JPH08213341A - レーザーアニール方法およびレーザー光の照射方法 - Google Patents
レーザーアニール方法およびレーザー光の照射方法Info
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- JPH08213341A JPH08213341A JP7037705A JP3770595A JPH08213341A JP H08213341 A JPH08213341 A JP H08213341A JP 7037705 A JP7037705 A JP 7037705A JP 3770595 A JP3770595 A JP 3770595A JP H08213341 A JPH08213341 A JP H08213341A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザー光の照射による非晶質珪素膜の結
晶化技術において、結晶化の向上と作業効率の向上を計
る。 【構成】 正規分布またはそれに準ずるビームプロフ
ァイルを有する線状のパルスレーザービームを照射して
非晶質珪素膜を結晶化する際に、線状のレーザービーム
が一部重なるようにして照射を行うことで、段階的にレ
ーザー照射パワーを増加させていき、さらに徐々にレー
ザー照射パワーを下げていった場合と同様の効果を得る
こができる。
晶化技術において、結晶化の向上と作業効率の向上を計
る。 【構成】 正規分布またはそれに準ずるビームプロフ
ァイルを有する線状のパルスレーザービームを照射して
非晶質珪素膜を結晶化する際に、線状のレーザービーム
が一部重なるようにして照射を行うことで、段階的にレ
ーザー照射パワーを増加させていき、さらに徐々にレー
ザー照射パワーを下げていった場合と同様の効果を得る
こができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体材料に対
して行われるようなアニールを大面積にわたって均一
に、かつ効率的に行う技術に関する。また、本明細書で
開示する発明は、特定の領域に対して、徐々に照射エネ
ルギー密度を変化させてレーザー光を照射する場合にお
いて、作業効率を低下させない技術に関する。
して行われるようなアニールを大面積にわたって均一
に、かつ効率的に行う技術に関する。また、本明細書で
開示する発明は、特定の領域に対して、徐々に照射エネ
ルギー密度を変化させてレーザー光を照射する場合にお
いて、作業効率を低下させない技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子プロセスの低温化に関
して盛んに研究が進められている。その大きな理由は、
安価で加工性に富んだガラス等の絶縁基板上に半導体素
子を形成する必要が生じたからである。その他にも素子
の微小化や素子の多層化に伴う要請もある。
して盛んに研究が進められている。その大きな理由は、
安価で加工性に富んだガラス等の絶縁基板上に半導体素
子を形成する必要が生じたからである。その他にも素子
の微小化や素子の多層化に伴う要請もある。
【０００３】特にガラス基板上に半導体素子を形成する
技術は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置を構成
するパネルを作製するために必要とされる。これは、ガ
ラス基板上に薄膜トランジスタを数百×数百以上のマト
リクス状に配置する構成である。ガラス基板は、６００
℃程度以上の温度に長時間曝された場合、変形や縮が顕
著に表れてしまうので、薄膜トランジスタの作製工程に
おける加熱温度は、なるべく低い温度とすることが求め
られる。
技術は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置を構成
するパネルを作製するために必要とされる。これは、ガ
ラス基板上に薄膜トランジスタを数百×数百以上のマト
リクス状に配置する構成である。ガラス基板は、６００
℃程度以上の温度に長時間曝された場合、変形や縮が顕
著に表れてしまうので、薄膜トランジスタの作製工程に
おける加熱温度は、なるべく低い温度とすることが求め
られる。
【０００４】高い電気的特性を有する薄膜トランジスタ
を得るためには、薄膜半導体として、結晶性を有する半
導体を用いる必要がある。
を得るためには、薄膜半導体として、結晶性を有する半
導体を用いる必要がある。
【０００５】結晶性珪素膜を得る方法としては、プラズ
マＣＶＤ法や５００℃程度による減圧熱ＣＶＤ法によっ
て成膜された非晶質半導体膜を加熱処理によって結晶化
させる技術が知られている。この加熱処理は、６００℃
以上の温度雰囲気下に試料を数時間以上の間放置するこ
とによって行われる。例えば、この加熱処理工程の温度
が６００℃の場合、その処理に要する時間としては、１
０時間以上が必要とされる。一般的に６００℃の温度で
１０時間以上の時間にわたりガラス基板を加熱すると、
基板には変形（歪み）や縮が顕著に表れてしまう。薄膜
トランジスタを構成する薄膜半導体は、その厚さが数百
Å、その大きさが数μｍ〜数十μｍ程度であるので、基
板の変形は、動作不良の原因や電気特性のバラツキ等の
要因となってしまう。特に基板を大面積化（対角２０イ
ンチ以上）した場合にこの基板の変形や縮が大きな問題
となる。
マＣＶＤ法や５００℃程度による減圧熱ＣＶＤ法によっ
て成膜された非晶質半導体膜を加熱処理によって結晶化
させる技術が知られている。この加熱処理は、６００℃
以上の温度雰囲気下に試料を数時間以上の間放置するこ
とによって行われる。例えば、この加熱処理工程の温度
が６００℃の場合、その処理に要する時間としては、１
０時間以上が必要とされる。一般的に６００℃の温度で
１０時間以上の時間にわたりガラス基板を加熱すると、
基板には変形（歪み）や縮が顕著に表れてしまう。薄膜
トランジスタを構成する薄膜半導体は、その厚さが数百
Å、その大きさが数μｍ〜数十μｍ程度であるので、基
板の変形は、動作不良の原因や電気特性のバラツキ等の
要因となってしまう。特に基板を大面積化（対角２０イ
ンチ以上）した場合にこの基板の変形や縮が大きな問題
となる。
【０００６】また１０００℃以上の温度での加熱処理で
あれば、数時間の処理時間で結晶化を行うことができる
が、一般のガラス基板は１０００℃程度の温度には短時
間であっても耐えることができない。
あれば、数時間の処理時間で結晶化を行うことができる
が、一般のガラス基板は１０００℃程度の温度には短時
間であっても耐えることができない。
【０００７】また石英基板を用いれば、１０００℃以上
の加熱処理を行うことができ、良好な結晶性を有する結
晶性珪素膜を得ることができる。しかし、特に大面積の
石英基板は高価であり、今後大型化が要求される液晶表
示装置に利用することは経済性の観点から困難である。
の加熱処理を行うことができ、良好な結晶性を有する結
晶性珪素膜を得ることができる。しかし、特に大面積の
石英基板は高価であり、今後大型化が要求される液晶表
示装置に利用することは経済性の観点から困難である。
【０００８】このような状況において、薄膜トランジス
タの作製に際するプロセスの低温化が要求されている。
このプロセスの低温化を実現する技術として、レーザー
光の照射によってアニールを行う手法が知られている。
このレーザー光の照射技術は究極の低温プロセスと注目
されている。レーザー光は熱アニールに匹敵する高いエ
ネルギーを必要とされる箇所にのみ限定して与えること
ができ、基板全体を高い温度にさらす必要がない。従っ
て、基板としてガラス基板を用いることができる。
タの作製に際するプロセスの低温化が要求されている。
このプロセスの低温化を実現する技術として、レーザー
光の照射によってアニールを行う手法が知られている。
このレーザー光の照射技術は究極の低温プロセスと注目
されている。レーザー光は熱アニールに匹敵する高いエ
ネルギーを必要とされる箇所にのみ限定して与えること
ができ、基板全体を高い温度にさらす必要がない。従っ
て、基板としてガラス基板を用いることができる。
【０００９】ただし、レーザー光の照射によるアニール
技術は、レーザー光の照射エネルギーが一定しないとい
う問題がある。この問題は、必要以上のエネルギーを照
射できる装置を用い、その出力を減光装置等で絞って用
いることで解決することができる。しかし、装置の大型
化に従うコストの増加という問題は残る。
技術は、レーザー光の照射エネルギーが一定しないとい
う問題がある。この問題は、必要以上のエネルギーを照
射できる装置を用い、その出力を減光装置等で絞って用
いることで解決することができる。しかし、装置の大型
化に従うコストの増加という問題は残る。
【００１０】このような問題があるにしても、レーザー
光の照射によるアニール技術は、基板としてガラスを基
板として利用できるという意味で非常に有用なものであ
る。
光の照射によるアニール技術は、基板としてガラスを基
板として利用できるという意味で非常に有用なものであ
る。
【００１１】レーザー光の照射方法としては、大きく分
けて以下の２つの方法がある。第１の方法はアルゴンイ
オン・レーザー等の連続発振レーザーを用いたものであ
り、スポット状のビームを半導体材料に照射する方法で
ある。これはビーム内部でのエネルギー分布の差、およ
びビームの移動によって、半導体材料が溶融した後、緩
やかに凝固することによって半導体材料を結晶化させる
方法である。
けて以下の２つの方法がある。第１の方法はアルゴンイ
オン・レーザー等の連続発振レーザーを用いたものであ
り、スポット状のビームを半導体材料に照射する方法で
ある。これはビーム内部でのエネルギー分布の差、およ
びビームの移動によって、半導体材料が溶融した後、緩
やかに凝固することによって半導体材料を結晶化させる
方法である。
【００１２】第２の方法はエキシマーレーザーのごとき
パルス発振レーザーを用いて、大エネルギーレーザーパ
ルスを半導体材料に照射し、半導体材料を瞬間的に溶融
させ、凝固させることによって半導体材料を結晶化させ
る方法である。
パルス発振レーザーを用いて、大エネルギーレーザーパ
ルスを半導体材料に照射し、半導体材料を瞬間的に溶融
させ、凝固させることによって半導体材料を結晶化させ
る方法である。
【００１３】第１の方法の問題点は処理に時間がかかる
ことであった。これは連続発振レーザーの最大エネルギ
ーが限られたものであるため、ビームスポットのサイズ
がせいぜいｍｍ角単位となるためである。これに対し、
第２の方法ではレーザーの最大エネルギーは非常に大き
く、したがって、数ｃｍ2 以上の大きなスポットを用い
て、より量産性を上げることができる。
ことであった。これは連続発振レーザーの最大エネルギ
ーが限られたものであるため、ビームスポットのサイズ
がせいぜいｍｍ角単位となるためである。これに対し、
第２の方法ではレーザーの最大エネルギーは非常に大き
く、したがって、数ｃｍ2 以上の大きなスポットを用い
て、より量産性を上げることができる。
【００１４】しかしながら、通常用いられる正方形もし
くは長方形の形状のビームでは、１枚の大きな面積の基
板を処理するには、ビームを上下左右に移動させる必要
があり、量産性の面で依然として改善する余地がある。
くは長方形の形状のビームでは、１枚の大きな面積の基
板を処理するには、ビームを上下左右に移動させる必要
があり、量産性の面で依然として改善する余地がある。
【００１５】これに関しては、レーザービームを線状に
変形し、ビームの幅を処理すべき基板を越える長さと
し、このビームを走査することによって、大きく改善す
ることができる。
変形し、ビームの幅を処理すべき基板を越える長さと
し、このビームを走査することによって、大きく改善す
ることができる。
【００１６】改善すべき問題として残されていたことは
レーザー照射効果の均一性である。この均一性を高める
ために以下のような工夫が行われる。１つの工夫として
は、ビームの分布の形状をスリットを介すことにより、
矩形にできるだけ近づけて、線状ビーム内のばらつきを
小さくする方法である。上記技術において、さらに不均
一性を緩和するには、強いパルスレーザー光の照射（以
下本照射と呼ぶ）の前に、それよりも弱いパルスレーザ
ー光の予備的な照射（以下予備照射と呼ぶ）を行うと均
一性が向上する。この効果は非常に高く、半導体デバイ
スの特性を著しく向上させることができる。
レーザー照射効果の均一性である。この均一性を高める
ために以下のような工夫が行われる。１つの工夫として
は、ビームの分布の形状をスリットを介すことにより、
矩形にできるだけ近づけて、線状ビーム内のばらつきを
小さくする方法である。上記技術において、さらに不均
一性を緩和するには、強いパルスレーザー光の照射（以
下本照射と呼ぶ）の前に、それよりも弱いパルスレーザ
ー光の予備的な照射（以下予備照射と呼ぶ）を行うと均
一性が向上する。この効果は非常に高く、半導体デバイ
スの特性を著しく向上させることができる。
【００１７】上記の２段階の照射による方法が有効であ
るのは、非晶質部分を多く含んだ半導体材料の膜は、レ
ーザーエネルギーの吸収率が多結晶膜とかなり異なるよ
うな性質を有しているからである。例えば一般的な非晶
質珪素膜（ａ−Ｓｉ膜）は、内部に２０〜３０原子％程
度の水素を含有しており、いきなり強いエネルギーを有
するレーザー光を照射すると、内部から水素が噴出し
て、その表面は数十Å〜数百Åの凹凸を有する荒れたも
のとなってしまう。薄膜トランジスタに利用される薄膜
半導体は、その厚さが数百Å程度であるので、表面が数
十Å〜数百Åの凹凸を有することは、その電気的特性の
バラツキ等の大きな原因となる。
るのは、非晶質部分を多く含んだ半導体材料の膜は、レ
ーザーエネルギーの吸収率が多結晶膜とかなり異なるよ
うな性質を有しているからである。例えば一般的な非晶
質珪素膜（ａ−Ｓｉ膜）は、内部に２０〜３０原子％程
度の水素を含有しており、いきなり強いエネルギーを有
するレーザー光を照射すると、内部から水素が噴出し
て、その表面は数十Å〜数百Åの凹凸を有する荒れたも
のとなってしまう。薄膜トランジスタに利用される薄膜
半導体は、その厚さが数百Å程度であるので、表面が数
十Å〜数百Åの凹凸を有することは、その電気的特性の
バラツキ等の大きな原因となる。
【００１８】しかし、上記２段階の照射を行った場合、
最初の弱い予備照射によって、ある程度の水素が脱離
し、次の本照射によって、結晶化が行われるというプロ
セスが進行する。ここで、予備照射においては、その照
射エネルギーがそれ程大きくないので、水素の急激な吹
き出しによる膜表面の荒れはあまり問題とならない。
最初の弱い予備照射によって、ある程度の水素が脱離
し、次の本照射によって、結晶化が行われるというプロ
セスが進行する。ここで、予備照射においては、その照
射エネルギーがそれ程大きくないので、水素の急激な吹
き出しによる膜表面の荒れはあまり問題とならない。
【００１９】これら２つの工夫によって、レーザー照射
効果の均一性をかなり向上させることができる。しかし
ながら、上述のような２段階照射法を用いると、レーザ
ー処理時間が倍になるので、スループットが低下してし
まう。また、レーザーがパルスレーザーであるので、本
照射と予備照射とのレーザーの重なり方によって、レー
ザーアニールの効果に若干の違いが生じてしまう。この
違いは、数十μｍ角程度の大きさを有する薄膜トランジ
スタの特性に大きな影響を与える。
効果の均一性をかなり向上させることができる。しかし
ながら、上述のような２段階照射法を用いると、レーザ
ー処理時間が倍になるので、スループットが低下してし
まう。また、レーザーがパルスレーザーであるので、本
照射と予備照射とのレーザーの重なり方によって、レー
ザーアニールの効果に若干の違いが生じてしまう。この
違いは、数十μｍ角程度の大きさを有する薄膜トランジ
スタの特性に大きな影響を与える。
【００２０】また一般にレーザー光の照射による処理技
術（各種材料の変質やレーザーエネルギーを与えること
による処理技術）において、所定の領域において、複数
回に渡ってレーザー光の照射エネルギーを変化させて照
射したい場合がある。例えば、上述の珪素膜に対するア
ニール技術はその一つである。
術（各種材料の変質やレーザーエネルギーを与えること
による処理技術）において、所定の領域において、複数
回に渡ってレーザー光の照射エネルギーを変化させて照
射したい場合がある。例えば、上述の珪素膜に対するア
ニール技術はその一つである。
【００２１】このような技術において従来においては、
レーザー光を複数回に分けて照射する手法が採られてい
た。しかし、レーザー光の照射を複数回に分けるのは、
処理時間がその回数倍になるので、作業効率の大幅な低
下を招いてしまう。また、特定の照射領域に対して、複
数回に分けてレーザー光を照射することは、レーザー光
が照射される領域のズレの問題が生じやすく、技術的に
困難な場合、あるいは高コストな技術が必要とされる場
合があり、実用的ではなかった。
レーザー光を複数回に分けて照射する手法が採られてい
た。しかし、レーザー光の照射を複数回に分けるのは、
処理時間がその回数倍になるので、作業効率の大幅な低
下を招いてしまう。また、特定の照射領域に対して、複
数回に分けてレーザー光を照射することは、レーザー光
が照射される領域のズレの問題が生じやすく、技術的に
困難な場合、あるいは高コストな技術が必要とされる場
合があり、実用的ではなかった。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】本明細書で開示する発
明では、レーザー光の照射に際するアニール効果の不均
一性の問題を解決することを課題とする。また、レーザ
ー光の照射に際しての経済性を改善することすることを
課題とする。
明では、レーザー光の照射に際するアニール効果の不均
一性の問題を解決することを課題とする。また、レーザ
ー光の照射に際しての経済性を改善することすることを
課題とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
では、線状レーザービームの分布を工夫することによっ
て、上述のような問題を解決する。即ち、本明細書で開
示する発明では線状レーザービームの分布を例えば正規
分布のような形にする。このようなエネルギー分布を持
ったレーザービームを半導体材料上で走査しながら照射
する。すると、前述した予備照射と本照射とを行なうレ
ーザー照射方法で、予備照射の弱いレーザーエネルギー
の役割を上述したエネルギー分布（正規分布）の山の中
腹から裾の部分が果たしてくれるので、１回のレーザー
照射で２段階、あるいは多段階のレーザー照射を行った
場合と同様の効果を得ることができる。
では、線状レーザービームの分布を工夫することによっ
て、上述のような問題を解決する。即ち、本明細書で開
示する発明では線状レーザービームの分布を例えば正規
分布のような形にする。このようなエネルギー分布を持
ったレーザービームを半導体材料上で走査しながら照射
する。すると、前述した予備照射と本照射とを行なうレ
ーザー照射方法で、予備照射の弱いレーザーエネルギー
の役割を上述したエネルギー分布（正規分布）の山の中
腹から裾の部分が果たしてくれるので、１回のレーザー
照射で２段階、あるいは多段階のレーザー照射を行った
場合と同様の効果を得ることができる。
【００２４】ただし、必要とするアニール効果を得るた
めには、特定の条件を満たした上でレーザー光の照射を
行うことが好ましい。以下にその条件を列挙する。 （１）被照射対象として、厚さ１５０〜１０００Åの珪
素膜とする。 （２）幅Ｌの正規分布またはそれに準ずるビームプロフ
ァイル（ビーム形状）を有した１秒間当たりの発振数が
Ｎ回のパルス発振の線状のレーザー光を用いる。 （３）正規分布を有した方向に速度Ｖでレーザービーム
を被照射面に対して走査しながら照射する。 （４）１パルス当たりの平均のエネルギー密度を１００
〜５００ｍＪ／ｃｍ2 とする。 （５）１０≦（ＬＮ／Ｖ）≦３０を満たした条件でレー
ザー光を照射する。
めには、特定の条件を満たした上でレーザー光の照射を
行うことが好ましい。以下にその条件を列挙する。 （１）被照射対象として、厚さ１５０〜１０００Åの珪
素膜とする。 （２）幅Ｌの正規分布またはそれに準ずるビームプロフ
ァイル（ビーム形状）を有した１秒間当たりの発振数が
Ｎ回のパルス発振の線状のレーザー光を用いる。 （３）正規分布を有した方向に速度Ｖでレーザービーム
を被照射面に対して走査しながら照射する。 （４）１パルス当たりの平均のエネルギー密度を１００
〜５００ｍＪ／ｃｍ2 とする。 （５）１０≦（ＬＮ／Ｖ）≦３０を満たした条件でレー
ザー光を照射する。
【００２５】上記の条件の中で、厚さ１５０〜１０００
Åの珪素膜を被照射対象としているのは、実験的に珪素
膜を対象したアニールにおいて、その厚さが１５０Å以
下の場合は、成膜の均一性やアニール効果の均一性、さ
らには再現性の点で問題があること、さらに１０００Å
以上の厚さを有する場合は、レーザー光の大出力化が要
求され現実的ではなく、また薄膜トランジスタに利用さ
れる結晶性珪素膜の厚さとしてそのような厚さは必要さ
れないこと、による。
Åの珪素膜を被照射対象としているのは、実験的に珪素
膜を対象したアニールにおいて、その厚さが１５０Å以
下の場合は、成膜の均一性やアニール効果の均一性、さ
らには再現性の点で問題があること、さらに１０００Å
以上の厚さを有する場合は、レーザー光の大出力化が要
求され現実的ではなく、また薄膜トランジスタに利用さ
れる結晶性珪素膜の厚さとしてそのような厚さは必要さ
れないこと、による。
【００２６】１パルス当たりのエネルギー密度を１００
〜５００ｍＪ／ｃｍ2 とするのは、実験的に、厚さ１０
００Å以下の珪素膜に対するレーザーアニールにおいて
は、１００〜５００ｍＪ／ｃｍ2 のエネルギー密度でレ
ーザー光を照射することが効果的であることが判明して
いるからである。なお、このエネルギー密度というの
は、正規分布またはそれに相似な形状を有するビームプ
ロファイルの頂上部分の値として定義される。
〜５００ｍＪ／ｃｍ2 とするのは、実験的に、厚さ１０
００Å以下の珪素膜に対するレーザーアニールにおいて
は、１００〜５００ｍＪ／ｃｍ2 のエネルギー密度でレ
ーザー光を照射することが効果的であることが判明して
いるからである。なお、このエネルギー密度というの
は、正規分布またはそれに相似な形状を有するビームプ
ロファイルの頂上部分の値として定義される。
【００２７】上記構成において、ＬＮ／Ｖで示されるパ
ラメータは、その幅方向のエネルギー密度の分布が正規
分布または正規分布に準ずる（または正規分布と見なせ
る）ビームプロファイルを有する線状のパルスレーザー
光を１回走査した場合において、特定の１箇所の線状の
領域に照射されるパルスの回数を示すものである。
ラメータは、その幅方向のエネルギー密度の分布が正規
分布または正規分布に準ずる（または正規分布と見なせ
る）ビームプロファイルを有する線状のパルスレーザー
光を１回走査した場合において、特定の１箇所の線状の
領域に照射されるパルスの回数を示すものである。
【００２８】下記に本明細書で開示する各発明について
それぞれ説明する。本明細書で開示する発明の一つは、
線状に加工されたパルスで、パルスレーザーを１方向に
ずらしながら照射する工程で、被照射物のある一点に着
目したとき、該パルスレーザーがその一点に複数回照射
されるようレーザービームを一部重ねて打つことを特徴
とする。
それぞれ説明する。本明細書で開示する発明の一つは、
線状に加工されたパルスで、パルスレーザーを１方向に
ずらしながら照射する工程で、被照射物のある一点に着
目したとき、該パルスレーザーがその一点に複数回照射
されるようレーザービームを一部重ねて打つことを特徴
とする。
【００２９】上記構成は、線状に加工されたレーザービ
ームが重なるように照射することで、特定の領域に複数
回に渡って、レーザー光が照射することを特徴とする。
ームが重なるように照射することで、特定の領域に複数
回に渡って、レーザー光が照射することを特徴とする。
【００３０】他の発明の構成は、線状に加工されたレー
ザービームの照射方法であって、前記レーザービームは
その幅方向において正規分布または正規分布に似たエネ
ルギー分布を有しており、前記レーザービームはパルス
発振方式のレーザーであって、前記レーザービームは被
照射領域に対してその幅方向に移動しながら照射され、
前記レーザービームはその一部が重ねられて照射され、
前記レーザービームの移動しながらの照射に際して、被
照射領域の一点に対して１０回〜３０回のパルスが照射
されることを特徴とする。
ザービームの照射方法であって、前記レーザービームは
その幅方向において正規分布または正規分布に似たエネ
ルギー分布を有しており、前記レーザービームはパルス
発振方式のレーザーであって、前記レーザービームは被
照射領域に対してその幅方向に移動しながら照射され、
前記レーザービームはその一部が重ねられて照射され、
前記レーザービームの移動しながらの照射に際して、被
照射領域の一点に対して１０回〜３０回のパルスが照射
されることを特徴とする。
【００３１】他の発明の構成は、厚さ１５０Å〜１００
０Åの珪素膜に対するレーザー光の照射方法であって、
前記レーザー光は、幅Ｌの正規分布またはそれに準ずる
ビームプロファイルを有した線状ビームであり、前記レ
ーザー光は、１秒間当たりの発振数がＮ回のパルス発振
のレーザー光であって、前記レーザー光は、その幅方向
に速度Ｖで走査されながら照射され、前記レーザー光
は、１パルス当たりの平均のエネルギー密度が１００〜
５００ｍＪ／ｃｍ2 であって、前記レーザー光は、１０
≦（ＬＮ／Ｖ）≦３０を満たした条件で照射されること
を特徴とする。
０Åの珪素膜に対するレーザー光の照射方法であって、
前記レーザー光は、幅Ｌの正規分布またはそれに準ずる
ビームプロファイルを有した線状ビームであり、前記レ
ーザー光は、１秒間当たりの発振数がＮ回のパルス発振
のレーザー光であって、前記レーザー光は、その幅方向
に速度Ｖで走査されながら照射され、前記レーザー光
は、１パルス当たりの平均のエネルギー密度が１００〜
５００ｍＪ／ｃｍ2 であって、前記レーザー光は、１０
≦（ＬＮ／Ｖ）≦３０を満たした条件で照射されること
を特徴とする。
【００３２】他の発明の構成は、厚さ１５０Å〜１００
０Åの珪素膜に対するレーザー光の照射方法であって、
前記レーザー光は、幅Ｌの線状ビームであり、かつその
幅方向に連続的または段階的にエネルギー密度が変化し
たビームプロファイルを有し、前記レーザー光は、１秒
間当たりの発振数がＮ回のパルス発振のレーザー光であ
って、前記レーザー光は、その幅方向に速度Ｖで走査さ
れながら照射され、前記レーザー光は、１パルス当たり
の平均のエネルギー密度が１００〜５００ｍＪ／ｃｍ2
であって、前記レーザー光は、１０≦（ＬＮ／Ｖ）≦３
０を満たした条件で照射されることを特徴とする。
０Åの珪素膜に対するレーザー光の照射方法であって、
前記レーザー光は、幅Ｌの線状ビームであり、かつその
幅方向に連続的または段階的にエネルギー密度が変化し
たビームプロファイルを有し、前記レーザー光は、１秒
間当たりの発振数がＮ回のパルス発振のレーザー光であ
って、前記レーザー光は、その幅方向に速度Ｖで走査さ
れながら照射され、前記レーザー光は、１パルス当たり
の平均のエネルギー密度が１００〜５００ｍＪ／ｃｍ2
であって、前記レーザー光は、１０≦（ＬＮ／Ｖ）≦３
０を満たした条件で照射されることを特徴とする。
【００３３】他の発明の構成は、所定の領域に段階的に
照射エネルギー密度を変化させてレーザー光を複数回に
渡って照射する方法であって、所定の方向に照射エネル
ギー密度が長さＬに渡り連続的あるいは段階的に変化し
たビームプロファイルを有するレーザー光を用い、前記
レーザー光は、１秒間当たりの発振数がＮ回のパルス発
振のレーザー光であって、前記レーザー光は、前記所定
の方向に速度Ｖで走査されながら照射され、前記レーザ
ー光の１回の走査において、前記所定の領域に照射され
るレーザーパルスの回数をｎとして、前記レーザー光
は、ｎ＝ＬＮ／Ｖを満たした条件で照射されることを特
徴とする。
照射エネルギー密度を変化させてレーザー光を複数回に
渡って照射する方法であって、所定の方向に照射エネル
ギー密度が長さＬに渡り連続的あるいは段階的に変化し
たビームプロファイルを有するレーザー光を用い、前記
レーザー光は、１秒間当たりの発振数がＮ回のパルス発
振のレーザー光であって、前記レーザー光は、前記所定
の方向に速度Ｖで走査されながら照射され、前記レーザ
ー光の１回の走査において、前記所定の領域に照射され
るレーザーパルスの回数をｎとして、前記レーザー光
は、ｎ＝ＬＮ／Ｖを満たした条件で照射されることを特
徴とする。
【００３４】この構成を採用すると、特定の領域に対し
て、徐々にエネルギー密度の変化したレーザー光をｎ回
照射することができる。また、上記構成においては、レ
ーザービームの照射エネルギープロファイルは、正規分
布に限定されるものではない、例えば、階段状に段階的
にエネルギー密度が変化したビーム形状でもよい。また
三角状のようなエネルギープロファイルを有したもので
もよい。
て、徐々にエネルギー密度の変化したレーザー光をｎ回
照射することができる。また、上記構成においては、レ
ーザービームの照射エネルギープロファイルは、正規分
布に限定されるものではない、例えば、階段状に段階的
にエネルギー密度が変化したビーム形状でもよい。また
三角状のようなエネルギープロファイルを有したもので
もよい。
【００３５】
【作用】例えば、図３に示すような幅方向に正規分布を
有した線状のレーザービームを、ある条件を満たした上
でその幅方向に走査させながら照射すると、最初エネル
ギー分布の裾の部分の弱いエネルギーが照射され、徐々
に強いエネルギーが照射されていく。そして、ある一定
の値の照射が行われた後、徐々に照射エネルギーは弱く
なっていき、照射は終了する。
有した線状のレーザービームを、ある条件を満たした上
でその幅方向に走査させながら照射すると、最初エネル
ギー分布の裾の部分の弱いエネルギーが照射され、徐々
に強いエネルギーが照射されていく。そして、ある一定
の値の照射が行われた後、徐々に照射エネルギーは弱く
なっていき、照射は終了する。
【００３６】例えば、その幅方向に照射エネルギーが正
規分布を有している線状のパルスレーザービームを用
い、ビームの幅をＬ、１秒当たりの発振数をＮ、走査速
度をＶとして、ＬＮ／Ｖ＝１５とした場合、レーザービ
ームの１回の走査で、線状の１か所の領域に１５回のパ
ルスが照射されることなる。この１５回の照射は、正規
分布を１５分割したものに相当するエネルギー密度で次
々と照射される。例えば特定の線状の領域（この線状の
領域の幅はかなり狭いものとなる）には、図４に示すよ
うなＥ1 〜Ｅ15のエネルギー密度を有したパルスレーザ
ー光が次々と照射されることとなる。この際、Ｅ1 〜Ｅ
8 のレーザーパルスは、照射されていくにつれて徐々に
その照射エネルギー密度が増加していく、そしてＥ8 〜
Ｅ15レーザーパルスは、照射されていくにつれて徐々に
その照射エネルギー密度が減少していく。
規分布を有している線状のパルスレーザービームを用
い、ビームの幅をＬ、１秒当たりの発振数をＮ、走査速
度をＶとして、ＬＮ／Ｖ＝１５とした場合、レーザービ
ームの１回の走査で、線状の１か所の領域に１５回のパ
ルスが照射されることなる。この１５回の照射は、正規
分布を１５分割したものに相当するエネルギー密度で次
々と照射される。例えば特定の線状の領域（この線状の
領域の幅はかなり狭いものとなる）には、図４に示すよ
うなＥ1 〜Ｅ15のエネルギー密度を有したパルスレーザ
ー光が次々と照射されることとなる。この際、Ｅ1 〜Ｅ
8 のレーザーパルスは、照射されていくにつれて徐々に
その照射エネルギー密度が増加していく、そしてＥ8 〜
Ｅ15レーザーパルスは、照射されていくにつれて徐々に
その照射エネルギー密度が減少していく。
【００３７】このように弱いエネルギーの照射から徐々
に強いエネルギーの照射とし、さらに徐々に照射エネル
ギーを弱めていくプロセスは、珪素膜の表面を荒らすこ
とを抑制しつつ、所定のアニール効果を得ることができ
る。また、複数回に分けてレーザー光を照射するのでは
なく、走査しながらの１回のレーザー照射によって、所
定の効果を得ることができるので、高い作業効率を得る
ことができる。
に強いエネルギーの照射とし、さらに徐々に照射エネル
ギーを弱めていくプロセスは、珪素膜の表面を荒らすこ
とを抑制しつつ、所定のアニール効果を得ることができ
る。また、複数回に分けてレーザー光を照射するのでは
なく、走査しながらの１回のレーザー照射によって、所
定の効果を得ることができるので、高い作業効率を得る
ことができる。
【００３８】特に連続的にそのエネルギー密度が変化し
たレーザービームを用いることにより、多段階的にエネ
ルギーを変化させて照射した場合と同様な効果を得るこ
とができる。そしてこのような作用は、珪素膜に対する
アニール効果以外においても同様にいえることである。
たレーザービームを用いることにより、多段階的にエネ
ルギーを変化させて照射した場合と同様な効果を得るこ
とができる。そしてこのような作用は、珪素膜に対する
アニール効果以外においても同様にいえることである。
【００３９】
【実施例】本実施例では、半導体材料として珪素膜を用
いる。レーザー光を非晶質状態もしくは結晶性を有する
状態の珪素膜または珪素化合物膜に照射することにより
この膜の結晶性を高める過程で、膜表面の均質性が低下
する傾向がみられる。その低下を極力抑さえ、かつレー
ザー照射の処理時間を前記〔従来技術〕に記したレーザ
ーの２段階照射における場合よりも短縮し、かつ同程度
以上の効果を得ることができる例を以下に示す。
いる。レーザー光を非晶質状態もしくは結晶性を有する
状態の珪素膜または珪素化合物膜に照射することにより
この膜の結晶性を高める過程で、膜表面の均質性が低下
する傾向がみられる。その低下を極力抑さえ、かつレー
ザー照射の処理時間を前記〔従来技術〕に記したレーザ
ーの２段階照射における場合よりも短縮し、かつ同程度
以上の効果を得ることができる例を以下に示す。
【００４０】まず装置について説明する。図１には本実
施例で使用するレーザーアニール装置の概念図を示す。
このレーザーアニール装置の主要な構成は台１上に配置
されている。レーザー光は発振器２で発振される。発振
器２で発振されるレーザー光は、ＫｒＦエキシマレーザ
ー（波長２４８ｎｍ、パルス幅２５ｎｓ）である。勿
論、他のエキシマレーザーさらには他の方式のパルスレ
ーザーを用いることもできる。
施例で使用するレーザーアニール装置の概念図を示す。
このレーザーアニール装置の主要な構成は台１上に配置
されている。レーザー光は発振器２で発振される。発振
器２で発振されるレーザー光は、ＫｒＦエキシマレーザ
ー（波長２４８ｎｍ、パルス幅２５ｎｓ）である。勿
論、他のエキシマレーザーさらには他の方式のパルスレ
ーザーを用いることもできる。
【００４１】発振器２で発振されたレーザー光は、全反
射ミラー５、６を経由して増幅器３で増幅され、さらに
全反射ミラー７、８を経由して光学系４に導入される。
射ミラー５、６を経由して増幅器３で増幅され、さらに
全反射ミラー７、８を経由して光学系４に導入される。
【００４２】光学系４に入射する直前のレーザー光のビ
ームは、３×２cm2 程度の長方形であるが、光学系４に
よって、長さ１０〜３０cm、幅0.1 〜１ｃｍ程度の細長
いビーム（線状ビーム）に加工される。この線状のレー
ザービームは、図３に示すようにその幅方向にほぼ正規
分布を有したビームプロファイルを有している。この光
学系４を経たレーザー光のエネルギーは最大で１０００
ｍＪ／ショットである。
ームは、３×２cm2 程度の長方形であるが、光学系４に
よって、長さ１０〜３０cm、幅0.1 〜１ｃｍ程度の細長
いビーム（線状ビーム）に加工される。この線状のレー
ザービームは、図３に示すようにその幅方向にほぼ正規
分布を有したビームプロファイルを有している。この光
学系４を経たレーザー光のエネルギーは最大で１０００
ｍＪ／ショットである。
【００４３】レーザー光をこのような細長いビームに加
工するのは、加工性を向上させるためである。即ち、線
状のビームは光学系４を出た後、全反射ミラー９を経
て、試料１１に照射される。ここで、ビームの幅は試料
１１の幅よりも長いので、試料を１方向に移動させるこ
とで、試料全体に対してレーザー光を照射することがで
きる。従って、試料のステージ及び駆動装置１０は構造
が簡単で保守も用意である。また、試料をセットする際
の位置合わせの操作（アラインメント）も容易である。
工するのは、加工性を向上させるためである。即ち、線
状のビームは光学系４を出た後、全反射ミラー９を経
て、試料１１に照射される。ここで、ビームの幅は試料
１１の幅よりも長いので、試料を１方向に移動させるこ
とで、試料全体に対してレーザー光を照射することがで
きる。従って、試料のステージ及び駆動装置１０は構造
が簡単で保守も用意である。また、試料をセットする際
の位置合わせの操作（アラインメント）も容易である。
【００４４】レーザー光が照射される試料のステージ１
０はコンピュータにより制御されており線状のレーザー
光に対して直角方向に動くよう設計されている。さら
に、基板を置くテーブルがそのテーブル面内で回転する
機能をつけておくとレーザービームの走査方向の変更に
便利である。又、ステージ１０の下にはヒーターが内臓
されており、レーザー光の照射時に試料を所定の温度に
保つことができる。
０はコンピュータにより制御されており線状のレーザー
光に対して直角方向に動くよう設計されている。さら
に、基板を置くテーブルがそのテーブル面内で回転する
機能をつけておくとレーザービームの走査方向の変更に
便利である。又、ステージ１０の下にはヒーターが内臓
されており、レーザー光の照射時に試料を所定の温度に
保つことができる。
【００４５】光学系４の内部の光路例を図２に示す。光
学系４に入射したレーザー光はシリンドリカル凹レンズ
Ａ、シリンドリカル凸レンズＢ、横方向のフライアイレ
ンズＣ、Ｄを通過し、さらにシリンドリカル凸レンズ
Ｅ、Ｆを通過してミラーＧ（図１ではミラー９に相当）
を介して、シリンドリカルレンズＨによって集束され、
試料に照射される。レンズＨを照射面に対して相対的に
上下させることによって、照射面上でのレーザービーム
の分布の形状を矩形に近いものから正規分布に近いもの
まで変形させることができる。図２における全反射ミラ
ーＧが図１における全反射ミラー９に相当する。従っ
て、実際には全反射ミラー９と試料１１との間には、レ
ンズＨが配置されている。
学系４に入射したレーザー光はシリンドリカル凹レンズ
Ａ、シリンドリカル凸レンズＢ、横方向のフライアイレ
ンズＣ、Ｄを通過し、さらにシリンドリカル凸レンズ
Ｅ、Ｆを通過してミラーＧ（図１ではミラー９に相当）
を介して、シリンドリカルレンズＨによって集束され、
試料に照射される。レンズＨを照射面に対して相対的に
上下させることによって、照射面上でのレーザービーム
の分布の形状を矩形に近いものから正規分布に近いもの
まで変形させることができる。図２における全反射ミラ
ーＧが図１における全反射ミラー９に相当する。従っ
て、実際には全反射ミラー９と試料１１との間には、レ
ンズＨが配置されている。
【００４６】以下に本明細書で開示する発明を用いて、
レーザー光の照射によって、ガラス基板上に結晶性を有
する珪素膜を形成する例を示す。まず、１０ｃｍ角のガ
ラス基板（例えばコーニング７０５９ガラス基板または
コーニング１７３７ガラス基板）を用意する。そしてこ
のガラス基板上に、ＴＥＯＳを原料としたプラズマＣＶ
Ｄ法により、酸化珪素膜を２０００Åの厚さに形成す
る。この酸化珪素膜は、ガラス基板側から不純物が半導
体膜に拡散したりするのを防止する下地膜として機能す
る。
レーザー光の照射によって、ガラス基板上に結晶性を有
する珪素膜を形成する例を示す。まず、１０ｃｍ角のガ
ラス基板（例えばコーニング７０５９ガラス基板または
コーニング１７３７ガラス基板）を用意する。そしてこ
のガラス基板上に、ＴＥＯＳを原料としたプラズマＣＶ
Ｄ法により、酸化珪素膜を２０００Åの厚さに形成す
る。この酸化珪素膜は、ガラス基板側から不純物が半導
体膜に拡散したりするのを防止する下地膜として機能す
る。
【００４７】次にプラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶＤ
法により、非晶質珪素膜（アモルファスシリコン膜）の
成膜を行う。ここでは、プラズマＣＶＤ法を用いるが、
減圧熱ＣＶＤ法を用いるのでもよい。なお、非晶質珪素
膜の厚さは、５００Åとする。またレーザー光の照射に
よるアニールを施し、結晶性珪素膜を得る場合には、出
発としての非晶質珪素膜は、その厚さを１０００Å以下
とすることが望ましい。これは、１０００Å以上の膜厚
があると、所定のアニール効果が得られないからであ
る。
法により、非晶質珪素膜（アモルファスシリコン膜）の
成膜を行う。ここでは、プラズマＣＶＤ法を用いるが、
減圧熱ＣＶＤ法を用いるのでもよい。なお、非晶質珪素
膜の厚さは、５００Åとする。またレーザー光の照射に
よるアニールを施し、結晶性珪素膜を得る場合には、出
発としての非晶質珪素膜は、その厚さを１０００Å以下
とすることが望ましい。これは、１０００Å以上の膜厚
があると、所定のアニール効果が得られないからであ
る。
【００４８】こうして、ガラス基板上に形成された非晶
質珪素膜を得ることができる。次に図１に示す装置を用
い、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ、パルス
幅２５ｎｓ）を前記結晶性を有する珪素膜に照射する。
このレーザー光の照射によって、結晶性珪素膜を得るこ
とができる。
質珪素膜を得ることができる。次に図１に示す装置を用
い、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ、パルス
幅２５ｎｓ）を前記結晶性を有する珪素膜に照射する。
このレーザー光の照射によって、結晶性珪素膜を得るこ
とができる。
【００４９】レーザービームはビーム形状変換レンズを
用いて線状の形状に整形し、被照射部分でのビーム面積
は１２５ｍｍ×１ｍｍとする。なお、線状レーザーのビ
ームプロファイルが正規分布状である関係上ビームの端
が不明瞭となっている。よって、ここではビームプロフ
ァイル中、最大エネルギーの５％以上のエネルギーを持
つ部分をビームと定義する。
用いて線状の形状に整形し、被照射部分でのビーム面積
は１２５ｍｍ×１ｍｍとする。なお、線状レーザーのビ
ームプロファイルが正規分布状である関係上ビームの端
が不明瞭となっている。よって、ここではビームプロフ
ァイル中、最大エネルギーの５％以上のエネルギーを持
つ部分をビームと定義する。
【００５０】試料は、ステージ１０上に載せられてお
り、ステージを２ｍｍ／ｓ速度で移動させることによっ
て、その全面に照射が行われる。レーザー光の照射条件
は、レーザー光のエネルギー密度を３００ｍＪ／ｃｍ2
とし、パルス数（１秒間当たりのパルス発振数）を30パ
ルス/sとする。なお、ここでいうエネルギー密度とは正
規分布に近い形に作られたビームの山の頂上部分の密度
を指す。
り、ステージを２ｍｍ／ｓ速度で移動させることによっ
て、その全面に照射が行われる。レーザー光の照射条件
は、レーザー光のエネルギー密度を３００ｍＪ／ｃｍ2
とし、パルス数（１秒間当たりのパルス発振数）を30パ
ルス/sとする。なお、ここでいうエネルギー密度とは正
規分布に近い形に作られたビームの山の頂上部分の密度
を指す。
【００５１】上述の条件を作用した場合、Ｖ＝２×１０
-3（ｍ／ｓ）、Ｎ＝３０（１／Ｓ）、Ｌ＝１×１０
-3（ｍ）となるので、（ＬＮ／Ｖ）＝１５となり、本明
細書で開示する条件を満たす。
-3（ｍ／ｓ）、Ｎ＝３０（１／Ｓ）、Ｌ＝１×１０
-3（ｍ）となるので、（ＬＮ／Ｖ）＝１５となり、本明
細書で開示する条件を満たす。
【００５２】上述のような条件でレーザー照射を行なう
と、試料のある一点（線状の領域）に着目した場合、レ
ーザー照射は１５段階照射になる。この１５段階のパル
スの各エネルギー密度は、図４に示す正規分布の各エネ
ルギー密度Ｅ1 〜Ｅ15に相当する。上記の条件で線状の
レーザー光が照射されると、エネルギー密度Ｅ1 〜Ｅ15
のレーザーパルスが次々と１２５ｍｍ×１ｍｍの線状の
領域に照射される。
と、試料のある一点（線状の領域）に着目した場合、レ
ーザー照射は１５段階照射になる。この１５段階のパル
スの各エネルギー密度は、図４に示す正規分布の各エネ
ルギー密度Ｅ1 〜Ｅ15に相当する。上記の条件で線状の
レーザー光が照射されると、エネルギー密度Ｅ1 〜Ｅ15
のレーザーパルスが次々と１２５ｍｍ×１ｍｍの線状の
領域に照射される。
【００５３】この線状のレーザー光が走査されながら照
射される様子を図３に示す。例えばＡで示される線状に
領域に注目すると、まず正規分布の裾の部分に相当する
弱いエネルギー密度のパルスから徐々にエネルギー密度
の大きいパルスが照射されていくことが分かる。またＢ
で示される線状に領域に注目すると、正規分布の頂上の
エネルギー密度の最大のレーザーパルスが照射された
後、徐々にエネルギー密度の小さいパルスが照射されて
いくことが分かる。
射される様子を図３に示す。例えばＡで示される線状に
領域に注目すると、まず正規分布の裾の部分に相当する
弱いエネルギー密度のパルスから徐々にエネルギー密度
の大きいパルスが照射されていくことが分かる。またＢ
で示される線状に領域に注目すると、正規分布の頂上の
エネルギー密度の最大のレーザーパルスが照射された
後、徐々にエネルギー密度の小さいパルスが照射されて
いくことが分かる。
【００５４】本発明者らの実験によると（ＬＮ／Ｖ）で
示される値が、１０〜３０の場合に最もよい結晶性珪素
膜が得られることが判明している。即ち、線状の所定の
領域に１０〜３０回の照射が行われるようにすること
が、珪素膜の結晶化を行う際には、最適なことが判明し
ている。なお照射されるレーザービームのエネルギー密
度は１００〜５００ｍＪ／ｃｍ2 の範囲、好ましくは３
００〜４００ｍＪ／ｃｍ2 の範囲とすることがよい。
示される値が、１０〜３０の場合に最もよい結晶性珪素
膜が得られることが判明している。即ち、線状の所定の
領域に１０〜３０回の照射が行われるようにすること
が、珪素膜の結晶化を行う際には、最適なことが判明し
ている。なお照射されるレーザービームのエネルギー密
度は１００〜５００ｍＪ／ｃｍ2 の範囲、好ましくは３
００〜４００ｍＪ／ｃｍ2 の範囲とすることがよい。
【００５５】なお、レーザー光の照射の際、基板温度は
２００℃に保たれている。これは、レーザー光の照射に
よる基板表面温度の上昇と下降の速度を和らげるために
行われる。一般に環境の急激な変化は物質の均一性を損
なわれることが知られているが、基板温度を高く保つこ
とでレーザー照射による基板表面の均一性の劣化を極力
抑えている。本実施例では基板温度を２００度に設定し
ているが、実際の実施では１００度から６００度までの
間でレーザーアニールに最適な温度を選ぶ。また雰囲気
制御は特に行わず、大気中で照射を行うことができる。
２００℃に保たれている。これは、レーザー光の照射に
よる基板表面温度の上昇と下降の速度を和らげるために
行われる。一般に環境の急激な変化は物質の均一性を損
なわれることが知られているが、基板温度を高く保つこ
とでレーザー照射による基板表面の均一性の劣化を極力
抑えている。本実施例では基板温度を２００度に設定し
ているが、実際の実施では１００度から６００度までの
間でレーザーアニールに最適な温度を選ぶ。また雰囲気
制御は特に行わず、大気中で照射を行うことができる。
【００５６】〔実施例２〕本実施例においては、まず加
熱により結晶化が成された結晶性珪素膜に対してレーザ
ー光を照射し、その結晶性と均質性をさらに向上させる
例を示す。本発明者らの研究によると、珪素の結晶化を
助長する金属元素を用いることにより、５５０℃、４時
間程度の加熱処理によって、結晶性珪素膜が得られるこ
とが判明している。この技術は、特開平６─２３２０５
９号公報、特開平６─２４４１０３号公報に記載されて
いる。
熱により結晶化が成された結晶性珪素膜に対してレーザ
ー光を照射し、その結晶性と均質性をさらに向上させる
例を示す。本発明者らの研究によると、珪素の結晶化を
助長する金属元素を用いることにより、５５０℃、４時
間程度の加熱処理によって、結晶性珪素膜が得られるこ
とが判明している。この技術は、特開平６─２３２０５
９号公報、特開平６─２４４１０３号公報に記載されて
いる。
【００５７】上記の技術を利用することによって、大面
積のガラス基板であっても歪み等がそれほど問題となら
い温度範囲において結晶性珪素膜を得ることができる。
そして、この結晶性珪素膜を用いて薄膜トランジスタを
作製することで、従来の非晶質珪素膜を用いた薄膜トラ
ンジスタに比較して飛躍的に特性の向上したものを得る
ことができる。具体的には、非晶質珪素膜を用いた薄膜
トランジスタでは、その移動度が１（ｃｍ2 ／Ｖｓ）以
下であるが、上記金属元素の利用による結晶化技術を利
用すると、数十（ｃｍ2 ／Ｖｓ）以上の移動度を有する
薄膜トランジスタを得ることができる。
積のガラス基板であっても歪み等がそれほど問題となら
い温度範囲において結晶性珪素膜を得ることができる。
そして、この結晶性珪素膜を用いて薄膜トランジスタを
作製することで、従来の非晶質珪素膜を用いた薄膜トラ
ンジスタに比較して飛躍的に特性の向上したものを得る
ことができる。具体的には、非晶質珪素膜を用いた薄膜
トランジスタでは、その移動度が１（ｃｍ2 ／Ｖｓ）以
下であるが、上記金属元素の利用による結晶化技術を利
用すると、数十（ｃｍ2 ／Ｖｓ）以上の移動度を有する
薄膜トランジスタを得ることができる。
【００５８】しかし、上記技術を用いて得られた結晶性
珪素膜中には、非晶質成分が多く残存していることが電
子顕微鏡写真による観察やラマン分光法による観察から
明らかになっている。そしてこの残存した非晶質成分を
レーザー光の照射によって結晶化させることによって、
得られる薄膜トランジスタの特性をさらに高めることが
できることが判明している。
珪素膜中には、非晶質成分が多く残存していることが電
子顕微鏡写真による観察やラマン分光法による観察から
明らかになっている。そしてこの残存した非晶質成分を
レーザー光の照射によって結晶化させることによって、
得られる薄膜トランジスタの特性をさらに高めることが
できることが判明している。
【００５９】以下に本実施例で示す結晶性珪素膜の作製
工程を示す。まずガラス基板上に下地膜とした酸化珪素
膜を２０００Åの厚さに成膜する。次にプラズマＣＶＤ
法で非晶質珪素膜を５００Åの厚さに成膜する。そして
ニッケル酢酸塩溶液を非晶質珪素膜の表面にスピンコー
タを用いて塗布する。このニッケル酢酸塩溶液中のニッ
ケル元素の濃度は、最終的に珪素膜中に残存するニッケ
ル元素の濃度が１×１０16〜５×１０19ｃｍ-3となるよ
うに調整する。これは、この濃度範囲以上となると、金
属シリサイドとしての性質が表れてしまい。また、この
濃度範囲以下であると、結晶化を助長する効果が得られ
ないからである。なお、このニッケル元素の濃度は、Ｓ
ＩＭＳ（２次イオン分析法）による測定の最大値として
定義される。
工程を示す。まずガラス基板上に下地膜とした酸化珪素
膜を２０００Åの厚さに成膜する。次にプラズマＣＶＤ
法で非晶質珪素膜を５００Åの厚さに成膜する。そして
ニッケル酢酸塩溶液を非晶質珪素膜の表面にスピンコー
タを用いて塗布する。このニッケル酢酸塩溶液中のニッ
ケル元素の濃度は、最終的に珪素膜中に残存するニッケ
ル元素の濃度が１×１０16〜５×１０19ｃｍ-3となるよ
うに調整する。これは、この濃度範囲以上となると、金
属シリサイドとしての性質が表れてしまい。また、この
濃度範囲以下であると、結晶化を助長する効果が得られ
ないからである。なお、このニッケル元素の濃度は、Ｓ
ＩＭＳ（２次イオン分析法）による測定の最大値として
定義される。
【００６０】珪素の結晶化を助長する金属元素として
は、ニッケルを用いることがその再現性や効果の点で一
番有用である。しかし、他にＦｅ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種
または複数種類の元素を用いることができる。特にＦｅ
やＣｕやＰｄ、さらにＰｔは、十分実用になる効果を得
ることができる。
は、ニッケルを用いることがその再現性や効果の点で一
番有用である。しかし、他にＦｅ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種
または複数種類の元素を用いることができる。特にＦｅ
やＣｕやＰｄ、さらにＰｔは、十分実用になる効果を得
ることができる。
【００６１】非晶質珪素膜の表面にニッケル元素を接し
て保持させた状態としたら、次に窒素雰囲気中におい
て、４５０℃の温度で１時間保持することにより、非晶
質珪素膜中の水素を離脱させる。この加熱処理は、非晶
質珪素膜中に不対結合手を意図的に形成することによ
り、後の結晶化に際してのしきい値エネルギーを下げる
ためである。
て保持させた状態としたら、次に窒素雰囲気中におい
て、４５０℃の温度で１時間保持することにより、非晶
質珪素膜中の水素を離脱させる。この加熱処理は、非晶
質珪素膜中に不対結合手を意図的に形成することによ
り、後の結晶化に際してのしきい値エネルギーを下げる
ためである。
【００６２】次に非晶質珪素膜の表面にニッケル元素が
接して保持された状態において、加熱処理を行い、非晶
質珪素膜を結晶性珪素膜に変成する。この加熱処理工程
は、５５０℃、４時間の条件で行う。この加熱処理は５
００℃以上の温度で行うことができるが、ガラス基板の
歪点以下の温度とすることが重要である。
接して保持された状態において、加熱処理を行い、非晶
質珪素膜を結晶性珪素膜に変成する。この加熱処理工程
は、５５０℃、４時間の条件で行う。この加熱処理は５
００℃以上の温度で行うことができるが、ガラス基板の
歪点以下の温度とすることが重要である。
【００６３】こうしてガラス基板上に結晶性珪素膜を得
ることができる。そして、実施例１に示したのと同様な
方法および条件により、レーザー光を照射する。このレ
ーザー光の照射工程で、さらに結晶性とその均一性が助
長された結晶性珪素膜を得ることができる。なお、レー
ザー光のエネルギー密度は、実施例１の場合に比較した
２０％〜５０％程高くした方が、より高い効果を得られ
ることが実験により判明している。
ることができる。そして、実施例１に示したのと同様な
方法および条件により、レーザー光を照射する。このレ
ーザー光の照射工程で、さらに結晶性とその均一性が助
長された結晶性珪素膜を得ることができる。なお、レー
ザー光のエネルギー密度は、実施例１の場合に比較した
２０％〜５０％程高くした方が、より高い効果を得られ
ることが実験により判明している。
【００６４】本実施例のように、珪素の結晶化を助長す
る金属元素を用いて加熱により得られた結晶性珪素膜に
対して、さらにレーザー光を照射して、その結晶性を向
上させる技術は、加熱のみ、あるいはレーザー光の照射
のみによって、得られた結晶性珪素膜に比較して、その
結晶性の良さや均一性、さらに生産性に優れたものを得
るとができる。
る金属元素を用いて加熱により得られた結晶性珪素膜に
対して、さらにレーザー光を照射して、その結晶性を向
上させる技術は、加熱のみ、あるいはレーザー光の照射
のみによって、得られた結晶性珪素膜に比較して、その
結晶性の良さや均一性、さらに生産性に優れたものを得
るとができる。
【００６５】なお、ニッケル等の金属元素の導入より、
加熱により結晶化された結晶性珪素膜に対して、普通の
方法でレーザー光を照射した場合、当該金属元素の偏析
や部分的な凝集等の現象が見られてしまう。このような
当該金属元素の偏析や部分的な凝集は、トラップセンタ
ーとなるので、半導体デバイスに利用する場合、その電
気的な特性が大きく低下する要因となる。しかし、本明
細書に開示するレーザー光の照射方法を採用した場合、
そのような現象が見られない。これは、徐々に弱いレー
ザーエネルギーを段階的に与えることによって、当該金
属元素の偏析や部分的な凝集が行うことを抑制すること
ができるためである。
加熱により結晶化された結晶性珪素膜に対して、普通の
方法でレーザー光を照射した場合、当該金属元素の偏析
や部分的な凝集等の現象が見られてしまう。このような
当該金属元素の偏析や部分的な凝集は、トラップセンタ
ーとなるので、半導体デバイスに利用する場合、その電
気的な特性が大きく低下する要因となる。しかし、本明
細書に開示するレーザー光の照射方法を採用した場合、
そのような現象が見られない。これは、徐々に弱いレー
ザーエネルギーを段階的に与えることによって、当該金
属元素の偏析や部分的な凝集が行うことを抑制すること
ができるためである。
【００６６】
【発明の効果】本明細書で開示する発明のレーザー照射
技術によって、量産性を向上させ、半導体デバイスとな
るべき膜の均一性を高めることができる。本明細書で開
示する発明は半導体デバイスのプロセスに利用される全
てのレーザー処理プロセスに利用できるが、中でも半導
体デバイスとして薄膜トランジスタの作製プロセスに利
用する場合、その特性の高さと均一性を良さを得ること
ができる。また、所定の領域に照射エネルギー密度の異
なるレーザー光を多段階に渡って照射する場合、レーザ
ービームの重なりがずれてしまうことがない状態でレー
ザー照射を行うことができる。このことは、半導体デバ
イスを作製する場合には、素子の特性の均一性という点
で大きな効果を有する。
技術によって、量産性を向上させ、半導体デバイスとな
るべき膜の均一性を高めることができる。本明細書で開
示する発明は半導体デバイスのプロセスに利用される全
てのレーザー処理プロセスに利用できるが、中でも半導
体デバイスとして薄膜トランジスタの作製プロセスに利
用する場合、その特性の高さと均一性を良さを得ること
ができる。また、所定の領域に照射エネルギー密度の異
なるレーザー光を多段階に渡って照射する場合、レーザ
ービームの重なりがずれてしまうことがない状態でレー
ザー照射を行うことができる。このことは、半導体デバ
イスを作製する場合には、素子の特性の均一性という点
で大きな効果を有する。
【００６７】さらに所定の領域に照射されるレーザー光
のエネルギー密度を複数回の照射において徐々に変化さ
せる工程において、本明細書で開示した構成を利用する
ことで、その作業効率を大きく向上させることができ
る。即ち、従来のように複数回に分けて異なるエネルギ
ー密度のレーザービームを照射することなく、１回のレ
ーザービームの走査しながらの照射によって、段階的に
照射エネルギー密度を変化させてレーザー光を照射した
場合と同様の効果を得ることができる。
のエネルギー密度を複数回の照射において徐々に変化さ
せる工程において、本明細書で開示した構成を利用する
ことで、その作業効率を大きく向上させることができ
る。即ち、従来のように複数回に分けて異なるエネルギ
ー密度のレーザービームを照射することなく、１回のレ
ーザービームの走査しながらの照射によって、段階的に
照射エネルギー密度を変化させてレーザー光を照射した
場合と同様の効果を得ることができる。
【図１】 レーザー光を照射するための装置の概要を示
す。
す。
【図２】 レーザー光を線状に加工するための光学系を
示す。
示す。
【図３】 正規分布を有する線状のレーザー光を走査し
て照射した場合の状態を示す。
て照射した場合の状態を示す。
【図４】 線状のレーザー光のエネルギー強度のビーム
プロファイルの概要を示す。
プロファイルの概要を示す。
１ 台 ２ レーザー発進器 ３ 増幅器 ４ 光学系 ５ 全反射ミラー ６ 全反射ミラー ７ 全反射ミラー ８ 全反射ミラー １０ 試料ステージの移動機構 １１ 試料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/786 21/336
Claims (6)
- 【請求項１】線状に加工されたパルスで、パルスレーザ
ーを１方向にずらしながら照射する工程で、被照射物の
ある一点に着目したとき、該パルスレーザーがその一点
に複数回照射されるようレーザービームを一部重ねて打
つことを特徴とするレーザーアニール方法。 - 【請求項２】線状に加工されたレーザービームの照射方
法であって、 前記レーザービームはその幅方向において正規分布また
は正規分布に似たエネルギー分布を有しており、 前記レーザービームはパルス発振方式のレーザーであっ
て、 前記レーザービームは被照射領域に対してその幅方向に
移動しながら照射され、 前記レーザービームはその一部が重ねられて照射され、 前記レーザービームの移動しながらの照射に際して、被
照射領域の一点に対して１０回〜３０回のパルスが照射
されることを特徴とするレーザーアニール方法。 - 【請求項３】厚さ１５０Å〜１０００Åの珪素膜に対す
るレーザー光の照射方法であって、 前記レーザー光は、幅Ｌの正規分布またはそれに準ずる
ビームプロファイルを有した線状ビームであり、 前記レーザー光は、１秒間当たりの発振数がＮ回のパル
ス発振のレーザー光であって、 前記レーザー光は、その幅方向に速度Ｖで走査されなが
ら照射され、 前記レーザー光は、１パルス当たりの平均のエネルギー
密度が１００〜５００ｍＪ／ｃｍ2 であって、 前記レーザー光は、１０≦（ＬＮ／Ｖ）≦３０を満たし
た条件で照射されることを特徴とするレーザーアーニル
方法。 - 【請求項４】厚さ１５０Å〜１０００Åの珪素膜に対す
るレーザー光の照射方法であって、 前記レーザー光は、幅Ｌの線状ビームであり、かつその
幅方向に連続的または段階的にエネルギー密度が変化し
たビームプロファイルを有し、 前記レーザー光は、１秒間当たりの発振数がＮ回のパル
ス発振のレーザー光であって、 前記レーザー光は、その幅方向に速度Ｖで走査されなが
ら照射され、 前記レーザー光は、１パルス当たりの平均のエネルギー
密度が１００〜５００ｍＪ／ｃｍ2 であって、 前記レーザー光は、１０≦（ＬＮ／Ｖ）≦３０を満たし
た条件で照射されることを特徴とするレーザーアーニル
方法。 - 【請求項５】請求項３または請求項４において、 珪素膜中には、珪素の結晶化を助長する金属元素が１×
１０16〜５×１０19原子ｃｍ-3の濃度で含まれているこ
とを特徴とするレーザーアニール方法。 - 【請求項６】所定の領域に段階的に照射エネルギー密度
を変化させてレーザー光を複数回に渡って照射する方法
であって、 所定の方向に照射エネルギー密度が長さＬに渡り連続的
あるいは段階的に変化したビームプロファイルを有する
レーザー光を用い、 前記レーザー光は、１秒間当たりの発振数がＮ回のパル
ス発振のレーザー光であって、 前記レーザー光は、前記所定の方向に速度Ｖで走査され
ながら照射され、 前記レーザー光の１回の走査において、前記所定の領域
に照射されるレーザーパルスの回数をｎとして、前記レ
ーザー光は、ｎ＝ＬＮ／Ｖを満たした条件で照射される
ことを特徴とするレーザー照射方法。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03770595A JP3587900B2 (ja) | 1995-02-02 | 1995-02-02 | 結晶性珪素膜の作製方法 |
| TW085101195A TW305063B (ja) | 1995-02-02 | 1996-01-31 | |
| US08/594,670 US6596613B1 (en) | 1995-02-02 | 1996-02-02 | Laser annealing method |
| KR1019960002534A KR100294165B1 (ko) | 1995-02-02 | 1996-02-02 | 레이저어닐방법 |
| CNB961055987A CN1134831C (zh) | 1995-02-02 | 1996-02-02 | 激光退火方法 |
| KR1020010002810A KR100321001B1 (ko) | 1995-02-02 | 2001-01-18 | 반도체장치 제작방법 |
| US10/602,762 US6947452B2 (en) | 1995-02-02 | 2003-06-25 | Laser annealing method |
| US11/203,282 US7208358B2 (en) | 1995-02-02 | 2005-08-15 | Laser annealing method |
| US11/735,542 US7517774B2 (en) | 1995-02-02 | 2007-04-16 | Laser annealing method |
| US12/410,787 US7939435B2 (en) | 1995-02-02 | 2009-03-25 | Laser annealing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03770595A JP3587900B2 (ja) | 1995-02-02 | 1995-02-02 | 結晶性珪素膜の作製方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003357625A Division JP4255799B2 (ja) | 2003-10-17 | 2003-10-17 | 結晶性珪素膜の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213341A true JPH08213341A (ja) | 1996-08-20 |
| JP3587900B2 JP3587900B2 (ja) | 2004-11-10 |
Family
ID=12504950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03770595A Expired - Lifetime JP3587900B2 (ja) | 1995-02-02 | 1995-02-02 | 結晶性珪素膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3587900B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997023806A1 (en) * | 1995-12-26 | 1997-07-03 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate, production method of active matrix substrate, liquid crystal display device and electronic equipment |
| JP2001051296A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイス装置の製造方法、薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板および電気光学装置 |
| US6558991B2 (en) | 1996-02-13 | 2003-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus and laser irradiation method |
| JP2004103628A (ja) * | 2002-09-05 | 2004-04-02 | Hitachi Ltd | レーザアニール装置及びｔｆｔ基板のレーザアニール方法 |
| EP1748471A1 (en) * | 1999-03-10 | 2007-01-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Laser heat treatment apparatus |
| JP2007073978A (ja) * | 2006-10-04 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー照射方法 |
| JP2007096328A (ja) * | 2006-10-04 | 2007-04-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー照射装置 |
| US7517774B2 (en) | 1995-02-02 | 2009-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser annealing method |
| JP2011187968A (ja) * | 2011-04-18 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー照射方法およびレーザー照射装置 |
| WO2016135906A1 (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 技術研究組合次世代３Ｄ積層造形技術総合開発機構 | 光加工ヘッド、光加工装置および光加工方法 |
-
1995
- 1995-02-02 JP JP03770595A patent/JP3587900B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7517774B2 (en) | 1995-02-02 | 2009-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser annealing method |
| US7939435B2 (en) * | 1995-02-02 | 2011-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser annealing method |
| US6136632A (en) * | 1995-12-26 | 2000-10-24 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate, method of producing an active matrix substrate, liquid crystal display device, and electronic equipment |
| WO1997023806A1 (en) * | 1995-12-26 | 1997-07-03 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate, production method of active matrix substrate, liquid crystal display device and electronic equipment |
| US6558991B2 (en) | 1996-02-13 | 2003-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus and laser irradiation method |
| EP1748471A1 (en) * | 1999-03-10 | 2007-01-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Laser heat treatment apparatus |
| JP2001051296A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイス装置の製造方法、薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板および電気光学装置 |
| JP2004103628A (ja) * | 2002-09-05 | 2004-04-02 | Hitachi Ltd | レーザアニール装置及びｔｆｔ基板のレーザアニール方法 |
| JP2007073978A (ja) * | 2006-10-04 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー照射方法 |
| JP2007096328A (ja) * | 2006-10-04 | 2007-04-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー照射装置 |
| JP2011187968A (ja) * | 2011-04-18 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー照射方法およびレーザー照射装置 |
| WO2016135906A1 (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 技術研究組合次世代３Ｄ積層造形技術総合開発機構 | 光加工ヘッド、光加工装置および光加工方法 |
| JPWO2016135906A1 (ja) * | 2015-02-25 | 2017-04-27 | 技術研究組合次世代３Ｄ積層造形技術総合開発機構 | 光加工ヘッド、光加工装置および光加工方法 |
| US10369661B2 (en) | 2015-02-25 | 2019-08-06 | Technology Research Association For Future Additive Manufacturing | Optical processing head, optical machining apparatus, and optical processing method |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3587900B2 (ja) | 2004-11-10 |
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