JPH11354463A - レーザアニール装置及び多結晶半導体膜の製造方法 - Google Patents
レーザアニール装置及び多結晶半導体膜の製造方法Info
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- JPH11354463A JPH11354463A JP15589298A JP15589298A JPH11354463A JP H11354463 A JPH11354463 A JP H11354463A JP 15589298 A JP15589298 A JP 15589298A JP 15589298 A JP15589298 A JP 15589298A JP H11354463 A JPH11354463 A JP H11354463A
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Abstract
面積基板上の非晶質半導体膜をレーザアニールする時
に、大面積基板上のパネル基板内にラインビームの重な
り領域が生じるのを防止し、大面積基板上の非晶質半導
体膜全面を均質に多結晶化して、液晶表示素子の表示品
位向上及び生産歩留まりの向上を図る。 【解決手段】 エキシマレーザアニール装置18の、集
光レンズ26からステージ24に達する間にスリット装
置27を設け、大面積基板10に照射されるラインビー
ム22の長さをパネル基板16の整数倍に成るよう調整
した後大面積基板10を複数回走査する事により、パネ
ル基板16内にラインビーム22の重なり領域を生じる
事無く非晶質半導体膜14全面を均質に結晶化する。
Description
ら多結晶半導体膜を得るために、非晶質半導体膜にレー
ザのライン状のビームを照射するレーザアニール装置及
び、多結晶半導体膜の製造方法に関する。
ング素子として、移動度が高く且つ液晶表示素子の駆動
も含めた高性能化が可能であることから、多結晶半導体
膜であるポリシリコンを半導体層とする多結晶薄膜トラ
ンジスタ(以下p−SiTFTと略称する。)の実用化
が進められている。一般に多結晶半導体膜は、非晶質半
導体膜にレーザビームを照射して多結晶化するレーザア
ニール法により形成されている。そして特にレーザビー
ムの長尺化が可能であるエキシマレーザアニール装置を
用いてのレーザアニールが多用されている。
は、従来はエキシマレーザ発振器から発振され、ホモジ
ナイザによりライン状に整形されたラインビームを、光
学系により非晶質半導体膜を有する絶縁基板上に集光す
ると共に、光学系の最終出口と絶縁基板との間にスリッ
トを設けてラインビーム長を目的長さに固定設定し、こ
のラインビームを用いて非晶質半導体の全面もしくは任
意の領域をアニールして多結晶半導体を形成していた。
のエキシマレーザアニール装置は、スリットによりライ
ンビーム長が固定長さに設定されてしまい、ラインビー
ムの長さが一定であり、絶縁基板毎あるいは同一絶縁基
板内でその長さを変えることが不可能であった。
数の液晶表示素子分のパネル領域をマトリクス状に配列
可能となる様大面積化され、このような大面積基板上の
非晶質半導体膜をアニールする場合には、ライン長の長
いエキシマレーザビームであっても1回の走査では必要
領域全面をアニールすることが出来ず、図7に示すよう
に、大面積基板1上で一定長さのラインビーム2を複数
回走査させていた。
状に配列される任意のパネル領域3内にラインビーム2
が重なる領域[A]を生じてしまっていた。しかもライ
ンビーム長が固定長さである一方、大面積基板1上に形
成されるパネル領域3のサイズや形状が多様であり、更
に1枚の大面積基板1上に形成されるパネルサイズが複
数種ある場合があり、パネル領域3内でのラインビーム
2照射の重なり領域[A]の形成を避けられなかった。
りもラインビーム2に走査される回数が多いため結晶化
後の結晶粒径、電気的な特性等が異なってしまい、他の
領域と特性が異なり、このような多結晶半導体膜を用い
て液晶表示パネルを製造すると、領域[A]に表示ムラ
を生じ、ひいては液晶表示素子の表示品位の低下を生
じ、生産歩留まりを低下するという問題を有していた。
わせて、大面積基板1上の各パネル領域3間の間隙を拡
大して、表示パネル3内にラインビーム2が重なる領域
[A]が形成されるのを避ける方法も検討されている
が、この方法は、大面積基板1を有効に利用出来ず、量
産に適さないという新たな問題を生じていた。
ザのラインビームを複数回走査して大面積基板をアニー
ルする際に、パネル領域内でのラインビームの重なり領
域の発生を防止し、基板の大面積化、基板上のパネル領
域の多様化等に拘わらず、大面積基板上にてレーザによ
るラインビームを均一に照射出来、ひいては均一特性を
有する多結晶半導体膜を得る事により良好な表示品位の
液晶表示素子を高い歩留まりで得ることが出来るレーザ
アニール装置及び多結晶半導体の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
するため、レーザ光を発振する発振手段と、前記レーザ
光をライン状のビームに整形するビーム整形手段と、前
記整形されたライン状のビームの長さを調整する調整手
段とを設けるものである。
基板上にてライン状のビームを複数回走査して前記絶縁
基板上に堆積される非晶質半導体膜を結晶化する多結晶
半導体膜の製造方法において、前記絶縁基板上に非晶質
半導体膜を形成する工程と、前記ライン状のビームを第
1の長さで前記非晶質半導体膜に照射する工程と、前記
ライン状のビームを第2の長さで前記非晶質半導体膜に
照射する工程とを実施するものである。
の大面積化或いはパネル領域の多様化に拘わらず絶縁基
板上の非晶質半導体膜を均一にアニールする事により、
パネル領域内にラインビームの重なり領域を生じる事が
無く、均一な多結晶半導体膜を得られ、ひいては表示ム
ラが無く表示品位の高い多様な液晶表示素子を高い歩留
まりで得るものである。
実施の形態を参照して説明する。10は400mm×5
00mmの無アルカリガラスからなる絶縁基板11上に
アンダーコート層12として窒化シリコン(SiNx)
膜12a及び酸化シリコン(SiOx)膜12bを成膜
したのち、非晶質半導体膜14を50nm成膜して成
り、この非晶質半導体膜14をアニールし、多結晶半導
体膜(図示せず)を形成後、p−SiTFT液晶表示装
置(図示せず)を40面分作製可能となるよう40枚パ
ネル基板16をマトリクス状のに配列して成る大面積基
板である。
膜(図示せず)を得るために、非晶質半導体膜14をレ
ーザアニールするエキシマレーザアニール装置であり、
エキシマレーザビーム20を発振するエキシマレーザ発
振器21、エキシマレーザ発振器21から発振されるエ
キシマレーザビーム20を、ラインビーム22に整形す
るホモジナイザ23、ラインビーム22を走査移動可能
なステージ24上にセットされる絶縁基板11上に集光
する光学系である集光レンズ26を有している。
る間には、調整手段でありラインビーム22の長さを変
動可能に調整する様、窓27aの長さを調整可能なスリ
ット装置27が設けられている。
り絶縁基板11上の非晶質半導体膜14をアニールし、
多結晶半導体膜(図示せず)を形成する方法について述
べる。
置18のステージ24に大面積基板10を載置する。次
いで、非晶質半導体膜14に照射するラインビーム22
aの長さが、大面積基板10のパネル基板16の2枚分
の長さである115mmと成るよう、スリット装置27
の窓27aの長さを調節する。この状態で、ステージ2
4を矢印s方向に走査移動しながら、図4に示す大面積
基板10の領域[B]の非晶質半導体膜14を、ライン
ビーム22aにてアニールし、多結晶半導体膜に結晶化
する。同様にしてステージ24を矢印s方向に走査移動
しながら図4に示す大面積基板10の領域[C]、
[D]、[E]の非晶質半導体膜14を順次アニールし
多結晶化して、大面積基板10全面に均質な多結晶半導
体膜を形成する。
ラインビーム22aにより400mm×500mmの大
面積基板10全面を4回に分けて走査して絶縁基板11
上に多結晶半導体膜を形成する事となる。
する大面積基板10を用い、 p−SiTFT及び画素
電極(図示せず)を有するアレイ基板を形成し、このア
レイ基板を用いて液晶表示素子(図示せず)を形成した
ところ、線欠陥・点欠陥などは確認されず、また80℃
の雰囲気で動作させる信頼性試験においても表示ムラを
生じる事無く高い表示品位を得られた。
アニール装置18により、同じサイズである400mm
×500mmの大面積基板10の走査回数を低減して、
非晶質半導体膜14を結晶化する場合について述べる。
マレーザアニール装置18のステージ24上に大面積基
板10を載置する。次いで、非晶質半導体膜14に照射
するラインビーム22bの長さを、大面積基板10のパ
ネル基板16の3枚分の長さである175mmと成るよ
う、スリット装置27の窓27aの長さを調節する。こ
の状態で、ステージ24を矢印s方向に走査移動しなが
ら、図5に示す大面積基板10の領域[F]の非晶質半
導体膜14を、ラインビーム22bにてアニールし、多
結晶半導体膜に結晶化する。同様にしてステージ24を
矢印s方向に走査移動しながら図5に示す大面積基板1
0の領域[G]の非晶質半導体膜14をアニールして、
多結晶半導体膜に結晶化する。
ビーム22cの長さを、大面積基板10のパネル基板1
6の2枚分の長さである115mmと成るよう、スリッ
ト装置27の窓27aの長さを調節し、再度ステージ2
4を矢印s方向に走査移動しながら、図5に示す大面積
基板10の領域[H]の非晶質半導体膜14を、ライン
ビーム22cにてアニールし、大面積基板10全面に均
質な多結晶半導体膜を形成する。
ラインビーム22b、22cにより400mm×500
mmの大面積基板10を3回に分けて走査して絶縁基板
11上に多結晶半導体膜を形成する事となる。
する大面積基板10を用い、(方法1)と同様に液晶表
示素子(図示せず)を形成したところ、(方法1)と同
様、線欠陥・点欠陥などは確認されず、また80℃の雰
囲気で動作させる信頼性試験においても表示ムラを生じ
る事無く高い表示品位を得られた。尚、この(方法2)
により得られる多結晶半導体膜は、特性的には(方法
1)と変わらずきわめて良好であり、更には、大面積基
板10上の走査回数が3回であり、(方法1)に比し、
ラインビーム22の照射時間を3/4に低減出来生産性
の一層の向上を図れると共に、エキシマレーザビーム2
0のショット数も3/4に低減出来、ガスの交換等のメ
ンテナンス性も向上出来る。
るエキシマレーザアニール装置18を用い、図6に示す
ように400mm×500mmの大面積基板10を、1
65mmのラインビーム22dにてを3回走査して多結
晶半導体膜を形成したところ、パネル基板16内にライ
ンビーム22dの重なり領域[I]を生じ、この様にし
て得られた多結晶半導体膜を有する大面積基板10を用
い、液晶表示素子(図示せず)を形成したところ、重な
り領域[I]に点欠陥が多くなり、80℃の雰囲気で動
作させる信頼性試験においても線欠陥が発生し、表示品
位の低下を来たした。
ステージ24に達する間にスリット装置27を設け、大
面積基板10上のパネル基板16のサイズにあわせて、
ラインビーム22の長さをパネル基板16の整数倍に成
るよう調整して、大面積基板10を走査する事により、
パネル基板16内にアニールの重なり領域を生じる事が
なく、絶縁基板全面にわたって均一にアニール出来、結
晶粒径、表面凹凸が均一であり、均一特性を有する多結
晶半導体膜を容易に製造可能と成る。そしてこのような
多結晶半導体膜を用い良好な特性を有するp−SiTF
Tを得られることから、線欠陥や点欠陥が無く、高い表
示品位を有する液晶表示素子を高い生産歩留まりで得る
ことが可能と成る。又製造時にあっては、大面積基板の
有効利用を損なう事無く、多様な表示パネルの要求に対
応可能と成る。
でなく、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であっ
て、例えば調整手段により調整されるラインビームの長
さは、基板に形成されるパネル基板のサイズや形状等に
応じて任意である。又、基板のサイズ或いは、基板上に
形成されるパネル領域の数等も限定されず、基板をライ
ンビームでアニールする際の走査回数や走査方向等も任
意である。又エキシマレーザビームの出力や周波数等も
任意である。
縁基板上の非晶質半導体膜を結晶化するためエキシマレ
ーザアニール装置のラインビームにて絶縁基板上を複数
回走査する際、調整手段によりラインビームの長さを調
整可能とする事により、液晶表示素子に用いるパネルの
多様化に拘わらず、絶縁基板上のパネル基板内に、ライ
ンビームが重ねて照射される領域を生じる事がなく、非
晶質半導体膜全面を均一にアニール出来、ひいては均質
な多結晶半導体膜を容易に得られる。そしてこの均質な
多結晶半導体膜を用いる事により表示品位が高い液晶表
示素子を高い歩留まりで容易に作製可能と成る。しかも
ラインビームの重なりを防止するため、従来のように絶
縁基板上のパネル基板間の間隙を拡大しなくても良く、
設計時、絶縁基板上に無駄な領域を確保する必要も無
く、液晶表示素子に用いるパネルの多様化に拘わらず絶
縁基板を効率的に使用可能となる。
面図である。
部断面図である。
ニール装置を示す概略構成図である。
基板のアニールを示す説明図である。
基板のアニールを示す説明図である。
基板のアニールを示す概略説明図である。
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 レーザ光を発振する発振手段と、 前記レーザ光をライン状のビームに整形するビーム整形
手段と、 前記整形されたライン状のビームの長さを調整する調整
手段とを有する事を特徴とするレーザアニール装置。 - 【請求項2】 絶縁基板上にてライン状のビームを複数
回走査して前記絶縁基板上に堆積される非晶質半導体膜
を結晶化する多結晶半導体膜の製造方法において、 前記絶縁基板上に非晶質半導体膜を形成する工程と、 前記ライン状のビームを第1の長さで前記非晶質半導体
膜に照射する工程と、 前記ライン状のビームを第2の長さで前記非晶質半導体
膜に照射する工程とを有する事を特徴とする多結晶半導
体膜の製造方法。
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---|---|---|---|
JP15589298A JP4443646B2 (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | 多結晶半導体膜の製造方法 |
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JP15589298A JP4443646B2 (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | 多結晶半導体膜の製造方法 |
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JPH11354463A true JPH11354463A (ja) | 1999-12-24 |
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ID=15615791
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---|---|---|---|
JP15589298A Expired - Lifetime JP4443646B2 (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | 多結晶半導体膜の製造方法 |
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---|---|
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Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002043245A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-08 | Fujitsu Ltd | 結晶性半導体薄膜の形成方法 |
JP2003209065A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-07-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法、半導体装置、半導体装置の生産システム並びに電子機器 |
JP2003243304A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-08-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2004512669A (ja) * | 2000-03-27 | 2004-04-22 | ウルトラテク, ステッパー, インコーポレイテッド | 基板を露光するための放射エネルギーの線光源を有する装置 |
JP2004179474A (ja) * | 2001-11-30 | 2004-06-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー照射装置 |
US6797550B2 (en) | 2001-12-21 | 2004-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
JP2004363168A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US6911358B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2005347741A (ja) * | 2004-05-06 | 2005-12-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置 |
US6984573B2 (en) | 2002-06-14 | 2006-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method and apparatus |
US7109069B2 (en) | 2001-12-21 | 2006-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US7135389B2 (en) | 2001-12-20 | 2006-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Irradiation method of laser beam |
KR100689315B1 (ko) | 2004-08-10 | 2007-03-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 실리콘 박막 결정화 장치 및 이를 이용한 결정화 방법 |
US7387922B2 (en) | 2003-01-21 | 2008-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method, method for manufacturing semiconductor device, and laser irradiation system |
US7476629B2 (en) | 2003-04-21 | 2009-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Beam irradiation apparatus, beam irradiation method, and method for manufacturing thin film transistor |
JP2009289871A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ光照射装置 |
KR100941010B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2010-02-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 레이저 장치를 제어하는 프로그램 및 레이저 장치를제어하는 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
US7812283B2 (en) | 2004-03-26 | 2010-10-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method for fabricating semiconductor device |
US7892952B2 (en) | 2001-10-30 | 2011-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser apparatus, laser irradiation method, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, production system for semiconductor device using the laser apparatus, and electronic equipment |
US7915099B2 (en) | 2003-04-21 | 2011-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Beam irradiation apparatus, beam irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device |
US7927983B2 (en) * | 2001-08-31 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device |
US8525075B2 (en) | 2004-05-06 | 2013-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus |
WO2018189900A1 (ja) * | 2017-04-14 | 2018-10-18 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 光照射装置 |
-
1998
- 1998-06-04 JP JP15589298A patent/JP4443646B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010123994A (ja) * | 2000-03-27 | 2010-06-03 | Ultratech Stepper Inc | 基板を露光するための放射エネルギーの線光源を有する装置 |
JP2004512669A (ja) * | 2000-03-27 | 2004-04-22 | ウルトラテク, ステッパー, インコーポレイテッド | 基板を露光するための放射エネルギーの線光源を有する装置 |
JP2002043245A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-08 | Fujitsu Ltd | 結晶性半導体薄膜の形成方法 |
US7927983B2 (en) * | 2001-08-31 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device |
US7892952B2 (en) | 2001-10-30 | 2011-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser apparatus, laser irradiation method, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, production system for semiconductor device using the laser apparatus, and electronic equipment |
JP2004158720A (ja) * | 2001-11-09 | 2004-06-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー装置及びレーザー照射方法 |
JP2003209065A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-07-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法、半導体装置、半導体装置の生産システム並びに電子機器 |
JP2004179474A (ja) * | 2001-11-30 | 2004-06-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー照射装置 |
US7105048B2 (en) | 2001-11-30 | 2006-09-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus |
KR100941010B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2010-02-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 레이저 장치를 제어하는 프로그램 및 레이저 장치를제어하는 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
JP2003243304A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-08-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US7135389B2 (en) | 2001-12-20 | 2006-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Irradiation method of laser beam |
US6797550B2 (en) | 2001-12-21 | 2004-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
US8093593B2 (en) | 2001-12-21 | 2012-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having multichannel transistor |
US7319055B2 (en) | 2001-12-21 | 2008-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device utilizing crystallization of semiconductor region with laser beam |
US7109069B2 (en) | 2001-12-21 | 2006-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US6911358B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US7129121B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US6984573B2 (en) | 2002-06-14 | 2006-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method and apparatus |
US7560660B2 (en) | 2002-06-14 | 2009-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method and apparatus |
US7387922B2 (en) | 2003-01-21 | 2008-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method, method for manufacturing semiconductor device, and laser irradiation system |
US7476629B2 (en) | 2003-04-21 | 2009-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Beam irradiation apparatus, beam irradiation method, and method for manufacturing thin film transistor |
US7915099B2 (en) | 2003-04-21 | 2011-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Beam irradiation apparatus, beam irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device |
JP2004363168A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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