JPH09279336A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPH09279336A JPH09279336A JP8293178A JP29317896A JPH09279336A JP H09279336 A JPH09279336 A JP H09279336A JP 8293178 A JP8293178 A JP 8293178A JP 29317896 A JP29317896 A JP 29317896A JP H09279336 A JPH09279336 A JP H09279336A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 25
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 18
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H01L21/203—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0057—Reactive sputtering using reactive gases other than O2, H2O, N2, NH3 or CH4
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ステップカバレッジが優れた薄膜形成方法を
提供すること。 【解決手段】 ターゲットと反応して、ターゲットを原
子状態にする不活性ガスと、ターゲットと反応して、分
子状態の副生成物を生成する反応性エッチングガスを注
入し、かつ上記原子状態のターゲットおよび分子状態の
副産物と反応して、ウェーハ上に薄膜を生成する反応性
スパッタガスを供給する。ガス等とターゲットの物質と
の反応を行い、上記ウェーハ上に薄膜を形成する。
提供すること。 【解決手段】 ターゲットと反応して、ターゲットを原
子状態にする不活性ガスと、ターゲットと反応して、分
子状態の副生成物を生成する反応性エッチングガスを注
入し、かつ上記原子状態のターゲットおよび分子状態の
副産物と反応して、ウェーハ上に薄膜を生成する反応性
スパッタガスを供給する。ガス等とターゲットの物質と
の反応を行い、上記ウェーハ上に薄膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、薄膜形成方法に関
するもので、特に高温で薄膜を堆積する、反応性スパッ
タによる堆積方法に関する。
するもので、特に高温で薄膜を堆積する、反応性スパッ
タによる堆積方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的にスパッタリング技術は、ウェー
ハに金属薄膜と絶縁体を積層する方法である。スパッタ
リングは、約１００〜５００ＶのＲＦ電圧または、ＤＣ
電圧によって形成されたプラズマ内の、高いエネルギー
を有しているガスイオンが、ターゲット表面に衝突し
て、ターゲットから堆積しようとする粒子等が飛び出て
基板に堆積する工程である。すなわち、陰極の表面に堆
積させるターゲット物質を取り付けておき、堆積物質の
特性に影響を与えないヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａ
ｒ）のような不活性気体を利用して、陽極に置かれた基
板上に飛び出たターゲット物質が堆積されることをい
う。
ハに金属薄膜と絶縁体を積層する方法である。スパッタ
リングは、約１００〜５００ＶのＲＦ電圧または、ＤＣ
電圧によって形成されたプラズマ内の、高いエネルギー
を有しているガスイオンが、ターゲット表面に衝突し
て、ターゲットから堆積しようとする粒子等が飛び出て
基板に堆積する工程である。すなわち、陰極の表面に堆
積させるターゲット物質を取り付けておき、堆積物質の
特性に影響を与えないヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａ
ｒ）のような不活性気体を利用して、陽極に置かれた基
板上に飛び出たターゲット物質が堆積されることをい
う。
【０００３】スパッタリング方法は、一般的に３つの方
法がある。第１の方法は、ダイオードＤＣスパッタリン
グ、ダイオードＲＦスパッタリング方法である。このシ
ステムでは、ターゲットは負電位に連結され、反応室内
の陽極は正電位になる。陰電荷のターゲットが電子を発
生させると、電子は陽極に加速される間、アルゴンガス
とぶつかってイオン化される。陽電荷にイオン化された
アルゴン原子は、ターゲットに加速されてスパッタリン
グを始める。イオン化されたアルゴンとターゲットは、
ダイオードを形成するので、ダイオード・スパッタリン
グと呼ばれる場合もある。
法がある。第１の方法は、ダイオードＤＣスパッタリン
グ、ダイオードＲＦスパッタリング方法である。このシ
ステムでは、ターゲットは負電位に連結され、反応室内
の陽極は正電位になる。陰電荷のターゲットが電子を発
生させると、電子は陽極に加速される間、アルゴンガス
とぶつかってイオン化される。陽電荷にイオン化された
アルゴン原子は、ターゲットに加速されてスパッタリン
グを始める。イオン化されたアルゴンとターゲットは、
ダイオードを形成するので、ダイオード・スパッタリン
グと呼ばれる場合もある。
【０００４】第２の方法は、トライオード・スパッタリ
ング方法である。このシステムは、ガスをイオン化させ
るに必要な電子を出すために、別の高電流フィラメント
を有している。この方法の長所は、低い真空度でも使え
るということである。
ング方法である。このシステムは、ガスをイオン化させ
るに必要な電子を出すために、別の高電流フィラメント
を有している。この方法の長所は、低い真空度でも使え
るということである。
【０００５】第３方法は、マグネトロン・スパッタリン
グ方法である。このシステムは、ターゲットの後または
前に磁石を設置して、イオン化され、プラズマ放電に寄
与せず、漂う電子をターゲットの辺りに閉じ込めて置
く。従って、イオン化されたアルゴン原子のターゲット
への衝突によって発生するイオン電流が高く、他のシス
テムより、より早く膜が堆積される。
グ方法である。このシステムは、ターゲットの後または
前に磁石を設置して、イオン化され、プラズマ放電に寄
与せず、漂う電子をターゲットの辺りに閉じ込めて置
く。従って、イオン化されたアルゴン原子のターゲット
への衝突によって発生するイオン電流が高く、他のシス
テムより、より早く膜が堆積される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のスパッ
タリングは、下記のような問題点がある。第１は、大き
い運動量を有するアルゴンイオンが、セラミック物質の
ような柔軟性がなく、電気伝導度が低いターゲット物質
と衝突すると、ターゲット表面に機械的または静電気的
なストレスが起こって、パーティクル(particle)を引き
起こす。
タリングは、下記のような問題点がある。第１は、大き
い運動量を有するアルゴンイオンが、セラミック物質の
ような柔軟性がなく、電気伝導度が低いターゲット物質
と衝突すると、ターゲット表面に機械的または静電気的
なストレスが起こって、パーティクル(particle)を引き
起こす。
【０００７】第２は、大きいバイアス電圧がかかるスパ
ッタリングにおいては、反応性ガスの陰イオンが逆に、
基板を再スパッタリングして、膜の組成を変化させるこ
ともある。第３は、メタルターゲットに対して反応性ス
パッタリングする場合、スパッタリングされたメタル原
子がターゲット表面でのコサイン分布による散乱され、
堆積された層のステップカバレッジが優れていない。
ッタリングにおいては、反応性ガスの陰イオンが逆に、
基板を再スパッタリングして、膜の組成を変化させるこ
ともある。第３は、メタルターゲットに対して反応性ス
パッタリングする場合、スパッタリングされたメタル原
子がターゲット表面でのコサイン分布による散乱され、
堆積された層のステップカバレッジが優れていない。
【０００８】本発明は、このような問題点を解決するた
めのものであって、ステップカバレッジが優れた薄膜形
成方法を提供することが目的である。本発明の他の目的
は、スパッタリング・バイアス電圧を落とすことができ
る薄膜形成方法を提供することである。本発明のまた他
の目的は、ターゲット表面の機械的、静電気的なストレ
スを減少させることができる薄膜形成方法を提供するこ
とでる。本発明のまた他の目的は、反応性ガスによって
基板に影響を与える再スパッタリング効果を減少させる
薄膜形成方法を提供することである。
めのものであって、ステップカバレッジが優れた薄膜形
成方法を提供することが目的である。本発明の他の目的
は、スパッタリング・バイアス電圧を落とすことができ
る薄膜形成方法を提供することである。本発明のまた他
の目的は、ターゲット表面の機械的、静電気的なストレ
スを減少させることができる薄膜形成方法を提供するこ
とでる。本発明のまた他の目的は、反応性ガスによって
基板に影響を与える再スパッタリング効果を減少させる
薄膜形成方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜形成方法
は、チャンバ内にチャンバとウェーハを装着するステッ
プと、ターゲットと反応してターゲットを原子状態にす
る不活性ガスと、ターゲットと反応して分子状態の副生
成物を作るた反応性エッチングガスと、原子状態のター
ゲットおよび分子状態の副生成物と反応して、ウェーハ
上に薄膜を生成するための反応性スパッタガスとを供給
するステップと、これらのガスとターゲット物質との反
応を遂行して、ウェーハ上に薄膜を形成するステップと
を含んでいる。
は、チャンバ内にチャンバとウェーハを装着するステッ
プと、ターゲットと反応してターゲットを原子状態にす
る不活性ガスと、ターゲットと反応して分子状態の副生
成物を作るた反応性エッチングガスと、原子状態のター
ゲットおよび分子状態の副生成物と反応して、ウェーハ
上に薄膜を生成するための反応性スパッタガスとを供給
するステップと、これらのガスとターゲット物質との反
応を遂行して、ウェーハ上に薄膜を形成するステップと
を含んでいる。
【００１０】
【発明の実施の形態】このような本発明の薄膜形成方法
を、添付図面を参照して、より詳細に説明する。図１の
図示のように、スパッタ装置のチャンバ上には、電源供
給装置に連結されているターゲット（１）と、高温工程
時、ウェーハ（２）を固定させるサセプタ（３）と、薄
膜堆積のためのガスを流入させ、排出させる流入口（４
ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）と排気口（５）を備えている。
このとき、ターゲット物質は、セラミックまたはメタル
のいずれかにする。セラミックは、ＢＳＴＯ、ＳＴＯ、
ＰＬＺＴ、ＬＳＣＯ、ＹＢＣＯ、Ｙ1 のいずれかを使用
する。メタルは、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌのいずれかを使
用する。
を、添付図面を参照して、より詳細に説明する。図１の
図示のように、スパッタ装置のチャンバ上には、電源供
給装置に連結されているターゲット（１）と、高温工程
時、ウェーハ（２）を固定させるサセプタ（３）と、薄
膜堆積のためのガスを流入させ、排出させる流入口（４
ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）と排気口（５）を備えている。
このとき、ターゲット物質は、セラミックまたはメタル
のいずれかにする。セラミックは、ＢＳＴＯ、ＳＴＯ、
ＰＬＺＴ、ＬＳＣＯ、ＹＢＣＯ、Ｙ1 のいずれかを使用
する。メタルは、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌのいずれかを使
用する。
【００１１】このように構成されたスパッタ装置のチャ
ンバ内において、ウェーハに薄膜を形成する工程を説明
する。まず、ターゲット（１）が装着されたスパッタ装
置のチャンバ内にウェーハ（２）を設置する前、ウェー
ハ（２）をきれいに洗浄する。堆積が確実に行われるた
めには、きれいなウェーハ（２）が必須的であるためで
ある。そのウェーハ（２）をサセプタ（３）にローディ
ングした後、チャンバ内の空気を抜き、真空状態にす
る。
ンバ内において、ウェーハに薄膜を形成する工程を説明
する。まず、ターゲット（１）が装着されたスパッタ装
置のチャンバ内にウェーハ（２）を設置する前、ウェー
ハ（２）をきれいに洗浄する。堆積が確実に行われるた
めには、きれいなウェーハ（２）が必須的であるためで
ある。そのウェーハ（２）をサセプタ（３）にローディ
ングした後、チャンバ内の空気を抜き、真空状態にす
る。
【００１２】薄膜を堆積させるため、流入口（４ａ、４
ｂ、４ｃ、４ｄ）へガスを注入し、ウェーハを加熱す
る。流入口（４ａ）には、ターゲット（１）と反応する
不活性ガスを注入する。それにより、ターゲット（１）
を原子状態にする。他の流入口（４ｂ）には、ターゲッ
ト（１）と反応する反応性エッチングガスを注入して、
分子状態の副生成物を生成する。また他の流入口（４
ｃ、４ｄ）には、原子状態のターゲット（１）および分
子状態の副産物と反応して、ウェーハ（２）上に薄膜を
生成させるための反応性スパッタガスを注入する。
ｂ、４ｃ、４ｄ）へガスを注入し、ウェーハを加熱す
る。流入口（４ａ）には、ターゲット（１）と反応する
不活性ガスを注入する。それにより、ターゲット（１）
を原子状態にする。他の流入口（４ｂ）には、ターゲッ
ト（１）と反応する反応性エッチングガスを注入して、
分子状態の副生成物を生成する。また他の流入口（４
ｃ、４ｄ）には、原子状態のターゲット（１）および分
子状態の副産物と反応して、ウェーハ（２）上に薄膜を
生成させるための反応性スパッタガスを注入する。
【００１３】不活性ガスとしては、アルゴン（Ａｒ）を
使用し、反応性エッチングガスとしては、ＨＢｒ、Ｃｌ
2 のいずれか１つを使用する。反応性スパッタガスは、
Ｏ2、Ｎ2 のいずれか１つを使用する。加熱されるウェ
ーハ（１）は、反応性スパッタガスに活性エネルギーを
提供する役割をする。
使用し、反応性エッチングガスとしては、ＨＢｒ、Ｃｌ
2 のいずれか１つを使用する。反応性スパッタガスは、
Ｏ2、Ｎ2 のいずれか１つを使用する。加熱されるウェ
ーハ（１）は、反応性スパッタガスに活性エネルギーを
提供する役割をする。
【００１４】堆積物質の特性に影響を与えない不活性気
体のアルゴンは、ターゲット（１）の表面に衝突して、
堆積しようとする原子状態のターゲット物質を放出させ
る。反応性エッチングガスは、ターゲット物質と反応し
て、分子状態のターゲット物質を放出させる。アルゴン
によって放出された原子状態のターゲット物質と、反応
性エッチングガスによって放出された分子状態のターゲ
ット物質は、ウェーハ（２）で反応性スパッタガスと反
応して、安定した物質を形成しながら、ウェーハ（２）
に薄膜が堆積される。
体のアルゴンは、ターゲット（１）の表面に衝突して、
堆積しようとする原子状態のターゲット物質を放出させ
る。反応性エッチングガスは、ターゲット物質と反応し
て、分子状態のターゲット物質を放出させる。アルゴン
によって放出された原子状態のターゲット物質と、反応
性エッチングガスによって放出された分子状態のターゲ
ット物質は、ウェーハ（２）で反応性スパッタガスと反
応して、安定した物質を形成しながら、ウェーハ（２）
に薄膜が堆積される。
【００１５】この時、反応性スパッタガスは、反応性エ
ッチングガスより活性エネルギーがより大きく与えられ
る。すなわち、アルゴンが放出させた原子状態のターゲ
ット物質は、反応性スパッタガスと反応して、ウェーハ
（２）にスパッタが堆積されるとともに、反応性エッチ
ングガスが放出させた分子状態のターゲット物質は、反
応性スパッタガスと反応してウェーハ（２）に、化学気
相堆積（ＣＶＤ）のように薄膜が堆積される。ウェーハ
（２）の薄膜が、所望の厚さに達すると、ガスは排気口
（５）を通じて抜け出る。そして、ウェーハ（２）が取
り出される。
ッチングガスより活性エネルギーがより大きく与えられ
る。すなわち、アルゴンが放出させた原子状態のターゲ
ット物質は、反応性スパッタガスと反応して、ウェーハ
（２）にスパッタが堆積されるとともに、反応性エッチ
ングガスが放出させた分子状態のターゲット物質は、反
応性スパッタガスと反応してウェーハ（２）に、化学気
相堆積（ＣＶＤ）のように薄膜が堆積される。ウェーハ
（２）の薄膜が、所望の厚さに達すると、ガスは排気口
（５）を通じて抜け出る。そして、ウェーハ（２）が取
り出される。
【００１６】上記に説明したウェーハの薄膜形成工程を
より詳細に説明する。本発明において非常に重要な点は
２つである。第１は、反応性エッチングガスは、ターゲ
ット物質と、反応性スパッタガスにしたがって適切に使
用されなければならないということである。第２は、反
応性エッチングガスは、ターゲット物質と、反応性スパ
ッタガスとに反応して、化学気相堆積（ＣＶＤ）のよう
な効果を得ることができるということである。たとえ
ば、ターゲット物質がＴｉメタルの場合、反応性スパッ
タガスとしてはＮＨ3 、Ｈ2 が注入され、反応性エッチ
ングガスとしてはＣｌ2 が注入されなければならない。
従って、反応式は、 ＴｉＣｌX＋ＮＨ3＋Ｈ2→ＴｉＮ＋ＨＣｌ（排出） であって、ＴｉＮがウェーハに堆積される。ターゲット
物質がセラミックの場合、反応性エッチングガスはＨＢ
ｒ、Ｃｌ2 のいずれか１つを使用し、反応性スパッタガ
スはＯ2 かＮ2 の１つを使用する。セラミックとして
は、ＢＳＴＯ、ＳＴＯ、ＰＬＺＴ、ＬＳＣＯ、ＹＢＣ
Ｏ、Ｙ1 のいずれか１つを使用する。メタルはＴｉ以外
に、Ｔａ、Ｗ、Ａｌのいずれかを使用できる。
より詳細に説明する。本発明において非常に重要な点は
２つである。第１は、反応性エッチングガスは、ターゲ
ット物質と、反応性スパッタガスにしたがって適切に使
用されなければならないということである。第２は、反
応性エッチングガスは、ターゲット物質と、反応性スパ
ッタガスとに反応して、化学気相堆積（ＣＶＤ）のよう
な効果を得ることができるということである。たとえ
ば、ターゲット物質がＴｉメタルの場合、反応性スパッ
タガスとしてはＮＨ3 、Ｈ2 が注入され、反応性エッチ
ングガスとしてはＣｌ2 が注入されなければならない。
従って、反応式は、 ＴｉＣｌX＋ＮＨ3＋Ｈ2→ＴｉＮ＋ＨＣｌ（排出） であって、ＴｉＮがウェーハに堆積される。ターゲット
物質がセラミックの場合、反応性エッチングガスはＨＢ
ｒ、Ｃｌ2 のいずれか１つを使用し、反応性スパッタガ
スはＯ2 かＮ2 の１つを使用する。セラミックとして
は、ＢＳＴＯ、ＳＴＯ、ＰＬＺＴ、ＬＳＣＯ、ＹＢＣ
Ｏ、Ｙ1 のいずれか１つを使用する。メタルはＴｉ以外
に、Ｔａ、Ｗ、Ａｌのいずれかを使用できる。
【００１７】
【発明の効果】本発明の薄膜形成方法の効果は以下のと
おりである。第１は、反応性スパッタ堆積と化学気相堆
積が加えられて薄膜が形成されるので、薄膜表面の移動
度が増加し、ステップカバレッジが向上する。第２は、
アルゴンによるスパッタリングと、反応性エッチングガ
スによる反応性エッチングを共に利用して、ターゲット
からターゲット物質を取り去るので、スパッタリング・
バイアス電圧を落とすことができる。第３は、ターゲッ
ト物質としてセラミックを用いた場合、軟性がないセラ
ミックターゲット表面の機械的、静電気的ストレスをア
ルゴンにより減少させることができる。第４は、セラミ
ックターゲットの使用時、機械的、静電気的ストレスに
よるパーティクル特性を改善する。第５は、アルゴンに
よるスパッタリングと反応性エッチングガスによる反応
性エッチングを共に利用するので、スパッタリング率が
増加する。第６は、反応性スパッタガスの陰イオンが、
逆に基板に影響を与える再スパッタリング現象を減らす
ことができる。
おりである。第１は、反応性スパッタ堆積と化学気相堆
積が加えられて薄膜が形成されるので、薄膜表面の移動
度が増加し、ステップカバレッジが向上する。第２は、
アルゴンによるスパッタリングと、反応性エッチングガ
スによる反応性エッチングを共に利用して、ターゲット
からターゲット物質を取り去るので、スパッタリング・
バイアス電圧を落とすことができる。第３は、ターゲッ
ト物質としてセラミックを用いた場合、軟性がないセラ
ミックターゲット表面の機械的、静電気的ストレスをア
ルゴンにより減少させることができる。第４は、セラミ
ックターゲットの使用時、機械的、静電気的ストレスに
よるパーティクル特性を改善する。第５は、アルゴンに
よるスパッタリングと反応性エッチングガスによる反応
性エッチングを共に利用するので、スパッタリング率が
増加する。第６は、反応性スパッタガスの陰イオンが、
逆に基板に影響を与える再スパッタリング現象を減らす
ことができる。
【図１】 チャンバを有するスパッタ装置内において、
薄膜形成を示す構造断面図である。
薄膜形成を示す構造断面図である。
１： ターゲット ２： ウェーハ ３： サセプタ ４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ： 流入口 ５： 排気口
Claims (8)
- 【請求項１】 チャンバ内にターゲットとウェーハを装
着するステップと、 上記ターゲットと反応して、ターゲットを原子状態にす
る不活性ガスと、上記ターゲットと反応して、分子状態
の副生成物を作り出す反応性エッチングガスと、上記原
子状態のターゲットおよび、分子状態の副生成物と反応
して、上記ウェーハ上に薄膜を生成するための反応性ス
パッタガスを供給するステップと、 上記ガスとターゲットの物質との反応を遂行して、上記
ウェーハ上に薄膜を形成するステップとを備えることを
特徴とする、チャンバを有するスパッタ装置を利用した
薄膜形成方法。 - 【請求項２】 反応性エッチングガスは、ＨＢｒ、Ｃｌ
2 のいずれか１つを使用することを特徴とする請求項１
記載のチャンバを有するスパッタ装置を利用した薄膜形
成方法。 - 【請求項３】 不活性ガスは、アルゴンを使用すること
を特徴とする請求項１または２記載のチャンバを有する
スパッタ装置を利用した薄膜形成方法。 - 【請求項４】 反応性スパッタガスは、Ｏ2、Ｎ2のいず
れか１つを使用することを特徴とする請求項１、２また
は３記載のチャンバを有するスパッタ装置を利用した薄
膜形成方法。 - 【請求項５】 ターゲットは、セラミックまたはメタル
のいずれか１つを使用することを特徴とする請求項１〜
４のいずれかに記載の、チャンバを有するスパッタ装置
を利用した薄膜形成方法。 - 【請求項６】 セラミックは、ＢＳＴＯ、ＳＴＯ、ＰＬ
ＺＴ、ＬＳＣＯ、ＹＢＣＯ、Ｙ1 のいずれか１つを使用
することを特徴とする請求項５に記載のチャンバを有す
るスパッタ装置を利用した薄膜形成方法。 - 【請求項７】 メタルは、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌのいず
れか１つを使用することを特徴とする請求項５に記載の
チャンバを有するスパッタ装置を利用した薄膜形成方
法。 - 【請求項８】 反応性スパッタガスの活性エネルギー
は、反応性エッチングガスの活性エネルギーより大きい
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のスパ
ッタ装置を利用した薄膜形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR11067/1996 | 1996-04-12 | ||
| KR1019960011067A KR100277849B1 (ko) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 챔버를 갖는 스퍼터 장치를 이용한 박막형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09279336A true JPH09279336A (ja) | 1997-10-28 |
Family
ID=19455623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8293178A Pending JPH09279336A (ja) | 1996-04-12 | 1996-10-16 | 薄膜形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5792324A (ja) |
| JP (1) | JPH09279336A (ja) |
| KR (1) | KR100277849B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4137277B2 (ja) * | 1999-04-15 | 2008-08-20 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
| KR100388294B1 (ko) * | 2000-08-30 | 2003-06-19 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 회로기판용 폴리이미드 위에 금속 박막을 증착하는 방법 |
| GB0108782D0 (en) * | 2001-04-07 | 2001-05-30 | Trikon Holdings Ltd | Methods and apparatus for forming precursors |
| JP4993294B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2012-08-08 | 富士フイルム株式会社 | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 |
| EP2811508B1 (en) | 2013-06-07 | 2019-04-24 | Soleras Advanced Coatings bvba | Gas configuration for magnetron deposition systems |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05109655A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Applied Materials Japan Kk | Ｃｖｄ−スパツタ装置 |
| US5415756A (en) * | 1994-03-28 | 1995-05-16 | University Of Houston | Ion assisted deposition process including reactive source gassification |
| KR0161376B1 (ko) * | 1994-05-24 | 1999-02-01 | 김광호 | 금속배선 형성방법 및 이에 사용되는 스퍼터링 장치 |
-
1996
- 1996-04-12 KR KR1019960011067A patent/KR100277849B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-07-11 US US08/678,698 patent/US5792324A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-16 JP JP8293178A patent/JPH09279336A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5792324A (en) | 1998-08-11 |
| KR100277849B1 (ko) | 2001-01-15 |
| KR970072050A (ko) | 1997-11-07 |
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