JPS6223109A - 半導体基板のアニ−ル方法 - Google Patents
半導体基板のアニ−ル方法Info
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- JPS6223109A JPS6223109A JP16238585A JP16238585A JPS6223109A JP S6223109 A JPS6223109 A JP S6223109A JP 16238585 A JP16238585 A JP 16238585A JP 16238585 A JP16238585 A JP 16238585A JP S6223109 A JPS6223109 A JP S6223109A
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- annealing
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
- H01L21/2686—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation using incoherent radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、赤外線ランプを用いた半導体基板のアニール
方法に関するものである。
方法に関するものである。
従来の技術
半導体基板のイオン注入後のアニールとして、アニール
時間で分けると、通常の電気炉を用いたアニール、赤外
線ランプなどのインコヒーレント光を用いたアニールに
大別できる。前者は、アニール時間が、数分から数十分
を要するが、後者は、数秒〜数十秒でよく、イオン注入
不純物の再分布が少なく、期待されているアニール技術
である。
時間で分けると、通常の電気炉を用いたアニール、赤外
線ランプなどのインコヒーレント光を用いたアニールに
大別できる。前者は、アニール時間が、数分から数十分
を要するが、後者は、数秒〜数十秒でよく、イオン注入
不純物の再分布が少なく、期待されているアニール技術
である。
第２図に、赤外線ランプアニール装置を示す。図におい
て、１はタングステンランプ、ハロゲンランプ等の赤外
線ランプで、試料ウェノ・−２は、石英ガラス製のウェ
ハー支持台３に１熱電対モニター４を中心部に設けたＳ
ｉ ウニ／・−６に対して、イオン注入面をＳｔ ウ
ニノー−に対面させておかれている。６は石英ガラス製
のサセプターで、７はガス流入口、８はガス流出口を示
している。
て、１はタングステンランプ、ハロゲンランプ等の赤外
線ランプで、試料ウェノ・−２は、石英ガラス製のウェ
ハー支持台３に１熱電対モニター４を中心部に設けたＳ
ｉ ウニ／・−６に対して、イオン注入面をＳｔ ウ
ニノー−に対面させておかれている。６は石英ガラス製
のサセプターで、７はガス流入口、８はガス流出口を示
している。
発明が解決しようとする問題点
従来、雰囲気ガスとして、Ｎ２．Ａｒ等が用いられてい
るが、赤外線ランプ照射時の雰囲気ガスの温度上昇が大
きく、ウェハー面上のガスの流れが影響して、ウェノ・
−面内の温度不均一を生じ活性化率のバラツキの原因と
なっていた。
るが、赤外線ランプ照射時の雰囲気ガスの温度上昇が大
きく、ウェハー面上のガスの流れが影響して、ウェノ・
−面内の温度不均一を生じ活性化率のバラツキの原因と
なっていた。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記の問題に鑑み、雰囲気ガスとして、Ｎ
２ 、 Ａ ｒに比して熱伝導率の小さいＫｒ（クリプ
トン）を用いることにより、活性化率のバラツキの少な
いアニール方法を提供するものである。
２ 、 Ａ ｒに比して熱伝導率の小さいＫｒ（クリプ
トン）を用いることにより、活性化率のバラツキの少な
いアニール方法を提供するものである。
作 用
雰囲気ガスとして、Ｋｒ （クリプトン）を用いること
により、赤外線ランプ照射時の雰囲気ガスの温度上昇が
小さく、ウェノ・−面上のガスの流れによる温度不均一
が小さく、活性化率の均一性のすぐれたアニール方法を
得るものである。
により、赤外線ランプ照射時の雰囲気ガスの温度上昇が
小さく、ウェノ・−面上のガスの流れによる温度不均一
が小さく、活性化率の均一性のすぐれたアニール方法を
得るものである。
実施例
以下、３インチＳｉ ウェハーに全面にＢを５゜ＫｅＶ
、 Ｉ Ｘ １０ ” ’ ｃｍ−２注入した試料に
ついて示す。
、 Ｉ Ｘ １０ ” ’ ｃｍ−２注入した試料に
ついて示す。
第１図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）は、雰囲気ガス
としてそれぞれ、Ｎ２．Ａｒ、Ｋｒを用い、第２図の装
置を用いて、赤外線ランプアニールを行ない、ウェハー
全面のシート抵抗のバラツキを棒グラフで示したもので
ある。アニール条件は、すべて同一で、アニール温度１
０ＱＯ℃、アニール時間１０秒、雰囲気ガスの流量２１
１５＋である。
としてそれぞれ、Ｎ２．Ａｒ、Ｋｒを用い、第２図の装
置を用いて、赤外線ランプアニールを行ない、ウェハー
全面のシート抵抗のバラツキを棒グラフで示したもので
ある。アニール条件は、すべて同一で、アニール温度１
０ＱＯ℃、アニール時間１０秒、雰囲気ガスの流量２１
１５＋である。
同図よシ明らかなように、雰囲気ガスとして、本発明の
Ｋｒを用いたものが、一番バラッキが少なく、活性化率
の均一なアニールとなっていることがわかる。
Ｋｒを用いたものが、一番バラッキが少なく、活性化率
の均一なアニールとなっていることがわかる。
発明の効果
以上述べたように、赤外線ランプアニールにおいて、雰
囲気ガスとして、Ｋｒを用いることにより、その熱伝導
率がＮ２ 、 Ａ ｒに比して小さいので、ガス雰囲気
の温度上昇の影響が小さく非常に均一な活性化率を有す
るアニール方法を得ることがわかる。
囲気ガスとして、Ｋｒを用いることにより、その熱伝導
率がＮ２ 、 Ａ ｒに比して小さいので、ガス雰囲気
の温度上昇の影響が小さく非常に均一な活性化率を有す
るアニール方法を得ることがわかる。
以上の説明では、試料としてＳｉ ウェハーについて述
べたが、Ｇ ａ Ａ ａその他の化合物半導体について
も同様の効果を得ることはいうまでもない。
べたが、Ｇ ａ Ａ ａその他の化合物半導体について
も同様の効果を得ることはいうまでもない。
第１図（ａｔ 、 （ｂｌ 、 （ｃ）は雰囲気ガスと
して、それぞれＮ ２ 、 Ａ ｒ ＋ Ｋ ｒを用い
、３インチＳｉ ウェハー（８５０ＫｅＶ 、 Ｉ
Ｘｌ ０ ｃｍ 注入）の１０００℃。 １・・・・・・赤外線ランプ、２・・・・・・試料ウェ
ハー。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （α２ （ｂ） シート由（札（Ａ
プ。〕（こン 、−ト抵帆
（ｎんンシ＋＄ ＪＩＬ（ｎ１０） 第 ２ 図 ＃１石セニｙ−
して、それぞれＮ ２ 、 Ａ ｒ ＋ Ｋ ｒを用い
、３インチＳｉ ウェハー（８５０ＫｅＶ 、 Ｉ
Ｘｌ ０ ｃｍ 注入）の１０００℃。 １・・・・・・赤外線ランプ、２・・・・・・試料ウェ
ハー。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （α２ （ｂ） シート由（札（Ａ
プ。〕（こン 、−ト抵帆
（ｎんンシ＋＄ ＪＩＬ（ｎ１０） 第 ２ 図 ＃１石セニｙ−
Claims (1)
- 半導体基板を、クリプトン雰囲気ガス中で赤外線ランプ
を照射してアニールすることを特徴とする半導体基板の
アニール方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16238585A JPS6223109A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 半導体基板のアニ−ル方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16238585A JPS6223109A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 半導体基板のアニ−ル方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6223109A true JPS6223109A (ja) | 1987-01-31 |
Family
ID=15753572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16238585A Pending JPS6223109A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 半導体基板のアニ−ル方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6223109A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020198326A (ja) * | 2019-05-30 | 2020-12-10 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-07-23 JP JP16238585A patent/JPS6223109A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020198326A (ja) * | 2019-05-30 | 2020-12-10 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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