JPS62291025A - 半導体基板のアニ−ル方法 - Google Patents
半導体基板のアニ−ル方法Info
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- JPS62291025A JPS62291025A JP13411386A JP13411386A JPS62291025A JP S62291025 A JPS62291025 A JP S62291025A JP 13411386 A JP13411386 A JP 13411386A JP 13411386 A JP13411386 A JP 13411386A JP S62291025 A JPS62291025 A JP S62291025A
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- JP
- Japan
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- annealing
- wafer
- infrared lamp
- atmospheric gas
- gas
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- Pending
Links
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は、赤外線ランプを用いた半導体基板のアニール
方法に関するものである。
方法に関するものである。
従来の技術
半導体のイオン注入後のアニールとして、アニール時間
で分けると、通常の電気炉を用いた電気炉アニール、赤
外線ランプなどのインコヒーレント光を用いたアニール
に大別できる。前者はアニール時間が数分から数十分を
要するが、後者は数秒〜数十秒でよくイオン注入不純物
の再分布が少なく期待されているアニール技術である。
で分けると、通常の電気炉を用いた電気炉アニール、赤
外線ランプなどのインコヒーレント光を用いたアニール
に大別できる。前者はアニール時間が数分から数十分を
要するが、後者は数秒〜数十秒でよくイオン注入不純物
の再分布が少なく期待されているアニール技術である。
第2図に赤外線ランプアニール装置を示す。第2図にお
2″′−・ いて1はタングステンランプ、ハロゲンランプ等の赤外
線ランプで、試料ウェハー2は、石英ガラス製のウェハ
ー支持台3に、熱電対モニター4を中心部に設けだSi
ウェハー6に対してイオン注入面をSi ウェハ
ーに対面させておかれている。
2″′−・ いて1はタングステンランプ、ハロゲンランプ等の赤外
線ランプで、試料ウェハー2は、石英ガラス製のウェハ
ー支持台3に、熱電対モニター4を中心部に設けだSi
ウェハー6に対してイオン注入面をSi ウェハ
ーに対面させておかれている。
6は石英ガラス製のサセプターで、7はガス流入口、8
はガス流出口を示している。
はガス流出口を示している。
発明が解決しようとする問題点
従来、雰囲気ガスとして、N2 、 A r等が用いら
れているが、赤外線ランプ照射時の雰囲気ガスの温度上
昇が大きく、ウェハー面上のガスの流れが影響してウェ
ハー面内の温度不均一を生じ活性化率のバラツキの原因
となっていた。
れているが、赤外線ランプ照射時の雰囲気ガスの温度上
昇が大きく、ウェハー面上のガスの流れが影響してウェ
ハー面内の温度不均一を生じ活性化率のバラツキの原因
となっていた。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上記の問題に鑑み、雰囲気ガスとして、N2
、 A rに比して熱伝導率の小さいXe(キセノン)
を用いることにより、活性化率のハラツギの少ないアニ
ール方法を提供するものである。
、 A rに比して熱伝導率の小さいXe(キセノン)
を用いることにより、活性化率のハラツギの少ないアニ
ール方法を提供するものである。
作 用
雰囲気ガスとしてXe(キセノン)を用いること3 ′
−・ により、赤外線ランプ照射時の雰囲気ガスの温度上昇が
小さく、ウェハー面」二のガスの流れによる温度不均一
が小さく活性化率の均一性のすぐれたアニール方法を得
るものである。
−・ により、赤外線ランプ照射時の雰囲気ガスの温度上昇が
小さく、ウェハー面」二のガスの流れによる温度不均一
が小さく活性化率の均一性のすぐれたアニール方法を得
るものである。
実施例
以下、3インチSt ウェハーに全面にBを60Ke
V 。
V 。
1×1014m−2注入した試料について示す。
第1図(a)、Φ) 、 (C)は雰囲気ガスとしてそ
れぞれ、N 21 A r + X eを用い、第2図
の装置を用いて赤外線ランプアニールを行ないウェハー
全面のシート抵抗のバラツキを棒グラフで示したもので
ある。
れぞれ、N 21 A r + X eを用い、第2図
の装置を用いて赤外線ランプアニールを行ないウェハー
全面のシート抵抗のバラツキを棒グラフで示したもので
ある。
アニール条件はすべて同一で、アニール温度1000’
C,アニール時間10秒、雰囲気ガスの流量2t/分で
ある。
C,アニール時間10秒、雰囲気ガスの流量2t/分で
ある。
同図より明らかなように、雰囲気ガスとして、本発明の
Xs を用いたものが一番バラッキが少なく、活性化率
の均一なアニールとなっていることがわかる。
Xs を用いたものが一番バラッキが少なく、活性化率
の均一なアニールとなっていることがわかる。
発明の効果
以上述べたように、赤外線ランプアニールにおいて、雰
囲気ガスとしてXθを用いることにより、その熱伝導率
が、N2 + A rに比して小さいので、ガス雰囲気
の温度上昇の影響が小さく、非常に均一な活性化率を有
するアニール方法を得ることがわかる。以上の説明では
、試料としてSi ウェハーについて述べたがG a
A s、その他の化合物半導体についても同様の効果
が得られることはいうまでもない。
囲気ガスとしてXθを用いることにより、その熱伝導率
が、N2 + A rに比して小さいので、ガス雰囲気
の温度上昇の影響が小さく、非常に均一な活性化率を有
するアニール方法を得ることがわかる。以上の説明では
、試料としてSi ウェハーについて述べたがG a
A s、その他の化合物半導体についても同様の効果
が得られることはいうまでもない。
第1図(a) 、 (b) 、 (C)は雰囲気ガスと
してそれぞれ、N2.Ar、Xsを用い3インチS1ウ
工/% −(B50KeV +1×1o α 注入)の
1000℃、10秒での赤外線ランプアニールを施しだ
場合のシート抵抗のバト・・・・赤外線ランプ、2・・
・・・・試料ウェハー、7・・・ガス流入口。
してそれぞれ、N2.Ar、Xsを用い3インチS1ウ
工/% −(B50KeV +1×1o α 注入)の
1000℃、10秒での赤外線ランプアニールを施しだ
場合のシート抵抗のバト・・・・赤外線ランプ、2・・
・・・・試料ウェハー、7・・・ガス流入口。
Claims (1)
- 半導体基板を、赤外線ランプを照射してキセノン雰囲気
ガス中でアニールすることを特徴とする半導体基板のア
ニール方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13411386A JPS62291025A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 半導体基板のアニ−ル方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13411386A JPS62291025A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 半導体基板のアニ−ル方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62291025A true JPS62291025A (ja) | 1987-12-17 |
Family
ID=15120763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13411386A Pending JPS62291025A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 半導体基板のアニ−ル方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62291025A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01238012A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-22 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP13411386A patent/JPS62291025A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01238012A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-22 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
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