JP2001118803A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JP2001118803A
JP2001118803A JP30116499A JP30116499A JP2001118803A JP 2001118803 A JP2001118803 A JP 2001118803A JP 30116499 A JP30116499 A JP 30116499A JP 30116499 A JP30116499 A JP 30116499A JP 2001118803 A JP2001118803 A JP 2001118803A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
rtp
gas
quartz tube
temperature
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JP30116499A
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Inventor
Takeshi Kuroda
武 黒田
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Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高温短時間熱処理するＲＴＰ装置において、
ウエハ表面のガスの流れを均一にして、これを用いて製
造した半導体装置のシート抵抗値、トランジスタのしき
い値、Ｋ値等、諸特性の面内ばらつきをおさえること。 【解決手段】 半導体ウエハ表面の上部（中央部）にあ
たる石英チューブ部分にガス導入口を設けるとともに、
石英チューブ上面が傾斜をもったＲＴＰ装置とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、（ハロゲン）ラ
ンプにより急速に加熱し、半導体プロセスにおいて、高
温短時間処理するためのＲＴＰと呼ばれる半導体製造装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体プロセスの高温短時間熱処理の装
置において、ＲＴＰ（Rapid ThermalProcessing）装置
が知られている。図3は、従来のＲＴＰ装置を示す図で
ある。半導体ウエハ４０１を石英でできたチューブ１０
１に挿入し、石英トレイ１０２上にのせ、ハロゲンラン
プ２０１による急速な加熱と、ガス導入口３０１からの
用途に応じたガスによって、半導体ウエハを高温短時間
処理することができる。従来のＲＴＰは、ガス導入口３
０１は、石英チューブ１０１の横方向であって、半導体
ウエハ４０１表面に対して水平方向にあたる部分に設け
られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＲＴＰ
装置においては、ガス導入口３０１が半導体ウエハ４０
１表面に対して、水平方向に設けられていたため、半導
体ウエハ４０１表面のガスの流れが不均一であった。そ
のため半導体ウエハ４０１内の温度分布が不均一とな
る。従って、ウエハプロセスにおいて温度（熱）により
影響を受けるシート抵抗値、トランジスタのしきい値、
Ｋ値のウエハ面内分布が大きくなってしまうという問題
点があった。
【０００４】そこで、この発明の目的は、半導体ウエハ
表面のガスの流れ、ガス雰囲気を均一にし、半導体ウエ
ハ面内（温度）分布を小さくすることができる半導体製
造装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明は以下の手段をとった。 （１） 半導体ウエハ表面に対向する部分からガスを導
入するＲＴＰ装置とした。 （２） さらにガス導入口に連続した石英チューブの形
状が傾斜をもったＲＴＰ装置とした。
【０００６】
【発明の実施の形態】ガスの流れ、雰囲気を均一にし、
半導体ウエハ面内温度分布を小さくすることができるよ
うにした。従って、温度によって影響を受けるシート抵
抗値、Ｋ値のばらつきをおさえ、ウエハ面内で均一な高
温短時間処理ができる。
【０００７】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
説明する。図１、図２は、本発明のＲＴＰの構造を示す
図である。図１ではＲＴＰ装置に導入されるガスは、ガ
ス導入口３０１から導入され、ガス吹き出し穴３０２を
通り、石英チューブ本体１１０に囲まれたＲＴＰ内部に
導入される。ここでガス導入口３０１は、半導体ウエハ
４０１の表面側、直上に配置され、半導体ウエハ４０１
表面に流れるようにしてある。また、図２では、ガス導
入口３０１に連続する石英チューブ本体１２０の上面部
に傾斜をつけることによって、半導体ウエハ４０１に対
して、ガスの流れをより均一にすることができるように
した。半導体ウエハ４０１表面のガスの流れを均一にす
ることによって、半導体ウエハ４０１の面内温度分布を
小さくすることができ、温度によって影響を受けるシー
ト抵抗値、の面内でのばらつきを抑えた高温短時間熱処
理ができる。
【０００８】
【発明の効果】本発明は、半導体プロセスの高温短時間
熱処理するためのＲＴＰ装置において、石英チューブの
ガス導入口を半導体ウエハ表面に対向した直上部に設
け、さらに石英チューブの上面に傾斜をもたせた。これ
によって、半導体ウエハ表面のガスの流れを均一にする
ことが可能になるため、半導体ウエハ面内温度分布のば
らつきを小さくすることが可能となり、温度によって影
響を受けるシート抵抗値のウエハ面内ばらつきをおさえ
ることができる。これらにより、本発明によるＲＴＰ装
置を用いて作製したＩＣの特性均一化、歩留まりの向上
にも効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明のＲＴＰ装置の実施例を示す断面
図である。
【図２】図２は本発明のＲＴＰ装置の他の実施例を示す
断面図である。
【図３】図３は従来のＲＴＰ装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１０１、１１０、 １２０ 石英チューブ １０２ 石英トレイ ２０１ ハロゲンランプ ３０１ ガス導入口 ３０２ ガス吹き出し穴 ４０１ 半導体ウエハ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウエハ表面に対向する位置にガス
    導入口が配置されていることを特徴とするＲＴＰ（Rapi
    d Thermal Processing）装置。
  2. 【請求項２】 前記ＲＴＰ装置の石英チューブの前記ガ
    ス導入口に連続した部分が傾斜をもった形状をしている
    ことを特徴とするＲＴＰ装置。
JP30116499A 1999-10-22 1999-10-22 半導体製造装置 Pending JP2001118803A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006059931A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Canon Anelva Corp 急速加熱処理装置
JP2009224775A (ja) * 2008-02-20 2009-10-01 Tokyo Electron Ltd ガス供給装置、成膜装置及び成膜方法

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JP2006059931A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Canon Anelva Corp 急速加熱処理装置
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