JPS63203771A - 半導体基板加熱装置 - Google Patents
半導体基板加熱装置Info
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- JPS63203771A JPS63203771A JP3486687A JP3486687A JPS63203771A JP S63203771 A JPS63203771 A JP S63203771A JP 3486687 A JP3486687 A JP 3486687A JP 3486687 A JP3486687 A JP 3486687A JP S63203771 A JPS63203771 A JP S63203771A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- melting point
- substrate
- high melting
- silicide
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体基板上にスパッタによって高融虐金
属シリサイド膜を形成するときに半導体基板を加熱する
装置に関するものである。
属シリサイド膜を形成するときに半導体基板を加熱する
装置に関するものである。
［従来の技術］
第２図は従来の半導体基板加熱装置を示す断面図である
。
。
図において、１は真空チャンバ、２はサセプタ、３は半
導体基板をサセプタに固定するためのツメ、４はスパッ
タによって表面に膜を形成するためにサセプタの上に載
せられた半導体基板、６はスパッタ用のＡＩ”ガス配管
、７はサセプタとＡｒガス配管を加熱するヒータである
。
導体基板をサセプタに固定するためのツメ、４はスパッ
タによって表面に膜を形成するためにサセプタの上に載
せられた半導体基板、６はスパッタ用のＡＩ”ガス配管
、７はサセプタとＡｒガス配管を加熱するヒータである
。
次にその加熱方法について述べる。
まず、ヒータ７により、サセプタ２とＡ「ガス配管６と
が加熱される。そして、半導体基板４は、加熱されたサ
セプタ２による輻射熱と、Ａ「ガス配！！６が加熱され
ることによりＡｒガスが加熱されながら、矢印Ａで示さ
れるように半導体基板４へ送り込まれることとにより加
熱される。
が加熱される。そして、半導体基板４は、加熱されたサ
セプタ２による輻射熱と、Ａ「ガス配！！６が加熱され
ることによりＡｒガスが加熱されながら、矢印Ａで示さ
れるように半導体基板４へ送り込まれることとにより加
熱される。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上記のような半導体基板加熱装置におい
ては、半導体基板が真空中でヒータ７で加熱されたサセ
プタ２とＡｒガスによって間接的に加熱されるので、温
度４００℃までしか上がらない。そのため、スパッタに
よる高融点金属シリサイドの膜質が悪く、次工程で濃度
８００℃〜９００℃の熱処理を施すと、段差部分で高融
点金属シリサイド躾が欠落するという問題点があった。
ては、半導体基板が真空中でヒータ７で加熱されたサセ
プタ２とＡｒガスによって間接的に加熱されるので、温
度４００℃までしか上がらない。そのため、スパッタに
よる高融点金属シリサイドの膜質が悪く、次工程で濃度
８００℃〜９００℃の熱処理を施すと、段差部分で高融
点金属シリサイド躾が欠落するという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、スパッタによって良質な＾融点金属シリサ
イド膜を得ることができる半導体基板加熱装置を提供す
ることを目的とする。
れたもので、スパッタによって良質な＾融点金属シリサ
イド膜を得ることができる半導体基板加熱装置を提供す
ることを目的とする。
Ｅ問題点を解決するための手段］
この発明に従った半導体基板加熱装置は、半導体基板上
にスパッタによって高融点金属シリサイド膜を形成する
ときに半導体基板を加熱する装置において、その加熱を
高周波誘導加熱で行なうものである。
にスパッタによって高融点金属シリサイド膜を形成する
ときに半導体基板を加熱する装置において、その加熱を
高周波誘導加熱で行なうものである。
［作用］
この発明における半導体基板加熱＠置は誘導加熱で行な
われ、半導体基板自体を直接的に加熱するので、半導体
基板の温度を９００℃まで上げることができる。
われ、半導体基板自体を直接的に加熱するので、半導体
基板の温度を９００℃まで上げることができる。
［実施例］
第１図は、この発明の一実施例である半導体基板加熱装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
図において、１は真空チャンバ、２はサセプタ、３は半
導体基板をサセプタに固定するためのツメ、４はスパッ
タによって表面に膜を形成するためにサセプタの上に載
せられた半導体基板、５はＲＦコイルである。
導体基板をサセプタに固定するためのツメ、４はスパッ
タによって表面に膜を形成するためにサセプタの上に載
せられた半導体基板、５はＲＦコイルである。
上記のように構成された半導体基板加熱装置において、
半導体基板４の加熱は、サセプタ２の上に載せられてい
る半導体基板４の周囲に巻かれたＲＦコイル５に、周波
数１３．５６ＭＨ２の高周波を流して半導体基板４を誘
導加熱するものである。したがって、この実施例では半
導体基板４を直接的に加熱するので、半導体基板４の温
度を９００℃まで十分に上げることができ、温度コント
ロールも確実に行なうことができる。
半導体基板４の加熱は、サセプタ２の上に載せられてい
る半導体基板４の周囲に巻かれたＲＦコイル５に、周波
数１３．５６ＭＨ２の高周波を流して半導体基板４を誘
導加熱するものである。したがって、この実施例では半
導体基板４を直接的に加熱するので、半導体基板４の温
度を９００℃まで十分に上げることができ、温度コント
ロールも確実に行なうことができる。
以上のようにこの発明によれば、半導体基板の加熱を従
来のようにヒータ加熱で間接的に加熱するのではなく、
誘導加熱方式で半導体基板を直接的に加熱するので、半
導体基板の温度を９００℃まで十分に上げることができ
る。また確実に温度コントロールをすることができる。
来のようにヒータ加熱で間接的に加熱するのではなく、
誘導加熱方式で半導体基板を直接的に加熱するので、半
導体基板の温度を９００℃まで十分に上げることができ
る。また確実に温度コントロールをすることができる。
したがって、スパッタによって良質の＾融点金属シリサ
イド膜が得られる効果がある。
イド膜が得られる効果がある。
第１図は、この発明の一実施例である半導体基板加熱装
置を示す断面図である。 第２図は、従来の半導体基板加熱装置を示す断面図であ
る。 図において、１は真空チャンバ、２はサセプタ、３はツ
メ、４は半導体基板、５はＲＦコイル、６はＡｒガス配
管、７はヒータである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 萬１図
置を示す断面図である。 第２図は、従来の半導体基板加熱装置を示す断面図であ
る。 図において、１は真空チャンバ、２はサセプタ、３はツ
メ、４は半導体基板、５はＲＦコイル、６はＡｒガス配
管、７はヒータである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 萬１図
Claims (3)
- （１）半導体基板上にスパッタによって高融点金属シリ
サイド膜を形成するときに半導体基板を加熱する装置に
おいて、 前記加熱を高周波誘導加熱で行なうことを特徴とする半
導体基板加熱装置。 - （２）前記高融点金属シリサイドが、モリブデンシリサ
イド、タングステンシリサイド、チタンシリサイドを含
む群から選ばれたいずれかである、特許請求の範囲第１
項記載の半導体基板加熱装置。 - （３）前記高周波の周波数が、１３．５６ＭＨｚ以上で
ある、特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体
基板加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3486687A JPS63203771A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 半導体基板加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3486687A JPS63203771A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 半導体基板加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63203771A true JPS63203771A (ja) | 1988-08-23 |
Family
ID=12426084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3486687A Pending JPS63203771A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 半導体基板加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63203771A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5614070A (en) * | 1994-05-24 | 1997-03-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Sputtering apparatus for forming metal lines |
| JP2008276974A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Shimadzu Corp | 高周波誘導加熱装置 |
| KR101209653B1 (ko) | 2010-03-16 | 2012-12-07 | 주식회사 에스에프에이 | 스퍼터 장치 |
-
1987
- 1987-02-17 JP JP3486687A patent/JPS63203771A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5614070A (en) * | 1994-05-24 | 1997-03-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Sputtering apparatus for forming metal lines |
| US5660696A (en) * | 1994-05-24 | 1997-08-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming metal lines by sputtering |
| JP2008276974A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Shimadzu Corp | 高周波誘導加熱装置 |
| KR101209653B1 (ko) | 2010-03-16 | 2012-12-07 | 주식회사 에스에프에이 | 스퍼터 장치 |
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