JPH07249589A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JPH07249589A JPH07249589A JP6066682A JP6668294A JPH07249589A JP H07249589 A JPH07249589 A JP H07249589A JP 6066682 A JP6066682 A JP 6066682A JP 6668294 A JP6668294 A JP 6668294A JP H07249589 A JPH07249589 A JP H07249589A
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- Japan
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- light
- heat treatment
- light source
- wafer
- processing chamber
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な構造で被処理体の表面を均一に加熱す
ることができるようにした熱処理装置を提供する。 【構成】 被処理体Ｗを収容し、この被処理体Ｗに臨む
壁面に光透過窓２を有する処理室３の外部に、前記光透
過窓２を介して被処理体Ｗを光照射により加熱する光源
４を設ける。この光源４と前記光透過窓２との間に回転
により光源４からの光量を被処理体Ｗの表面に均一に照
射させるべく調整する光量調整板６を配置する。これに
より、簡単な構造で被処理体Ｗの表面を均一に加熱する
ことが可能となる。
ることができるようにした熱処理装置を提供する。 【構成】 被処理体Ｗを収容し、この被処理体Ｗに臨む
壁面に光透過窓２を有する処理室３の外部に、前記光透
過窓２を介して被処理体Ｗを光照射により加熱する光源
４を設ける。この光源４と前記光透過窓２との間に回転
により光源４からの光量を被処理体Ｗの表面に均一に照
射させるべく調整する光量調整板６を配置する。これに
より、簡単な構造で被処理体Ｗの表面を均一に加熱する
ことが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱処理装置に係り、特
に、光源からの光照射により被処理体を加熱する熱処理
装置に関する。
に、光源からの光照射により被処理体を加熱する熱処理
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】被処理体である例えば半導体ウエハの製
造においては、酸化、拡散、ＣＶＤ（Chemical Vapor D
eposition）などの処理を行うために、各種の熱処理装
置が使用されている。そして、その熱処理装置の一つと
して、加熱手段に光源を使用した光照射型の熱処理装置
が提案されている（例えば、特公平２−３４１６４号公
報等）。
造においては、酸化、拡散、ＣＶＤ（Chemical Vapor D
eposition）などの処理を行うために、各種の熱処理装
置が使用されている。そして、その熱処理装置の一つと
して、加熱手段に光源を使用した光照射型の熱処理装置
が提案されている（例えば、特公平２−３４１６４号公
報等）。
【０００３】この種の熱処理装置は、ウエハを収容して
熱処理する処理室を石英等の光透過材により形成し、こ
の処理室の外部に設けた光源から処理室の壁面を通して
ウエハに光（赤外線）を照射することによりウエハを加
熱するようになっている。この場合、ウエハの品質及び
生産性の向上を図る上で、ウエハを一定の温度で均一に
加熱することが重要である。
熱処理する処理室を石英等の光透過材により形成し、こ
の処理室の外部に設けた光源から処理室の壁面を通して
ウエハに光（赤外線）を照射することによりウエハを加
熱するようになっている。この場合、ウエハの品質及び
生産性の向上を図る上で、ウエハを一定の温度で均一に
加熱することが重要である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この種
の従来の熱処理装置においては、光源からの光量をウエ
ハの表面に均一に照射するために光源の配置や反射鏡の
形状を複雑な計算や試行錯誤の繰り返しにより求めなけ
ればならず、その作業が大変であるばかりでなく、光源
の配置や反射鏡の形状などの構造が複雑になる問題があ
る。なお、この問題を解決するために、光源を回転させ
るか、或いはウエハを回転させることが考えられるが、
これらの方法では電気接点であるスリップリングの消耗
や回転軸シール部分の構造などに技術的及び物理的な問
題が発生する上、構造が複雑になる問題がある。また、
ウエハ面内に温度差が生じた場合、光源の出力を調整し
て温度差を低減する方法もあるが、対応できない場合が
多い。
の従来の熱処理装置においては、光源からの光量をウエ
ハの表面に均一に照射するために光源の配置や反射鏡の
形状を複雑な計算や試行錯誤の繰り返しにより求めなけ
ればならず、その作業が大変であるばかりでなく、光源
の配置や反射鏡の形状などの構造が複雑になる問題があ
る。なお、この問題を解決するために、光源を回転させ
るか、或いはウエハを回転させることが考えられるが、
これらの方法では電気接点であるスリップリングの消耗
や回転軸シール部分の構造などに技術的及び物理的な問
題が発生する上、構造が複雑になる問題がある。また、
ウエハ面内に温度差が生じた場合、光源の出力を調整し
て温度差を低減する方法もあるが、対応できない場合が
多い。
【０００５】そこで、本発明の目的は、簡単な構造で被
処理体の表面を均一に加熱することができるようにした
熱処理装置を提供することにある。
処理体の表面を均一に加熱することができるようにした
熱処理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載の熱処理装置は、被処理体を収容し、こ
の被処理体に臨む壁面に光透過窓を有する処理室と、こ
の処理室の外部に設けられ、前記光透過窓を介して被処
理体を光照射により加熱する光源と、この光源と前記光
透過窓との間に配置され、回転により光源からの光量を
被処理体の表面に均一に照射させるべく調整する光量調
整板とを備えたことを特徴とする。
に請求項１記載の熱処理装置は、被処理体を収容し、こ
の被処理体に臨む壁面に光透過窓を有する処理室と、こ
の処理室の外部に設けられ、前記光透過窓を介して被処
理体を光照射により加熱する光源と、この光源と前記光
透過窓との間に配置され、回転により光源からの光量を
被処理体の表面に均一に照射させるべく調整する光量調
整板とを備えたことを特徴とする。
【０００７】前記光透過窓は耐熱性及び光透過性を有す
る材料例えば石英で形成されていることが好ましい。光
源としては、例えばハロゲンランプ等のフィラメントラ
ンプやアークランプ等が適用可能であり、また、被処理
体としては、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板等が適用
可能である。
る材料例えば石英で形成されていることが好ましい。光
源としては、例えばハロゲンランプ等のフィラメントラ
ンプやアークランプ等が適用可能であり、また、被処理
体としては、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板等が適用
可能である。
【０００８】また、請求項２記載の熱処理装置は、請求
項１記載の熱処理装置における前記光量調整板が前記光
源よりも外側に配置された電動機に回転軸を介して連結
されていることを特徴とする。
項１記載の熱処理装置における前記光量調整板が前記光
源よりも外側に配置された電動機に回転軸を介して連結
されていることを特徴とする。
【０００９】更に、請求項３記載の熱処理装置は、請求
項１又は２記載の熱処理装置における前記光量調整板が
光を通さない材料からなる円板に多数のスリットを形成
してなることを特徴とする。
項１又は２記載の熱処理装置における前記光量調整板が
光を通さない材料からなる円板に多数のスリットを形成
してなることを特徴とする。
【００１０】また、請求項４記載の熱処理装置は、請求
項１又は２記載の熱処理装置における前記光量調整板が
光を透過する材料からなる円板に多数のスリット状の光
透過部を形成すべく光遮蔽材を設けてなることを特徴と
する。
項１又は２記載の熱処理装置における前記光量調整板が
光を透過する材料からなる円板に多数のスリット状の光
透過部を形成すべく光遮蔽材を設けてなることを特徴と
する。
【００１１】
【作用】請求項１記載の熱処理装置によれば、光源と処
理室の光透過窓との間に配置された光量調整板の回転に
より光源から発する光量ないし光エネルギーのばらつき
が補正されて被処理体の表面に均一に照射される。従っ
て、光源と処理室の光透過窓との間に光量調整板を回転
可能に配置するだけの簡単な構造で、被処理体の表面を
均一に加熱することが可能となる。また、これにより、
熱処理装置の製造コストの低減並びに被処理体の品質及
び生産性の向上が図れる。
理室の光透過窓との間に配置された光量調整板の回転に
より光源から発する光量ないし光エネルギーのばらつき
が補正されて被処理体の表面に均一に照射される。従っ
て、光源と処理室の光透過窓との間に光量調整板を回転
可能に配置するだけの簡単な構造で、被処理体の表面を
均一に加熱することが可能となる。また、これにより、
熱処理装置の製造コストの低減並びに被処理体の品質及
び生産性の向上が図れる。
【００１２】また、請求項２記載の熱処理装置によれ
ば、光量調整板が光源よりも外側に配置された電動機に
回転軸を介して連結されているため、電動機が光源から
の熱的影響を受けることなく光量調整板を円滑に回転す
ることが可能となり、耐久性の向上が図れる。
ば、光量調整板が光源よりも外側に配置された電動機に
回転軸を介して連結されているため、電動機が光源から
の熱的影響を受けることなく光量調整板を円滑に回転す
ることが可能となり、耐久性の向上が図れる。
【００１３】更に、請求項３又は４記載の熱処理装置に
よれば、簡単な構造の光量調整板により光源からの光量
ないし光エネルギーのばらつきを容易に均すことが可能
となる。
よれば、簡単な構造の光量調整板により光源からの光量
ないし光エネルギーのばらつきを容易に均すことが可能
となる。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明の実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
て詳述する。
【００１５】先ず、本発明を適用した熱処理装置の概略
的基本構成を図２に基づいて説明すると、この熱処理装
置１は被処理体である例えば半導体ウエハＷを収容し、
このウエハＷに臨む壁面に例えば石英製の光透過窓２を
有する処理室３を備えており、この処理室３の外部には
前記光透過窓２を介してウエハＷを光照射により加熱す
る光源として例えばフィラメントランプであるハロゲン
ランプ４が支持体５を介して複数個設けられている。
的基本構成を図２に基づいて説明すると、この熱処理装
置１は被処理体である例えば半導体ウエハＷを収容し、
このウエハＷに臨む壁面に例えば石英製の光透過窓２を
有する処理室３を備えており、この処理室３の外部には
前記光透過窓２を介してウエハＷを光照射により加熱す
る光源として例えばフィラメントランプであるハロゲン
ランプ４が支持体５を介して複数個設けられている。
【００１６】そして、このハロゲンランプ４と前記光透
過窓２との間には回転によりハロゲンランプ４からの光
量をウエハＷの表面に均一に照射させるべく調整する光
量調整板６が配置され、この光量調整板６にはハロゲン
ランプ４の支持体５よりも外側に配置された電動機（モ
ータ）７が回転軸８を介して連結されている。この熱処
理装置１は、ウエハＷを下方からの光照射により加熱す
るように構成されているが、上下を逆にしてウエハＷを
上方からの光照射により加熱するようにしてもよく、或
いはウエハＷを上方及び下方の両方からの光照射により
加熱するように構成してもよい。
過窓２との間には回転によりハロゲンランプ４からの光
量をウエハＷの表面に均一に照射させるべく調整する光
量調整板６が配置され、この光量調整板６にはハロゲン
ランプ４の支持体５よりも外側に配置された電動機（モ
ータ）７が回転軸８を介して連結されている。この熱処
理装置１は、ウエハＷを下方からの光照射により加熱す
るように構成されているが、上下を逆にしてウエハＷを
上方からの光照射により加熱するようにしてもよく、或
いはウエハＷを上方及び下方の両方からの光照射により
加熱するように構成してもよい。
【００１７】次に、本発明の一実施例である熱処理装置
の具体的構成を図１に基づいて説明する。この熱処理装
置１は被処理体である半導体ウエハＷを収容してこれに
酸化、拡散、アニール、ＣＶＤ等の各種の処理を所定の
雰囲気下で施すための処理室３を備えている。この処理
室３は耐熱性金属例えばステンレススチールからなる縦
型円筒状の胴部９と、この胴部９の上部開口端９ａに前
記ウエハＷに臨んで設けられた光透過窓２と、この光透
過窓２の下方にこれと対向して配置された蓋体１０とに
より区画形成され、胴部９の上方には光透過窓２を通し
て処理室３内のウエハＷを光照射により加熱する光源と
して複数個のハロゲンランプ４が配設されている。
の具体的構成を図１に基づいて説明する。この熱処理装
置１は被処理体である半導体ウエハＷを収容してこれに
酸化、拡散、アニール、ＣＶＤ等の各種の処理を所定の
雰囲気下で施すための処理室３を備えている。この処理
室３は耐熱性金属例えばステンレススチールからなる縦
型円筒状の胴部９と、この胴部９の上部開口端９ａに前
記ウエハＷに臨んで設けられた光透過窓２と、この光透
過窓２の下方にこれと対向して配置された蓋体１０とに
より区画形成され、胴部９の上方には光透過窓２を通し
て処理室３内のウエハＷを光照射により加熱する光源と
して複数個のハロゲンランプ４が配設されている。
【００１８】前記胴部９の上側内周部にはフランジ部１
１が形成され、このフランジ部１１の下部開口端１１ａ
にこれを開閉可能に閉塞すべく前記蓋体１０が水平に当
接されている。この蓋体１０は前記胴部９と同様の例え
ばステンレススチールにより形成され、その周縁部には
前記フランジ部１１との間をシールするための耐熱性を
有する弾性気密材例えばフッ素ゴム製のＯリング１２が
装着されている。蓋体１０の上面部には前記ウエハＷの
下面を水平に支持するための例えば石英製の複数例えば
３本の支持ピン１３が周方向に等間隔で立設されてい
る。
１が形成され、このフランジ部１１の下部開口端１１ａ
にこれを開閉可能に閉塞すべく前記蓋体１０が水平に当
接されている。この蓋体１０は前記胴部９と同様の例え
ばステンレススチールにより形成され、その周縁部には
前記フランジ部１１との間をシールするための耐熱性を
有する弾性気密材例えばフッ素ゴム製のＯリング１２が
装着されている。蓋体１０の上面部には前記ウエハＷの
下面を水平に支持するための例えば石英製の複数例えば
３本の支持ピン１３が周方向に等間隔で立設されてい
る。
【００１９】また、蓋体１０及び胴部９には前記Ｏリン
グ１２等を冷却するための冷却水通路１４，１５が形成
され、胴部９には処理室３内にガス置換用の例えば窒素
ガス等の不活性ガスやウエハ処理用の例えば酸素ガス等
の処理ガスＧを導入するための導入ポート１６及びこれ
らのガスを処理室３外へ排出するための排気ポート１７
が設けられている。なお、導入ポート１６には例えば処
理ガスＧ等の供給系が接続され、排気ポート１７には例
えば真空ポンプや除害装置等を介して工場排気系が接続
されることになる（図示省略）。
グ１２等を冷却するための冷却水通路１４，１５が形成
され、胴部９には処理室３内にガス置換用の例えば窒素
ガス等の不活性ガスやウエハ処理用の例えば酸素ガス等
の処理ガスＧを導入するための導入ポート１６及びこれ
らのガスを処理室３外へ排出するための排気ポート１７
が設けられている。なお、導入ポート１６には例えば処
理ガスＧ等の供給系が接続され、排気ポート１７には例
えば真空ポンプや除害装置等を介して工場排気系が接続
されることになる（図示省略）。
【００２０】前記胴部９の下部にはその底部を形成する
ように例えばステンレススチール製の基盤１８が設けら
れ、この基盤１８の下部にはこれを貫通して前記蓋体１
０を開閉すべく昇降移動させるための例えばエアシリン
ダ等からなる昇降機構１９が設けられている。胴部９の
フランジ部１１よりも下方はウエハ移載用空間部２０と
して形成され、このウエハ移載用空間部２０に前記蓋体
１０が昇降機構１９により図１の仮想線で示すように下
降移動されるようになっている。
ように例えばステンレススチール製の基盤１８が設けら
れ、この基盤１８の下部にはこれを貫通して前記蓋体１
０を開閉すべく昇降移動させるための例えばエアシリン
ダ等からなる昇降機構１９が設けられている。胴部９の
フランジ部１１よりも下方はウエハ移載用空間部２０と
して形成され、このウエハ移載用空間部２０に前記蓋体
１０が昇降機構１９により図１の仮想線で示すように下
降移動されるようになっている。
【００２１】前記胴部９には前記ウエハ移載用空間部２
０と連通してウエハＷの搬入搬出を行うための搬入口２
１及び搬出口２２が設けられ、その搬入口２１から処理
前のウエハＷが図示しない移載装置により蓋体１０の支
持ピン１３上に移載され、搬出口２２から処理後のウエ
ハＷが図示しない移載装置により搬出されるようになっ
ている。前記搬入口２１及び搬出口２２には開閉用のゲ
ートバルブ２３，２４がそれぞれ設けられている。
０と連通してウエハＷの搬入搬出を行うための搬入口２
１及び搬出口２２が設けられ、その搬入口２１から処理
前のウエハＷが図示しない移載装置により蓋体１０の支
持ピン１３上に移載され、搬出口２２から処理後のウエ
ハＷが図示しない移載装置により搬出されるようになっ
ている。前記搬入口２１及び搬出口２２には開閉用のゲ
ートバルブ２３，２４がそれぞれ設けられている。
【００２２】一方、前記光透過窓２は耐熱性及び光透過
性を有する材料例えば石英製の光透過材４０を前記胴部
９の上部開口端９ａにＯリング２５及び取付部材２６を
介して気密に取付けることにより構成されている。前記
胴部９の上部開口端９ａには前記光透過窓２を覆うよう
に凹面状の反射鏡２７が取付けられ、この反射鏡２７の
内側に前記ハロゲンランプ４が配設されている。
性を有する材料例えば石英製の光透過材４０を前記胴部
９の上部開口端９ａにＯリング２５及び取付部材２６を
介して気密に取付けることにより構成されている。前記
胴部９の上部開口端９ａには前記光透過窓２を覆うよう
に凹面状の反射鏡２７が取付けられ、この反射鏡２７の
内側に前記ハロゲンランプ４が配設されている。
【００２３】なお、このハロゲンランプ４としては、石
英製の光透過材への吸収をできるだけ少なくするために
０．９〜１．２μｍ程度の波長の赤外線を発するものが
好ましい。前記反射鏡２７としては、例えばステンレス
スチール製の凹面体の内面に金メッキを施してなるもの
が好ましい。また、反射鏡２７の外側は断熱空間２８を
介して例えばステンレススチール製の外板２９で覆わ
れ、その断熱空間２８には冷却用の水冷管３０が配設さ
れている。
英製の光透過材への吸収をできるだけ少なくするために
０．９〜１．２μｍ程度の波長の赤外線を発するものが
好ましい。前記反射鏡２７としては、例えばステンレス
スチール製の凹面体の内面に金メッキを施してなるもの
が好ましい。また、反射鏡２７の外側は断熱空間２８を
介して例えばステンレススチール製の外板２９で覆わ
れ、その断熱空間２８には冷却用の水冷管３０が配設さ
れている。
【００２４】そして、前記処理室３の光透過窓２と光源
であるハロゲンランプ４との間には、これらハロゲンラ
ンプ４からウエハＷの表面に照射される光量ないし光エ
ネルギーのばらつきを均すべく光量の分布を調整ないし
補正するための光量調整板６が水平に回転可能に配置さ
れている。この光量調整板６は、例えば図３に示すよう
に耐熱性を有し且つ光を通さない材料例えばステンレス
スチール等の金属製の円板３１に同心円状のゾーンＺ１
〜Ｚ４毎に光を透過するスリット３２を周方向に所定の
間隔で形成してなる。これらスリット３２の配置構成
は、例えばハロゲンランプ４からウエハＷへ照射される
光量の分布を計測し、この光量の分布を平均に補正でき
る最適な配置構成となるよう実験により求められる。
であるハロゲンランプ４との間には、これらハロゲンラ
ンプ４からウエハＷの表面に照射される光量ないし光エ
ネルギーのばらつきを均すべく光量の分布を調整ないし
補正するための光量調整板６が水平に回転可能に配置さ
れている。この光量調整板６は、例えば図３に示すよう
に耐熱性を有し且つ光を通さない材料例えばステンレス
スチール等の金属製の円板３１に同心円状のゾーンＺ１
〜Ｚ４毎に光を透過するスリット３２を周方向に所定の
間隔で形成してなる。これらスリット３２の配置構成
は、例えばハロゲンランプ４からウエハＷへ照射される
光量の分布を計測し、この光量の分布を平均に補正でき
る最適な配置構成となるよう実験により求められる。
【００２５】前記光量調整板６の大きさ（外径）はウエ
ハＷの外径と同じかそれ以上、好ましくは光透過窓２の
口径とほぼ同じ程度の大きさに形成されている方がよ
い。この光量調整板６を水平に一定の速度で回転させる
ために、光量調整板６の中心部には例えばステンレスス
チール製の回転軸８の一端が固定され、この回転軸８の
他端は反射鏡２７及び外板２９の中心部に設けられた軸
孔３３を貫通して外板２９の外側に延出され、外板２９
の外側に配置された電動機（モータ）７に連結されてい
る。この電動機７は固定部である例えば外板２９にブラ
ケット３４を介して固定されている。
ハＷの外径と同じかそれ以上、好ましくは光透過窓２の
口径とほぼ同じ程度の大きさに形成されている方がよ
い。この光量調整板６を水平に一定の速度で回転させる
ために、光量調整板６の中心部には例えばステンレスス
チール製の回転軸８の一端が固定され、この回転軸８の
他端は反射鏡２７及び外板２９の中心部に設けられた軸
孔３３を貫通して外板２９の外側に延出され、外板２９
の外側に配置された電動機（モータ）７に連結されてい
る。この電動機７は固定部である例えば外板２９にブラ
ケット３４を介して固定されている。
【００２６】次に、前記第１実施例の作用を述べる。ウ
エハＷに酸化等の処理を施すに際して、光源のハロゲン
ランプ４を点灯させると共に、電動機７の駆動により光
量調整板６を一定の速度で回転させる。この状態で、蓋
体１０を図１の仮想線で示すように下方に下降移動させ
て処理室３の下部を開放し、処理室３及びウエハ移載用
空間部２０を不活性ガスにより置換してから、搬入口２
１から処理前のウエハＷを蓋体１０の支持ピン１３上に
移載する。次いで、蓋体１０を昇降機構１９により上昇
移動させて、ウエハＷを処理室３に収容しつつ処理室３
の下部を蓋体１０で閉塞してから、処理室３内に処理ガ
スＧを給排して所定の処理ガス雰囲気にする。そして、
光源であるハロゲンランプ４からの光が光量調整板６を
介して光透過窓２から処理室３内のウエハＷの表面に均
一に照射されることにより、所定の処理温度例えば８０
０〜１２００℃程度でウエハＷの熱処理が行われる。
エハＷに酸化等の処理を施すに際して、光源のハロゲン
ランプ４を点灯させると共に、電動機７の駆動により光
量調整板６を一定の速度で回転させる。この状態で、蓋
体１０を図１の仮想線で示すように下方に下降移動させ
て処理室３の下部を開放し、処理室３及びウエハ移載用
空間部２０を不活性ガスにより置換してから、搬入口２
１から処理前のウエハＷを蓋体１０の支持ピン１３上に
移載する。次いで、蓋体１０を昇降機構１９により上昇
移動させて、ウエハＷを処理室３に収容しつつ処理室３
の下部を蓋体１０で閉塞してから、処理室３内に処理ガ
スＧを給排して所定の処理ガス雰囲気にする。そして、
光源であるハロゲンランプ４からの光が光量調整板６を
介して光透過窓２から処理室３内のウエハＷの表面に均
一に照射されることにより、所定の処理温度例えば８０
０〜１２００℃程度でウエハＷの熱処理が行われる。
【００２７】熱処理が終了したら、処理室３内を不活性
ガスにより置換してから、蓋体１０を下降移動させて処
理室３の下部を開放し、蓋体１０の支持ピン１３上から
処理後のウエハＷを搬出口２２を介して搬出する。そし
て、その蓋体１０の支持ピン１３上に次のウエハＷを移
載し、以下同様のサイクルで順次連続的にウエハＷの熱
処理が一枚ずつ行われることになる。
ガスにより置換してから、蓋体１０を下降移動させて処
理室３の下部を開放し、蓋体１０の支持ピン１３上から
処理後のウエハＷを搬出口２２を介して搬出する。そし
て、その蓋体１０の支持ピン１３上に次のウエハＷを移
載し、以下同様のサイクルで順次連続的にウエハＷの熱
処理が一枚ずつ行われることになる。
【００２８】このように構成された熱処理装置１によれ
ば、光源であるハロゲンランプ４と処理室３の光透過窓
２との間に配置された光量調整板６の回転によりハロゲ
ンランプ４から発する光量ないし光エネルギーのばらつ
きが補正されてウエハＷの表面に均一に照射される。従
って、ハロゲンランプ４と処理室３の光透過窓２との間
に光量調整板６を回転可能に配置するだけの簡単な構造
で、ウエハＷの表面を均一に加熱することができ、これ
により、熱処理装置１の製造コストの低減並びにウエハ
Ｗの品質及び生産性の向上が図れる。
ば、光源であるハロゲンランプ４と処理室３の光透過窓
２との間に配置された光量調整板６の回転によりハロゲ
ンランプ４から発する光量ないし光エネルギーのばらつ
きが補正されてウエハＷの表面に均一に照射される。従
って、ハロゲンランプ４と処理室３の光透過窓２との間
に光量調整板６を回転可能に配置するだけの簡単な構造
で、ウエハＷの表面を均一に加熱することができ、これ
により、熱処理装置１の製造コストの低減並びにウエハ
Ｗの品質及び生産性の向上が図れる。
【００２９】また、光量調整板６がハロゲンランプ４よ
りも外側に配置された電動機７に回転軸８を介して連結
されているため、電動機７が光源からの熱的影響を受け
るなく光量調整板６を円滑に回転することが可能とな
り、耐久性の向上が図れる。更に、光調整板６は金属製
の円板３１にスリット３２を形成してなるため、簡単な
構造の光量調整板６により光源からの光量ないし光エネ
ルギーのばらつきを容易に均すことができる。
りも外側に配置された電動機７に回転軸８を介して連結
されているため、電動機７が光源からの熱的影響を受け
るなく光量調整板６を円滑に回転することが可能とな
り、耐久性の向上が図れる。更に、光調整板６は金属製
の円板３１にスリット３２を形成してなるため、簡単な
構造の光量調整板６により光源からの光量ないし光エネ
ルギーのばらつきを容易に均すことができる。
【００３０】なお、本発明は、前記実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、光量調整板６としては、図４な
いし図５に示すように耐熱性を有し且つ光を透過する材
料例えば石英製の円板３５上に、同心円状のゾーンＺ１
〜Ｚ４毎にスリット状の光透過部３６を形成するように
例えばステンレススチール製の光遮蔽材３７を張設した
ものであってもよい。この光量調整板６によれば、光透
過部３６の配置や大きさ並びに石英製の円板３５におけ
る光の透過及び吸収により、光源からの光量の分布を均
一に補正することができる。また、光量調整板６として
は、図６に示すように石英製の円板３５の表面に前記ス
リット３２と同様の配列で凹部３８及び凸部３９を一体
成形したもの、或いは石英製の円板を半径方向に厚みが
漸増又は漸減するようにテーパ状に形成したもの、石英
製の円板上に渦巻き状の凸状部を形成したもの等であっ
てもよい（図示省略）。
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、光量調整板６としては、図４な
いし図５に示すように耐熱性を有し且つ光を透過する材
料例えば石英製の円板３５上に、同心円状のゾーンＺ１
〜Ｚ４毎にスリット状の光透過部３６を形成するように
例えばステンレススチール製の光遮蔽材３７を張設した
ものであってもよい。この光量調整板６によれば、光透
過部３６の配置や大きさ並びに石英製の円板３５におけ
る光の透過及び吸収により、光源からの光量の分布を均
一に補正することができる。また、光量調整板６として
は、図６に示すように石英製の円板３５の表面に前記ス
リット３２と同様の配列で凹部３８及び凸部３９を一体
成形したもの、或いは石英製の円板を半径方向に厚みが
漸増又は漸減するようにテーパ状に形成したもの、石英
製の円板上に渦巻き状の凸状部を形成したもの等であっ
てもよい（図示省略）。
【００３１】前記実施例における胴部９は被処理体であ
るウエハＷの形状（円形）に対応して円筒形に形成され
ているが、方形、多角形等であってもよい。また、前記
胴部９には、蓋体１０がウエハ移載用空間部２０に下降
移動された時に処理室３とウエハ移載用空間部２０との
間を熱遮蔽するためのシャッターを設けるようにしても
よい。
るウエハＷの形状（円形）に対応して円筒形に形成され
ているが、方形、多角形等であってもよい。また、前記
胴部９には、蓋体１０がウエハ移載用空間部２０に下降
移動された時に処理室３とウエハ移載用空間部２０との
間を熱遮蔽するためのシャッターを設けるようにしても
よい。
【００３２】光源としては、ハロゲンランプ４等のフィ
ラメントランプ以外に、例えばアークランプが適用可能
であり、また、被処理体としては、半導体ウエハＷ以外
に、例えばＬＣＤ基板が適用可能である。更に、前記電
動機７を例えばボールネジ等の昇降機構により昇降可能
に設け、この昇降機構により前記光量調整板６の位置
（高さ）を光透過窓２とハロゲンランプ４との間の隙間
範囲内で可変調整できるように構成してもよい。
ラメントランプ以外に、例えばアークランプが適用可能
であり、また、被処理体としては、半導体ウエハＷ以外
に、例えばＬＣＤ基板が適用可能である。更に、前記電
動機７を例えばボールネジ等の昇降機構により昇降可能
に設け、この昇降機構により前記光量調整板６の位置
（高さ）を光透過窓２とハロゲンランプ４との間の隙間
範囲内で可変調整できるように構成してもよい。
【００３３】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果が得られる。
な優れた効果が得られる。
【００３４】（１）請求項１記載の熱処理装置によれ
ば、光源と処理室の光透過窓との間に配置された光量調
整板の回転により光源から発する光量ないし光エネルギ
ーのばらつきが補正されて被処理体の表面に均一に照射
される。従って、光源と処理室の光透過窓との間に光量
調整板を回転可能に配置するだけの簡単な構造で、被処
理体の表面を均一に加熱することが可能となる。また、
これにより、熱処理装置の製造コストの低減並びに被処
理体の品質及び生産性の向上が図れる。
ば、光源と処理室の光透過窓との間に配置された光量調
整板の回転により光源から発する光量ないし光エネルギ
ーのばらつきが補正されて被処理体の表面に均一に照射
される。従って、光源と処理室の光透過窓との間に光量
調整板を回転可能に配置するだけの簡単な構造で、被処
理体の表面を均一に加熱することが可能となる。また、
これにより、熱処理装置の製造コストの低減並びに被処
理体の品質及び生産性の向上が図れる。
【００３５】（２）請求項２記載の熱処理装置によれ
ば、光量調整板が光源よりも外側に配置された電動機に
回転軸を介して連結されているため、電動機が光源から
の熱的影響を受けるなく光量調整板を円滑に回転するこ
とが可能となり、耐久性の向上が図れる。
ば、光量調整板が光源よりも外側に配置された電動機に
回転軸を介して連結されているため、電動機が光源から
の熱的影響を受けるなく光量調整板を円滑に回転するこ
とが可能となり、耐久性の向上が図れる。
【００３６】（３）請求項３又は４記載の熱処理装置に
よれば、簡単な構造の光量調整板により光源からの光量
ないし光エネルギーのばらつきを容易に均すことが可能
となる。
よれば、簡単な構造の光量調整板により光源からの光量
ないし光エネルギーのばらつきを容易に均すことが可能
となる。
【図１】本発明の一実施例である熱処理装置を示す断面
図である。
図である。
【図２】熱処理装置の概略的基本構成を示す図である。
【図３】光量調整板の一例を示す平面図である。
【図４】光量調整板の別の例を示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ線断面図である。
【図６】光量調整板の別の例を示す断面図である。
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 熱処理装置 ２ 光透過窓 ３ 処理室 ４ ハロゲンランプ（光源） ６ 光量調整板 ７ 電動機 ８ 回転軸 ３１，３５ 円板 ３２ スリット ３６ 光透過部 ３７ 光遮蔽材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 正道 神奈川県津久井群城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内 (72)発明者 謝 林 神奈川県津久井群城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内
Claims (4)
- 【請求項１】 被処理体を収容し、この被処理体に臨む
壁面に光透過窓を有する処理室と、この処理室の外部に
設けられ、前記光透過窓を介して被処理体を光照射によ
り加熱する光源と、この光源と前記光透過窓との間に配
置され、回転により光源からの光量を被処理体の表面に
均一に照射させるべく調整する光量調整板とを備えたこ
とを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 前記光量調整板が前記光源よりも外側に
配置された電動機に回転軸を介して連結されていること
を特徴とする請求項１記載の熱処理装置。 - 【請求項３】 前記光量調整板が光を通さない材料から
なる円板に多数のスリットを形成してなることを特徴と
する請求項１又は２記載の熱処理装置。 - 【請求項４】 前記光量調整板が光を透過する材料から
なる円板に多数のスリット状の光透過部を形成すべく光
遮蔽材を設けてなることを特徴とする請求項１又は２記
載の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6066682A JPH07249589A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6066682A JPH07249589A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249589A true JPH07249589A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=13322954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6066682A Pending JPH07249589A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07249589A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308022A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 石英ウインドウ、リフレクタ及び熱処理装置 |
| JP2008020448A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-31 | Mettler-Toledo Ag | 重量計測式水分量測定装置 |
| JP2008026315A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-02-07 | Mettler-Toledo Ag | 重量計測式水分量測定装置 |
| CN103109357A (zh) * | 2010-10-19 | 2013-05-15 | 应用材料公司 | 用于紫外线纳米固化腔室的石英喷洒器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6146732U (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-28 | 富士通株式会社 | 半導体用熱処理装置 |
| JPS62181422A (ja) * | 1985-10-26 | 1987-08-08 | Nissho Giken Kk | 光照射装置 |
| JPH01238116A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Fujitsu Ltd | 加熱装置 |
| JPH0330323A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-08 | Sony Corp | ランプ加熱装置 |
| JPH04162516A (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-08 | Fujitsu Ltd | 光励起プロセス装置 |
-
1994
- 1994-03-10 JP JP6066682A patent/JPH07249589A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6146732U (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-28 | 富士通株式会社 | 半導体用熱処理装置 |
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| JP2008020448A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-31 | Mettler-Toledo Ag | 重量計測式水分量測定装置 |
| JP2008026315A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-02-07 | Mettler-Toledo Ag | 重量計測式水分量測定装置 |
| CN103109357A (zh) * | 2010-10-19 | 2013-05-15 | 应用材料公司 | 用于紫外线纳米固化腔室的石英喷洒器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050426 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050906 |