KR0161376B1 - 금속배선 형성방법 및 이에 사용되는 스퍼터링 장치 - Google Patents

금속배선 형성방법 및 이에 사용되는 스퍼터링 장치 Download PDF

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Abstract

반도체소자의 금속배선 형성방법 및 이에 사용되는 스퍼터링 장치가 개시되어 있다. 실리콘 기판 상에 500~800℃의 고온에서 티타늄막과 티타늄 질화막을 탄화규소척을 설치한 스퍼터 챔버 내에서 연속적으로 증착하고, 상기 결과물을 대기중에 노출시키지 않고 금속층을 증착한다.
탄화규소로 된 척을 설치하여 500~800℃의 고온에서 확산 방지막 및 금속층을 형성함으로써, 공정을 단순화시키고, 콘택 저항을 감소시키며, 양질의 금속층을 얻을 수 있다.

Description

금속배선 형성방법 및 이에 사용되는 스퍼터링 장치
제1도 내지 제4도는 종래의 금속배선 형성방법의 일예를 설명하기 위한 단면도들이고,
제5도는 n+형 및 p+형에 대한 티타늄의 콘택저항의 열처리온도 의존성을 실험한 결과를 나타내는 그래프이고,
제6도 내지 제8도는 본 발명에 의한 금속배선 형성의 일예를 설명하기 위한 단면도들이고,
제9a도 내지 제11b도는 종래의 금속 배선과 본 발명에 따르는 금속배선의 차이를 설명하기 위한 콘택 부위의 비교 단면도들이고,
제12도는 본 발명에 의한 스퍼터링 장치를 도시한 개략도이고,
제13도는 본 발명에 의한 반응성 기체 인젝터를 도시한 개략도이다.
본 발명은 고집적 반도체 소자의 금속배선에 관한 것으로, 특히, 500~800℃의 고온에서 스퍼터링 방법을 통해 확산 방지막 및 금속막을 형성하는 금속배선 형성방법과 이에 사용되는 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
반도체소자 제조기술의 발달로 디자인 룰(design rule)이 1㎛에 접근하는 1M 비트(bit) 수준에 이르게 되자 재료자체의 저저항, 가공성의 양호함, 실리콘 산화막과의 밀착성 등의 장점으로 인하여 널리 사용되어오던 알루미늄은 그 한계에 부딪히게 되었다. 고집적화에 의한 배선의 미세화로 인해 발생되는 문제점들, 예를 들면, 높은 전류밀도로 인하여 발생하는 일렉트로 마이그레이션(electro-migration) 현상이나, 실리콘이 알루미늄내로 용해되어 들어가서 얕은 불순물 접합부의 단락(short)을 초래하는 정션 스파이킹(junction spiking), 콘택 개구부(contact hole)에서 오믹 콘택(ohmic contact)영역이 더 작아짐으로 인한 콘택저항의 증가 등은 알루미늄 배선의 신뢰성을 떨어뜨리고, 반도체소자의 속도 지연을 유발하게 되었다. 이러한 문제점들을 해결하기 위하여 내화 금속(refractory metal)을 확산 방지막(diffusion barrier)으로 사용하는 방법이 제안되었다.
종래에 티타늄/티타늄 질화막을 확산 방지막으로 사용하여 반도체소자의 금속배선을 형성한 일예를 제1도 내지 제4도에 도시하였다.
제1도를 참조하면, 반도체 기판(10)상에 절연막, 예컨대, 산화막(12)을 성장시키고, 사진식각 공정으로 상기 산화막(12)을 식각하여 콘택홀을 형성한다. 상기 콘택 홀 내부와 상기 산화막(12)상에 스퍼터링 방법으로 티타늄막(14)을 형성한다. 참조부호 a로 지정된 부분이 제9a도에 확대되어 도시되어 있다.
제2도를 참조하면, 상기 티타늄막(14)상에 확산 방지막, 예컨대, 티타늄 질화막(16)을 스퍼터링 방법으로 형성한다. 참조부호 b로 지정된 부분이 제10a도에 확대되어 도시되어 있다. 이어서, 상기 티타늄 질화막(16)이 형성된 결과물을 질소 분위기의 확산로에서 어닐링(annealing)을 실시한다. 이때, 확산로의 온도는 400~450℃로 유지한다.
제3도를 참조하면, 상기 티타늄 질화막(16)상에 금속, 예컨대, 알루미늄을 스퍼터링 방법으로 증착하여 금속층(18)을 형성한다.
제4도를 참조하면, 상기 금속츠(18)의 알루미늄을 용융점 이하의 고온에서 열처리하여 리플로우(reflow)시켜서 콘택을 기공없이 매몰하는 배선층(19)을 형성한다. 참조부호 c로 지정된 부분이 제11a도에 확대되어 도시되어 있다.
상기의 방법에 의하면, 첫째, 스퍼터링 방법으로 티타늄/티타늄 질화막을 연속적으로 증착한 후, 질소분위기의 확산로에서 어닐링하고 다시 알루미늄을 증착하므로 공정이 복잡하고, 둘째, 스퍼터링이 낮은 온도, 약 200℃ 이하에서 실시되므로 티타늄과 실리콘과의 충분한 반응이 부족하여 비정질의 TiSix층을 형성하기 때문에 낮은 콘택 저항을 얻기가 어렵다. 셋째, 어닐링이 대기압분위기에서 실시되므로 티타늄 질화막의 산화등으로 인해 콘택저항이 증가함은 물론, 후속 공정인 금속 증착시 산화층의 존재로 양질의 금속층을 얻기가 어렵다.
일본 나고야 대학 1993년도 학위졸업논문 - 금속-반도체 계면의 결정학적, 전자적 구조에 관한 연구에는 n+형의 실리콘 기판과 티타늄은 520℃에서 최저의 콘택저항을 가지며, p+형의 실리콘 기판과 티타늄은 580℃에서 최저의 콘택저항을 갖는다는 사실이 실험되어있다. 제5도에 상기 논문에 있는 실험 데이타를 도시하였다.
제5도는 n+형 및 p+형에 대한 티타늄의 콘택저항의 열처리온도 의존성을 실험한 결과를 나타낸다.
제5도를 참조하면, 종래의 티타늄/티타늄 질화막 어닐링 온도인 450℃에서의 p+형 실리콘 기판과 티타늄과의 콘택저항은 5×10-7Ω㎠으로, 어닐링 온도가 580℃일때의 콘택저항인 2.5×10-7Ω㎠보다 큰 값을 가지며, 그 산포 또한 큰 것을 알 수 있다. 상술한 바와 같이, 종래의 어닐링 공정은 진공 분위기가 아닌 산소가 다량 존재하는 대기압 분위기에서 진행되기 때문에 티타늄 질화막이 산화되고, 이에 따라, 450℃에서 5×10-7Ω㎠의 저항을 실현하기도 매우 어렵다.
따라서, 본 발명의 목적은 종래의 스퍼터링 방법에 의한 상술한 문제점들을 해결하여, 공정을 단순화시킬 뿐만 아니라 콘택저항을 감소시키고, 양질의 금속층을 얻는 금속배선 형성방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 상기 금속배선 형성방법에 적합한 금속배선 형성장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
티타늄을 500~800℃의 온도에서 스퍼터링 방법으로 증착하여 티타늄막을 형성하는 단계 및 상기 티타늄막 위에 티타늄 질화물을 500~800℃의 온도에서 스퍼터링 방법으로 연속적으로 증착하여 티타늄 질화막을 형성하는 단계를 구비하는 금속배선 형성방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 티타늄 질화막을 대기중에 노출시키지 않고 금속을 증착하여 금속층을 형성하는 공정을 더 구비할 수 있으며, 상기 금속층은 상기 티타늄/티타늄 질화막을 형성한 동일한 챔버 내에서 연속적으로 형성할 수도 있다. 또한, 상기 금속층은 500~800℃의 온도에서 스퍼터링하는 것이 바람직하다.
상기한 또다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
글로우 방전된 원자들에 의해 스퍼터되는 소스물질로 된 타겟과, 상기 타겟에 접착된 제1전극, 웨이퍼를 지지하는 탄화규소로 된 척(chuck), 상기 척에 접착된 제2전극, 글로우 방전에 사용되는 비활성 기체 주입을 위한 비활성 기체 인젝터 및 반응성 스퍼터링에 사용되는 기체 주입을 위한 반응성 기체 인젝터를 구비하는 스퍼터 챔버를 갖는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치를 제공한다.
또한, 상기 스퍼터링 장치는 전처리 챔버(pre-processing chamber)를 더 구비하는 것을 특징으로 하며, 상기 전처리 챔버는 할로겐 램프로 된 가열장치를 구비하는 것이 바람직하다.
상기 척은 ±3℃의 온도 편차를 1200℃까지 유지하고, 상기 타겟은 티타늄을 소스물질로 사용하며, 상기 제1전극은 양극이고, 상기 제2전극은 음극인 것이 바람직하다. 또한, 상기 비활성 기체는 아르곤이고, 상기 반응성 기체는 질소이며, 상기 반응성 기체 인젝터는 링 구조인 것이 바람직하다. 상기 링 구조 인젝터는 인젝터 분사 구멍의 크기 및 각도를 조정할 수 있는 것이 바람직하다.
본 발명은, 고속 히팅 업/다운(heating up/down)이 가능한 탄화규소(SiC) 재질의 척(chuck)을 사용하여 고온에서 확산 방지막 형성공정을 진행하기 때문에 공정을 단순화시킴과 동시에 콘택저항을 감소시킬 수 있고, 확산 방지막 형성 이후, 진공도를 유지한 상태에서 다른 챔버로 이동하여 금속층을 형성함으로 양질의 금속박막 형성이 가능하다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
제6도 내지 제8도는 본 발명에 의한 금속배선 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
제6도는 티타늄막(24)을 형성하는 단계를 나타낸다. 반도체 기판(20)상에 절연막, 예컨대, 산화막(22)을 성장시키고, 상기 산화막상에 포토레지스트를 도포하고 이를 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴(도시되지 않음)을 형성한다. 이어서 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 산화막을 식각하여 콘택 홀을 형성한다. 상기 콘택 홀 내부와 상기 식각된 산화막(22) 상에 티타늄을 스퍼터링 방법으로 증착하여 티타늄막(24)을 형성한다. 이때, 스퍼터링은 500~800℃에서 실시하며, 바람직하게는 580℃의 온도에서 실시한다. 참조부호 d로 지정된 부분이 제9b도에 확대되어 도시되어 있다. 실리콘 기판(20)과 티타늄막(24)의 경계면에 표시된 굵은 선은 제9b도의 참조부호 23번 층을 나타내며, 이는 다결정 TiSix층을 나타낸다.
제7도는 티타늄 질화막(26)을 형성하는 단계를 나타낸다. 상기 티타늄막(24)상에 연속하여 확산 방지막, 예컨대, 티타늄 질화막(26)을 스퍼터링 방법으로 형성한다. 이때, 스퍼터링은 상기 티타늄막(24) 형성시와 마찬가지로 500~800℃에서 실시하며, 바람직하게는 580℃의 온도에서 실시한다. 참조부호 e로 지정된 부분이 제10b도에 확대되어 도시되어 있다.
제8도는 금속층(28)을 형성하는 단계를 나타낸다. 상기 확산 방지막(26)상에 금속, 예컨대, 알루미늄을 스퍼터링 방법으로 증착하여 금속층(28)을 형성한다. 이때, 상기 알루미늄층(28)은 상기 확산방지막(26) 형성 후 대기중에 노출되지 않도록 진공중에서 알루미늄 증착 챔버로 이동하는 것이 바람직하다. 상기 스퍼터링은 500~800℃의 온도에서 실시한다. 참조부호 f로 지정된 부분이 제11b도에 확대되어 도시되어 있다. 경우에 따라서, 상기 금속층은 상기 티타늄/티타늄 질화막을 형성한 동일한 챔버 내에서 연속적으로 형성할 수도 있다.
제9a도, 제10a도 및 제11a도는 종래 방법에 의해 형성된 콘택홀의 단면을 도시한 도면이며, 제9b도, 제10b도 및 제11b도는 본 발명에 의해 형성된 콘택홀의 단면을 도시한 도면이다.
제9a도와 제9b도를 참조하면, 종래의 방법에 의해 저온에서 티타늄막(14)이 증착됨으로 실리콘 기판(10)과 티타늄막(14) 사이에 비정질 TiSix층(13)이 형성된다. 이 비정질층은 콘택저항의 증가를 초래한다. 그러나, 본 발명에 따르면, 500~800℃의 고온에서 티타늄막(24)이 형성되기 때문에, 실리콘 기판(20)과 티타늄막(24) 사이에는 충분한 반응을 거쳐 낮은 저항을 갖는 실리사이드층, 예컨대, 다결정 TiSix층(23)이 형성된다. 이때, TiSix층(23)은 두껍게 형성되며, 실리콘 기판(20)의 일부두께를 포함하도록 형성된다.
제10a도와 제10b도를 참조하면, 종래의 방법에 의해 티타늄 질화막(16)은 비정질 상태의 티타늄막(14) 상에 형성되므로, 층상구조(columnar structure)를 가지게 되나, 본 발명에 의하면, 다결정 상태의 티타늄막(24) 상에 티타늄 질화막(26)이 500~800℃의 고온에서 형성되므로, 양질의 그레인(grain) 구조를 가지는 티타늄 질화막(26)의 형성이 가능하다.
그러나, 종래의 경우에서처럼 저온에서 티타늄막과 티타늄 질화막을 형성하는 경우에는 어닐링 공정을 추가하여, 기판과 티타늄막 사이의 비정질 TiSix층을 다결정 TiSix층으로 전환하고, 층상 구조의 티타늄 질화막을 양질의 그레인 구조로 전환함으로써 콘택저항을 감소시켜야 한다. 이처럼 종래의 기술에 따르면 저온공정에서 티타늄막과 티타늄 질화막을 형성한 후 어닐링 고정을 거쳐야 하므로 결과적으로, 본 발명의 티타늄막과 티타늄 질화막 형성방법은 콘택 저항을 감소시킴과 동시에 후속 어닐링 공정을 추가할 필요가 없으므로 공정을 단순화시키는 잇점이 있다. 이와 더불어, 계속해서 설명되는 바와 같이, 티타늄막과 티타늄 질화막 어닐링 공정시 대기중 노출로 인해 티타늄질화막 표면이 산화되어 콘택 저항이 증가되는 것이 방지된다.
제11a도와 제11b도를 참조하면, 종래의 방법에 따르면 어닐링시 티타늄 질화막(16)이 대기중에 노출되어 티타늄 질화막(16)이 산화되고, 이에 따라, 티타늄 질화막(16)의 일부 두께를 포함하는 비정질 형태의 TiON 산화물층(17)이 티타늄 질화막(16)상에 형성되어 콘택저항이 증가된다. 또한, 상기 비정질 형태의 TiON 층(17)상에 알루미늄을 증착하게 되므로 알루미늄막(19) 형성시, 양질의 알루미늄막을 얻기가 어렵다. 그러나, 본 발명에 의하면, 티타늄 질화막(26) 증착후 공기중에 노출됨없이 알루미늄 증착챔버로 이동되므로 티타늄 질화막(26)의 산화를 방지할 수 있으며, 그로 인해 알루미늄 양질의 그레인 구조를 갖는 알루미늄 박막 형성이 가능하다. 뿐만 아니라, 고온 스퍼터 방식으로 알루미늄이 증착되므로 알루미늄 증착 후 리플로우 공정을 거치는 종래의 방법에 비해 공정의 단순화를 유도할 수 있으며, 제조 경비를 절감할 수 있다.
그러나, 이러한 고온에서의 티타늄/티타늄 질화막의 형성은 바레인(Varain)사의 M2000을 포함한 종래의 스퍼터 장치로는 불가능하다. 종래의 스퍼터 장치들은 웨이퍼 가열시, 아르곤(Ar) 가스를 웨이퍼 뒷면에 유입하여 이 아르곤 가스를 가열한 다음, 가스전도방식으로 웨이퍼를 가열하는 방법을 사용하였다. 이 방법은, 웨이퍼 내의 균일한 온도분포를 가질 수 있는 장점을 가지고 있으나, 반면에 웨이퍼를 간접적으로 가열하는 방식이므로, 650℃의 고온을 얻을 수 없다(실제로는 장비의 한계로 인해 500℃ 이상을 얻는 것은 불가능하다). 또한, 고온공정시 온도의 가열과 식힘(이하, 램프 업/다운(ramp-up/down)이라 한다)의 속도가 느린 문제로 인하여 처리량이 감소됨과 동시에 막의 특성이 저하되며, 아르곤이 챔버내로 유출되는 문제로 인하여 박막 형성시 막내에 아르곤 원자가 포함되고 이로 인해 막 특성의 저하가 유발된다. 한편, 할로겐 램프를 이용한 웨이퍼 가열 방식이 있으나, 이 방식은 웨이퍼 내의 온도 균일성을 유지하는데 어려운 점이 많다.
제12도는 본 발명에 적용된 스퍼터 장치를 개략적으로 도시한 것이다.
먼저, 참조부호에 따른 장치의 주요 구성요소들을 설명하면, 참조부호 100은 웨이퍼를 지지하는 탄화규소 재질로 이루어진 척(chuck, 이하 탄화규소척이라 한다)이고, 111은 티타늄 질화막이 형성될 실리콘 기판, 112는 글로우 방전에 의해 스퍼터되는 소스물질로 된 타겟, 113은 글로우 방전에 사용되는 비활성 기체 주입을 위한 비활성 기체 인젝터, 114는 반응성 스퍼터링에 사용되는 기체 주입을 위한 반응성 기체 인젝터, 115는 상기 타겟에 접착된 제1전극(음극), 및 116은 웨이퍼가 안착되는 상기 탄화규소척 면의 반대면에 접착되고 일정전압원(DC power supply, 도시되지 않음)과 연결된 제2전극(양극)을 나타낸다.
이어서, 상기 스퍼터 장치를 사용하여 웨이퍼 상에 티타늄 질화막을 형성하는 과정을 설명한다.
양단의 전극(115 및 116)에 고전압이 걸린 진공챔버내에 비활성기체, 에컨대, 아르곤을 비활성 기체 인젝터(113)를 통해 주입시켜 상기 아르곤을 플라즈마 상태, 즉, Ar+이온으로 만들고, 이러한 이온들은 반대전극(115), 즉, 마이너스(-)가 걸려 있는 타겟, 예컨대, 티타늄타겟(112)으로 움직여 소오스물질, 예컨대, 티타늄을 상기 티타늄타겟(112)으로부터 튕겨낸다. 상기 티타늄은 반도체기판(111) 쪽으로 이동하고, 반응성 기체 인젝터(114)로부터 주입되는 질소와 반응하여 상기 실리콘기판(111)상에 티타늄 질화막을 형성한다. 이때, 본 스퍼터 장치는 종래의 스퍼터 장치와는 달리 제2전극(116)에 인가되는 전압을 이용하여 웨이퍼를 지지하는 탄화규소척(100)을 가열함으로써 웨이퍼를 가열한다. 즉, 상기 탄화규소 재질로 된 본 발명에 따른 척(100)은, 인가되는 전압에 의해 발열체로서 작용하여 웨이퍼 지지대로서의 역할뿐만 아니라 히터로서의 역할을 동시에 수행한다.
아르곤 가스를 가열하는 가스전도방식과 같은 간접적인 방식을 이용하여 웨이퍼를 가열하는 종래의 방법에 비해, 전압 인가에 의해 직접 가열할 수 있는 탄화규소척을 사용하는 본 발명에 따르면, 첫째, 1200℃까지의 고온을 ±3℃의 오차로 균일하게 유지할 수 있으며, 종래의 고온공정에서의 문제점인 온도의 불균일에 의한 두께의 불균일을 해결할 수 있다. 둘째, 온도의 램프-업/다운이 신속하여 처리량을 증가시킬 수 있다. 예컨대, 분당 200~300℃의 램프-업이 가능하며, 분당 50~100℃의 램프-다운이 가능하다. 셋째, 아르곤 가스를 사용하지 않는 가열 방식을 채택하고 있으므로, 막 형성시 막 내에 잔존하게 되는 아르곤의 양을 극감시킬 수 있어 양질의 막 형성이 가능하다.
한편, 본 발명에 의한 스퍼터링 장치에서는, 진공장치에서 전체의 진공을 깨지 않고 웨이퍼를 내고 들이기 위한 일반적인 예비 배기실, 즉, 전처리 챔버(pre-processing chamber, 일명, load-lock chamber) 내에 할로겐 램프를 설치한다. 상기 할로겐 램프를 이용하여 막 증착전, 순간적으로 웨이퍼 표면을 가열함으로써, 웨이퍼 표면에 존재하는 수분을 제거하여 저항이 감소된 양질의 막 형성이 가능하다.
또한, 본 발명에서는 티타늄 질화막 형성시 사용되는 반응성 기체 인젝터(114)를 기존의 튜브(tube) 방식에서 링(ring) 방식으로 변환하여. 종래의 튜브 방식은 웨이퍼의 수평방향으로 질소가스가 분사되고, 이 경우, 위치에 따라서 분사량이 불균일하여 티타늄 질화막의 조성이 불균일하게 되며, 이는 웨이퍼의 크기가 대구경화됨에 따라 더욱 심하게 나타난다.
제13도는 본 발명에서 도입한 반응성 기체 인젝터(114)를 도시한 것이다. 도면에서 볼 수 있는 바와 같이 본 발명에서는 링 구조의 반응성 기체 인젝터(114)를 채택하였고, 분사구(200)의 크기 및 각도의 조절이 가능하므로 균일한 막의 조성을 갖는 티타늄 질화막 형성이 가능하다.
이상, 상술한 바와 같이 본 발명은 탄화규소로 된 척을 설치하여 500~800℃의 고온에서 확산 방지막 및 금속층을 형성함으로써, 공정을 단순화시키고, 콘택 저항을 감소시키며, 양질의 금속층을 얻을 수 있다. 또한, 상술한 탄화규소척을 스퍼터링 장치에 사용함으로써, 종래의 고온공정에서 온도의 불균일에 의한 막두께의 불균일을 해결할 수 있으며, 온도의 램프-업/다운이 신속하여 처리량을 증가시킬 수 있고, 아르곤 가스를 사용하지 않는 가열 방식을 채택하고 있으므로, 막 형성시 막 내에 잔존하게 되는 아르곤의 양은 극감시킬 수 있어 양질의 막 형성이 가능할 뿐만 아니라, 링 구조의 반응성 기체 인젝터를 사용함으로써, 조성이 균일한 막을 형성할 수 있다. 또한, 전처리 채멉내에 가열 장치를 설치하여 양질의 막 형성을 가능하게 한다.
본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으면, 많은 변형이 본 발명이 속한 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 가능함은 명백하다.

Claims (13)

  1. 반도체 기판 상에 티타늄을 500~800℃의 온도에서 스퍼터링 방법으로 증착하여 티타늄막을 형성하고, 상기 기판과 티타늄막 사이에는 다결정 TiSix층을 형성하는 단계; 및 상기 티타늄막 위에 티타늄 질화물을 500~800℃의 온도에서 스퍼터링 방법으로 연속적으로 증착하여 티타늄 질화막을 형성하는 단계를 구비하는 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 티타늄 질화막을 대기중에 노출시키지 않고 금속을 증착하여 금속층을 형성하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 금속층을 상기 티타늄/티타늄 질화막을 형성한 동일 챔버 내에서 연속적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 금속층은 500~800℃의 온도에서 스퍼터링하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  5. 글로우 방전된 원자들에 의해 스퍼터 가능한 소스물질로 된 타겟; 상기 타겟의 일면에 접착된 제1전극; 제1전극이 접착된 상기 타겟면의 반대면과 일정거리 이격되어 위치하고, 전압인가에 의해 발열체로서 작용가능한 탄화규소(SiC) 재질로 이루어져, 표면에 안착되는 웨이퍼를 고정시키는 기능과 함께 웨이퍼를 가열하는 기능을 갖는 척(chuck); 웨이퍼가 안착되는 상기 척면의 반대면과 접착되고, 일정전압원(DC power su pply)과 연결된 제2전극; 글로우 방전에 사용되는 비활성 기체 주입을 위한 비활성 기체 인젝터; 및 반응성 스퍼터링에 사용되는 기체 주입을 위한 반응성 기체 인젝터를 구비하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 스퍼터링 장치는 전처리 챔버(pre-processing chamber )를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 전처리 챔버는 가열장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 가열 장치는 할로겐 램프인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  9. 제5항에 잇어서, 상기 스퍼터 가능한 소스물질은 티타늄인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  10. 제5항에 있어서, 상기 제1전극은 음극이고, 상기 제2전극은 양극인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 비활성 기체는 아르곤이고, 상기 반응성 기체는 질소인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  12. 제5항에 있어서, 상기 반응성 기체 인젝터는 링 구조인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 링 구조 인젝터는 인젝터 분사 구멍의 크기 및 각도가 조정되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
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