JPH04176126A - 基板処理方法及びその装置 - Google Patents
基板処理方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH04176126A JPH04176126A JP30322090A JP30322090A JPH04176126A JP H04176126 A JPH04176126 A JP H04176126A JP 30322090 A JP30322090 A JP 30322090A JP 30322090 A JP30322090 A JP 30322090A JP H04176126 A JPH04176126 A JP H04176126A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- hydrogen
- thin film
- ultraviolet light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 2
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 abstract 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910008062 Si-SiO2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910006403 Si—SiO2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- OOYGSFOGFJDDHP-KMCOLRRFSA-N kanamycin A sulfate Chemical group OS(O)(=O)=O.O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CN)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O[C@@H]2[C@@H]([C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)[C@H](N)C[C@@H]1N OOYGSFOGFJDDHP-KMCOLRRFSA-N 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は基板処理方法及びその装置に係り、特に膜質、
例えば５ｉ−３ｉＯ□のような界面の膜質を向上させる
のに好適な基板の処理方法とその方法を実施するための
装置に関する。
例えば５ｉ−３ｉＯ□のような界面の膜質を向上させる
のに好適な基板の処理方法とその方法を実施するための
装置に関する。
〔従来の技術］
従来、この種の装置としては、第８図に示されるように
アニール炉２０にガス供給管６とガス排気ロアが配設さ
れており、アニール炉２０の内部に配置された基板支持
台４に基板３が酋装置され、ハロゲンランプ１９が内蔵
されている。この装置においては、ハロゲンランプ１９
により基板３を加熱し、必要に応じてガス供給管６から
ガスを供給していた。（ＬＳＩハンドブック１９８４、
電気通信学会） なお、この種の装置に関連するものとして、例えば、レ
ーザアニール、ＢＥ（電子ビーム）アニール、フラッシ
ュランプアニール、熱輻射アニール等を用いた装置があ
げられる。（最新ＬＳＩプロセス技術、前田和夫著、工
業調査会）上記のＬＳＩ作成プロセスにおいて、８１基
板上にＳｉＯ□膜を成膜した場合、５ｉ−３ｉ○２界面
に構造的な欠陥が生し、電気的特性の面からも不安定で
あった。
アニール炉２０にガス供給管６とガス排気ロアが配設さ
れており、アニール炉２０の内部に配置された基板支持
台４に基板３が酋装置され、ハロゲンランプ１９が内蔵
されている。この装置においては、ハロゲンランプ１９
により基板３を加熱し、必要に応じてガス供給管６から
ガスを供給していた。（ＬＳＩハンドブック１９８４、
電気通信学会） なお、この種の装置に関連するものとして、例えば、レ
ーザアニール、ＢＥ（電子ビーム）アニール、フラッシ
ュランプアニール、熱輻射アニール等を用いた装置があ
げられる。（最新ＬＳＩプロセス技術、前田和夫著、工
業調査会）上記のＬＳＩ作成プロセスにおいて、８１基
板上にＳｉＯ□膜を成膜した場合、５ｉ−３ｉ○２界面
に構造的な欠陥が生し、電気的特性の面からも不安定で
あった。
このような問題点を解決するために、従来、水素ガスあ
るいは水素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気でアニ
ール（熱処理）を行っていた。すなわち第８図の装置に
おいて、アニール炉２０内に水素ガスあるいは水素ガス
と不活性ガスとの混合ガスを導入し、基板３をハロゲン
ランプ１９で加熱し、電気的特性の改善を図っていた。
るいは水素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気でアニ
ール（熱処理）を行っていた。すなわち第８図の装置に
おいて、アニール炉２０内に水素ガスあるいは水素ガス
と不活性ガスとの混合ガスを導入し、基板３をハロゲン
ランプ１９で加熱し、電気的特性の改善を図っていた。
しかしながら、基板３を加熱することによって生じる（
１）基板の歪み等の発生、（２）ドーパントの再分布、
（３）ｓ ｉ −３ｉ Ｏ２界面での欠陥の再発生等に
ついて十分考慮されていないものであった。
１）基板の歪み等の発生、（２）ドーパントの再分布、
（３）ｓ ｉ −３ｉ Ｏ２界面での欠陥の再発生等に
ついて十分考慮されていないものであった。
本発明の目的は、ＬＳＩ作成プロセス等における発生し
た欠陥を回復し、Ｓ ｉ Ｓ ｉ ０２等の基板処理
面の界面の特性を向上させることができる基板処理方法
及びその装置を提供することにある。
た欠陥を回復し、Ｓ ｉ Ｓ ｉ ０２等の基板処理
面の界面の特性を向上させることができる基板処理方法
及びその装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段〕
上記した目的は、熱処理により基板特性の改善を図るこ
とではなく、波長２７６．７ｎｍ以下の紫外光により水
素ガスを励起し、水素ラジカルを用いて基板を低温で熱
処理する方法及びそのための装置構成とすることによっ
て達成される。
とではなく、波長２７６．７ｎｍ以下の紫外光により水
素ガスを励起し、水素ラジカルを用いて基板を低温で熱
処理する方法及びそのための装置構成とすることによっ
て達成される。
（作用）
Ｓｉ−３ｉＯ□界面が電気的に不安定な原因は、Ｓｉの
未結合手等の電荷が存在するためと言われている。水素
ガスに波長２７６．７ｎｍ以下の紫外光を照射すること
によって水素ガスを励起させ分解することが可能となる
。この結果、生した発生が水素ラジカルを利用して基板
を処理すれば、熱エネルギーを用いないため、基板は熱
の影響をうけない。そのため、熱処理が原因で生じる（
１）基板の歪み等の発生、（２）ドーパントの再分布、
（３）界面での欠陥の再発生といった現象が生しること
がなく、３ｉＳｉＣ１ｚ界面の特性向上が可能となる。
未結合手等の電荷が存在するためと言われている。水素
ガスに波長２７６．７ｎｍ以下の紫外光を照射すること
によって水素ガスを励起させ分解することが可能となる
。この結果、生した発生が水素ラジカルを利用して基板
を処理すれば、熱エネルギーを用いないため、基板は熱
の影響をうけない。そのため、熱処理が原因で生じる（
１）基板の歪み等の発生、（２）ドーパントの再分布、
（３）界面での欠陥の再発生といった現象が生しること
がなく、３ｉＳｉＣ１ｚ界面の特性向上が可能となる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明における基板処理方法を実施例するため
の装置の第１実施例を示す概略的構成図である。第１図
において、１は水素を励起させるための波長２７６．７
ｎｍ以下の発光をもつ紫外光源、２は紫外光源１からの
紫外光を反応容器５内部に取り入れるための紫外光透過
窓、３は薄膜が形成された基板、４は基板３を保持する
ための基板支持台、５はその内部で基板処理を行う反応
容器、６は反応容器５内部に水素ガスあるいは水素ガス
と不活性ガスとの混合ガスを供給するためのガス供給管
、７は反応容器５内部を排気するためのガス排気口であ
る。
の装置の第１実施例を示す概略的構成図である。第１図
において、１は水素を励起させるための波長２７６．７
ｎｍ以下の発光をもつ紫外光源、２は紫外光源１からの
紫外光を反応容器５内部に取り入れるための紫外光透過
窓、３は薄膜が形成された基板、４は基板３を保持する
ための基板支持台、５はその内部で基板処理を行う反応
容器、６は反応容器５内部に水素ガスあるいは水素ガス
と不活性ガスとの混合ガスを供給するためのガス供給管
、７は反応容器５内部を排気するためのガス排気口であ
る。
第２図は本発明の基板処理方法を実施するだめの装置の
第２実施例を示す概略的構成図である。
第２実施例を示す概略的構成図である。
この装置は基板支持台４の内部に処理するための基板３
を所望の温度まで加熱し、処理効果を高めるための基板
加熱ランプ８が配置されており、第１図と同一の構成部
材は同一符号で示している。
を所望の温度まで加熱し、処理効果を高めるための基板
加熱ランプ８が配置されており、第１図と同一の構成部
材は同一符号で示している。
第３図は本発明の基板処理方法を実施するだめの装置の
第３実施例を示す概略的構成図である。
第３実施例を示す概略的構成図である。
この装置においては、反応容器５内に配設された基板支
持台４の内部に基板３を所望の温度に加熱するための基
板加熱ヒータ９が設げられており、水素ガスあるいは水
素ガスと不活性ガスとの混合ガスを反応容器５内に導入
するためのガス供給管６と共に基板３上に形成させるた
めの薄膜の材料である反応ガスを供給する反応ガス供給
管１０が設けられている。第３図において、第１図と同
一の構成部材は同一符号で示している。
持台４の内部に基板３を所望の温度に加熱するための基
板加熱ヒータ９が設げられており、水素ガスあるいは水
素ガスと不活性ガスとの混合ガスを反応容器５内に導入
するためのガス供給管６と共に基板３上に形成させるた
めの薄膜の材料である反応ガスを供給する反応ガス供給
管１０が設けられている。第３図において、第１図と同
一の構成部材は同一符号で示している。
第４図は本発明の基板処理方法を実施するだめの第４実
施例を示す概略的構成図である。
施例を示す概略的構成図である。
この装置においては、紫外光源１が反応容器内部に設置
されており、その他の構成は第１図と同様である。
されており、その他の構成は第１図と同様である。
次に第１図から第４図に示す装置の作用を説明する。
第１図、第２図及び第４図においては、ガス供給管６を
介して反応容器５内に導入される水素ガスあるいは水素
ガスと不活性ガスとの混合ガス中で水素分子は、紫外光
源】から紫外透過窓２を介し、又は直接に反応容器内に
照射された波長、２７６．７ｎｍ以下の紫外光により水
素ラジカルに分解される。薄膜中あるいは薄膜と基板と
の界面に存在する空間電荷を形成する構造欠陥を持つ基
板３は、活性な水素ラジカルが薄膜中あるいは薄膜と基
板との界面に存在する空間電荷と結びつき、構造欠陥が
不活性化されるため、電気的特性が安定する。
介して反応容器５内に導入される水素ガスあるいは水素
ガスと不活性ガスとの混合ガス中で水素分子は、紫外光
源】から紫外透過窓２を介し、又は直接に反応容器内に
照射された波長、２７６．７ｎｍ以下の紫外光により水
素ラジカルに分解される。薄膜中あるいは薄膜と基板と
の界面に存在する空間電荷を形成する構造欠陥を持つ基
板３は、活性な水素ラジカルが薄膜中あるいは薄膜と基
板との界面に存在する空間電荷と結びつき、構造欠陥が
不活性化されるため、電気的特性が安定する。
第１図、第２図及び第４図においては、基板３上に薄膜
が形成された後、それぞれの反応容器５内で基板の処理
が行われる。但し、第３回においては反応ガス供給管１
０から供給される反応ガスの分解によって基板３の上に
成膜した後、基板処理として、ガス供給管６から反応容
器５内に水素ガスあるいは水素ガスと不活性ガスとの混
合ガスを導入し、上記した操作と同様にして電気的特性
を安定化させることができる。
が形成された後、それぞれの反応容器５内で基板の処理
が行われる。但し、第３回においては反応ガス供給管１
０から供給される反応ガスの分解によって基板３の上に
成膜した後、基板処理として、ガス供給管６から反応容
器５内に水素ガスあるいは水素ガスと不活性ガスとの混
合ガスを導入し、上記した操作と同様にして電気的特性
を安定化させることができる。
上記のように紫外光を用いて水素分子を分解し、水素ラ
ジカルを用いて基板を処理するため、アニールによって
生じる基板の歪み、ドーパントの再分布、界面等での欠
陥の発生を防止することができる。特に第３図において
ば成膜装置に基板を低温処理する機構を備えているため
にアニール装置に比ベコンパクト、安価、手軽である。
ジカルを用いて基板を処理するため、アニールによって
生じる基板の歪み、ドーパントの再分布、界面等での欠
陥の発生を防止することができる。特に第３図において
ば成膜装置に基板を低温処理する機構を備えているため
にアニール装置に比ベコンパクト、安価、手軽である。
また、第４図においては、基板３の処理に際し、紫外光
透過窓を介さずに紫外光を反応容器５内の水素に照射で
きるため、紫外光強度が高く高効率的な水素ラジカルを
精製することが可能となり、基板の処理速度が高く、ス
ループットが向上する。
透過窓を介さずに紫外光を反応容器５内の水素に照射で
きるため、紫外光強度が高く高効率的な水素ラジカルを
精製することが可能となり、基板の処理速度が高く、ス
ループットが向上する。
さらに紫外光透過窓を不要であるので、装置構成が簡略
ができる。
ができる。
第５図は本発明の基板処理装置の第１実施例を示し、図
中、１は紫外光源、２は紫外光透過窓、３は基板、４は
基板支持台、６はガス供給管、７はガス排気口、１１は
ヘルジャ、１２は薄膜の堆積を防止するだめのシャンク
、１３は蒸着源である。
中、１は紫外光源、２は紫外光透過窓、３は基板、４は
基板支持台、６はガス供給管、７はガス排気口、１１は
ヘルジャ、１２は薄膜の堆積を防止するだめのシャンク
、１３は蒸着源である。
第６図は本発明の基板処理装置の第２実施例を示す概略
的構成図である。第６図において、１５はスパッタガス
を反応容器５内に導入するためのスパッタガス供給管、
１６は基板３に形成させる薄膜の材料であるターゲット
である。第６図において、第５図と同一部材は同一符号
で示している。
的構成図である。第６図において、１５はスパッタガス
を反応容器５内に導入するためのスパッタガス供給管、
１６は基板３に形成させる薄膜の材料であるターゲット
である。第６図において、第５図と同一部材は同一符号
で示している。
第７図は本発明の基板処理装置の第３実施例を示す概略
的構成図であり、プラズマＣＶＤ装置に適用した場合を
示している。
的構成図であり、プラズマＣＶＤ装置に適用した場合を
示している。
第７図において、反応容器１７内には、反応ガスの化学
結合を分解し、活性度の高い化学状態の粒子が存在する
プラズマ状態を形成するための電極板１６は配設されて
おり、その他の符号は第６図に示すものと同様である。
結合を分解し、活性度の高い化学状態の粒子が存在する
プラズマ状態を形成するための電極板１６は配設されて
おり、その他の符号は第６図に示すものと同様である。
第５図の装置では、真空蒸着法によって基板３上に薄膜
が形成され、第６図の装置では、スパッタリング法によ
って基板３上に薄膜が形成され、さらに第７図の装置で
は、プラズマＣＶＤ法によって基板３上に薄膜が形成さ
れる。そして、それぞれの装置によって薄膜が形成され
た基板３を有する装置に対し、ガス供給管６からヘルジ
ャ】１、反応容器１４及び１７に各々水素ガス及び水素
ガスと不活性ガスとの混合ガスを導入する。導入された
水素分子は波長２７６．７ｎｍ以下の紫外光によって分
解され水素ラジカルとなる。そして薄膜中あるいは薄膜
と基板３との界面に存在する空間電荷を形成する構造欠
陥をもつ基板３は活性な水素ラジカルが薄膜中あるいは
薄膜と基板３との界面に存在する空間電荷と結びつき構
造欠陥が不活性化されるため電気的特性が安定化される
。
が形成され、第６図の装置では、スパッタリング法によ
って基板３上に薄膜が形成され、さらに第７図の装置で
は、プラズマＣＶＤ法によって基板３上に薄膜が形成さ
れる。そして、それぞれの装置によって薄膜が形成され
た基板３を有する装置に対し、ガス供給管６からヘルジ
ャ】１、反応容器１４及び１７に各々水素ガス及び水素
ガスと不活性ガスとの混合ガスを導入する。導入された
水素分子は波長２７６．７ｎｍ以下の紫外光によって分
解され水素ラジカルとなる。そして薄膜中あるいは薄膜
と基板３との界面に存在する空間電荷を形成する構造欠
陥をもつ基板３は活性な水素ラジカルが薄膜中あるいは
薄膜と基板３との界面に存在する空間電荷と結びつき構
造欠陥が不活性化されるため電気的特性が安定化される
。
以上のように本発明によれば、水素を紫外光によって分
解し、活性なラジカルによって基板を処理するため低温
処理が可能となる。このため、基板の熱処理において問
題となっていた基板の歪み等の発生、ドーパントの再分
布、界面での欠陥の再発生を防止でき、電気的特性の安
定した処理基板を得ることができる。
解し、活性なラジカルによって基板を処理するため低温
処理が可能となる。このため、基板の熱処理において問
題となっていた基板の歪み等の発生、ドーパントの再分
布、界面での欠陥の再発生を防止でき、電気的特性の安
定した処理基板を得ることができる。
第１図は本発明の基板処理方法を実施するための装置の
第１実施例を示す概略的構成図、第２図は本発明の基板
処理方法を実施するための装置の第２実施例を示す概略
的構成図、第３図は本発明の基板処理方法を実施するた
めの装置の第３実施例を示す概略的構成図、第４図は本
発明の基板処理方法を実施するための装置の第４実施例
を示す概略的構成図、第５図は本発明の基板処理装置の
第１実施例を示す概略的構成図、第６図は本発明の基板
処理装置の第２実施例を示す概略的構成図、第７図は本
発明の基板処理装置の第３実施例を示す概略的構成図、
第８図は従来の基板処理装置の例を示す概略的構成図で
ある。 １・・・・・・紫外光源、 ２・・・・・・紫外光透過窓、 ３・・・・・・基板、 ４・・・・・・基板支持台、 ５・・・・・・反応容器、 ６・・・・・・ガス供給管、 ７・・・・・・ガス排気口、 ８・・・・・・基板加熱ランプ、 ９・・・・・・基板加熱ヒータ、 １０・・・・・・反応ガス供給管、 １１・・・・・・ペルジャー、 １２・・・・・・シャッタ、 １３・・・・・・蒸着源、 １４・・・・・・反応容器、 １５・・・・・・スパッタガス供給管、工６・・・・・
・ターゲット、 １７・・・・・・反応容器、 Ｉ８・・・・・・電極板。 代理人 弁理士 西 元 勝 − ｃ′？）Ｉ ＬＯ■ 叶 の −へＣ”１寸■ト■啼 → ＣＮ Ｏつ Ｘデ ばつ ｑ〕
第１実施例を示す概略的構成図、第２図は本発明の基板
処理方法を実施するための装置の第２実施例を示す概略
的構成図、第３図は本発明の基板処理方法を実施するた
めの装置の第３実施例を示す概略的構成図、第４図は本
発明の基板処理方法を実施するための装置の第４実施例
を示す概略的構成図、第５図は本発明の基板処理装置の
第１実施例を示す概略的構成図、第６図は本発明の基板
処理装置の第２実施例を示す概略的構成図、第７図は本
発明の基板処理装置の第３実施例を示す概略的構成図、
第８図は従来の基板処理装置の例を示す概略的構成図で
ある。 １・・・・・・紫外光源、 ２・・・・・・紫外光透過窓、 ３・・・・・・基板、 ４・・・・・・基板支持台、 ５・・・・・・反応容器、 ６・・・・・・ガス供給管、 ７・・・・・・ガス排気口、 ８・・・・・・基板加熱ランプ、 ９・・・・・・基板加熱ヒータ、 １０・・・・・・反応ガス供給管、 １１・・・・・・ペルジャー、 １２・・・・・・シャッタ、 １３・・・・・・蒸着源、 １４・・・・・・反応容器、 １５・・・・・・スパッタガス供給管、工６・・・・・
・ターゲット、 １７・・・・・・反応容器、 Ｉ８・・・・・・電極板。 代理人 弁理士 西 元 勝 − ｃ′？）Ｉ ＬＯ■ 叶 の −へＣ”１寸■ト■啼 → ＣＮ Ｏつ Ｘデ ばつ ｑ〕
Claims (3)
- （１）所定の膜が形成された基板に対し、水素ガス又は
水素ガスと不活性ガスとの混合ガスの雰囲気中で、波長
２７６．７ｎｍ以下の紫外光を照射し、紫外光により励
起された水素から発生した水素ラジカルを用いて基板を
処理することを特徴とする基板処理方法。 - （２）前記基板がＳｉからなり、前記膜がＳｉＯ＿２か
らなることを特徴とする請求項（１）記載の基板処理装
置。 - （３）基板上に薄膜を堆積させる薄膜製造装置において
、該装置内部に水素ガス又は水素ガスと不活性ガスとの
混合ガスを供給するガス供給管と、波長２７６．７ｎｍ
以下の発光を有する紫外光源と、該紫外光源からの紫外
光を装置内部に取り入れるための紫外光透過窓を備えた
ことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30322090A JPH04176126A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | 基板処理方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30322090A JPH04176126A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | 基板処理方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04176126A true JPH04176126A (ja) | 1992-06-23 |
Family
ID=17918326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30322090A Pending JPH04176126A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | 基板処理方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04176126A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008243926A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Meidensha Corp | 薄膜の改質方法 |
| SG152910A1 (en) * | 2001-12-07 | 2009-06-29 | Tokyo Electron Ltd | Nitriding method for insulation film, semiconductor device and production method for semiconductor device, substrate treating device and substrate treating method |
-
1990
- 1990-11-08 JP JP30322090A patent/JPH04176126A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG152910A1 (en) * | 2001-12-07 | 2009-06-29 | Tokyo Electron Ltd | Nitriding method for insulation film, semiconductor device and production method for semiconductor device, substrate treating device and substrate treating method |
| JP2008243926A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Meidensha Corp | 薄膜の改質方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5685949A (en) | Plasma treatment apparatus and method | |
| US6150265A (en) | Apparatus for forming materials | |
| JPS61117822A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH0641741A (ja) | 基板加熱機構 | |
| US4636400A (en) | Method of treating silicon nitride film formed by plasma deposition | |
| JP2001023916A (ja) | 電磁波によって物質を処理するための方法及び装置 | |
| JP3129777B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| JPH0496226A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04176126A (ja) | 基板処理方法及びその装置 | |
| JPS6223450B2 (ja) | ||
| JPS63224233A (ja) | 表面処理方法 | |
| US20050136576A1 (en) | Plasma treatment method and plasma treatment apparatus | |
| JPS62136827A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6281122B1 (en) | Method for forming materials | |
| JP4094127B2 (ja) | アモルファスシリコン製造装置 | |
| JPS62272540A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0429220B2 (ja) | ||
| JPS63317675A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| JP2686762B2 (ja) | ゲッタリング方法 | |
| JP5026248B2 (ja) | アモルファスシリコン薄膜製造方法 | |
| JPH05308064A (ja) | シリコン自然酸化膜の「その場」除去方法及びその装置 | |
| JPH03215936A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0978245A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS61247035A (ja) | 表面処理装置 | |
| JPH10139428A (ja) | 二酸化錫膜の改質方法 |