JPH03215936A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH03215936A JPH03215936A JP1155490A JP1155490A JPH03215936A JP H03215936 A JPH03215936 A JP H03215936A JP 1155490 A JP1155490 A JP 1155490A JP 1155490 A JP1155490 A JP 1155490A JP H03215936 A JPH03215936 A JP H03215936A
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- hydrogen
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Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 8
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明は半導体製造装置に関し、特に基礎反応中に生
じる自然酸化膜の低減を図ったものである。
じる自然酸化膜の低減を図ったものである。
第３図は従来の半導体製造装置を示す模式図であり、図
において、１は加熱用光源、２は石英窓、３はシリコン
基板、４は反応容器である。
において、１は加熱用光源、２は石英窓、３はシリコン
基板、４は反応容器である。
次に動作について説明する。
シリコン基板３を反応容器４の中に入れたのち、所望の
ガスを反応容器４内に流した状態で、加熱用光源１を点
灯し、その光が石英窓２を通じてシリコン基板３を加熱
することによりシリコン基板３の熱処理を行う。
ガスを反応容器４内に流した状態で、加熱用光源１を点
灯し、その光が石英窓２を通じてシリコン基板３を加熱
することによりシリコン基板３の熱処理を行う。
また第４図に示すように、用いる反応ガスの種類を変え
て、上記動作と同様に所望のガスを流して気相反応によ
りシリコン基板３の上に薄膜を形成する。
て、上記動作と同様に所望のガスを流して気相反応によ
りシリコン基板３の上に薄膜を形成する。
従来の半導体製造装置は以上のように構成されているた
め、熱処理時には、シリコン基板３上に自然酸化膜が形
成されたまま熱処理を行うので、面内均一性が悪くなっ
てしまうという問題点があった。また成膜時には、自然
酸化膜上に薄膜が形成されることとなり、膜質が劣化す
るという問題点があった。
め、熱処理時には、シリコン基板３上に自然酸化膜が形
成されたまま熱処理を行うので、面内均一性が悪くなっ
てしまうという問題点があった。また成膜時には、自然
酸化膜上に薄膜が形成されることとなり、膜質が劣化す
るという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、自然酸化膜のない状態で基礎処理を行なうこ
とができる半導体製造装置を得ることを目的とする。
たもので、自然酸化膜のない状態で基礎処理を行なうこ
とができる半導体製造装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体製造装置は、基礎処理を行なう前
に、高温下で水素の還元反応を利用して自然酸化膜を除
去するようにしたものである。
に、高温下で水素の還元反応を利用して自然酸化膜を除
去するようにしたものである。
この発明によれば、基礎処理を行なう前に、高温下で水
素の還元反応を利用して自然酸化膜を除去することによ
り、面内均一性の良好な熱処理、あるいは膜質の良好な
薄膜形成を行なうことができる。
素の還元反応を利用して自然酸化膜を除去することによ
り、面内均一性の良好な熱処理、あるいは膜質の良好な
薄膜形成を行なうことができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体製造装置の模式
図を示し、図において、１は加熱用光源、２は石英窓、
３はシリコン基板、４は反応容器である。
図を示し、図において、１は加熱用光源、２は石英窓、
３はシリコン基板、４は反応容器である。
次に動作について説明する。
シリコン基板３の熱処理を行う前に、反応容器４内を水
素を導入し減圧状態に保持する。次に、加熱用光源１を
点灯し、水素を高温にする。すると、シリコン基板３上
の自然酸化膜が還元反応により除去される。その後、所
望のガスを導入して反応容器４の中を置換して処理を行
なうと、面内均一性の良好な熱処理ができる。
素を導入し減圧状態に保持する。次に、加熱用光源１を
点灯し、水素を高温にする。すると、シリコン基板３上
の自然酸化膜が還元反応により除去される。その後、所
望のガスを導入して反応容器４の中を置換して処理を行
なうと、面内均一性の良好な熱処理ができる。
また同様にして、シリコン基板３上にシリコン酸化膜，
多結晶シリコン等の薄膜を形成する前に、反応容器４内
を水素で減圧状態に保持し、加熱用光源１を点灯し水素
ガスを加熱して自然酸化膜を除去し、次いで、所望のガ
スを導入して処理を行なうことで、自然酸化膜を除去し
た状態で薄膜を形成できる。
多結晶シリコン等の薄膜を形成する前に、反応容器４内
を水素で減圧状態に保持し、加熱用光源１を点灯し水素
ガスを加熱して自然酸化膜を除去し、次いで、所望のガ
スを導入して処理を行なうことで、自然酸化膜を除去し
た状態で薄膜を形成できる。
なお、第１図．第２図において、反応容器４に導入する
ガスは適宜選択して用いられるものとする。
ガスは適宜選択して用いられるものとする。
このように本実施例によれば、熱処理や成膜等の基礎処
理を行なう前に、反応容器４内に水素ガスを導入し、加
熱用光源１で加熱し、高温下で水素の還元反応を利用し
て自然酸化膜を除去することにより、面内均一性の良好
な熱処理、あるいは膜質の良好な薄膜形成ができる。
理を行なう前に、反応容器４内に水素ガスを導入し、加
熱用光源１で加熱し、高温下で水素の還元反応を利用し
て自然酸化膜を除去することにより、面内均一性の良好
な熱処理、あるいは膜質の良好な薄膜形成ができる。
以上のように、この発明に係る半導体製造装置によれば
、熱処理や成膜等の基礎処理を行なう前に、反応容器内
に水素ガスを導入し、加熱用光源で加熱し、この加熱さ
れた水素の還元反応により自然酸化膜が除去されるよう
にしたので、面内の均一性の高いシリコン基板の熱処理
、あるいは膜質の良好な薄膜を形成することができると
いう効果がある。
、熱処理や成膜等の基礎処理を行なう前に、反応容器内
に水素ガスを導入し、加熱用光源で加熱し、この加熱さ
れた水素の還元反応により自然酸化膜が除去されるよう
にしたので、面内の均一性の高いシリコン基板の熱処理
、あるいは膜質の良好な薄膜を形成することができると
いう効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体製造装置の熱
処理時の模式図、第２図はこの発明の一実施例による半
導体製造装置の成膜時の模式図、第３図は従来の半導体
製造装置による熱処理時の装置の模式図、第４図は従来
の半導体製造装置による成膜時の模式図である。 １は加熱用光源、２は石英窓、３はシリコン基板、４は
反応容器である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
処理時の模式図、第２図はこの発明の一実施例による半
導体製造装置の成膜時の模式図、第３図は従来の半導体
製造装置による熱処理時の装置の模式図、第４図は従来
の半導体製造装置による成膜時の模式図である。 １は加熱用光源、２は石英窓、３はシリコン基板、４は
反応容器である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）半導体装置製造の基礎処理に使用する装置であっ
て、 加熱用光源と、 上記加熱用光源より照射された加熱光を透過させる窓材
と、 その一部に上記窓材が設けられ、基板を収容する反応容
器とを備え、 基礎処理を行なう前に水素を導入するようにしたことを
特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1155490A JPH03215936A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1155490A JPH03215936A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03215936A true JPH03215936A (ja) | 1991-09-20 |
Family
ID=11781168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1155490A Pending JPH03215936A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03215936A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04168768A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-16 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2000091577A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-31 | Texas Instr Inc <Ti> | ゲ―ト酸化物を形成する方法 |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP1155490A patent/JPH03215936A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04168768A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-16 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2624366B2 (ja) * | 1990-10-31 | 1997-06-25 | 山形日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2000091577A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-31 | Texas Instr Inc <Ti> | ゲ―ト酸化物を形成する方法 |
| EP0982764A3 (en) * | 1998-08-26 | 2005-03-30 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming a gate oxide layer for transistors |
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