JPH0234824Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0234824Y2 JPH0234824Y2 JP1982144613U JP14461382U JPH0234824Y2 JP H0234824 Y2 JPH0234824 Y2 JP H0234824Y2 JP 1982144613 U JP1982144613 U JP 1982144613U JP 14461382 U JP14461382 U JP 14461382U JP H0234824 Y2 JPH0234824 Y2 JP H0234824Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- wafer
- furnace
- treatment apparatus
- periphery
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案は半導体ウエハ等の試料を熱処理する赤
外線ランプ炉を用いた熱処理装置に関する。
外線ランプ炉を用いた熱処理装置に関する。
(b) 技術の背景
半導体プロセスでは各種の熱処理が施され、例
えばシリコン基板上に熱酸化膜の被着形成又はイ
オン打込後のアニール処理等があり何れも厳しい
管理条件のもとで高い信頼度が要求される。
えばシリコン基板上に熱酸化膜の被着形成又はイ
オン打込後のアニール処理等があり何れも厳しい
管理条件のもとで高い信頼度が要求される。
熱酸化膜の形成にはH2Oを添加した電気炉内
にシリコン基板の半導体ウエハを収容し一定温度
に加熱しウエハ表面に厚い酸化膜（SiO2）を形
成するウエツト熱酸化法やO2を添加して薄膜の
酸化膜（SiO2）を得るドライ酸化法がある。
にシリコン基板の半導体ウエハを収容し一定温度
に加熱しウエハ表面に厚い酸化膜（SiO2）を形
成するウエツト熱酸化法やO2を添加して薄膜の
酸化膜（SiO2）を得るドライ酸化法がある。
均一な膜厚分布及び良質な膜質を得るため炉内
の温度は定温に保たれる必要がある。
の温度は定温に保たれる必要がある。
一方ひ素（As）又はりん（Ｐ）等の不純物を
イオン打込によつてソースドレイン領域を形成す
るMOS型半導体素子ではイオン打込によつて生
ずる格子欠陥の再結晶化を行うために熱処理を行
なう。この場合炉内の半導体ウエハの温度分布は
スリツプラインを発生しないようにその周辺に至
るまで均一であることが望ましい。
イオン打込によつてソースドレイン領域を形成す
るMOS型半導体素子ではイオン打込によつて生
ずる格子欠陥の再結晶化を行うために熱処理を行
なう。この場合炉内の半導体ウエハの温度分布は
スリツプラインを発生しないようにその周辺に至
るまで均一であることが望ましい。
(c) 従来技術と問題点
第１図は従来の熱処理装置を示す構成図であ
る。図において、石英反応管１の周辺に加熱用ヒ
ータ２をコイル状に捲回して取付けられる。石英
反応管１には反応ガスを導入するガス導入口３及
び反応ガスを排気する排気口４を設け、キヤツプ
５により閉じる。処理操作はキヤツプ５を開いて
ウエハホルダー６に載置した複数の半導体ウエハ
７を石英反応管１内に収容し、所定温度に加熱
し、所定のガス雰囲気下で加熱処理がなされる。
このように構成される熱処理装置においては１バ
ツチ当り、多数個（50〜100枚）の処理が可能で
あるが半導体ウエハ７をウエハホルダー６への装
着及び取外しが必要となり、他の工程と連携した
一連の自動化を行うことは困難であつた。
る。図において、石英反応管１の周辺に加熱用ヒ
ータ２をコイル状に捲回して取付けられる。石英
反応管１には反応ガスを導入するガス導入口３及
び反応ガスを排気する排気口４を設け、キヤツプ
５により閉じる。処理操作はキヤツプ５を開いて
ウエハホルダー６に載置した複数の半導体ウエハ
７を石英反応管１内に収容し、所定温度に加熱
し、所定のガス雰囲気下で加熱処理がなされる。
このように構成される熱処理装置においては１バ
ツチ当り、多数個（50〜100枚）の処理が可能で
あるが半導体ウエハ７をウエハホルダー６への装
着及び取外しが必要となり、他の工程と連携した
一連の自動化を行うことは困難であつた。
従来より、高品質を維持するためには自動化が
必要であり、最近は自動化に適する一枚取の高速
単体処理が可能で、且つ半導体ウエハの温度分布
が周辺まで一様に出来る熱処理装置が望まれてい
た。
必要であり、最近は自動化に適する一枚取の高速
単体処理が可能で、且つ半導体ウエハの温度分布
が周辺まで一様に出来る熱処理装置が望まれてい
た。
(d) 考案の目的
本考案は上記の点に鑑み、赤外線ランプ炉を用
い熱処理効果を向上させる１枚取りの被処理体支
持機構、即ち半導体ウエハ等の板状の被処理体を
載置して炉内に出し入れするステージの提供を目
的とする。
い熱処理効果を向上させる１枚取りの被処理体支
持機構、即ち半導体ウエハ等の板状の被処理体を
載置して炉内に出し入れするステージの提供を目
的とする。
(e) 考案の構成
上記目的は、外部から炉壁を透して炉内の板状
の被処理体の表面に赤外線を照射して加熱処理す
る一枚取り熱処理装置において、前記炉内に前記
被処理体を載置して出し入れする被処理体支持機
構に、該載置された被処理体の裏面の周辺部を
夫々点接触で支持する複数の突起片を設けると共
に、該載置された被処理体の周辺部を加熱する該
被処理体の周辺を取り巻くリング状に形成された
加熱手段を設けることを特徴とする熱処理装置に
よつて達成される。
の被処理体の表面に赤外線を照射して加熱処理す
る一枚取り熱処理装置において、前記炉内に前記
被処理体を載置して出し入れする被処理体支持機
構に、該載置された被処理体の裏面の周辺部を
夫々点接触で支持する複数の突起片を設けると共
に、該載置された被処理体の周辺部を加熱する該
被処理体の周辺を取り巻くリング状に形成された
加熱手段を設けることを特徴とする熱処理装置に
よつて達成される。
(f) 考案の実施例
以下本考案の実施例として半導体ウエハを被処
理体として熱処理する例を図面により詳述する。
第２図は本考案の一実施例である熱処理装置を示
す構成図、第３図は本考案の一実施例であるウエ
ハ支持機構を示す平面図である。筐体構造の枠内
に石英反応室１１を収容し、上面にはタングステ
ン等の抵抗線を組込みハロゲンガスを封入した複
数の赤外線ランプ１２を配設した熱処理装置であ
つて、石英反応室１１には反応ガスを導入するガ
ス導入口１３及び反応ガスを排気する排気口１４
を備え、キヤツプ１５を閉じることにより外気と
遮断される。赤外線ランプ１２には乱射光を防止
するための反射板１６が取付けられる。ウエハス
テージ１７は本実施例における被処理体支持機構
であり、ウエハステージ１７に半導体ウエハ１８
を載置し石英反応室１１内に収容する。ウエハス
テージ１７は中央を円形にくり抜いた石英平板で
形成され第３図で示すようにリング状の赤外線ヒ
ータ１９をウエハステージ１７上に装着する。尚
ウエハステージ１７はアーム２０を介してキヤツ
プ１５により支持される。ウエハステージ１７に
は複数の突起片２１を設け半導体ウエハ１８を載
置する。本実施例はこのように構成される急熱急
冷型一枚取り熱処理装置であつて赤外線ランプ１
２からの放熱によつて石英反応室１１内は所定温
度に維持され半導体ウエハ１８を熱処理する。半
導体ウエハ１８周辺部からの放熱を補うため予じ
めウエハステージ１７を設けた赤外線ヒータ１９
により半導体ウエハ１８の周辺縁部を加熱するこ
とによりウエハ上の温度分布を均一化させる。更
に半導体ウエハ１８はウエハステージ１７の突起
片２１に点接触をなして搭載されるため、従来の
ように両者の接触面が大きいために生じる影響即
ち温度上昇の差異によるウエハ上の温度分布の変
動が防止できる。
理体として熱処理する例を図面により詳述する。
第２図は本考案の一実施例である熱処理装置を示
す構成図、第３図は本考案の一実施例であるウエ
ハ支持機構を示す平面図である。筐体構造の枠内
に石英反応室１１を収容し、上面にはタングステ
ン等の抵抗線を組込みハロゲンガスを封入した複
数の赤外線ランプ１２を配設した熱処理装置であ
つて、石英反応室１１には反応ガスを導入するガ
ス導入口１３及び反応ガスを排気する排気口１４
を備え、キヤツプ１５を閉じることにより外気と
遮断される。赤外線ランプ１２には乱射光を防止
するための反射板１６が取付けられる。ウエハス
テージ１７は本実施例における被処理体支持機構
であり、ウエハステージ１７に半導体ウエハ１８
を載置し石英反応室１１内に収容する。ウエハス
テージ１７は中央を円形にくり抜いた石英平板で
形成され第３図で示すようにリング状の赤外線ヒ
ータ１９をウエハステージ１７上に装着する。尚
ウエハステージ１７はアーム２０を介してキヤツ
プ１５により支持される。ウエハステージ１７に
は複数の突起片２１を設け半導体ウエハ１８を載
置する。本実施例はこのように構成される急熱急
冷型一枚取り熱処理装置であつて赤外線ランプ１
２からの放熱によつて石英反応室１１内は所定温
度に維持され半導体ウエハ１８を熱処理する。半
導体ウエハ１８周辺部からの放熱を補うため予じ
めウエハステージ１７を設けた赤外線ヒータ１９
により半導体ウエハ１８の周辺縁部を加熱するこ
とによりウエハ上の温度分布を均一化させる。更
に半導体ウエハ１８はウエハステージ１７の突起
片２１に点接触をなして搭載されるため、従来の
ように両者の接触面が大きいために生じる影響即
ち温度上昇の差異によるウエハ上の温度分布の変
動が防止できる。
ウエハ周辺部の予備加熱及びステージとの点接
触による搭載構造とすることにより半導体ウエハ
１８のスリツプライン発生を減少させることが可
能となる。また半導体ウエハ１８を単位体処理す
る急熱急冷方式であるため自動ローテイング機構
の採用により自動化に有利となる。
触による搭載構造とすることにより半導体ウエハ
１８のスリツプライン発生を減少させることが可
能となる。また半導体ウエハ１８を単位体処理す
る急熱急冷方式であるため自動ローテイング機構
の採用により自動化に有利となる。
(g) 考案の効果
以上詳細に説明したように赤外線ランプ炉に本
考案の半導体ウエハ支持機構を設けることによ
り、均一な温度分布が得られるため処理精度は向
上しスリツプラインの発生を減少し自動化に有利
となる等大きな効果が得られる。
考案の半導体ウエハ支持機構を設けることによ
り、均一な温度分布が得られるため処理精度は向
上しスリツプラインの発生を減少し自動化に有利
となる等大きな効果が得られる。
第１図は従来の熱処理装置を示す構成図、第２
図は本考案の一実施例である熱処理装置を示す構
成図、第３図は本考案の一実施例であるウエハ支
持機構を示す平面図である。 図中１１は石英反応室、１２は赤外線ランプ、
１３はガス導入口、１４は排気口、１５はキヤツ
プ、１６は反射板、１７はウエハステージ、１８
は半導体ウエハ、１９は赤外線ヒータ、２０はア
ーム、２１は突起片を示す。
図は本考案の一実施例である熱処理装置を示す構
成図、第３図は本考案の一実施例であるウエハ支
持機構を示す平面図である。 図中１１は石英反応室、１２は赤外線ランプ、
１３はガス導入口、１４は排気口、１５はキヤツ
プ、１６は反射板、１７はウエハステージ、１８
は半導体ウエハ、１９は赤外線ヒータ、２０はア
ーム、２１は突起片を示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 外部から炉壁を透して炉内の板状の被処理体の
表面に赤外線を照射して加熱処理する一枚取り熱
処理装置において、 前記炉内に前記被処理体を載置して出し入れす
る被処理体支持機構に、該載置された被処理体の
裏面の周辺部を夫々点接触で支持する複数の突起
片を設けると共に、該載置された被処理体の周辺
部を加熱する該被処理体の周辺を取り巻くリング
状に形成された加熱手段を設けることを特徴とす
る熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14461382U JPS5948040U (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14461382U JPS5948040U (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948040U JPS5948040U (ja) | 1984-03-30 |
| JPH0234824Y2 true JPH0234824Y2 (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=30322437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14461382U Granted JPS5948040U (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948040U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5565851U (ja) * | 1978-10-26 | 1980-05-07 |
-
1982
- 1982-09-24 JP JP14461382U patent/JPS5948040U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5948040U (ja) | 1984-03-30 |
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