JPH0555259A - 液晶表示装置の製造装置 - Google Patents
液晶表示装置の製造装置Info
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- JPH0555259A JPH0555259A JP21218491A JP21218491A JPH0555259A JP H0555259 A JPH0555259 A JP H0555259A JP 21218491 A JP21218491 A JP 21218491A JP 21218491 A JP21218491 A JP 21218491A JP H0555259 A JPH0555259 A JP H0555259A
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- amorphous silicon
- silicon film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板温度の上昇を抑制して製品コストの低減
を図ることができるとともに、生産性の向上を図ること
のできる液晶表示装置の製造装置を提供する。 【構成】 表面にアモルファスシリコン膜を形成された
ガラス基板１２を基板載置台１１上に載置し、処理チャ
ンバ内に所定のドーピングガスを導入し、所定雰囲気と
した状態で、ガラス基板１２上の各部に、レーザビーム
１８ａ、１８ｂ、１８ｃが、この順で走査、照射される
ように基板載置台１１をＸ−Ｙ方向に所定速度で移動さ
せるよう構成されている。
を図ることができるとともに、生産性の向上を図ること
のできる液晶表示装置の製造装置を提供する。 【構成】 表面にアモルファスシリコン膜を形成された
ガラス基板１２を基板載置台１１上に載置し、処理チャ
ンバ内に所定のドーピングガスを導入し、所定雰囲気と
した状態で、ガラス基板１２上の各部に、レーザビーム
１８ａ、１８ｂ、１８ｃが、この順で走査、照射される
ように基板載置台１１をＸ−Ｙ方向に所定速度で移動さ
せるよう構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置の製造装
置に関する。
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、テレビジョン用のディスプレイ装
置等に、液晶表示装置（ＬＣＤ）が広く用いられてい
る。
置等に、液晶表示装置（ＬＣＤ）が広く用いられてい
る。
【０００３】このような液晶表示装置において、基板上
にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成する際、ＣＶＤ等
によって基板上にアモルファスシリコン膜を形成し、こ
の後、基板を高温例えば800 〜900 ℃程度に加熱して、
アモルファスシリコンを多結晶化し、しかる後、ポリシ
リコンに不純物をドープすることが行われている。
にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成する際、ＣＶＤ等
によって基板上にアモルファスシリコン膜を形成し、こ
の後、基板を高温例えば800 〜900 ℃程度に加熱して、
アモルファスシリコンを多結晶化し、しかる後、ポリシ
リコンに不純物をドープすることが行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記工
程により、ＴＦＴを形成する場合、基板を800 〜900 ℃
程度の高温に加熱するため、ガラス基板を使用すること
ができず、基板として耐熱性の高い石英基板等を用いな
ければならず、製品コストの上昇を招くという問題があ
り、ガラス基板が使用できる低温領域で所望の成膜が行
えることが望まれていた。
程により、ＴＦＴを形成する場合、基板を800 〜900 ℃
程度の高温に加熱するため、ガラス基板を使用すること
ができず、基板として耐熱性の高い石英基板等を用いな
ければならず、製品コストの上昇を招くという問題があ
り、ガラス基板が使用できる低温領域で所望の成膜が行
えることが望まれていた。
【０００５】このため、アモルファスシリコン膜にレー
ザ光を走査状態で照射して多結晶化する技術が開発され
ている。このような方法では、レーザ光が照射された部
分は、1000℃以上の高温に加熱されるが、レーザ光は走
査基板全体の温度の上昇を抑制することができるため、
石英基板に較べて安価なガラス基板等を用いることがで
きる。
ザ光を走査状態で照射して多結晶化する技術が開発され
ている。このような方法では、レーザ光が照射された部
分は、1000℃以上の高温に加熱されるが、レーザ光は走
査基板全体の温度の上昇を抑制することができるため、
石英基板に較べて安価なガラス基板等を用いることがで
きる。
【０００６】このレーサービームによってアモルファス
シリコン膜を多結晶化するためには100 〜200 ミリジュ
ール／平方センチ程度のエネルギーを与えることが望ま
しい。レーザービームのエネルギーを例えば130 ミリジ
ュール／平方センチ以上としてアモルファスシリコン膜
に与えると、例えばプラズマＣＶＤで成膜された水素の
多い膜においては、アモルファスシリコン膜に含まれる
水素成分が短時間に膜中から離脱し、欠陥の多い多結晶
シリコンが形成され、膜質の劣化した多結晶シリコン膜
しか得ることができない。
シリコン膜を多結晶化するためには100 〜200 ミリジュ
ール／平方センチ程度のエネルギーを与えることが望ま
しい。レーザービームのエネルギーを例えば130 ミリジ
ュール／平方センチ以上としてアモルファスシリコン膜
に与えると、例えばプラズマＣＶＤで成膜された水素の
多い膜においては、アモルファスシリコン膜に含まれる
水素成分が短時間に膜中から離脱し、欠陥の多い多結晶
シリコンが形成され、膜質の劣化した多結晶シリコン膜
しか得ることができない。
【０００７】また、レーザービームを用いて不純物のド
ーピングを行うためには、ドーピングガス雰囲気中に多
結晶シリコン膜を設け、この多結晶シリコン膜にレーザ
ービームを200 〜300 ミリジュール／平方センチ与える
必要がある。
ーピングを行うためには、ドーピングガス雰囲気中に多
結晶シリコン膜を設け、この多結晶シリコン膜にレーザ
ービームを200 〜300 ミリジュール／平方センチ与える
必要がある。
【０００８】従って、アモルファスシリコンを不純物の
ドーピングされた多結晶シリコンに変えるためには、少
なくとも2 つのエネルギー強度のレーザービームをアモ
ルファスシリコンに与える工程が必要となり、生産効率
が低下するという改善点を有する。
ドーピングされた多結晶シリコンに変えるためには、少
なくとも2 つのエネルギー強度のレーザービームをアモ
ルファスシリコンに与える工程が必要となり、生産効率
が低下するという改善点を有する。
【０００９】また、レーザービーム内の強度分布は通常
ガウス分布で表すことができるが、平坦なエネルギー分
布でないため、照射部分のエネルギーが均一でなく、狭
い範囲しか所望の成膜処理を行う事ができないという改
善点を有する。
ガウス分布で表すことができるが、平坦なエネルギー分
布でないため、照射部分のエネルギーが均一でなく、狭
い範囲しか所望の成膜処理を行う事ができないという改
善点を有する。
【００１０】さらに、図６に示すように、従来のＴＦＴ
ＬＣＤ装置１では、ガラス基板上に画素部１と駆動部２
から構成され、駆動部２はシリコン半導体素子モジュー
ルをあとで貼付けて配線し、全体を構成していた。ガラ
ス基板３上には温度の関係で低温プロセスではアモルフ
ァスシリコンしか作ることができず、良好な駆動部の素
子を作ることができなかったので、ガラス基板３上に一
体で画素部１と駆動部２まで構成することが望ましい
が、アモルファスシリコンはモビリティーが低いため、
アモルファスシリコンを駆動部２として用いることはで
きなかった。例えばモビリティーは単結晶シリコンでは
500 cm2 ／VS、レーザ成膜シリコンでは200 〜100 cm2
／VS、熱ＣＶＤシリコンでは100 〜40cm2 ／VSであるの
に対して、アモルファスシリコンでは0.3 cm2／VS以下
であり、バラツキが多い。このため駆動部としてはガラ
ス基板上のアモルファスシリコンが使えないため、半導
体素子モジュールをセッティングすることによりＴＦＴ
ＬＣＤのコストアップになり、ガラス基板３の画素電極
４およびＴＦＴ５と駆動部２との配線が複雑で歩留まり
も低下させている改善点を有していた。ガラス基板３上
に駆動部２を含めたＬＣＤ装置を一体に構成することが
望まれていた。
ＬＣＤ装置１では、ガラス基板上に画素部１と駆動部２
から構成され、駆動部２はシリコン半導体素子モジュー
ルをあとで貼付けて配線し、全体を構成していた。ガラ
ス基板３上には温度の関係で低温プロセスではアモルフ
ァスシリコンしか作ることができず、良好な駆動部の素
子を作ることができなかったので、ガラス基板３上に一
体で画素部１と駆動部２まで構成することが望ましい
が、アモルファスシリコンはモビリティーが低いため、
アモルファスシリコンを駆動部２として用いることはで
きなかった。例えばモビリティーは単結晶シリコンでは
500 cm2 ／VS、レーザ成膜シリコンでは200 〜100 cm2
／VS、熱ＣＶＤシリコンでは100 〜40cm2 ／VSであるの
に対して、アモルファスシリコンでは0.3 cm2／VS以下
であり、バラツキが多い。このため駆動部としてはガラ
ス基板上のアモルファスシリコンが使えないため、半導
体素子モジュールをセッティングすることによりＴＦＴ
ＬＣＤのコストアップになり、ガラス基板３の画素電極
４およびＴＦＴ５と駆動部２との配線が複雑で歩留まり
も低下させている改善点を有していた。ガラス基板３上
に駆動部２を含めたＬＣＤ装置を一体に構成することが
望まれていた。
【００１１】本発明は、かかる従来の問題点を改善する
ためになされたもので、アモルファスシリコンの多結晶
シリコン化と、水素の多いアモルファスシリコン膜にお
いては水素の放出と、このアモルファス及び多結晶シリ
コンに不純物をピングする工程を一工程で行うことがで
きるとともに、レーザービーム照射のエネルギー分布が
均一な液晶表示装置の製造装置を提供しようとするもの
である。
ためになされたもので、アモルファスシリコンの多結晶
シリコン化と、水素の多いアモルファスシリコン膜にお
いては水素の放出と、このアモルファス及び多結晶シリ
コンに不純物をピングする工程を一工程で行うことがで
きるとともに、レーザービーム照射のエネルギー分布が
均一な液晶表示装置の製造装置を提供しようとするもの
である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の液晶
表示装置の製造装置は、基板の表面に形成したアモルフ
ァスシリコン膜を多結晶化し、この多結晶シリコン膜に
不純物をドーピングするにあたり、前記基板をドーピン
グ物質と接触させるとともに、アモルファスシリコンを
多結晶化する強度のレーザ光と、多結晶シリコンに不純
物をドーピングする強度のレーザ光とを前記基板に照射
しつつ、これらのレーザ光と前記基板とを、走査する如
く相対的に移動させ、前記アモルファスシリコン膜の多
結晶化と、この多結晶化されたシリコン膜への不純物の
ドーピングとを連続して行うことを特徴とする。
表示装置の製造装置は、基板の表面に形成したアモルフ
ァスシリコン膜を多結晶化し、この多結晶シリコン膜に
不純物をドーピングするにあたり、前記基板をドーピン
グ物質と接触させるとともに、アモルファスシリコンを
多結晶化する強度のレーザ光と、多結晶シリコンに不純
物をドーピングする強度のレーザ光とを前記基板に照射
しつつ、これらのレーザ光と前記基板とを、走査する如
く相対的に移動させ、前記アモルファスシリコン膜の多
結晶化と、この多結晶化されたシリコン膜への不純物の
ドーピングとを連続して行うことを特徴とする。
【００１３】
【作用】上記構成の本発明の液晶表示装置の製造装置で
は、基板をドーピングガス雰囲気中に設け、水素の多い
アモルファスシリコン膜において水素放出するレーザ光
（例えば100 ミリジュール／平方センチ）と、アモルフ
ァスシリコンを多結晶化する強度のレーザ光（例えば15
0 ミリジュール／平方センチ）と、多結晶シリコンに不
純物をドーピングする強度のレーザ光（例えば250 ミリ
ジュール／平方センチ）とを、基板に照射しつつ、これ
らのレーザ光と基板とを、走査する如く相対的に移動さ
せ、アモルファスシリコン膜の多結晶化と、多結晶シリ
コン膜への不純物のドーピングとを連続して行う。
は、基板をドーピングガス雰囲気中に設け、水素の多い
アモルファスシリコン膜において水素放出するレーザ光
（例えば100 ミリジュール／平方センチ）と、アモルフ
ァスシリコンを多結晶化する強度のレーザ光（例えば15
0 ミリジュール／平方センチ）と、多結晶シリコンに不
純物をドーピングする強度のレーザ光（例えば250 ミリ
ジュール／平方センチ）とを、基板に照射しつつ、これ
らのレーザ光と基板とを、走査する如く相対的に移動さ
せ、アモルファスシリコン膜の多結晶化と、多結晶シリ
コン膜への不純物のドーピングとを連続して行う。
【００１４】したがって、基板温度を上昇させることな
く処理を実施することができ、ガラス基板等を用いるこ
とができるので、製品コストの低減を図ることができ、
かつ、水素の多いアモルファスシリコン膜において水素
の放出またはアモルファスシリコン膜の多結晶化と、多
結晶シリコン膜への不純物のドーピングとを同時に行う
ので、生産性の向上を図ることができる。
く処理を実施することができ、ガラス基板等を用いるこ
とができるので、製品コストの低減を図ることができ、
かつ、水素の多いアモルファスシリコン膜において水素
の放出またはアモルファスシリコン膜の多結晶化と、多
結晶シリコン膜への不純物のドーピングとを同時に行う
ので、生産性の向上を図ることができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【００１６】図１は、本発明の一実施例装置の構成を示
すもので、内部を気密に保持可能に構成された処理チャ
ンバ１０内に設けられた基板載置台１１は、上面にガラ
ス基板１２を保持する如く構成されており、図示しない
駆動装置によりＸ−Ｙ方向に移動可能に構成されてい
る。また、処理チャンバ１０の基板載置台１１上方に
は、後述する波長のレーザビームに対して透過性の高い
材質、例えば合成石英等からなるレーザ照射用窓１３が
設けられている。さらに、処理チャンバ１０には、ドー
ピングガス導入配管１４および排気配管１５が設けられ
ている。
すもので、内部を気密に保持可能に構成された処理チャ
ンバ１０内に設けられた基板載置台１１は、上面にガラ
ス基板１２を保持する如く構成されており、図示しない
駆動装置によりＸ−Ｙ方向に移動可能に構成されてい
る。また、処理チャンバ１０の基板載置台１１上方に
は、後述する波長のレーザビームに対して透過性の高い
材質、例えば合成石英等からなるレーザ照射用窓１３が
設けられている。さらに、処理チャンバ１０には、ドー
ピングガス導入配管１４および排気配管１５が設けられ
ている。
【００１７】処理チャンバ１０の外側には、レーザ照射
機構１６が設けられている。このレーザ照射機構１６
は、エキシマレーザ光源１７からのレーザビーム（波長
例えば248 nm）１８をハーフミラー１９、２０、および
ミラー２１によって3 本のレーザビーム１８ａ、１８
ｂ、１８ｃとし、それぞれホモジナイザ２２、２３、２
４を介して基板載置台１１上のガラス基板１２に照射す
るよう構成されている。
機構１６が設けられている。このレーザ照射機構１６
は、エキシマレーザ光源１７からのレーザビーム（波長
例えば248 nm）１８をハーフミラー１９、２０、および
ミラー２１によって3 本のレーザビーム１８ａ、１８
ｂ、１８ｃとし、それぞれホモジナイザ２２、２３、２
４を介して基板載置台１１上のガラス基板１２に照射す
るよう構成されている。
【００１８】上記レーザビーム１８ａは、ガラス基板１
２上に形成されたアモルファスシリコン膜（図示せず）
を多結晶化するためのものであり、その単位面積当りの
強度（エネルギー）が、好ましくは100 〜200 ミリジュ
ール／平方センチ例えば150ミリジュール／平方センチ
となるよう、ハーフミラー１９の反射率等が設定されて
いる。
２上に形成されたアモルファスシリコン膜（図示せず）
を多結晶化するためのものであり、その単位面積当りの
強度（エネルギー）が、好ましくは100 〜200 ミリジュ
ール／平方センチ例えば150ミリジュール／平方センチ
となるよう、ハーフミラー１９の反射率等が設定されて
いる。
【００１９】また、レーザビーム１８ｂは、不純物のド
ーピングを行うためのものであり、その単位面積当りの
強度が好ましくは200 〜300 ミリジュール／平方セン
チ、例えば250 ミリジュール／平方センチとなるよう、
ハーフミラー２０の反射率等が設定されている。
ーピングを行うためのものであり、その単位面積当りの
強度が好ましくは200 〜300 ミリジュール／平方セン
チ、例えば250 ミリジュール／平方センチとなるよう、
ハーフミラー２０の反射率等が設定されている。
【００２０】さらに、レーザビーム１８ｃは、アニーリ
ングを実施するためのものであり、その単位面積当りの
強度が、好ましくは100 〜200 ミリジュール／平方セン
チ、例えば150 ミリジュール／平方センチとなるよう設
定されている。
ングを実施するためのものであり、その単位面積当りの
強度が、好ましくは100 〜200 ミリジュール／平方セン
チ、例えば150 ミリジュール／平方センチとなるよう設
定されている。
【００２１】なお、ホモジナイザ２２、２３、２４は、
レーザビーム１８ａ、１８ｂ、１８ｃのビーム強度分布
を、それぞれ均一化するためのものであり、例えば図
２、図３に示すようなレンズ構成とされている。そし
て、図４に示すように、ガウス分布のビームを（ａ）、
左右2 つのビームに分割し（ｂ）、これらを合成して矩
形状の分布を有するビームを得るものである（ｃ）。
レーザビーム１８ａ、１８ｂ、１８ｃのビーム強度分布
を、それぞれ均一化するためのものであり、例えば図
２、図３に示すようなレンズ構成とされている。そし
て、図４に示すように、ガウス分布のビームを（ａ）、
左右2 つのビームに分割し（ｂ）、これらを合成して矩
形状の分布を有するビームを得るものである（ｃ）。
【００２２】上記構成の液晶表示装置の製造装置では、
表面にアモルファスシリコン膜を形成されたガラス基板
１２を基板載置台１１上に載置し、処理チャンバ１０内
に所定のドーピングガス（例えばＢＣＮ3 、ジボラン、
ＰＨ3 ）等を導入し、所定雰囲気とした状態で、ガラス
基板１２上の各部にレーザビーム１８ａ、１８ｂ、１８
ｃが、この順で走査、照射されるように基板載置台１１
をＸ−Ｙ方向に所定速度で移動させる。なお、このよう
なレーザビーム１８ａ、１８ｂ、１８ｃの走査は、主と
してガラス基板１２上の駆動部やＴＦＴ形成部位に対し
て行い、不要部位に対してレーザビーム１８ａ、１８
ｂ、１８ｃの走査を行わないようにしてスループットの
向上を図る。
表面にアモルファスシリコン膜を形成されたガラス基板
１２を基板載置台１１上に載置し、処理チャンバ１０内
に所定のドーピングガス（例えばＢＣＮ3 、ジボラン、
ＰＨ3 ）等を導入し、所定雰囲気とした状態で、ガラス
基板１２上の各部にレーザビーム１８ａ、１８ｂ、１８
ｃが、この順で走査、照射されるように基板載置台１１
をＸ−Ｙ方向に所定速度で移動させる。なお、このよう
なレーザビーム１８ａ、１８ｂ、１８ｃの走査は、主と
してガラス基板１２上の駆動部やＴＦＴ形成部位に対し
て行い、不要部位に対してレーザビーム１８ａ、１８
ｂ、１８ｃの走査を行わないようにしてスループットの
向上を図る。
【００２３】すると、ガラス基板１２上に形成されたア
モルファスシリコン膜は、まず、レーザビーム１８ａの
照射を受けて多結晶化され、次に、レーザビーム１８ｂ
の照射を受け、多結晶シリコン中に雰囲気中の不純物が
ドーピングされる。そして、この後レーザビーム１８ｃ
が照射され、アニーリングが実施される。
モルファスシリコン膜は、まず、レーザビーム１８ａの
照射を受けて多結晶化され、次に、レーザビーム１８ｂ
の照射を受け、多結晶シリコン中に雰囲気中の不純物が
ドーピングされる。そして、この後レーザビーム１８ｃ
が照射され、アニーリングが実施される。
【００２４】すなわち、本実施例方法によれば、1 回の
走査工程によって、ガラス基板１２上の所定部位に3 本
のレーザビーム１８ａ、１８ｂ、１８ｃが順次照射さ
れ、アモルファスシリコン膜の多結晶化、多結晶シリコ
ン中への不純物のドーピング、およびアニーリングを同
時に行うことができる。したがって、従来に較べて生産
性の向上を図ることができる。また、レーザビームの照
射によって処理を行うので、基板が高温に加熱されるこ
とがなく、石英基板ではなくガラス基板１２を用いるこ
とができ、製品コストの低減を図ることができる。
走査工程によって、ガラス基板１２上の所定部位に3 本
のレーザビーム１８ａ、１８ｂ、１８ｃが順次照射さ
れ、アモルファスシリコン膜の多結晶化、多結晶シリコ
ン中への不純物のドーピング、およびアニーリングを同
時に行うことができる。したがって、従来に較べて生産
性の向上を図ることができる。また、レーザビームの照
射によって処理を行うので、基板が高温に加熱されるこ
とがなく、石英基板ではなくガラス基板１２を用いるこ
とができ、製品コストの低減を図ることができる。
【００２５】次に、プラズマＣＶＤによって成膜された
水素を多く含有するアモルファスシリコン膜に不純物を
ドーピングする場合について以下に説明する。
水素を多く含有するアモルファスシリコン膜に不純物を
ドーピングする場合について以下に説明する。
【００２６】レーザビーム１８ａは、ガラス基板１２上
に形成された水素を多く含有するアモルファスシリコン
膜（図示せず）から水素を放出させるためのものであ
り、その単位面積当りの強度（エネルギー）が、好まし
くは50〜130 ミリジュール／平方センチ例えば100 ミリ
ジュール／平方センチとなるよう、ハーフミラー１９の
反射率等が設定されている。
に形成された水素を多く含有するアモルファスシリコン
膜（図示せず）から水素を放出させるためのものであ
り、その単位面積当りの強度（エネルギー）が、好まし
くは50〜130 ミリジュール／平方センチ例えば100 ミリ
ジュール／平方センチとなるよう、ハーフミラー１９の
反射率等が設定されている。
【００２７】また、レーザビーム１８ｂは、アモルファ
スシリコン膜の多結晶化と不純物のドーピングを行うた
めのものであり、その単位面積当りの強度が好ましくは
200〜300 ミリジュール／平方センチ、例えば250 ミリ
ジュール／平方センチとなるよう、ハーフミラー２０の
反射率等が設定されている。
スシリコン膜の多結晶化と不純物のドーピングを行うた
めのものであり、その単位面積当りの強度が好ましくは
200〜300 ミリジュール／平方センチ、例えば250 ミリ
ジュール／平方センチとなるよう、ハーフミラー２０の
反射率等が設定されている。
【００２８】さらに、レーザビーム１８ｃは、アニーリ
ングを実施するためのものであり、その単位面積当りの
強度が、好ましくは100 〜200 ミリジュール／平方セン
チ、例えば150 ミリジュール／平方センチとなるよう設
定されている。
ングを実施するためのものであり、その単位面積当りの
強度が、好ましくは100 〜200 ミリジュール／平方セン
チ、例えば150 ミリジュール／平方センチとなるよう設
定されている。
【００２９】以上のように構成されているので、1 回の
走査工程によって、アモルファスシリコン膜からの水素
の放出と、アモルファスシリコン膜の多結晶化と、不純
物のドーピング、アニーリングを同時に行うことができ
る。
走査工程によって、アモルファスシリコン膜からの水素
の放出と、アモルファスシリコン膜の多結晶化と、不純
物のドーピング、アニーリングを同時に行うことができ
る。
【００３０】なお、上記実施例では、3 本のレーザビー
ム１８ａ、１８ｂ、１８ｃによって、アモルファスシリ
コン膜の多結晶化、水素の多いアモルファスシリコン膜
においては水素の放出、不純物のドーピング、アニーリ
ングを同時に行うようにしたが、例えばアニーリング
は、必ずしも行う必要はない。また、上記実施例では、
1 つのエキシマレーザ光源１７からのレーザビーム１８
を、ハーフミラー１９、２０、およびミラー２１によっ
て3 本のレーザビーム１８ａ、１８ｂ、１８ｃに分割し
たが、例えば2 つあるいは3 つのエキシマレーザ光源１
７を用いてもよい。また、基板載置台１１を移動させる
換わりに、レーザビーム１８ａ、１８ｂ、１８ｃを移動
させてもよい。
ム１８ａ、１８ｂ、１８ｃによって、アモルファスシリ
コン膜の多結晶化、水素の多いアモルファスシリコン膜
においては水素の放出、不純物のドーピング、アニーリ
ングを同時に行うようにしたが、例えばアニーリング
は、必ずしも行う必要はない。また、上記実施例では、
1 つのエキシマレーザ光源１７からのレーザビーム１８
を、ハーフミラー１９、２０、およびミラー２１によっ
て3 本のレーザビーム１８ａ、１８ｂ、１８ｃに分割し
たが、例えば2 つあるいは3 つのエキシマレーザ光源１
７を用いてもよい。また、基板載置台１１を移動させる
換わりに、レーザビーム１８ａ、１８ｂ、１８ｃを移動
させてもよい。
【００３１】なお、不純物のドーピングは、例えば図５
に示すように、ガラス基板１２のアモルファスシリコン
膜上に不純物３０を例えば5nm スピンコーティングし、
その表面にＳｉＯ2 膜３１を例えば100nm 形成したもの
に対して、大気雰囲気中で行うようにしてもよい。
に示すように、ガラス基板１２のアモルファスシリコン
膜上に不純物３０を例えば5nm スピンコーティングし、
その表面にＳｉＯ2 膜３１を例えば100nm 形成したもの
に対して、大気雰囲気中で行うようにしてもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置の製造装置によれば、基板温度の上昇を抑制して製
品コストの低減を図ることができるとともに、生産性の
向上を図ることができる。
装置の製造装置によれば、基板温度の上昇を抑制して製
品コストの低減を図ることができるとともに、生産性の
向上を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例の液晶表示装置の製造装置の
構成を示す図。
構成を示す図。
【図２】ホモジナイザーの構成例を示す図。
【図３】ホモジナイザーの構成例を示す図。
【図４】ホモジナイザーの作用を説明するための図。
【図５】他の実施例の構成を示す図。
【図６】液晶表示装置の構成例を示す図。
１０ 処理チャンバ １１ 基板載置台 １２ ガラス基板 １３ レーザ照射用窓 １４ ドーピングガス導入配管 １５ 排気配管 １６ レーザ照射機構 １７ エキシマレーザ光源 １８ レーザビーム １８ａ レーザビーム（多結晶化用） １８ｂ レーザビーム（ドーピング用） １８ｃ レーザビーム（アニーリング用） １９，２０ ハーフミラー ２１ ミラー ２２，２３，２４ ホモジナイザ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/22 Ｅ 9278−4Ｍ 27/12 8728−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板の表面に形成したアモルファスシリ
コン膜を多結晶化し、この多結晶シリコン膜に不純物を
ドーピングするにあたり、 前記基板をドーピング物質と接触させるとともに、アモ
ルファスシリコンを多結晶化する強度のレーザ光と、多
結晶シリコンに不純物をドーピングする強度のレーザ光
とを前記基板に照射しつつ、これらのレーザ光と前記基
板とを、走査する如く相対的に移動させ、前記アモルフ
ァスシリコン膜の多結晶化と、この多結晶化されたシリ
コン膜への不純物のドーピングとを連続して行うことを
特徴とする液晶表示装置の製造装置。
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|---|---|---|---|
| JP21218491A JP3026520B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 液晶表示装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21218491A JP3026520B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 液晶表示装置の製造装置 |
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| JPH0555259A true JPH0555259A (ja) | 1993-03-05 |
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Family
ID=16618316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21218491A Expired - Fee Related JP3026520B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 液晶表示装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3026520B2 (ja) |
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-
1991
- 1991-08-23 JP JP21218491A patent/JP3026520B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3026520B2 (ja) | 2000-03-27 |
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