JPS6312130A - ＧａＡｓウエハのアニ−ル方法 - Google Patents
ＧａＡｓウエハのアニ−ル方法Info
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- JPS6312130A JPS6312130A JP15655086A JP15655086A JPS6312130A JP S6312130 A JPS6312130 A JP S6312130A JP 15655086 A JP15655086 A JP 15655086A JP 15655086 A JP15655086 A JP 15655086A JP S6312130 A JPS6312130 A JP S6312130A
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- gaas wafer
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- annealing
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、イオン注入を行ったＧａＡｓウェハのアニ
ール方法に関するものである。
ール方法に関するものである。
第３図は従来のこの種のアニール方法を説明するための
アニール装置の一例を示す構成図である。この図におい
て、］は石英等からなる炉芯管、２は炉のヒータ、３は
アニールしようとするＧａＡｓウェハ、４はこのＧａＡ
ｓウェハ３を支える支持具、５はキャリアガスの流量を
調整する流量計、６はキャリアガス用バルブ、７はアニ
ール中のＧａＡｓウェハ３からのＡＳの蒸発を防ぐため
に添加するＡｓＨ３ガスの流量を調整する流量計、８は
そのＡｓＨ３ガス用バルブ、１１はキャリアガスとＡｓ
Ｈ３ガスとを炉芯管１に導入するためのガス配管である
。
アニール装置の一例を示す構成図である。この図におい
て、］は石英等からなる炉芯管、２は炉のヒータ、３は
アニールしようとするＧａＡｓウェハ、４はこのＧａＡ
ｓウェハ３を支える支持具、５はキャリアガスの流量を
調整する流量計、６はキャリアガス用バルブ、７はアニ
ール中のＧａＡｓウェハ３からのＡＳの蒸発を防ぐため
に添加するＡｓＨ３ガスの流量を調整する流量計、８は
そのＡｓＨ３ガス用バルブ、１１はキャリアガスとＡｓ
Ｈ３ガスとを炉芯管１に導入するためのガス配管である
。
また第４図はこの装置を用いて、Ｇ ａ Ａ Ｓウェハ
３のアニールを行う場合のキャリアガスおよびＡｓＨ３
ガスの流量と、炉の温度の時間変化を示したものである
。
３のアニールを行う場合のキャリアガスおよびＡｓＨ３
ガスの流量と、炉の温度の時間変化を示したものである
。
次に動作について説明する。
アニールされるＧａＡｓウェハ３は、キャリアガス用の
流量計５とＡｓＨ３ガス用の流量計７により、適当なＡ
ｓＨ３ガス濃度（通常、ＡｓＨ３ガス分圧にして数分の
１〜数Ｔ。７．）となった炉芯管１中に置かれ、アニー
ル温度Ｔ２ （通常、８００℃前後）まで昇温され、
ＡｓＨ３ガスの熱分解により生成されたＡｓ２ 、Ａ
ｓａなどにより、ＧａＡｓウェハ３の表面からのＡｓ原
子の蒸発を抑えた状態で、適当な時間ｔａ−ｔ７（通常
数分〜数十分間）熱処理される。さらにその後、冷却さ
れてアニールは終了する。
流量計５とＡｓＨ３ガス用の流量計７により、適当なＡ
ｓＨ３ガス濃度（通常、ＡｓＨ３ガス分圧にして数分の
１〜数Ｔ。７．）となった炉芯管１中に置かれ、アニー
ル温度Ｔ２ （通常、８００℃前後）まで昇温され、
ＡｓＨ３ガスの熱分解により生成されたＡｓ２ 、Ａ
ｓａなどにより、ＧａＡｓウェハ３の表面からのＡｓ原
子の蒸発を抑えた状態で、適当な時間ｔａ−ｔ７（通常
数分〜数十分間）熱処理される。さらにその後、冷却さ
れてアニールは終了する。
従来のアニール方法では、以上のように単純にＧａＡｓ
ウェハ３の温度を、ＡｓＨ３ガスを流した雰囲気中で昇
温させてアニール−するだけのものである。実際に、Ｆ
ＥＴやＩＣを作る工程においては、アニール工程に至る
までにＧａＡｓウェハ３の表面に自然酸化膜が形成され
たり、様々な汚れが存在したりしているが、このような
ＧａＡｓウェハ３をそのまま単純にアニール温度まで昇
温し、アニールしてしまうと汚れがＧａＡｓウェハ３中
に拡散し、イオン注入層の電気的特性の均一性・再現性
を著しく損なったり、ＧａＡｓウェハ３の表面が荒れる
等の問題点があった。
ウェハ３の温度を、ＡｓＨ３ガスを流した雰囲気中で昇
温させてアニール−するだけのものである。実際に、Ｆ
ＥＴやＩＣを作る工程においては、アニール工程に至る
までにＧａＡｓウェハ３の表面に自然酸化膜が形成され
たり、様々な汚れが存在したりしているが、このような
ＧａＡｓウェハ３をそのまま単純にアニール温度まで昇
温し、アニールしてしまうと汚れがＧａＡｓウェハ３中
に拡散し、イオン注入層の電気的特性の均一性・再現性
を著しく損なったり、ＧａＡｓウェハ３の表面が荒れる
等の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、イオン注入層の電気的特性の均一性・再現
性を損なわず、かつＧａＡｓウェハ表面状態も良好に保
てるアニール方法を得ることを目的とする。
れたもので、イオン注入層の電気的特性の均一性・再現
性を損なわず、かつＧａＡｓウェハ表面状態も良好に保
てるアニール方法を得ることを目的とする。
この発明に係るＧａＡｓウェハのアニール方法は、アニ
ール温度までＧａＡｓウェハを昇温する前に、ＧａＡｓ
ウェハを炉芯管中でＨＣｌガスを含む雰囲気中に置き、
しかる後に同一炉芯管内でＧａＡｓウェハを昇温し、熱
処理するものである。
ール温度までＧａＡｓウェハを昇温する前に、ＧａＡｓ
ウェハを炉芯管中でＨＣｌガスを含む雰囲気中に置き、
しかる後に同一炉芯管内でＧａＡｓウェハを昇温し、熱
処理するものである。
この発明においては、ＧａＡｓウェハを炉芯管内でアニ
ール温度まで加熱する前に、ＨＣｕガスを含む雰囲気中
に置くことによりそのＧａＡｓウェハの表面が洗浄化さ
れ、その後に、同一炉芯管内で熱処理することにより、
イオン注入層の電気的特性の均一性・再現性を損なわず
、良好な表面状態を保ったままＧａＡｓウェハはアニー
ルされる。
ール温度まで加熱する前に、ＨＣｕガスを含む雰囲気中
に置くことによりそのＧａＡｓウェハの表面が洗浄化さ
れ、その後に、同一炉芯管内で熱処理することにより、
イオン注入層の電気的特性の均一性・再現性を損なわず
、良好な表面状態を保ったままＧａＡｓウェハはアニー
ルされる。
第１図はこの発明のアニール方法を説明するためのアニ
ール装置の一例を示す構成図である。この図において、
１〜８および１１は第３図のものと同一のものである。
ール装置の一例を示す構成図である。この図において、
１〜８および１１は第３図のものと同一のものである。
９はＨＣｕガスの流量を調整する流量計、］ＯはＨＣｉ
ガス用バルブである。
ガス用バルブである。
また第２図はこの発明による装置を用いて、ＧａＡｓウ
ェハ３のアニールを行う場合のキャリアガス、ＡｓＨ３
ガス、ＨＣＭガスの流量と炉の温度の時間変化を示した
ものである。
ェハ３のアニールを行う場合のキャリアガス、ＡｓＨ３
ガス、ＨＣＭガスの流量と炉の温度の時間変化を示した
ものである。
次に動作について説明する。
第１図のアニール装置において、ガス流量および炉の温
度を第２図のように設定した後、アニールが行われる。
度を第２図のように設定した後、アニールが行われる。
すなわち、まず、アニールされるＧａＡｓウェハ３はキ
ャリアガス用の流量計５とＨＣ文ガス用の流量計９によ
り、適当なＨＣｌガス温度となった炉芯管１中に置かれ
、適当な温度Ｔ１まで昇温される。この温度Ｔ１は、Ｇ
ａＡｓウェハ３の表面からＡｓ原子が蒸発しない範囲（
６００°Ｃ程度以下）であれば、任意の温度を用いるこ
とができる。
ャリアガス用の流量計５とＨＣ文ガス用の流量計９によ
り、適当なＨＣｌガス温度となった炉芯管１中に置かれ
、適当な温度Ｔ１まで昇温される。この温度Ｔ１は、Ｇ
ａＡｓウェハ３の表面からＡｓ原子が蒸発しない範囲（
６００°Ｃ程度以下）であれば、任意の温度を用いるこ
とができる。
このように、ＨＣＭガスを含んだ雰囲気中にＧａＡｓウ
ェハ３を置くことにより、アニール工程以前にＧａＡｓ
ウェハ３上に形成された自然酸化膜や汚れが分解除去さ
れ、ＧａＡｓウェハ３の表面が清浄化される。この後に
、ＨＣｌガスが止められ、代わりにＡｓＨ３ガスが、炉
芯管１内のＡｓＨ３ガス濃度が適当な値（通常、ＡｓＨ
３ガス分圧にして数分の１〜数Ｔｏｒｒ）となるように
、ＡｓＨ３ガス用の流量計７で調整されて炉芯管１内に
導入される。この状態で、炉の温度はアニール温度Ｔ２
（通常８００℃前後）まで昇温され熱処理が行われ
るが、このときには、アニール工程以前にＧａＡｓウェ
ハ３の表面に形成されていた自然酸化膜や汚れがＨＣｌ
ガスにより除去されているので、これらのものが熱処理
中にＧａＡｓウェハ３中に拡散することはなく、イオン
注入層の電気的特性の均−性中再現性を良好に保つこと
ができ、かつＧａＡｓウェハ３の表面の荒れも防げる。
ェハ３を置くことにより、アニール工程以前にＧａＡｓ
ウェハ３上に形成された自然酸化膜や汚れが分解除去さ
れ、ＧａＡｓウェハ３の表面が清浄化される。この後に
、ＨＣｌガスが止められ、代わりにＡｓＨ３ガスが、炉
芯管１内のＡｓＨ３ガス濃度が適当な値（通常、ＡｓＨ
３ガス分圧にして数分の１〜数Ｔｏｒｒ）となるように
、ＡｓＨ３ガス用の流量計７で調整されて炉芯管１内に
導入される。この状態で、炉の温度はアニール温度Ｔ２
（通常８００℃前後）まで昇温され熱処理が行われ
るが、このときには、アニール工程以前にＧａＡｓウェ
ハ３の表面に形成されていた自然酸化膜や汚れがＨＣｌ
ガスにより除去されているので、これらのものが熱処理
中にＧａＡｓウェハ３中に拡散することはなく、イオン
注入層の電気的特性の均−性中再現性を良好に保つこと
ができ、かつＧａＡｓウェハ３の表面の荒れも防げる。
この熱処理が適当な時間ｔａ−ｔ３ （通常数分〜数十
分間）行われた後、炉の温度が降温され、ＡｓＨ３ガス
が止められ、アニールは終了する。
分間）行われた後、炉の温度が降温され、ＡｓＨ３ガス
が止められ、アニールは終了する。
この発明は以上説明したとおり、ＧａＡｓウェハを炉芯
管内でアニール温度まで加熱する前に、ＨＣ文ガスを含
む雰囲気中に置き、ＧａＡｓウェハの表面を清浄化した
後に、同一炉芯管内で７二一ル温度まで昇温し、熱処理
してアニールするようにしたので、アニール工程以前に
、ＧａＡｓウェハ上に形成された自然酸化膜や汚れの影
響がなくなり、イオン注入層の電気的特性の均一性・再
現性を良好に保ち、かつＧａＡｓウェハの表面の荒れも
防げる等の効果がある。
管内でアニール温度まで加熱する前に、ＨＣ文ガスを含
む雰囲気中に置き、ＧａＡｓウェハの表面を清浄化した
後に、同一炉芯管内で７二一ル温度まで昇温し、熱処理
してアニールするようにしたので、アニール工程以前に
、ＧａＡｓウェハ上に形成された自然酸化膜や汚れの影
響がなくなり、イオン注入層の電気的特性の均一性・再
現性を良好に保ち、かつＧａＡｓウェハの表面の荒れも
防げる等の効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示すアニール装置の構成
図、第２図は第１図のアニール装置を用いてＧａＡｓウ
ェハのアニールを行う場合のキャリアガス、ＡｓＨ３ガ
ス、ＨＣｕガスの流量と、炉温度との時間変化を示す図
、第３図は従来のアニール装置の一例を示す図、第４図
は第３図のアニール装置を用いて、ＧａＡｓウェハのア
ニールを行う場合のキャリアガス、ＡｓＨ３ガスの流量
と、炉温度の時間変化を示す図である。 図において、１は炉芯管、２はヒータ、３はＧａＡｓウ
ェハ、４は支持具、５はキャリアガス用の流量計、６は
キャリアガス用バルブ、７はＡｓＨ３ガス用の流量計、
８はＡｓＨ３ガス用バルブ、９はＨＣ文ガス用の流量計
、１ｏはＨＣＭガス用バルブ、１１はガス配管である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）自
ｐ 女べ璽−−亀用漣 − 第３図 第４図 （Ｊｌ″ ′６ ″ 一時間手続補正書（自
発） 昭和 ６へ ３月２０日 レジ
図、第２図は第１図のアニール装置を用いてＧａＡｓウ
ェハのアニールを行う場合のキャリアガス、ＡｓＨ３ガ
ス、ＨＣｕガスの流量と、炉温度との時間変化を示す図
、第３図は従来のアニール装置の一例を示す図、第４図
は第３図のアニール装置を用いて、ＧａＡｓウェハのア
ニールを行う場合のキャリアガス、ＡｓＨ３ガスの流量
と、炉温度の時間変化を示す図である。 図において、１は炉芯管、２はヒータ、３はＧａＡｓウ
ェハ、４は支持具、５はキャリアガス用の流量計、６は
キャリアガス用バルブ、７はＡｓＨ３ガス用の流量計、
８はＡｓＨ３ガス用バルブ、９はＨＣ文ガス用の流量計
、１ｏはＨＣＭガス用バルブ、１１はガス配管である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）自
ｐ 女べ璽−−亀用漣 − 第３図 第４図 （Ｊｌ″ ′６ ″ 一時間手続補正書（自
発） 昭和 ６へ ３月２０日 レジ
Claims (1)
- ＧａＡｓウェハを炉でアニールする方法において、炉芯
管中でＧａＡｓウェハをアニール温度まで昇温する前に
、前記ＧａＡｓウェハを前記炉芯管中でＨＣｌガスを含
む雰囲気中に置き、しかる後にＡｓＨ＿３ガスを導入し
、アニール温度まで炉温を昇温して、前記ＧａＡｓウェ
ハをアニールすることを特徴とするＧａＡｓウェハのア
ニール方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15655086A JPS6312130A (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | ＧａＡｓウエハのアニ−ル方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15655086A JPS6312130A (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | ＧａＡｓウエハのアニ−ル方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6312130A true JPS6312130A (ja) | 1988-01-19 |
Family
ID=15630247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15655086A Pending JPS6312130A (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | ＧａＡｓウエハのアニ−ル方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6312130A (ja) |
-
1986
- 1986-07-02 JP JP15655086A patent/JPS6312130A/ja active Pending
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