JPH1056004A - 有機物除去装置 - Google Patents
有機物除去装置Info
- Publication number
- JPH1056004A JPH1056004A JP21081696A JP21081696A JPH1056004A JP H1056004 A JPH1056004 A JP H1056004A JP 21081696 A JP21081696 A JP 21081696A JP 21081696 A JP21081696 A JP 21081696A JP H1056004 A JPH1056004 A JP H1056004A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- stage
- temperature
- organic
- diameter
- Prior art date
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- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】枚葉式有機物除去装置において、ステージ上の
基板の周辺部温度の低下を防止する。 【解決手段】ステージに凹部を設けこの中に基板を載
せ、周辺のステージ表面高さを基板と略同一とする。
基板の周辺部温度の低下を防止する。 【解決手段】ステージに凹部を設けこの中に基板を載
せ、周辺のステージ表面高さを基板と略同一とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造工程にお
いてレジストを除去する装置に関する。
いてレジストを除去する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術では日立評論Vol７１，Ｎｏ.
５，Ｐ４３，１９８９年５月に示すようにステージ平面
上に基板を載せ、加熱して、オゾンガスを流してレジス
ト（有機物）を除去する装置が知られている。この装置
での有機物の除去は、オゾンによる酸化反応でなされる
ため、基板温度が反応速度に強く関連している。このた
め基板表面の温度の均一性が重要である。基板表面温度
を測定したところ、次の表１のとおり、基板周辺で温度
の低下がみられた。
５，Ｐ４３，１９８９年５月に示すようにステージ平面
上に基板を載せ、加熱して、オゾンガスを流してレジス
ト（有機物）を除去する装置が知られている。この装置
での有機物の除去は、オゾンによる酸化反応でなされる
ため、基板温度が反応速度に強く関連している。このた
め基板表面の温度の均一性が重要である。基板表面温度
を測定したところ、次の表１のとおり、基板周辺で温度
の低下がみられた。
【０００３】
【表１】
【０００４】ここで、基板径は直径２００mm、ステージ
温度は３００℃とした。
温度は３００℃とした。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記のような
基板周辺部での温度の低下を防止することを目的とす
る。
基板周辺部での温度の低下を防止することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、ステージに
凹部を設け、基板をその底部に載せ、その周囲のステー
ジ表面（基板が載っていない部分）の高さを基板表面と
略同一とすることで、基板周辺部からの熱の放散によ
る、基板周辺部の温度低下を防止することにより達成さ
れる。
凹部を設け、基板をその底部に載せ、その周囲のステー
ジ表面（基板が載っていない部分）の高さを基板表面と
略同一とすることで、基板周辺部からの熱の放散によ
る、基板周辺部の温度低下を防止することにより達成さ
れる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図１を用いて
説明する。ステージ１に凹部２を設け、その直径を基板
直径２００mmに対し、２０２mmとした。またその深さを
基板厚さと同一とした。この結果、基板表面温度は次の
表２のとおりとなり、周辺部での温度の低下を防止でき
た。
説明する。ステージ１に凹部２を設け、その直径を基板
直径２００mmに対し、２０２mmとした。またその深さを
基板厚さと同一とした。この結果、基板表面温度は次の
表２のとおりとなり、周辺部での温度の低下を防止でき
た。
【０００８】
【表２】
【０００９】ここで、基板径は直径２００mm、ステージ
温度は３００℃である。
温度は３００℃である。
【００１０】表３は、従来技術と本発明の実施例におけ
る基板上の有機物除去速度の分布の測定結果である。
る基板上の有機物除去速度の分布の測定結果である。
【００１１】
【表３】
【００１２】ここで、基板径は直径２００mm、ステージ
温度は３００℃、基板上に流したガスのオゾンガス濃度
は５体積％、ガス流量は２０リットル／min である。
温度は３００℃、基板上に流したガスのオゾンガス濃度
は５体積％、ガス流量は２０リットル／min である。
【００１３】
【発明の効果】基板周辺での温度の低下を防止でき、有
機物除去速度の均一性を高めることができた。
機物除去速度の均一性を高めることができた。
【図１】本発明による有機物除去装置のステージの説明
図。
図。
１…ステージ、２…凹部、３…基板。
Claims (1)
- 【請求項１】枚葉式でステージ上に基板を載せて加熱
し、オゾンガスを流して上記基板上の有機物を除去する
装置において、上記ステージに凹部を設け、上記凹部に
基板を載せたとき、その周辺部の上記ステージの表面が
上記基板の表面と略同等の高さとしたことを特徴とする
有機物除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21081696A JPH1056004A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 有機物除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21081696A JPH1056004A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 有機物除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1056004A true JPH1056004A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16595605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21081696A Pending JPH1056004A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 有機物除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1056004A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6795370B2 (en) | 1999-12-13 | 2004-09-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Fast cycle RAM having improved data write operation |
| WO2005083755A1 (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-09 | Sasakura Engineering Co., Ltd. | フォトレジスト膜除去装置および方法 |
| WO2021085213A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
-
1996
- 1996-08-09 JP JP21081696A patent/JPH1056004A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6795370B2 (en) | 1999-12-13 | 2004-09-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Fast cycle RAM having improved data write operation |
| US6990040B2 (en) | 1999-12-13 | 2006-01-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for writing data to a semiconductor memory comprising a peripheral circuit section and a memory core section including a memory cell |
| WO2005083755A1 (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-09 | Sasakura Engineering Co., Ltd. | フォトレジスト膜除去装置および方法 |
| WO2021085213A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| JPWO2021085213A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | ||
| CN114585454A (zh) * | 2019-11-01 | 2022-06-03 | 东京毅力科创株式会社 | 基片清洗装置和基片清洗方法 |
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