JP4137277B2 - スパッタリング装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はスパッタリング装置の技術分野にかかり、特に、マルチカソードのスパッタリング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、スパッタリング装置は、半導体装置や液晶表示装置の技術分野において、金属薄膜や絶縁膜を形成するために広く使用されている。
【0003】
図10(a)の符号102は、従来技術のスパッタリング装置を示している。
このスパッタリング装置102は、真空槽111を有しており、該真空槽111の底壁上には基板配置部113が配置され、真空槽111の天井付近の基板配置部113上方位置には、ターゲットホルダ115が配置されている。このターゲットホルダ115の基板配置部113側の表面には、円筒形形状のシールド筒106が複数個立設されている(この図では、3個のシールド筒1061〜1063が示されている)。
【0004】
各シールド筒1061〜1063内には、ターゲット1051〜1053が1個ずつ配置されており、基板配置部113上に成膜対象の基板を配置したときに、その基板と各ターゲット115とが向き合うように構成されている。
【0005】
このスパッタリング装置102でスパッタリングを行った場合、各ターゲット1051〜1053から放出されたスパッタリング粒子のうち、ターゲット1051〜1053から斜めに飛び出したものは、シールド筒106壁面に付着し、垂直に飛び出したものだけがシールド筒106を通過できる。
【0006】
図10(b)の符号112は、基板配置部113上に載置した基板を示しており、シールド筒106を通過したスパッタリング粒子が基板112に入射すると、そのスパッタリング粒子と基板112表面とが成す角度は、最小でφになっている(入射角はπ/2−φ)。この角度φで入射する場合に、スパッタリング粒子の入射角が最大になる。
【0007】
ターゲットホルダ115の裏面には、回転軸117が取り付けられている。この回転軸117は真空槽111外に気密に導出されており、回転軸117を回転させるとターゲットホルダ115が回転し、各ターゲット1051〜1053が基板配置部113に対して平行に、水平回転できるようにされている。符号118は、その回転軸線である。
【0008】
上記のようなスパッタリング装置102では、ターゲットホルダ115を回転させながらスパッタリングを行うと、基板112表面への入射角が小さい状態で、基板112表面に薄膜が均一に成膜される。従って、高アスペクト比の微細孔内にも均一に成膜することができる。
【0009】
しかしながらシールド筒1061〜1063の内壁にスパッタリング粒子が付着するため、その部分に薄膜が形成されてしまい、剥離するとパーティクルになるという問題がある。また、パーティクルが発生しないような表面処理をシールド筒1061〜1063の内壁面に施そうとしても、筒内部には溶射ガンが入らないため困難である。
【0010】
また、反応性スパッタリングを行う場合、シールド筒1061〜1063内には、スパッタリングガスだけでなく、反応性のガスも侵入してしまうため、金属ターゲット表面が窒化してしまい(例えば、Tiターゲット表面にTiNが形成されてしまう)、スパッタ率が落ち、成膜速度が低下してしまうという問題がある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、円筒シールドを用いずに、入射角を小さくできるスパッタリング装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項1記載の発明は、真空槽と、前記真空槽内に配置された基板配置部と、前記基板配置部と対向して配置された複数のターゲットとを有し、前記基板配置部と前記複数のターゲットとの間には、複数の孔が形成されたシールド板が、複数枚間隔を開けて配置されたスパッタリング装置であって、前記基板配置部と前記ターゲットとの間に配置され、一方の開口部分が前記基板配置部側に向けられ、他方の開口部分が前記ターゲット側に向けられた防着筒を有し、前記各シールド板は、前記防着筒に着脱可能に取り付けられ、前記防着筒の外周部分にはシールドリングが配置され、該シールドリングと前記シールド板とで、前記真空槽内の空間が、前記ターゲットホルダ側と前記基板載置側に区分けされ、スパッタリングガスを導入できる第1のガス導入口が前記各ターゲット側に配置され、反応性ガスを導入できる第2のガス導入口が前記基板配置部側に配置されたことを特徴とする。
【0013】
請求項2記載の発明は、請求項1記載のスパッタリング装置であって、前記各シールド板に設けられた孔は、前記各ターゲットの法線上に配置されたことを特徴とする。
【0014】
請求項3記載の発明は、請求項1又は請求項2のいずれか1項記載のスパッタリング装置であって、前記基板配置部上に載置された基板は、前記各ターゲットと前記各シールド板に対し、相対的に回転できるように構成されたことを特徴とする。
【0015】
請求項4記載の発明は、請求項3記載のスパッタリング装置であって、前記各ターゲットはターゲットホルダに取り付けられ、前記各シールド板は、前記ターゲットホルダが回転すると、一緒に回転するように構成されたことを特徴とする。
【0019】
請求項5記載の発明は、請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載のスパッタリング装置であって、前記スパッタリングガスは、前記各ターゲットと前記シールド板との間から、前記各ターゲット表面に進入できるように構成されたことを特徴とする。
【0020】
本発明は上記のように構成されており、真空槽内に基板配置部が設けられており、該基板配置部と対向する位置に、複数のターゲットが配置されている。基板載置部とターゲットの間には複数のシールド板がターゲットに対して平行に、互いに間隔を開けて配置されている。各シールド板には、各ターゲットと対向する位置(即ち、各ターゲット表面の法線上)に、それぞれ孔が設けられており、各ターゲットは孔を介して基板配置部と面するように構成されている。
【0021】
ターゲットから飛び出したスパッタリング粒子のうち、垂直かそれに近い角度で飛び出したものだけが孔を通過し、基板配置部上に載置された基板表面に到達することができる。斜めに飛び出したスパッタリング粒子は、シールド板で遮蔽され、その表面に付着するので、基板に到達できない。従って、基板には、入射角の小さいスパッタリング粒子だけが入射するため、高アスペクトの微細孔及び微細溝内に薄膜を形成することが可能になる。
【0022】
基板配置部上に載置した基板と、各ターゲットとが、平行な状態で相対的に回転できるように構成しておくと、基板表面の有効領域全体に均一に薄膜を形成することが可能になる。
【0023】
ターゲットが設けられたターゲットホルダにシールド筒を取り付け、シールド筒内でスパッタリングを行うようにすると、真空槽にスパッタリング粒子が付着しないで済む。シールド板はシールド筒に着脱自在に取り付けておけば、清掃が容易である。
【0024】
また、シールド筒ではなく、シールド板を用いているので、ターゲットやターゲットホルダと、ターゲットに最も近いシールド板との間に隙間を設けることができる。この場合、スパッタリングガスを基板よりもターゲットに近い位置から導入し、反応性ガスを基板に近い位置から導入し、基板に近い位置から真空排気すると、ターゲットが反応性ガスに曝されないので、ターゲット表面が変質することはない。
【0025】
この場合、また、防着筒に設けたシールドリングやシールド板により、真空槽内の空間を、ターゲット側と基板配置部側に区分けしておくと、ターゲット表面の変質は一層確実に防止できる。
【0026】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態を図面を用いて説明する。
図1を参照し、符号2は、本発明の一例のスパッタリング装置を示している。このスパッタリング装置2は、真空槽11を有している。
【0027】
該真空槽11の底壁側には基板配置部13が水平に配置されており、天井側の基板配置部13の上方位置には、ターゲットホルダ15が水平に配置されている。
【0028】
図3の符号71〜79は9個のカソード電極を示している。各カソード電極71〜79は、ターゲットホルダ15の、基板配置部13に向けられた表面に設けられており、各カソード電極71〜79には、ターゲット51〜59が1個ずつ配置されている。図1、2に示した部分は、図3のA−A線截断面図に相当し、3個のカソード電極71〜73及びターゲット51〜53が示されている。
【0029】
ターゲットホルダの周辺部分には複数本の柱が鉛直に取り付けられており(ここでは柱は図示しない。)、その柱の下端部分には、シールド装置20が取り付けられている。
【0030】
シールド装置20は、円筒状の防着筒25と、円盤状の第1〜第3のシールド板21、22、23とを有している。
【0031】
防着筒25は、ターゲットホルダ15と略同程度の径に形成されており、一方の開口部を基板配置部13に向け、他方の開口部をターゲットホルダ15に向けた状態で、基板配置部13とターゲットホルダ15との間に配置されている。
【0032】
第1のシールド板21と第3のシールド板23とは、防着筒25の上部と下部にそれぞれ配置されており、防着筒25の開口部分を塞ぐように取り付けられている。第2のシールド板22は、防着筒25の内部中央位置に配置され、外周部分を防着筒25の内壁面に密着して取り付けられている。
【0033】
第1〜第3のシールド板21〜23には、ターゲット51〜59と同数の孔がそれぞれ形成されている。第1〜第3のシールド板21〜23に形成された複数の孔を、それぞれ符号31、32、33で示す。
【0034】
図4の符号321〜329は第2のシールド板22に形成され9個の孔を示している。各孔321〜329同士の相対位置は、ターゲット51〜59間の相対位置と同じになるようにされている。同様に、第1のシールド板21に設けられた孔31同士の相対位置と、第3のシールド板23に設けられた孔33同士の相対位置も、ターゲット51〜59間の相対位置と同じになるようにされている。
【0035】
第1〜第3のシールド板21〜23は、基板配置部13及びターゲット51〜59に対して平行にされており、各シールド板21〜23の孔31、32、33は、ターゲット51〜59の法線上に位置するように配置されている。従って、各ターゲット51〜59は、第1〜第3のシールド板21〜23の孔31〜33を介して、基板配置部13と平行に向き合うようになっている。図1の符号39は、図面左端のターゲット51の法線の1つを示している。
【0036】
ターゲットホルダ15の裏面には、回転軸17が鉛直に取り付けられ、真空槽11外に気密に導出されており、回転軸17を回転させると、真空槽11内部の真空雰囲気を維持した状態で、ターゲットホルダ15を水平回転させられるように構成されている。図3の符号59はターゲットホルダ15の中心点を示しており、各ターゲット51〜59は、この中心点59を中心に水平回転することになる。
【0037】
ターゲットホルダ15が回転すると、カソード電極71〜79、ターゲット51〜59、シールド装置20が一緒に回転し、各ターゲット51〜59は孔31〜33を介して、基板配置部13に面した状態で回転するように構成されている。
【0038】
防着筒25の上部外周部分には、第1のシールドリング26が設けられており、真空槽11の壁面のシールド装置20の上端付近には、第2のシールドリング27が設けられている。従って、第1のシールド板21、及び第1,第2のシールドリング26、27によって、防着筒25と真空槽11壁面の間の空間が上下に分離される。第1,第2のシールドリング26、27は、非接触の状態にあり、防着筒25が回転しても、摺動しないようになっている。
【0039】
真空槽11内の、第1のシールド板21と第1,第2のシールドリング26、27によって仕切られた部分のうち、ターゲットホルダ15側に位置する真空槽11の壁面には、スパッタリングガス導入口(第1のガス導入口)51が設けられており、基板配置部13側の壁面(又は底面)には、反応性ガス導入口(第2のガス導入口)52と排気口14とが設けられている。
【0040】
上記のようなスパッタリング装置2を用いてTiN薄膜を形成する場合を説明する。各ターゲット51〜59は、Ti金属で構成されたものを用いる。
【0041】
先ず、真空ポンプを動作させ、排気口14から真空槽11内部を真空排気しておき、真空雰囲気を維持しながら基板を搬入し、基板配置部13上に載置する。図1、2の符号12は、その状態の基板を示している。
【0042】
回転軸17を回転させると共に、スパッタリングガス導入口51からArガスを導入し、反応性ガス導入口52からN2ガスを導入する。図1の符号53の矢示はArガスの流れる方向を示しており、符号54の矢示はN2ガスの流れる方向を示している。
【0043】
Arガスは、ターゲット51〜59付近で導入され、第1〜第3のシールド板21〜23の孔31〜33を通って真空槽11外に排出されるため、ターゲット51〜59付近はArガス雰囲気になる。
他方、N2ガスは基板12付近で導入され、排気口14から排気されるため、ターゲット51〜59側には流れないようになっている。
【0044】
真空槽11と、防着筒25と、第1〜第3のシールド板21〜23と、第1,第2のシールドリング26、27は金属(ステンレス:SUS304)で構成されており、接地電位に置かれている。
【0045】
Arガス及びN2ガスを導入し、真空槽11内部の圧力が安定した後、カソード電極71〜79に電圧を印加すると、ターゲット51〜59表面は主としてアルゴンガスのプラズマが形成され、ターゲット51〜59表面がスパッタリングされる。
【0046】
ターゲット51〜59表面から飛び出したTi粒子(Ti原子やTi原子のクラスタ)のうち、ターゲット51〜59表面から垂直に飛び出したものは、第1〜第3のシールド板21〜23の孔31、32、33を通過し、基板12表面に到達する。基板12表面はN2ガスを含む雰囲気になっており、Ti粒子は基板12表面上でN2ガスと反応し、TiN薄膜を成長させる。
【0047】
他方、ターゲット51〜59表面から斜めに飛び出したTi粒子は、シールド板21〜23の表面に付着し、基板12表面に到達できない。
【0048】
図2の符号82の点線は、ターゲット51の端部から飛び出し、基板12表面へ入射したTi粒子の軌跡を示している。このTi粒子の入射角が最も大きくなっており、ここではそのTi粒子と基板12表面とが成す角度がθで示されている。
【0049】
基板12表面のうち、図2の符号10で示した領域の鉛直軸線上には、ターゲットは配置されておらず、シールド板21〜23の孔21〜23が位置していないが、領域10には、隣接する2個以上のターゲット51、52から飛び出したTi粒子が入射している。
【0050】
各ターゲット51〜59は、シールド板21〜23と一緒に回転するので、ターゲット51〜59が1回転するうちに、基板12表面の大部分は少なくとも1回以上ターゲット51〜59と対向し、基板12表面に均一にTiN薄膜が成長するようになっている。
【0051】
このスパッタリング装置2の、各ターゲット51〜59の中心とターゲットホルダ15の中心との距離、その距離に配置されたターゲットの個数を下記表1に示す。
【0052】
【表1】
【0053】
ここで用いた基板12の直径は200mm、ターゲット51〜59の直径は50mm、ターゲット51〜59と基板12との距離は150mmである。また、ターゲット51〜59と、第1〜第3のシールド板21〜23の距離は、それぞれ35mm、65mm、110mmに設定されている。
【0054】
本発明のスパッタリング装置2では、Ti粒子の入射角が小さいため(図2の角度θは大きい。)、高アスペクト比の微細孔内にTiN薄膜を形成することができた。また、ターゲット51〜59を回転させたため、基板12表面に、±3.2%の膜厚分布でTiN薄膜を形成することができた。
【0055】
このスパッタリング装置2を用い、Arガス流量を約15sccmに設定し、各ターゲット51〜59への投入電力を上記表1に示した条件にし、N2ガス流量を変えてTiN薄膜を形成した。その結果を図5の実線のグラフに示す。N2ガス流量を増加させても成膜速度は低下しないことが分かる。
【0056】
比較のため、図10(a)に示したスパッタリング装置102に、ArガスとN2ガスの混合ガスを導入してTiN薄膜を形成した。その結果は図5の点線のグラフで示す。従来技術のスパッタリング装置102では、N2ガスの導入量を増やすと成膜速度が急激に低下することが分かる。
【0057】
次に、図6の実線は、本発明のスパッタリング装置2の、真空槽11内の圧力と放電維持電圧の関係を示すグラフである。点線は従来技術のスパッタリング装置102の場合である。
【0058】
この図6のグラフからは、本発明のスパッタリング装置2では、ターゲット51〜59表面にアルゴンガスが有効に導入されるため、低圧力での放電が可能であることが分かる。
【0059】
また、図7の実線は、本発明のスパッタリング装置2の場合の、ターゲット51〜59への印加電圧と、流れる電流の関係を示したグラフである。同図点線は従来技術のスパッタリング装置102の場合である。
【0060】
図7のグラフからは、カソードの電気抵抗が本発明の方が低く、放電が安定していることが分かる。
【0061】
次に、図8の実線は、本発明を用いた場合の、基板12表面に形成された微細孔内の薄膜の非対称性及びボトムカバレッジと、基板中心からの距離の関係を示すグラフである。横軸は、基板12の中心からの微細孔の位置を示している。
【0062】
図8の非対称性AとボトムカバレッジBは、図9に示すように、基板の微細孔が形成されていない部分の表面の膜厚をF、微細孔19内に形成された薄膜の両端位置の膜厚をL、Rとし、次式、
A = R/L
B = ((R+L)/2)/F×100
で算出した。
【0063】
図8のグラフから分かるように、本発明のスパッタリング装置2では、基板面内の非対称性が均一に低くなっており、また、ボトムカバレッジのバラツキも小さくなっている。
【0064】
なお、上記のシールド板21〜23表面には、Ti粒子が付着するので、剥離してパーティクル発生源になる前に、防着筒25から取り外し、洗浄するとよい。
【0065】
上述した本発明のスパッタリング装置2では、ターゲットホルダ15を回転させることにより、カソード電極71〜79、ターゲット51〜59、及び第1〜第3のシールド板21〜23を一緒に回転させたが、それらを静止させておき、基板配置部13を回転させることで、基板12をターゲットホルダ15に対して回転させてもよい。
【0066】
また、本発明のシールド装置20は、反応性スパッタリングだけではなく、スパッタリング装置に広く用いることができる。
【0067】
【発明の効果】
本発明のスパッタリング装置によれば、高アスペクト比の微細孔内に均一に薄膜を形成することができる。シールド板の洗浄が簡単であり、パーティクルが発生しない。
また、真空槽内に反応性ガスを導入してもターゲット表面が変質しないので、成膜速度を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のスパッタリング装置の一例を説明するための図
【図2】そのスパッタリング装置のスパッタリング粒子の入射状態を説明するための図
【図3】ターゲット及びカソード電極の配置状態を説明するための図
【図4】シールド板に形成された孔の配置状態を説明するための図
【図5】N2ガスと成膜速度の関係を示すグラフ
【図6】真空槽内の圧力と放電開始電圧の関係を示すグラフ
【図7】ターゲットへの印加電圧と流れる電流の関係を示すグラフ
【図8】基板面内における非対称性とボトムカバレッジの関係を示すグラフ
【図9】非対称性及びボトムカバレッジの算出方法を説明するための図
【図10】(a):従来技術のスパッタリング装置を説明するための図
(b):そのスパッタリング装置のスパッタリング粒子の入射状態を説明するための図
【符号の説明】
2……スパッタリング装置 51〜59……ターゲット 11……真空槽 13……基板配置部 15……ターゲットホルダ 21〜23……シールド板 26、27……シールドリング 31、32、33……孔 39……法線 51……第1のガス導入口 52……第2のガス導入口
Claims (5)
- 真空槽と、
前記真空槽内に配置された基板配置部と、
前記基板配置部と対向して配置された複数のターゲットとを有し、
前記基板配置部と前記複数のターゲットとの間には、複数の孔が形成されたシールド板が、複数枚間隔を開けて配置されたスパッタリング装置であって、
前記基板配置部と前記ターゲットとの間に配置され、一方の開口部分が前記基板配置部側に向けられ、他方の開口部分が前記ターゲット側に向けられた防着筒を有し、
前記各シールド板は、前記防着筒に着脱可能に取り付けられ、
前記防着筒の外周部分にはシールドリングが配置され、該シールドリングと前記シールド板とで、前記真空槽内の空間が、前記ターゲットホルダ側と前記基板載置側に区分けされ、
スパッタリングガスを導入できる第1のガス導入口が前記各ターゲット側に配置され、
反応性ガスを導入できる第2のガス導入口が前記基板配置部側に配置されたことを特徴とするスパッタリング装置。 - 前記各シールド板に設けられた孔は、前記各ターゲット表面の法線上に配置されたことを特徴とする請求項1記載のスパッタリング装置。
- 前記基板配置部上に載置された基板は、前記各ターゲットと前記各シールド板に対し、相対的に回転できるように構成されたことを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれか1項記載のスパッタリング装置。
- 前記各ターゲットはターゲットホルダに取り付けられ、
前記各シールド板は、前記ターゲットホルダが回転すると、一緒に回転するように構成されたことを特徴とする請求項3記載のスパッタリング装置。 - 前記スパッタリングガスは、前記各ターゲットと前記シールド板との間から、前記各ターゲット表面に進入できるように構成されたことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載のスパッタリング装置。
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