JPS62291025A - 半導体基板のアニ−ル方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 産業上の利用分野 本発明は、赤外線ランプを用いた半導体基板のアニール
方法に関するものである。

従来の技術 半導体のイオン注入後のアニールとして、アニール時間
で分けると、通常の電気炉を用いた電気炉アニール、赤
外線ランプなどのインコヒーレント光を用いたアニール
に大別できる。前者はアニール時間が数分から数十分を
要するが、後者は数秒〜数十秒でよくイオン注入不純物
の再分布が少なく期待されているアニール技術である。

第２図に赤外線ランプアニール装置を示す。第２図にお
２″′−・ いて１はタングステンランプ、ハロゲンランプ等の赤外
線ランプで、試料ウェハー２は、石英ガラス製のウェハ
ー支持台３に、熱電対モニター４を中心部に設けだＳｉ
　　ウェハー６に対してイオン注入面をＳｉ　　ウェハ
ーに対面させておかれている。

６は石英ガラス製のサセプターで、７はガス流入口、８
はガス流出口を示している。

発明が解決しようとする問題点 従来、雰囲気ガスとして、Ｎ２　、　Ａ　ｒ等が用いら
れているが、赤外線ランプ照射時の雰囲気ガスの温度上
昇が大きく、ウェハー面上のガスの流れが影響してウェ
ハー面内の温度不均一を生じ活性化率のバラツキの原因
となっていた。

問題点を解決するだめの手段 本発明は上記の問題に鑑み、雰囲気ガスとして、Ｎ２　
、　Ａ　ｒに比して熱伝導率の小さいＸｅ（キセノン）
を用いることにより、活性化率のハラツギの少ないアニ
ール方法を提供するものである。

作　　用 雰囲気ガスとしてＸｅ（キセノン）を用いること３　′
−・ により、赤外線ランプ照射時の雰囲気ガスの温度上昇が
小さく、ウェハー面」二のガスの流れによる温度不均一
が小さく活性化率の均一性のすぐれたアニール方法を得
るものである。

実施例 以下、３インチＳｔ　　ウェハーに全面にＢを６０Ｋｅ
Ｖ　。

１×１０１４ｍ−２注入した試料について示す。

第１図（ａ）、Φ）　、　（Ｃ）は雰囲気ガスとしてそ
れぞれ、Ｎ　２１　Ａ　ｒ　＋　Ｘ　ｅを用い、第２図
の装置を用いて赤外線ランプアニールを行ないウェハー
全面のシート抵抗のバラツキを棒グラフで示したもので
ある。

アニール条件はすべて同一で、アニール温度１０００’
Ｃ，アニール時間１０秒、雰囲気ガスの流量２ｔ／分で
ある。

同図より明らかなように、雰囲気ガスとして、本発明の
Ｘｓ　を用いたものが一番バラッキが少なく、活性化率
の均一なアニールとなっていることがわかる。

発明の効果 以上述べたように、赤外線ランプアニールにおいて、雰
囲気ガスとしてＸθを用いることにより、その熱伝導率
が、Ｎ２　＋　Ａ　ｒに比して小さいので、ガス雰囲気
の温度上昇の影響が小さく、非常に均一な活性化率を有
するアニール方法を得ることがわかる。以上の説明では
、試料としてＳｉ　　ウェハーについて述べたがＧ　ａ
　Ａ　ｓ、その他の化合物半導体についても同様の効果
が得られることはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　、　（ｂ）　、　（Ｃ）は雰囲気ガスと
してそれぞれ、Ｎ２．Ａｒ、Ｘｓを用い３インチＳ１ウ
工／％　−（Ｂ５０ＫｅＶ　＋１×１ｏ　α　注入）の
１０００℃、１０秒での赤外線ランプアニールを施しだ
場合のシート抵抗のバト・・・・赤外線ランプ、２・・
・・・・試料ウェハー、７・・・ガス流入口。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板を、赤外線ランプを照射してキセノン雰囲気
   ガス中でアニールすることを特徴とする半導体基板のア
   ニール方法。