置される。このカ
ソードにＤＣ電源１１より電力を印加してターゲット５
をスパッタリングする。基板８とターゲット５との間に
はシャッターが設けてある（図示せず）。さらに、カソ
ード１の上方であって、スパッタリングされたターゲッ
ト材料の基板８への影響がない位置に、例えばＣｕ製の
ＲＦ誘導コイル２が設置されている。このような構成の
装置において、カソード１にＤＣ電源１１より電力を印
加してターゲット５をスパッタリングするとともに、Ｒ
Ｆ誘導コイル２にＲＦ誘導コイル用ＲＦ電源３よりマッ
チングボックス４を介して電力を印加してカソードのマ
グネトロン放電を支援し、低圧力の雰囲気においても安
定して放電するようにする。
【００１０】なお、本発明の方法を実施するために用い
た装置には、成膜室９を大気に曝さないために、成膜室
に基板前処理室およびロードロック室が付属しており、
ゲートバルブによって仕切られ、マニピュレーターによ
って基板を搬送できるような構造となっている（図示せ
ず）。 （実施例１）本実施例では、以下に述べるように、誘導
結合ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタ法により酸
化膜付きＳｉウエハー表面にＮｉＦｅ（パーマロイ）膜
を作製し、ＲＦ基板バイアス電力とＲＦ誘導結合放電電
力による薄膜の比抵抗変化を４端子法によって評価し
た。
た装置には、成膜室９を大気に曝さないために、成膜室
に基板前処理室およびロードロック室が付属しており、
ゲートバルブによって仕切られ、マニピュレーターによ
って基板を搬送できるような構造となっている（図示せ
ず）。 （実施例１）本実施例では、以下に述べるように、誘導
結合ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタ法により酸
化膜付きＳｉウエハー表面にＮｉＦｅ（パーマロイ）膜
を作製し、ＲＦ基板バイアス電力とＲＦ誘導結合放電電
力による薄膜の比抵抗変化を４端子法によって評価し
た。
【００１１】ＮｉＦｅ（パーマロイ）膜を作製するにあ
たり、ターゲットにはＮｉＦｅ（パーマロイ）合金を、
スパッタガスにはＡｒを用いた。成膜材料および成膜条
件は次の通りとした。 成膜材料： ターゲット：ＮｉＦｅ(パーマロイ)(Ｎｉ２０ａｔ％Ｆ
ｅ、純度９９．９％） スパッタガス：Ａｒ（純度９９．９９９９％） 成膜条件: スパッタ中Ａｒ圧力 ：６．７×１０-2Ｐａ Ａｒ流量 ：１９．２ｓｃｃｍ カソードＤＣ電力 ：１５０Ｗ ＲＦコイル電力 ：０〜１２０Ｗ ＲＦ基板バイアス電力 ：０〜６０Ｗ ターゲット形状 ：φ２" ターゲット−基板間距離：１９０ｍｍ まず、ターゲット５をφ２" のマグネトロンカソード１
に搭載し、真空排気系１２により成膜室９を１．０×１
０-7Ｐａ台まで排気した。この成膜室９に、前処理室で
ＲＦスパッタエッチングによる基板クリーニングを施し
た酸化膜付きＳｉウエハを導入し、上記条件でスパッタ
リングを行った。ＲＦスパッタエッチングによる基板ク
リーニングは、φ３" の基板に対し、６．０×１０-3Ｔ
ｏｒｒ、２０Ｗで、１分間行った。
たり、ターゲットにはＮｉＦｅ（パーマロイ）合金を、
スパッタガスにはＡｒを用いた。成膜材料および成膜条
件は次の通りとした。 成膜材料： ターゲット：ＮｉＦｅ(パーマロイ)(Ｎｉ２０ａｔ％Ｆ
ｅ、純度９９．９％） スパッタガス：Ａｒ（純度９９．９９９９％） 成膜条件: スパッタ中Ａｒ圧力 ：６．７×１０-2Ｐａ Ａｒ流量 ：１９．２ｓｃｃｍ カソードＤＣ電力 ：１５０Ｗ ＲＦコイル電力 ：０〜１２０Ｗ ＲＦ基板バイアス電力 ：０〜６０Ｗ ターゲット形状 ：φ２" ターゲット−基板間距離：１９０ｍｍ まず、ターゲット５をφ２" のマグネトロンカソード１
に搭載し、真空排気系１２により成膜室９を１．０×１
０-7Ｐａ台まで排気した。この成膜室９に、前処理室で
ＲＦスパッタエッチングによる基板クリーニングを施し
た酸化膜付きＳｉウエハを導入し、上記条件でスパッタ
リングを行った。ＲＦスパッタエッチングによる基板ク
リーニングは、φ３" の基板に対し、６．０×１０-3Ｔ
ｏｒｒ、２０Ｗで、１分間行った。
【００１２】図３に、ＲＦコイル電力を変化させた場合
のＲＦ基板バイアス電力（Ｗ）とＶ DC（−Ｖ）との関係
をプロットしたグラフを示す。この図から、ＲＦコイル
電力を０Ｗから１２０Ｗ（０、１０、３０、５０、７
０、８０、１００、および１２０Ｗ）へと増加させてい
くに従い、基板のＶDCが下がっていくことがわかる。こ
れは、スパッタ粒子やスパッタガスのうちイオン化され
たものが基板に入射することによって、電流が流れ電圧
が低くなったからであり、ＲＦコイル電力の増加によっ
て、基板に入射するイオンの量が増加していることを示
している。この図で、ＲＦコイル電力が０Ｗの場合は、
一般的なマグネトロンスパッタリングや、ロングスロー
スパッタリングの場合に対応している。
のＲＦ基板バイアス電力（Ｗ）とＶ DC（−Ｖ）との関係
をプロットしたグラフを示す。この図から、ＲＦコイル
電力を０Ｗから１２０Ｗ（０、１０、３０、５０、７
０、８０、１００、および１２０Ｗ）へと増加させてい
くに従い、基板のＶDCが下がっていくことがわかる。こ
れは、スパッタ粒子やスパッタガスのうちイオン化され
たものが基板に入射することによって、電流が流れ電圧
が低くなったからであり、ＲＦコイル電力の増加によっ
て、基板に入射するイオンの量が増加していることを示
している。この図で、ＲＦコイル電力が０Ｗの場合は、
一般的なマグネトロンスパッタリングや、ロングスロー
スパッタリングの場合に対応している。
【００１３】図４に、ＲＦコイル電力を変化させた場合
の膜厚(ｎｍ)と比抵抗(μΩｃｍ)との関係をプロットし
たグラフを示す。この場合のスパッタリングは、ＲＦ基
板バイアス電力：３Ｗ、カソードＤＣ電力：１５０Ｗ、
Ａｒ流量：１９．２ｓｃｃｍ、スパッタ中Ａｒ圧力：
５．０×１０-4Ｔｏｒｒで行った。ＲＦコイル電力を０
Ｗから１００Ｗ（０、５０、８０、および１００Ｗ）へ
と増加させていくにしたがい、膜の比抵抗は下がってい
き、８０Ｗで最小となり、それ以上の電力（１００Ｗ）
にすると、再び上昇する。膜厚との関係では、ＲＦコイ
ル電力を増加させると、薄くなるにしたがって膜の比抵
抗の下がり方は大きくなっている。図４から、誘導結合
ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタ法を用いた方
が、従来法（ＲＦコイル電力：０Ｗ）よりも抵抗値の低
い薄膜が得られることがわかる。
の膜厚(ｎｍ)と比抵抗(μΩｃｍ)との関係をプロットし
たグラフを示す。この場合のスパッタリングは、ＲＦ基
板バイアス電力：３Ｗ、カソードＤＣ電力：１５０Ｗ、
Ａｒ流量：１９．２ｓｃｃｍ、スパッタ中Ａｒ圧力：
５．０×１０-4Ｔｏｒｒで行った。ＲＦコイル電力を０
Ｗから１００Ｗ（０、５０、８０、および１００Ｗ）へ
と増加させていくにしたがい、膜の比抵抗は下がってい
き、８０Ｗで最小となり、それ以上の電力（１００Ｗ）
にすると、再び上昇する。膜厚との関係では、ＲＦコイ
ル電力を増加させると、薄くなるにしたがって膜の比抵
抗の下がり方は大きくなっている。図４から、誘導結合
ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタ法を用いた方
が、従来法（ＲＦコイル電力：０Ｗ）よりも抵抗値の低
い薄膜が得られることがわかる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、ＲＦ誘導結合放電によ
りスパッタ粒子のイオン化を促進し、このＲＦ誘導結合
放電用コイルに投入するＲＦ電力を制御することによっ
て生成するイオンの量を制御すると共に、ＲＦ基板バイ
アス電力を制御することによって基板に入射するイオン
のエネルギーを制御して、低い抵抗値を有する金属薄膜
を形成することが可能になった。
りスパッタ粒子のイオン化を促進し、このＲＦ誘導結合
放電用コイルに投入するＲＦ電力を制御することによっ
て生成するイオンの量を制御すると共に、ＲＦ基板バイ
アス電力を制御することによって基板に入射するイオン
のエネルギーを制御して、低い抵抗値を有する金属薄膜
を形成することが可能になった。
【図１】 従来法によるＲＦ基板バイアス電力と比抵抗
との関係を示すグラフ。
との関係を示すグラフ。
【図２】 本発明の方法を実施するための装置の一例の
模式的断面図。
模式的断面図。
【図３】 ＲＦコイル電力を変化させた場合のＲＦ基板
バイアス電力とＶDCとの関係を示すグラフ。
バイアス電力とＶDCとの関係を示すグラフ。
【図４】 ＲＦコイル電力を変化させた場合の膜厚と比
抵抗との関係を示すグラフ。
抵抗との関係を示すグラフ。
１ カソード ２ ＲＦ誘導結合
放電用コイル ３、７ ＲＦ電源 ４、６ マッチン
グボックス ５ ターゲット ８ 基板 ９ 成膜室 １０ ガス導入系 １１ ＤＣ電源 １２ 真空排気系 １３ 磁石
放電用コイル ３、７ ＲＦ電源 ４、６ マッチン
グボックス ５ ターゲット ８ 基板 ９ 成膜室 １０ ガス導入系 １１ ＤＣ電源 １２ 真空排気系 １３ 磁石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松浦 正道 茨城県つくば市東光台５−９−７ 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内 Ｆターム(参考） 4K029 BA01 BA25 BC03 BC06 CA05 CA13 DC35 DC39 5F103 AA08 BB14 BB56 DD28
Claims (1)
- 【請求項１】 スパッタリング法で低抵抗金属薄膜を形
成する方法において、カソード近傍にマグネトロン放電
を支援するＲＦ誘導結合放電用コイルを設けた機構を用
い、該ＲＦ誘導結合放電用コイルに投入するＲＦ電力を
制御することにより生成するイオンの量を制御すると共
に、基板に印加するＲＦバイアス電力を制御することに
より基板に入射するイオンのエネルギーを制御して、抵
抗値の低い金属薄膜を形成することを特徴とする低抵抗
金属薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7355099A JP2000273629A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 低抵抗金属薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7355099A JP2000273629A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 低抵抗金属薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000273629A true JP2000273629A (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=13521470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7355099A Pending JP2000273629A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 低抵抗金属薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000273629A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005536098A (ja) * | 2002-08-13 | 2005-11-24 | トリコン テクノロジーズ リミティド | 音響共振器 |
| US7404879B2 (en) | 2003-11-17 | 2008-07-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ionized physical vapor deposition apparatus using helical self-resonant coil |
| WO2010023878A1 (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-04 | 株式会社イー・エム・ディー | スパッタリング薄膜形成装置 |
| JP2011179061A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Emd:Kk | スパッタリング薄膜形成装置 |
| WO2013030954A1 (ja) | 2011-08-30 | 2013-03-07 | 株式会社イー・エム・ディー | スパッタリング薄膜形成装置 |
| TWI553138B (zh) * | 2011-08-30 | 2016-10-11 | Emd Corp | Sputtering film forming device |
-
1999
- 1999-03-18 JP JP7355099A patent/JP2000273629A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005536098A (ja) * | 2002-08-13 | 2005-11-24 | トリコン テクノロジーズ リミティド | 音響共振器 |
| US7404879B2 (en) | 2003-11-17 | 2008-07-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ionized physical vapor deposition apparatus using helical self-resonant coil |
| WO2010023878A1 (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-04 | 株式会社イー・エム・ディー | スパッタリング薄膜形成装置 |
| US8916034B2 (en) | 2008-08-28 | 2014-12-23 | Emd Corporation | Thin-film forming sputtering system |
| JP5702143B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2015-04-15 | 株式会社イー・エム・ディー | スパッタリング薄膜形成装置 |
| JP2011179061A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Emd:Kk | スパッタリング薄膜形成装置 |
| WO2013030954A1 (ja) | 2011-08-30 | 2013-03-07 | 株式会社イー・エム・ディー | スパッタリング薄膜形成装置 |
| TWI553138B (zh) * | 2011-08-30 | 2016-10-11 | Emd Corp | Sputtering film forming device |
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