JPH01212431A - 薄膜半導体装置の製造方法 - Google Patents
薄膜半導体装置の製造方法Info
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- JPH01212431A JPH01212431A JP3783088A JP3783088A JPH01212431A JP H01212431 A JPH01212431 A JP H01212431A JP 3783088 A JP3783088 A JP 3783088A JP 3783088 A JP3783088 A JP 3783088A JP H01212431 A JPH01212431 A JP H01212431A
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- Japan
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- semiconductor device
- amorphous silicon
- heater
- silicon film
- heat
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファス半導体を多結晶化する工程を有す
る薄膜半導体装置の製造方法に関する。
る薄膜半導体装置の製造方法に関する。
薄膜半導体装置の製造において、基板上にプラズマＣＶ
Ｄ等で形成したアモルファス半導体膜を、その電気特性
等を変えるために熱処理（アニール）して多結晶化する
工程がある。従来工程では、アモルファス半導体膜を真
空室でヒータ等により熱前処理した後、真空室から取り
出し空気中でレーザ照射して行っていた。
Ｄ等で形成したアモルファス半導体膜を、その電気特性
等を変えるために熱処理（アニール）して多結晶化する
工程がある。従来工程では、アモルファス半導体膜を真
空室でヒータ等により熱前処理した後、真空室から取り
出し空気中でレーザ照射して行っていた。
Ｃ発明が解決しようとする課題）
このように従来の熱処理工程は、２段階となるため繁雑
で時間を要し、また、レーザ照射工程では多結晶膜質が
大気の影響を受ける問題があった。
で時間を要し、また、レーザ照射工程では多結晶膜質が
大気の影響を受ける問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、熱処
理工程を簡略化し、かつ、多結晶膜形成時に大気の影響
を受けるないようにした薄膜半導体装置の製造方法を提
供することである。
理工程を簡略化し、かつ、多結晶膜形成時に大気の影響
を受けるないようにした薄膜半導体装置の製造方法を提
供することである。
このために、本発明の薄膜半導体装置の製造方法は、基
板に形成したアモルファス半導体を熱処理して多結晶化
する工程を有する薄膜半導体装置の製造方法において、 上記アモルファス半導体を、真空の耐熱容器内で、加熱
装置で加熱しながらレーザ照射する工程を有するように
した。
板に形成したアモルファス半導体を熱処理して多結晶化
する工程を有する薄膜半導体装置の製造方法において、 上記アモルファス半導体を、真空の耐熱容器内で、加熱
装置で加熱しながらレーザ照射する工程を有するように
した。
以下、本発明の一実施例の薄膜半導体装置の製造方法に
ついて説明する。第１図はその熱処理装置Ａを示し、ｌ
は減圧可能な耐熱容器で、その内部に赤外線ヒータ等か
らなる加熱装置２が配設されている。３は耐熱容器１の
下面部に形成した排気部でバルブ４が取り付けられてい
る。５は耐熱容器１の上方部に配設されたレーザ装置で
、例えばＹＡＧレーザを耐熱容器１内に照射するもので
ある。
ついて説明する。第１図はその熱処理装置Ａを示し、ｌ
は減圧可能な耐熱容器で、その内部に赤外線ヒータ等か
らなる加熱装置２が配設されている。３は耐熱容器１の
下面部に形成した排気部でバルブ４が取り付けられてい
る。５は耐熱容器１の上方部に配設されたレーザ装置で
、例えばＹＡＧレーザを耐熱容器１内に照射するもので
ある。
さて、この熱処理装置Ａによって製造過程の半導体装置
を熱処理するには、まず、ガラス或いはセラミック等か
らなる基板６の上面にプラズマＣＶＤ法によってアモル
ファスシリコン膜７を形成した半導体装置Ｂを加熱装置
２に搭載設置する。
を熱処理するには、まず、ガラス或いはセラミック等か
らなる基板６の上面にプラズマＣＶＤ法によってアモル
ファスシリコン膜７を形成した半導体装置Ｂを加熱装置
２に搭載設置する。
この場合、アモルファスシリコン膜７側を上側にし、基
板６を加熱装置２に接面させる。
板６を加熱装置２に接面させる。
その後、耐熱容器ｌ内の空気を真空ポンプ（図示せず）
で排気部３から排出し、バフルブ４を閉じて耐熱容器１
内の真空を保持する。この状態で、加熱袋Ｗ１２とレー
ザ装置５とを作動させて半導体装置Ｂに対し、下側から
ヒータ熱で所定の温度に加熱しながら、上側つまりアモ
ルファスシリコン膜７をレーザ装置５からのレーザスキ
ャン照射によって加熱する。この結果、アモルファスシ
リコン膜７は大気の影響を受けずに迅速に多結晶化され
る。
で排気部３から排出し、バフルブ４を閉じて耐熱容器１
内の真空を保持する。この状態で、加熱袋Ｗ１２とレー
ザ装置５とを作動させて半導体装置Ｂに対し、下側から
ヒータ熱で所定の温度に加熱しながら、上側つまりアモ
ルファスシリコン膜７をレーザ装置５からのレーザスキ
ャン照射によって加熱する。この結果、アモルファスシ
リコン膜７は大気の影響を受けずに迅速に多結晶化され
る。
なお、この多結晶化の代表的熱処理条件の一例は次のと
うりである。
うりである。
真空度 ・・・・・・１×１Ｏ−５（Ｔｏｒｒ）
以上基板温度 ・・・・・・２００〜３００℃レー
ザ種類 ・・・・・・ＹＡＧレーザ（発明の効果） 以上から本発明によれば、加熱装置による熱処理とレー
ザ照射による熱処理とを真空中で同時に行うようにした
ので、アモルファス半導体膜の多結晶化が大気の影響を
受けずにでき高品質の多結晶膜を形成することが可能と
なり、かつ、その工程が簡略化され、作業性の向上と工
程時間の短縮化が図れる。
以上基板温度 ・・・・・・２００〜３００℃レー
ザ種類 ・・・・・・ＹＡＧレーザ（発明の効果） 以上から本発明によれば、加熱装置による熱処理とレー
ザ照射による熱処理とを真空中で同時に行うようにした
ので、アモルファス半導体膜の多結晶化が大気の影響を
受けずにでき高品質の多結晶膜を形成することが可能と
なり、かつ、その工程が簡略化され、作業性の向上と工
程時間の短縮化が図れる。
第１図は本発明の一実施例の製造方法の実施で使用され
る熱処理装置の模試図である。 １・・・耐熱容器、２・・・加熱装置、３・・・排気部
、４・・・バルブ、５・・・レーザ装置、６・・・基板
、７・・・アモルファスシリコン膜。
る熱処理装置の模試図である。 １・・・耐熱容器、２・・・加熱装置、３・・・排気部
、４・・・バルブ、５・・・レーザ装置、６・・・基板
、７・・・アモルファスシリコン膜。
Claims (2)
- （１）、基板に形成したアモルファス半導体を熱処理し
て多結晶化する工程を有する薄膜半導体装置の製造方法
において、 上記アモルファス半導体を、真空の耐熱容器内で、加熱
装置で加熱しながらレーザ照射する工程を有することを
特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。 - （２）、上記アモルファス半導体がアモルファスシリコ
ンであることを特徴とする特許請求の範囲の範囲第１項
記載の薄膜半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3783088A JPH01212431A (ja) | 1988-02-20 | 1988-02-20 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3783088A JPH01212431A (ja) | 1988-02-20 | 1988-02-20 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01212431A true JPH01212431A (ja) | 1989-08-25 |
Family
ID=12508446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3783088A Pending JPH01212431A (ja) | 1988-02-20 | 1988-02-20 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01212431A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07270818A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Sharp Corp | 半導体基板の製造方法およびその製造装置 |
| JPH08148428A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体デバイスのレーザー処理方法 |
| US6479331B1 (en) * | 1993-06-30 | 2002-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device |
| US6638800B1 (en) | 1992-11-06 | 2003-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing process |
| US7351615B2 (en) | 1992-12-26 | 2008-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a MIS transistor |
-
1988
- 1988-02-20 JP JP3783088A patent/JPH01212431A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6638800B1 (en) | 1992-11-06 | 2003-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing process |
| US7179726B2 (en) | 1992-11-06 | 2007-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing process |
| US7351615B2 (en) | 1992-12-26 | 2008-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a MIS transistor |
| US6479331B1 (en) * | 1993-06-30 | 2002-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device |
| JPH07270818A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Sharp Corp | 半導体基板の製造方法およびその製造装置 |
| JPH08148428A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体デバイスのレーザー処理方法 |
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