JPH06172974A

JPH06172974A - 物理的気相成長装置およびこれを用いた薄膜形成方法

Info

Publication number: JPH06172974A
Application number: JP16506392A
Authority: JP
Inventors: Junichi Sato; 淳一佐藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-06-23
Filing date: 1992-06-23
Publication date: 1994-06-21

Abstract

(57)【要約】【目的】コリメータ・スパッタリングにおいて、高融
点金属粒子によるコリメータの目詰まりを軽減し、バリ
ヤメタル成膜の再現性とスパッタリング装置のメンテナ
ンス性を高める。【構成】平行平板型スパッタリング装置のコリメータ
Ｃ₁を２枚のメッシュ板１２，１３を平行に離間させ、
枠部で保持した構成とする。基板に対する各メッシュ板
の開孔の垂直投影が一致されているので、垂直入射する
材料粒子２３ａの進路は何ら阻害されない。また、隣接
するセル１４同士が側面で連通しているので、斜め入射
した材料粒子２３ａが従来のようにセル壁に付着するこ
とがない。Ｔｉ層の成膜に適用すれば、アスペクト比の
高い微細な接続孔の内奥部にもＴｉ層が均一に被着さ
れ、後工程において接続孔をＡｌ−１％Ｓｉ層で均一に
埋め込むことが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造工程等
において用いられる物理的気相成長装置およびこれを用
いた薄膜形成方法に関し、特にコリメータ・スパッタリ
ング法においてコリメータの目詰まりを防止しながら再
現性の高い薄膜形成を可能とする装置および方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年のＶＬＳＩ，ＵＬＳＩ等にみられる
ように、半導体装置のデザイン・ルールが高度に縮小さ
れるに伴い、下層配線と上層配線の接続を図るために層
間絶縁膜に開口される接続孔の開口径も微細化し、アス
ペクト比が１を越えるようになってきている。上層配線
は一般にスパッタリング法によりアルミニウム（Ａｌ）
系材料を被着させることにより形成されているが、かか
る高アスペクト比を有する接続孔を埋め込むにはもはや
十分な段差被覆性（ステップ・カバレッジ）が達成され
にくく、断線を生ずる原因ともなっている。

【０００３】そこで、段差被覆性の不足を改善するため
の対策として、近年、高温バイアス・スパッタリング法
が提案されている。この技術は、たとえば月刊セミコン
ダクター・ワールド１９８９年１２月号１８６〜１８８
ページ（プレスジャーナル社刊）、あるいはＩＥＥＥ／
ＩＲＰＳ（１９８９年）２１０〜２１４ページ等に紹介
されているように、ウェハをヒータ・ブロック等を介し
て数百℃に加熱し、かつ該ヒータ・ブロックを介してＲ
Ｆバイアスを印加しながらスパッタリングを行うもので
ある。この方法によれば、高温によるＡｌのリフロー効
果とバイアス印加によるイオン衝撃とにより段差被覆性
を改善し、平坦な表面を有するＡｌ系材料層を形成する
ことができる。これらの論文には、Ａｌ系材料層の下地
としてチタン（Ｔｉ）層を設けた場合に、該Ｔｉ層がＡ
ｌ原子の表面移動（マイグレーション）に寄与して優れ
た段差被覆性（ステップ・カバレッジ）が達成されるこ
とが報告されている。この場合、Ａｌ系材料層はＴｉ層
との界面で反応しながら接続孔の内部にまで徐々に引き
込まれていくものと考えられている。

【０００４】ところで、Ｔｉ層をＡｌ系材料層の下地と
して設ける場合、接続孔の埋め込み性の良否はＴｉ層の
段差被覆性の良否に依存している。つまり、接続孔の側
壁面にもある程度の厚さにＴｉ層が被着されていない
と、Ａｌ系材料層と十分に反応してこれを接続孔内部に
まで引き込むことができないのである。たとえば、図６
（ａ）に示されるようなウェハ３において、下層配線２
０上の層間絶縁膜２１に開口されたアスペクト比の高い
接続孔２２を埋め込む場合を考える。ここで、図６
（ｂ）に示されるように下地となるＴｉ層２３の段差被
覆性が悪く、接続孔２２の側壁面の下方や底面上でＴｉ
層２３の膜厚が薄くなっていると、たとえ高温スパッタ
リングによりＡｌ系材料層２４で接続孔２２を埋め込も
うとしても、図６（ｃ）に示されるように鬆（す）２５
が発生してしまう。

【０００５】しかしながら、Ｔｉ層２３をアスペクト比
の高い接続孔２２の内部に均一に被着させることは容易
ではない。これは、接続孔２２の軸方向（ウェハ３の法
線方向）に対して比較的大きな入射角をもって斜めに入
射するＴｉ粒子が接続孔２２の開口端付近に付着してこ
の部位のＴｉ層２３の厚さを増大させ、このＴｉ層２３
による遮蔽（シャドウイング）効果により後から飛来す
るＴｉ粒子が接続孔の内奥部にまで到達しにくくなるか
らである。スパッタリングの場合、ターゲットからスパ
ッタ・アウトされる粒子は電気的に中性なので、粒子の
運動方向を電界により制御することはできない。しか
も、Ｔｉは融点が１６６０℃と高いため、これをリフロ
ーさせ得る温度域にまでウェハを加熱する高温スパッタ
リングは到底行うことができない。

【０００６】そこで、スパッタリングにおける高融点金
属の段差被覆性を改善する技術として、コリメータ・ス
パッタリング法が提案されている。これは、ターゲット
とウェハの間にコリメータと呼ばれるスノコ状の治具を
介在させ、ウェハの法線方向を中心としたある一定の立
体角の範囲内で入射する粒子のみを通過させてウェハへ
到達させる技術である。

【０００７】たとえば、本願出願人は先に特開昭６２−
１０９２３２号公報において、垂直磁気記録媒体の磁性
薄膜の初期成膜にコリメータ・スパッタリングを適用
し、ベース・フィルム上におけるＣｏ−Ｃｒ合金薄膜の
結晶配向性を改善する技術を開示した。

【０００８】また、同じく本願出願人は先に特願平３−
３０９６３３号明細書において、接続孔を被覆するＴｉ
層の成膜にコリメータ・スパッタリングを適用し、Ｔｉ
膜の段差被覆性を改善し、その結果としてＡｌ系材料層
による良好な接続孔の埋め込みを達成する技術を提案し
ている。ここで、上記コリメータ・スパッタリングに用
いられる平行平板型スパッタリング装置の一構成例を図
４に示す。図４（ａ）はこの装置の概略断面図であり、
図４（ｂ）はコリメータの概略平面図である。

【０００９】図４（ａ）に示されるこの装置において、
クライオポンプ２により高真空排気されるチャンバ１の
内部には、上部に成膜材料であるターゲット５が、底部
に該ターゲット５と平行に対向するごとくサセプタ６が
配され、該サセプタ６上にクランプ７によりウェハ３が
固定されている。チャンバ１の外部でサセプタ６の裏面
側にはヒータ・ブロック８が接触配置され、ウェハ３を
サセプタ６を介して所定の温度に加熱できるようになさ
れている。また、このヒータ・ブロック８による加熱効
率を向上させるために、サセプタ６の裏面側からは加熱
ガス導入管９を介して矢印Ｂ方向から加熱用ガスが導入
され、サセプタ６に埋設される配管を通じてウェハ３の
裏面に向けて放出されるようになされている。この加熱
用ガスとしては、通常Ａｒ等の不活性ガスが使用され
る。また、ターゲット５にはＤＣバイアスを印加するた
めのＤＣ電源１０が接続されており、これにより矢印Ａ
方向から上部ガス導入管４を通じて導入されるスパッタ
リング・ガスをターゲット５に衝突させる。このスパッ
タリング・ガスとしても、通常Ａｒ等の不活性ガスが使
用される。

【００１０】上記ターゲット５と上記ウェハ３の中間に
は、図４（ｂ）に示されるようなコリメータＣ₃が、双
方に対して平行となるように設置されている。このコリ
メータＣ₃は円形のメッシュ状部材であり、メッシュ隔
壁１１により相互に隔離されるメッシュの目、つまり個
々の開口部はセル１１ａと呼ばれる。コリメータＣ₃の
外形寸法はターゲット５とウェハ３のいずれよりも大き
く設定されている。

【００１１】このコリメータＣ₃による材料粒子の選別
機構は、図５（ａ）のように説明される。ここでは、材
料粒子がＴｉ粒子である場合について考える。この図
は、コリメータＣ₃の一部を拡大し、メッシュ隔壁１１
とセル１１ａの断面を模式的に表したものである。この
ように個々のセル１１ａの断面形状が矩形の場合、この
セル１１ａを通過し得るＴｉ粒子２３ａの最大入射角θ
とセル１１ａのアスペクト比Ｌ／Ｗ（ただし、Ｌはセル
１１ａの長さ，Ｗは幅を表す。）との間には、ｔａｎθ
＝（Ｌ／Ｗ）^-1の関係が成り立つ。たとえば、アスペク
ト比が１．７３であれば、約３０°以内の入射角を有す
るＴｉ粒子２３ａのみが通過可能であり、アスペクト比
が５．６７であれば約１０°以内となる。このように、
Ｔｉ粒子２３ａの入射角を所定の範囲内に制御すること
により、シャドウイング効果を抑制し、アスペクト比の
高い接続孔の側壁面の下方や底面上にも十分量のＴｉ粒
子２３ａを到達させることができるようになる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところで、コリメータ
Ｃ₃は上述のようにＴｉ粒子２３ａの入射を物理的に制
限する治具であるから、セル１１ａの側壁面には必然的
にこれを通過できなかったＴｉ粒子２３ａが付着する。
ここで、入射角が最大入射角θよりたとえ小さくても、
メッシュ隔壁１１の上端部に斜め入射したＴｉ粒子２３
ａは当然のことながらセル１１ａを通過することはでき
ない。この結果、メッシュ隔壁１１の上端部にはＴｉ粒
子２３ａが蓄積されて堆積層２３ｂが形成され、開孔断
面積が次第に減少していわゆる目詰まりが発生する。す
ると、セル１１ａを通過可能なＴｉ粒子２３ａの入射角
は次第に狭小化し、アスペクト比の高い接続孔２２の側
壁面上に十分な膜厚を有するＴｉ層２３を形成すること
ができなくなる。このことは、コリメータ・スパッタリ
ングの再現性を著しく低下させる原因となる。また、こ
の目詰まりにより成膜速度が低下してスループットが低
下し、メンテナンス頻度も増大するという問題が生ず
る。

【００１３】そこで本発明は、コリメータ・スパッタリ
ング法を採用した場合でも再現性が高く、しかも高いス
ループットと優れたメンテナンス性が保証できる物理的
気相成長装置およびこれを用いた薄膜形成方法を提供す
ることを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の物理的気相成長
装置は、上述の目的を達成するために提案されるもので
あり、高真空チャンバ内に基板に対する材料粒子の入射
角を所定範囲内に制御するためのコリメータを備えた装
置であって、前記コリメータは所定距離をもって平行に
離間された複数のメッシュ板より構成され、各メッシュ
板の開孔の前記基板に対する垂直投影は互いに略一致さ
れてなることを特徴とする。

【００１５】また、本発明の物理的気相成長装置は、前
記材料粒子をターゲットをスパッタリングすることによ
り生成させることを特徴とする。

【００１６】さらに本発明の薄膜形成方法は、上記の装
置を用いてＴｉ粒子および／またはＴｉ化合物粒子を前
記基板上に堆積させることを特徴とする。

【００１７】

【作用】本発明者は、コリメータを用いた場合にもスル
ープットを低下させずに再現性の高い成膜を行うには、
コリメータのメッシュ隔壁の一部を除去して斜め入射す
る材料粒子がある程度通過できるようにすれば、材料粒
子の付着が軽減できるものと考えた。

【００１８】このために、本発明の物理的気相成長装置
では、コリメータを従来のように各セルがメッシュ隔壁
に区分された構造とするのではなく、薄い複数のメッシ
ュ板を平行に離間保持し、隣接するセル同士を連通させ
た構造とした。このとき、各メッシュ板の開孔の前記基
板に対する垂直投影は互いに略一致させる。これは、基
板に対してほぼ垂直に入射する材料粒子の進路を妨害し
ないためである。

【００１９】たとえば、最も単純な構造は２枚のメッシ
ュ板で実現される。この場合、材料粒子の入射角は入射
端と出射端のメッシュ板の開孔の幅、開孔のピッチ、２
枚のメッシュ板の離間距離等により決まるが、材料粒子
が付着できるバルク部を有しないために、目詰まりは極
めて少なくなる。

【００２０】また、これまでの説明からも推測できるよ
うに、本発明はスパッタリングによる薄膜形成を想定し
た場合に特に有効な技術である。

【００２１】さらに、上記の物理的気相成長装置を利用
した薄膜形成方法として最も実用性が高いと考えられる
プロセスは、高温スパッタリングによる段差被覆性の改
善が望めない高融点金属の薄膜形成であり、より具体的
にはチタンもしくはチタン化合物の薄膜形成である。こ
れらは、アルミニウム系配線層のバリヤメタルとして広
く知られている材料である。チタン層、チタン化合物層
の成膜が良好に行われることで、後工程のアルミニウム
系材料による微細な接続孔の埋め込み等が、高い信頼性
をもって行えるようになる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。

【００２３】実施例１本実施例は、平行平板型スパッタリング装置のコリメー
タを２枚のメッシュ板にて構成した例である。まず、本
実施例で使用する平行平板型スパッタリング装置を図１
に示す。なお、図１の参照符号は前述の図４と一部共通
であり、共通部分の説明は重複を避けるために省略す
る。ここでは、図４とは異なるコリメータについての
み、説明する。

【００２４】この装置で使用するコリメータＣ₁は、図
１（ａ）に示されるように、ＳＵＳ鋼製の２枚のメッシ
ュ板１２，１３が所定距離だけ平行に離間された状態で
同じくＳＵＳ鋼製の枠部１６にそれぞれ固定されてなる
ものである。このコリメータＣ₁の上面図を図１（ｂ）
に示す。ここではメッシュ板１２，１３の目（開孔）を
便宜上、正方形とした。ただし、一般にはスポット溶接
による製造上の理由から、開孔が６角形とされているも
のが多く、このようなメッシュ板を用いても一向に差し
支えない。上記２枚のメッシュ板１２，１３の開孔の垂
直投影は一致され、垂直入射する材料粒子の進路を妨げ
ないようになされている。

【００２５】上記コリメータＣ₁の要部を拡大した断面
図を、図２（ａ）に示す。ここでは便宜上、破線で囲ん
だ矩形部分をセル１４と称するが、このセル１４はたと
えば前出の図５（ａ）に示したコリメータＣ₃のセル１
１ａのように孤立した空間ではなく、隣接する者同士で
相互に連通している。したがって、メッシュ板１２のあ
る開孔からあるセル１４に入射した材料粒子２３ａが、
隣りのセル１４を通ってメッシュ板１３の開孔から出射
したり、さらに離れたセル１４を通って出射するといっ
たことも起こり得る。このような材料粒子２３ａは、従
来のコリメータでは直ちにメッシュ隔壁に付着して目詰
まりの原因となっていたものである。

【００２６】ただし、材料粒子が余り離れた場所のセル
１４を通過できるようでは、入射角を一定の立体角の範
囲内に規制するというコリメータ本来の意味が無くなる
ので、開孔の幅、開孔のピッチ、２枚のメッシュ板１
２，１３の離間距離等のパラメータを相互間で最適化す
ることが必要である。

【００２７】なお、上記のコリメータＣ₁は、２枚のメ
ッシュ板１２，１３の断面形状がそれぞれ矩形であった
が、さらに目詰まりの軽減を図るために、図２（ｂ）に
示されるようなコリメータＣ₂を構成することもでき
る。このコリメータＣ₂は、入射端側のメッシュ板１５
の断面形状が三角形とされている。したがって、前述の
コリメータＣ₁とメッシュ板間の距離が同じ場合には材
料粒子２３ａの最大入射角は大きくなるが、その付着量
は減少する。

【００２８】実施例２本実施例では、上述のコリメータＣ₁を装着した平行平
板型スパッタリング装置を用いて、実際にＴｉ層の成膜
を行った。このプロセスを、図３も併せて参照しながら
説明する。図３の参照符号は、前述の図６と一部共通で
ある。上記スパッタリング装置にセットしたウェハ３
は、図３（ａ）に示されるように、下層配線２０上の層
間絶縁膜２１にアスペクト比の高い接続孔２２が形成さ
れたものである。ここで、下層配線２０はたとえばＳｉ
基板中に形成された不純物拡散領域であり、層間絶縁膜
２１はたとえばＣＶＤ法により堆積された厚さ約０．８
μｍのＳｉＯ₂膜である。また、接続孔２２の開口径は
約０．２５μｍであり、アスペクト比は３．２である。

【００２９】ターゲット５としてはＴｉターゲットをセ
ットし、上部ガス導入管４からはＡｒガスを導入した。
また、ヒート・ブロック８に通電すると共に加熱ガス導
入管９からもＡｒガスを導入し、ウェハ３を加熱可能な
状態とした。

【００３０】この状態で、一例として下記の条件でＴｉ
層２３を被着形成した。Ａｒ流量１００ＳＣＣＭガス圧０．４ＰａＤＣ電力４ｋＷウェハ温度１５０℃ このスパッタリングにより、図３（ｂ）に示されるよう
に、ウェハ３の全面にＴｉ層２３を成膜した。このとき
の成膜時間は、接続孔２２の側壁面上において５ｎｍ以
上となるように決定した。成膜速度は基本的にはコリメ
ータＣ₁のセル１４のアスペクト比に依存するが、本実
施例ではおおよそ０．０３〜０．１μｍ／分であった。
コリメータＣ₁の目詰まりは従来よりも遙かに少なく、
メンテナンスの所要時間を大幅に短縮することができ
た。

【００３１】次に、接続孔２２をＡｌ系配線層で埋め込
むため、上記ウェハ３をＡｌ−１％Ｓｉターゲットをセ
ットした別チャンバへ真空搬送し、一例として下記の条
件で高温スパッタリングを行った。なお、この別チャン
バにはコリメータは不要である。Ａｒ流量１００ＳＣＣＭガス圧０．４ＰａＤＣ電力１０ｋＷウェハ温度５００℃ この結果、図３（ｃ）に示されるように、Ａｌ−１％Ｓ
ｉ層２４はＴｉ層２３と反応しながら微細な接続孔２２
の内部にも均一に引き込まれ、信頼性の高いコンタクト
を形成することができた。

【００３２】実施例３本実施例は、同じ平行平板型スパッタリング装置を用い
てＴｉＮ層を成膜した例である。まず、図３（ａ）に示
されるウェハ３を図１（ａ）に示される状態の平行平板
型スパッタリング装置にセットし、反応性スパッタリン
グを行うために上部ガス導入管４からＡｒ／Ｎ₂混合ガ
スを供給した。スパッタリング条件は、一例として下記
のとおりである。

【００３３】Ａｒ流量４０ＳＣＣＭＮ₂流量７０ＳＣＣＭガス圧０．４ＰａＤＣ電力５ｋＷウェハ温度１５０℃ このスパッタリングにより、図３（ｂ）に示されるよう
に、ウェハ３の全面にＴｉＮ層２６が形成された。この
ときの成膜速度は、おおよそ０．０１〜０．０４μｍ／
分であった。コリメータＣ₁の目詰まりは、従来よりも
遙かに少なかった。

【００３４】以上、本発明を３例の実施例にもとづいて
説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定される
ものではない。たとえば、上記Ｔｉ層，ＴｉＮ層は、い
ずれもバリヤメタルとして設けられる層であるが、Ｔｉ
層はオーミック性に優れ、ＴｉＮ層にはバリヤ性に優れ
るという異なる長所を有している。そこで、両層をこの
順に積層した２層構造のバリヤメタルが知られており、
かかる２層を連続成膜するプロセスにも本発明を適用す
れば良好な結果が得られる。また、ＴｉＮ層の成膜時に
雰囲気中にＯ₂を導入してＴｉＯＮ層としても良い。さ
らには、チタン化合物としてＴｉＷ合金等を使用するこ
ともできる。

【００３５】また、上述の実施例ではコリメータを構成
するメッシュ板が２枚である場合について説明したが、
３枚以上のメッシュ板を使用しても良い。メッシュ板の
枚数が増えれば、材料粒子の入射角の規制効果はそれだ
け高くなるが、付着する材料粒子もまた増えるので、メ
ッシュ板の枚数は成膜速度やメンテナンスの頻度等を実
用的なレベルに維持できる範囲で選択することが望まし
い。

【００３６】その他、ウェハの構成、コリメータの形
状、スパッタリング条件、使用するスパッタリング装置
の構成等は適宜変更可能であることは、言うまでもな
い。

【００３７】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明を適用すれば、高温スパッタリングにより段差被覆性
を改善することができない高融点金属等をコリメータを
介してスパッタリングする際に、コリメータの目詰まり
を軽減し、アスペクト比の高い微細な接続孔の内壁面等
にも再現性の高い薄膜形成を行うことができる。

【００３８】また、コリメータの交換作業は一般には装
置を大気開放して行わなければならないが、本発明を適
用すればこの交換作業の頻度を大幅に低減することがで
きるので、生産性を著しく向上させることができる。本
発明は、微細なデザイン・ルールにもとづいて設計さ
れ、高性能、高集積度、高信頼性を要求される半導体装
置の製造等において極めて有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した平行平板型スパッタリング装
置の構成例を示す図であり、（ａ）は装置全体の概略断
面図、（ｂ）はコリメータの概略平面図をそれぞれ表
す。

【図２】コリメータの要部拡大断面図であり、（ａ）は
図１（ｂ）に示した上記のコリメータ、（ｂ）は他のコ
リメータの構成例をそれぞれ表す。

【図３】本発明を接続孔の埋め込みに適用したプロセス
例をその工程順にしたがって示す模式的断面図であり、
（ａ）は下層配線上の層間絶縁膜に接続孔が開口された
状態、（ｂ）はウェハの全面にＴｉ層またはＴｉＮ層が
被着された状態、（ｃ）は接続孔がＡｌ−１％Ｓｉ層で
埋め込まれた状態をそれぞれ表す。

【図４】従来の平行平板型スパッタリング装置の構成例
を示す図であり、（ａ）は装置全体の概略断面図、
（ｂ）はコリメータの概略平面図をそれぞれ表す。

【図５】従来のコリメータ・スパッタリングにおける問
題点を説明するための上記コリメータの要部拡大断面図
であり、（ａ）はコリメータへの材料粒子の入射状態、
（ｂ）は堆積層の形成によりセルの開孔断面積が減少し
た状態をそれぞれ表す。

【図６】従来の接続孔の埋め込みにおける問題点を説明
するための模式的断面図であり（ａ）は下層配線上の層
間絶縁膜に接続孔が開口された状態、（ｂ）は接続孔の
内部でＴｉ層の段差被覆性が劣化した状態、（ｃ）は接
続孔がＡｌ−１％Ｓｉ層で完全に埋め込まれず鬆が発生
した状態をそれぞれ表す。

【符号の説明】

３・・・ウェハ５・・・ターゲットＣ₁，Ｃ₂ ・・・コリメータ１０・・・ＤＣ電源１２，１３，１５・・・メッシュ板１４・・・セル１６・・・枠部２０・・・下層配線２１・・・層間絶縁膜２２・・・接続孔２３・・・Ｔｉ層２４・・・Ａｌ−１％Ｓｉ層２６・・・ＴｉＮ層

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【手続補正書】

【提出日】平成５年１１月１８日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した平行平板型スパッタリング装
置の構成例を示す図である。

【図４】従来の平行平板型スパッタリング装置の構成例
を示す図である。

【符号の説明】３・・・ウェハ５・・・ターゲットＣ_１，Ｃ_２・・・コリメータ１０・・・ＤＣ電源１２，１３，１５・・・メッシュ板１４・・・セル１６・・・枠部２０・・・下層配線２１・・・層間絶縁膜２２・・・接続孔２３・・・Ｔｉ層２４・・・Ａｌ−１％Ｓｉ層２６・・・ＴｉＮ層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高真空チャンバ内に基板に対する材料粒
子の入射角を所定範囲内に制御するためのコリメータを
備えた物理的気相成長装置において、前記コリメータは所定距離をもって平行に離間された複
数のメッシュ板より構成され、各メッシュ板の開孔の前
記基板に対する垂直投影は互いに略一致されてなること
を特徴とする物理的気相成長装置。
【請求項２】前記材料粒子は、ターゲットをスパッタ
リングすることにより生成することを特徴とする請求項
１記載の物理的気相成長装置。
【請求項３】請求項１または請求項２記載の物理的気
相成長装置を用いてＴｉ粒子および／またはＴｉ化合物
粒子を前記基板上に堆積させることを特徴とする薄膜形
成方法。